CN102456563B - 用于减少去除胶带工艺中残留的uv曝光法 - Google Patents

用于减少去除胶带工艺中残留的uv曝光法 Download PDF

Info

Publication number
CN102456563B
CN102456563B CN201110168533.7A CN201110168533A CN102456563B CN 102456563 B CN102456563 B CN 102456563B CN 201110168533 A CN201110168533 A CN 201110168533A CN 102456563 B CN102456563 B CN 102456563B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
chip
adhesive tape
tape
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110168533.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102456563A (zh
Inventor
胡毓祥
卢祯发
刘重希
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN102456563A publication Critical patent/CN102456563A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102456563B publication Critical patent/CN102456563B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0831—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1911—Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y10T156/1917—Electromagnetic radiation delaminating means [e.g., microwave, uv, ir, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明公开一种形成集成电路的方法，包括提供晶片以及粘附在晶片上的胶带，其中胶带具有垂直于第一方向的主表面。使用光线对胶带进行曝光以使其失去粘附力。在对胶带进行曝光的步骤中，旋转晶片和胶带，和/或使光线倾斜地投射到胶带上，其中光线的主投射方向和第一方向之间形成大于0°并小于90°的倾斜角。

Description

用于减少去除胶带工艺中残留的UV曝光法
技术领域
本发明涉及一种封装工艺，更具体地说，涉及一种用于减少去除胶带工艺中残留的UV曝光法。
背景技术
为了封装工艺，有时会把半导体晶片和芯片做的很薄。为了使半导体晶片变薄，在半导体晶片前侧粘附有紫外线(UV)胶带。然后对半导体晶片的背面进行背面研磨，直到该半导体晶片的厚度达到预期值。在研磨背面之后，使用UV光对UV胶带进行UV曝光，以便从半导体晶片上去除UV胶带。
在传统的UV曝光工艺中，UV灯设置在平台上，并且UV光线向上投射。UV灯可以是条状的。半导体晶片设置在UV灯上方，并且在开始时其所在的位置不会受到UV曝光。然后半导体晶片在UV灯的正上方移动，以便对UV胶带(其面对着UV灯)进行UV曝光。移动方向垂直于UV灯的纵向。使半导体晶片继续向前移动，直到其不再位于UV灯的正上方。在移动期间，整个半导体晶片都受到UV光线的照射。UV曝光之后，从半导体晶片上去除了UV胶带。
在UV曝光的可选方式中，将UV灯面朝上设置，并且将半导体晶片设置在UV灯的正上方，并且UV胶带面向UV灯。使UV胶带处于UV照射下达到一定时间。在曝光时，不移动半导体晶片。UV曝光后，半导体晶片从半导体晶片正上方去除，并且UV胶带从半导体晶片上去除。
在传统的去除胶带的工艺中，会有部分UV胶带没有受到充足的UV曝光。结果是，会有部分UV残留物残留在半导体晶片上。例如，半导体晶片边缘的部分UV胶带经常会得不到充分的曝光。进一步地，在半导体晶片表面会形成球栅阵列(BGA)球，并且BGA球会与UV胶带接触。BGA球不具有垂直侧边，并且部分BGA球会阻挡UV光线投射到部分UV胶带上。结果是，部分被阻挡了UV光线的UV胶带没有被UV光线充分曝光。这会在去除UV胶带之后使得仍有UV胶带残留在半导体晶片上。这些残留的UV胶带会导致随后封装工艺中的产量损失。
发明内容
这些和其他问题通过提供用于减少去除胶带工艺中残留的UV曝光法的本发明的示意性实施例来整体解决或克服，并且整体上实现技术优点。
根据本发明的一个方面，提供一种方法，该方法包括：提供晶片以及粘附在所述晶片上的胶带，其中所述胶带包括垂直于第一方向的主表面；以及利用光线对所述胶带进行曝光以使所述胶带失去粘附力，其中曝光所述胶带的步骤包括选自以下组的步骤，所述组基本上包括：旋转所述晶片和所述胶带；使所述光线倾斜地投射到所述胶带上，其中所述光线的主投射方向和所述第一方向形成大于0°且小于90°的倾斜角；以及其组合。
优选地，所述胶带是紫外线(UV)胶带，并且其中所述光线是UV光线。
优选地，所述胶带进行曝光的步骤包括：当所述光线对所述胶带进行曝光时，旋转所述晶片和所述胶带。
优选地，所述对所述胶带进行曝光的步骤包括：使所述光线倾斜地投射到所述胶带上，并且所述倾斜角小于约45°。
根据本发明的另一方面，提供一种方法，该方法包括：将晶片固定在载物台上，其中将紫外线(UV)胶带粘附在所述晶片上；使所述晶片和所述胶带沿轴线旋转；以及当所述晶片和所述胶带旋转时，利用UV光线对所述UV胶带进行曝光，其中所述UV光线的主投射方向和所述轴线之间形成大于0°并小于约45°的倾斜角。
优选地，所述对所述UV胶带进行曝光的步骤包括：将所述晶片和所述UV胶带设置在所述UV光线的一边，并且所述UV胶带未被所述UV光线曝光；移动所述晶片和所述UV胶带以使所述UV光线对所述UV胶带进行曝光；以及移动所述晶片和所述UV胶带直到所述UV光线不对所述UV胶带进行曝光。
优选地，所述载物台与传送臂连接，并且其中在对所述胶带进行曝光步骤中，所述传送臂沿移动导向件移动。
优选地，所述晶片和所述胶带的移动方向与所述UV胶带的主表面之间形成所述倾斜角。
优选地，所述UV光线的主投射方向垂直于所述晶片的移动方向。
优选地，所述晶片的移动方向平行于所述UV胶带的主表面，并且其中所述UV光线的主投射方向与所述轴线之间形成所述倾斜角。
优选地，在对所述UV胶带进行曝光的步骤中，所述晶片和所述UV胶带未进行水平移动。
根据本发明的又一方面，提供一种用于将粘附在晶片上的紫外线(UV)胶带进行曝光的装置，所述装置包括：载物台，所述晶片安装在所述载物台上，其中所述载物台包括垂直于第一方向的主表面；以及UV灯，所述UV灯设置成沿主UV光线方向发出UV光线，其中所述装置设置成旋转所述载物台，或者所述主UV光线方向和所述第一方向形成大于0°且小于90°的倾斜角。
优选地，所述装置进一步包括与所述载物台连接的传送臂，其中所述传送臂设置成旋转所述载物台。
优选地，所述装置进一步包括移动导向件，并且所述传送臂设置成沿所述移动导向件移动，并从所述光线的一边移动至相对边。
优选地，所述传送臂进一步设置成，在所述传送臂沿所述移动导向件移动的时候旋转所述载物台。
优选地，所述传送臂设置成沿第二方向移动，并且其中所述第二方向和所述载物台的主表面之间形成所述倾斜角。
优选地，所述传送臂设置成沿平行于所述载物台的主表面的第二方向移动，并且其中所述主UV光线方向和所述第一方向之间形成所述倾斜角。
优选地，所述装置进一步包括与所述载物台连接的电机驱动控制器，并且所述电机驱动控制器设置成控制所述载物台的旋转。
优选地，所述倾斜角小于约45°。
附图说明
为了更彻底的理解实施例及其优点，现结合附图做出以下描述以供参考，其中：
图1至图3是根据一个实施例的对紫外线(UV)胶带进行曝光的中间阶段的横截面图，其中在UV曝光期间，UV胶带旋转并移动；
图4描述了图1至图3所示过程的俯视图；
图5至图6分别示出了根据可选实施例的UV曝光的横截面图和俯视图，其中UV曝光期间，UV胶带旋转但不向前移动；
图7是UV光线从不同角度投射到UV胶带上的示意图；
图8至图10是根据可选实施例的对UV胶带进行曝光的中间阶段的横截面图，其中在UV曝光期间，UV胶带旋转并且移动，并且其中UV光线是倾斜的；
图11是图8至图10所示过程的俯视图；以及
图12和图13是根据可选实施例的对UV胶带进行曝光的中间阶段的横截面图，其中在UV曝光期间，UV胶带旋转并且不向前移动，并且其中UV光线是倾斜的。
具体实施方式
下面详细讨论本公开实施例的制造和使用。不过，应该意识到的是，这些实施例提供了可以在多种特定环境下具体化的多种可应用发明思想。所讨论的具体实施例仅仅用于描述，而不是限定本公开的范围。
根据一个实施例，提出了一种对半导体晶片上的胶带进行曝光的新方法。这里讨论了该实施例的不同变型。在所有的视图和描述的实施例中，同样的参考标记表示相同的元件。在整个描述中，以对紫外线(UV)胶带(其受到UV光线的照射)的去除作为示例。不过，本公开的教导也可用于受到不同类型光线曝光的其他类型的胶带。
图1至图4描述了根据一个实施例的对胶带的曝光过程。参见图1，描述了曝光装置的横截面图。曝光装置包括UV灯模组20和UV灯模组20中的UV灯22。UV灯22进一步包括用于发出UV光线的UV光源24，以及用于反射UV光线的反射器26。反射器26可以是光滑的弯曲表面，以便使反射的UV光线28基本沿向上的方向，只有少量UV光线(如果有的话)的方向不是沿向上的方向。在整个描述中，将UV光线投射朝向的主方向称为主UV光线方向。在图1所示的示例中，主UV光线方向垂直向上。UV灯22的形状可以是条状(参见图4)，并且每个UV光源24和反射器26也是条状。UV灯22的长度L(图4)可以等于或大于晶片44的直径D(图4)。
曝光装置进一步包括传送臂30、与传送臂30连接的晶片载物台32以及可移动导向件36，该可移动导向件引导传送臂30沿着移动方向33移动。在图1所述的示例中，移动方向33是水平方向。电机驱动控制器40与传送臂30电连接，并且其设置成控制传送臂30的动作，该动作包括传送臂30沿可移动导向件36的移动、载物台32的旋转、和/或载物台32的倾斜。也可以通过UV灯控制器42控制UV灯22打开和关闭，和/或在需要时调节光强度。
晶片44固定在载物台32上(例如，利用真空)。UV胶带48粘附在晶片44上。在开始曝光工艺时，载物台32和晶片44在UV灯22的一边(例如，在图1中的右边)。相应地，UV胶带48并未被UV光线28曝光。使载物台32、晶片44和UV胶带48相对水平方向倾斜，并且使水平面49(其与载物台32的移动方向33平行)与载物台32、晶片44和UV胶带48的主表面32a/44a/48a之间具有倾斜角α。换句话说，直线50(其垂直于主表面32a/44a/48a)与主UV光线方向之间形成了倾斜角α。在一个实施例中，倾斜角α大于0°并小于90°。在另一个实施例中，倾斜角α大于0°并小于45°，并且可以在约10°至约45°之间。电机驱动控制器40可以进一步控制传送臂30以旋转载物台32和附接其上的晶片44。虽然可以使用不同的转速，不过旋转速度的范围可以在约10转每分钟(RPM)至约2000RPM之间。直线50表示旋转轴，该轴线垂直于主表面32a/44a/48a。可选择地，也可以使用与主UV光线方向平行的垂直线作为旋转轴。
参见图2和图3，传送臂30沿移动导向件36向左边移动，其中移动方向如箭头33所示。在移动期间，载物台32、晶片44和UV胶带48继续旋转。如图2所示，当UV胶带48进入UV光线28的范围内时，UV胶带48以一种倾斜的方式被UV光线28曝光。图7描述了一种倾斜曝光的示例。正如示例UV光线28所示出的，由于UV胶带48的旋转，UV光线28从多个方向投射到UV胶带48上。因此，球栅矩阵(BGA)球54(其在晶片44的表面形成)不会遮挡UV光线28，并且UV胶带48可充分曝光并失去粘附力。
正如图3所示，随着传送臂30继续移动，晶片44和UV胶带48最终移出UV光线28的投射范围，UV光线曝光步骤结束。实质上在整个移动和整个曝光过程中，晶片44和UV胶带48均可旋转。就可将UV胶带48从晶片44上去除。由于这种无遮挡曝光，基本上没有胶带残留在晶片44上。
图4描述了UV光线曝光过程的俯视图，其中UV灯22右边的晶片44和胶带48表示晶片44和胶带48开始移动之前的位置，UV灯22左边的晶片44和胶带48表示晶片44和胶带48结束移动之后的位置。
图5和图6表示根据一个可选实施例对UV胶带48的曝光。除非另外说明，在本实施例以及随后讨论的实施例中参考标号表示图1至图4中所示实施例中相似的元件。参见图5，UV灯22在UV灯模组20中，并且UV光线28向上投射。载物台32、晶片44和UV胶带48设置在UV灯22上方，并且处于UV光线28中。再者，载物台32、晶片44和UV胶带48与水平面35形成倾斜角α，其中水平面35垂直于UV光线28的主UV光线方向。与图1至图4中所示的实施例不同，载物台32、晶片44和UV胶带48不水平移动，并且通过传送臂30旋转(例如，围绕轴线50或垂直线49)。在整个UV曝光过程中，载物台32、晶片44和UV胶带48可进行一次或多次旋转。在UV胶带48在UV光线28中曝光一定时间之后，结束UV曝光步骤。UV胶带48可以从晶片44上去除。也可以用图7表示UV光线28的投射，其示出了由于晶片44和胶带48的旋转，UV光线28从不同角度投射到UV胶带48上。图6示出了图5所示实施例的俯视图。
图8至图10示出了根据另一实施例的胶带48的曝光。在这些实施例中，UV光线28仍然是以倾斜角α倾斜地投射到UV胶带48上。不过，这种倾斜曝光是通过使UV光线28的主UV光线方向倾斜而得到。载物台32的主表面32a、晶片44的主表面44a和UV胶带48的主表面48a分别平行于移动方向33，该移动方向可以是水平方向。在曝光过程中，载物台32、晶片44和UV胶带48也是旋转的。直线50表示旋转轴线。两根轴线50，其中一根穿过所示晶片40的中心，另一根位于UV灯22正上方，其中直线50表示晶片44的旋转轴，胶带48移动至UV灯22的正上方。可以发现，UV光线28的主UV光线方向和轴线50形成倾斜角α，该角基本上与图1至图4所示实施例中的倾斜角α的值相同。
参见图8，传动臂30和晶片44从UV灯22的一边开始移动，并且朝向相对的一边移动。开始时，UV胶带48没有被UV光线28曝光。在整个曝光步骤以及传动臂30的整个移动期间，载物台32、晶片44和UV胶带48都围绕轴线50旋转。传动臂30的移动和旋转由电机驱动控制器40控制。虽然可以使用不同的旋转速度，旋转速度可与图1至图4所示实施例中所述的速度范围相同。
参见图9至图10，传动臂30沿移动导向件36向前移动(例如，向左移动)，直到其最终移出UV光线28的投射范围。在移动期间，载物台32、晶片44和UV胶带48可以一直保持旋转。如图9所示，当UV胶带48进入UV光线28的范围，UV光线28以一种倾斜的方式对UV胶带48进行曝光。此外，可用图7示出这种倾斜曝光，其示出了由于旋转和UV光线28的主UV光线方向的倾斜，UV光线28从多个方向投射到UV胶带48上。
如图10所示，由于传送臂30的移动，晶片44和UV胶带48移出UV光线28的投射范围，UV曝光步骤结束。在整个移动期间，晶片44和胶带48可以旋转。就可以将UV胶带48从晶片44上去除。由于这种无遮盖曝光，基本没有胶带残留在晶片44上。图11描述了图8至图10所示UV曝光过程的俯视图。
图12和13示出了根据又一实施例的对UV胶带48进行曝光的过程。在这些实施例中，UV光线28仍然是以倾斜角α倾斜地投射到UV胶带48上，并且在整个曝光过程中UV胶带48不水平移动。不过，也可以通过倾斜UV光线28的主UV光线方向得到这种倾斜曝光。参见图12，UV灯22设置在UV灯模组20中，并且倾斜地投射出UV光线28。UV光线28的主UV光线方向51与旋转轴线50形成了倾斜角α。进一步，轴线50可平行于垂直方向，并且分别平行于载物台32的主表面32a、晶片44的主表面44a和UV胶带48的主表面48a。载物台32、晶片44和UV胶带48设置在UV灯22的上方，并且受到UV光线28的曝光。在整个UV曝光过程中，载物台32、晶片44和UV胶带48可进行一次或多次旋转。UV光线28对UV胶带48曝光预期时间之后，UV曝光步骤结束。接着将UV胶带48从晶片44上去除。也可以用图7表示UV光线28的投射，其示出了UV光线28从多个角度投射到UV胶带48上。图13描述了图12所示实施例的俯视图。
在以上讨论的实施例中，使UV灯22和UV胶带48之一倾斜从而得到倾斜曝光。在可选实施例中，可以使UV灯22和UV胶带48都倾斜，并且UV光线28和UV胶带48之间相对的角度决定了UV光线28和UV胶带48的主表面之间的倾斜角。
在背部研磨步骤(未示出)中使晶片44变薄之后，可以使用曝光装置执行曝光步骤，在变薄过程中，UV胶带48贴在晶片44的前部，而研磨晶片44的背面。可以把图1至图13所述的曝光装置与执行背面研磨的装置(未示出)形成为一体。可选地，图1至图13所述的曝光装置是与执行背面研磨的装置(未示出)物理上相互独立的设备。
根据实施例，形成集成电路的方法包括：提供晶片，其中晶片上粘附有胶带，其中胶带的主表面垂直于一个方向。在光线中曝光胶带以使胶带失去粘附力。在曝光胶带的步骤中，晶片和胶带旋转，和/或光线倾斜地投射到胶带上，其中光线的主投射方向和所述方向之间形成大于0°并小于90°的倾斜角。
根据其他实施例，一种方法包括将晶片安装到载物台上，其中将UV胶带粘附在晶片上，使晶片和胶带围绕轴线旋转，并且当晶片和胶带旋转时，在UV光线下曝光UV胶带。在UV胶带曝光期间，UV光线的主投射方向和所述轴线之间形成大于0°并小于45°的倾斜角。
根据又一实施例，提供了一种对粘附在晶片上的UV胶带进行曝光的装置。该装置包括：载物台，其上固定有晶片，其中载物台具有垂直于第一方向的主表面。UV灯设置成能够沿主UV光线方向发射UV光线，其中将该装置设置成能够旋转载物台，或主UV光线方向和第一方向之间形成大于0°并小于90°的倾斜角。
虽然，已经详细地描述了这些实施例及其优点，应该理解的是，在这里，可以做出各种变化、置换、和变换而不背离随附的权利要求确定的实施例的精神和范围。而且本申请的范围并不限定于说明书中描述的工艺、器件、制造以及物质的构成、设备、方法和步骤的特定实施例。正如本领域技术人员能够容易从本发明中理解的，根据本发明可以利用与这里所描述的相应实施方式发挥基本相同的功能或达到基本相同的结果的现有或以后开发的工艺、器件、制造以及物质的构成、设备、方法和步骤。相应地，所附的权利要求在它们的范围内包括这些工艺、器件、制造以及物质的构成、设备、方法和步骤。此外，每项权利要求构成一个独立的实施例，各个权利要求和实施例的组合包含在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种对半导体晶片上的胶带进行曝光的方法，包括：
提供晶片以及粘附在所述晶片上的胶带，其中所述胶带包括垂直于第一方向的主表面；以及
利用光线对所述胶带进行曝光以使所述胶带失去粘附力，其中曝光所述胶带的步骤包括：当所述光线对所述胶带进行曝光时，通过传送臂沿所述第一方向旋转所述晶片和所述胶带；以及，使所述光线倾斜地投射到所述胶带上，其中所述光线的主投射方向和所述第一方向形成大于10°且小于45°的倾斜角，其中，在对所述胶带进行曝光步骤中，所述传送臂沿移动导向件移动，所述传送臂的移动方向与所述胶带的主表面之间形成所述倾斜角。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述胶带是紫外线胶带，并且其中所述光线是UV光线。
3.一种对半导体晶片上的紫外线胶带进行曝光的方法，包括：
将晶片固定在载物台上，其中将所述紫外线胶带粘附在所述晶片上；
通过传送臂使所述晶片和所述紫外线胶带沿轴线旋转；以及
当所述晶片和所述紫外线胶带旋转时，利用UV光线对所述紫外线胶带进行曝光，其中所述UV光线的主投射方向和所述轴线之间形成大于10°并小于45°的倾斜角，其中所述对所述紫外线胶带进行曝光的步骤包括：
将所述晶片和所述紫外线胶带设置在所述UV光线的一边，并且所述紫外线胶带未被所述UV光线曝光；
移动所述晶片和所述紫外线胶带以使所述UV光线对所述紫外线胶带进行曝光；以及
移动所述晶片和所述紫外线胶带直到所述UV光线不对所述紫外线胶带进行曝光，其中所述晶片和所述紫外线胶带的移动方向与所述紫外线胶带的主表面之间形成所述倾斜角。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述载物台与传送臂连接，并且其中在对所述紫外线胶带进行曝光步骤中，所述传送臂沿移动导向件移动。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述UV光线的主投射方向垂直于所述晶片的移动方向。
6.根据权利要求3所述的方法，其中所述晶片的移动方向平行于所述紫外线胶带的主表面，并且其中所述UV光线的主投射方向与所述轴线之间形成所述倾斜角。
7.根据权利要求3所述的方法，其中在对所述紫外线胶带进行曝光的步骤中，所述晶片和所述紫外线胶带未进行水平移动。
8.一种用于将粘附在晶片上的紫外线胶带进行曝光的装置，所述装置包括：
载物台，所述晶片安装在所述载物台上，其中所述载物台包括垂直于第一方向的主表面；
与所述载物台连接的传送臂，其中所述传送臂设置成旋转所述载物台，
移动导向件，并且所述传送臂设置成沿所述移动导向件移动，并从所述移动导向件的一边移动至相对边，其中所述传送臂进一步设置成，在所述传送臂沿所述移动导向件移动的时候旋转所述载物台，以及
UV灯，所述UV灯设置成沿主UV光线方向发出UV光线，其中所述装置设置成沿所述第一方向旋转所述载物台，以及所述主UV光线方向和所述第一方向形成大于10°且小于45°的倾斜角，其中所述传送臂设置成沿第二方向移动，并且其中所述第二方向和所述载物台的主表面之间形成所述倾斜角。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述传送臂设置成沿平行于所述载物台的主表面的第二方向移动，并且其中所述主UV光线方向和所述第一方向之间形成所述倾斜角。
10.根据权利要求8所述的装置，其中所述装置进一步包括与所述载物台连接的电机驱动控制器，并且所述电机驱动控制器设置成控制所述载物台的旋转。
CN201110168533.7A 2010-10-19 2011-06-17 用于减少去除胶带工艺中残留的uv曝光法 Active CN102456563B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/907,711 US8710458B2 (en) 2010-10-19 2010-10-19 UV exposure method for reducing residue in de-taping process
US12/907,711 2010-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102456563A CN102456563A (zh) 2012-05-16
CN102456563B true CN102456563B (zh) 2017-10-24

Family

ID=45933332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110168533.7A Active CN102456563B (zh) 2010-10-19 2011-06-17 用于减少去除胶带工艺中残留的uv曝光法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8710458B2 (zh)
CN (1) CN102456563B (zh)
TW (1) TWI436414B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI508158B (zh) * 2013-10-24 2015-11-11 Debound New Technology Corp 一種除膠裝置及其除膠方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1203181A (zh) * 1997-06-20 1998-12-30 琳得科株式会社 移去薄片的设备和方法
TW575900B (en) * 2001-11-13 2004-02-11 Lintec Corp Wafer transfer apparatus
CN101246808A (zh) * 2007-02-13 2008-08-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 紫外线处理装置及形成应力膜的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2892070B2 (ja) * 1989-01-26 1999-05-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成装置
US6165273A (en) 1997-10-21 2000-12-26 Fsi International Inc. Equipment for UV wafer heating and photochemistry
US6348125B1 (en) 2000-01-17 2002-02-19 Micron Technology, Inc. Removal of copper oxides from integrated interconnects
JP4488686B2 (ja) * 2003-03-12 2010-06-23 日東電工株式会社 紫外線照射方法およびそれを用いた装置
US20050284568A1 (en) 2004-06-28 2005-12-29 International Business Machines Corporation Removing unwanted film from wafer edge region with reactive gas jet
ATE391891T1 (de) 2004-10-01 2008-04-15 Ist Metz Gmbh Uv-bestrahlungsaggregat
US7825517B2 (en) * 2007-07-16 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for packaging semiconductor dies having through-silicon vias

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1203181A (zh) * 1997-06-20 1998-12-30 琳得科株式会社 移去薄片的设备和方法
TW575900B (en) * 2001-11-13 2004-02-11 Lintec Corp Wafer transfer apparatus
CN101246808A (zh) * 2007-02-13 2008-08-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 紫外线处理装置及形成应力膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120091367A1 (en) 2012-04-19
TW201218259A (en) 2012-05-01
US8710458B2 (en) 2014-04-29
TWI436414B (zh) 2014-05-01
CN102456563A (zh) 2012-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1044763C (zh) 薄膜剥离方法及所用装置
JP4834106B2 (ja) 電気的な構成部材を基板に実装するための方法及び自動実装機
CN102056658B (zh) 光照射装置及光照射方法
CN105283941B (zh) 在半导体基底上贴附黏性薄膜的装置和方法
CN109830453A (zh) 一种芯片巨量转移的方法和装置
US20100269865A1 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN102456563B (zh) 用于减少去除胶带工艺中残留的uv曝光法
CN104285508B (zh) 部件安装装置
TW201243990A (en) Chip pick and place apparatus
TWI292289B (zh)
CN103871910B (zh) 一种覆胶固晶设备
CN206415600U (zh) 一种激光选区熔化高效成型装置
JP3142285B2 (ja) イオン注入装置及び方法
CN103872193A (zh) 一种覆胶固晶方法及其系统
KR100342661B1 (ko) 웨이퍼검사장치 및 웨이퍼검사방법
TW200805537A (en) Ball filling device
KR102500554B1 (ko) 멀티 웨이퍼 트랜스퍼 및 이를 이용한 웨이퍼 이송방법
CN203774360U (zh) 一种覆胶固晶系统
CN108594604A (zh) 一种全自动曝光方法及装置
KR20080093827A (ko) 웨이퍼 스핀 척
JP2002164244A (ja) 巻き線装置及び巻き線方法
JPH11163096A (ja) 基板移載機のピッチ可変機構
JP2716142B2 (ja) 半導体基板イオン注入装置
JP4271814B2 (ja) ペレットピックアップ装置及びペレットピックアップ方法
CN218946580U (zh) 气路铺球头

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant