CN102456395B

CN102456395B - 用于低供应电压的电子泵

Info

Publication number: CN102456395B
Application number: CN201110157218.4A
Authority: CN
Inventors: 张孟凡; 沈欣彰; 吕易伦
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2010-10-18
Filing date: 2011-06-13
Publication date: 2014-03-12
Anticipated expiration: 2031-06-13
Also published as: TWI431911B; US8390365B2; CN102456395A; TW201218600A; US20120092063A1

Abstract

本发明涉及一种用于低供应电压的电子泵系统，所述用于低供应电压的电子泵系统包含：一频率产生器，用以产生多个频率信号；一频率泵电路，耦合至频率产生器以产生一高电压，其中高电压低于一逻辑装置的电压；一位准偏移器，耦合至频率产生器及频率泵电路以产生多个高压频率信号，其中高压频率信号的电压等于高电压；一主要泵电路，耦合至频率产生器及位准偏移器以产生输出电压。本发明的位准偏移器可转换低供应电压为高电压，进而提升电子泵的电压增益；本发明的频率产生器、频率泵电路、位准偏移器及主要泵电路包含逻辑装置，以减少电子泵系统的面积并提升其增益电压能力；本发明的主要泵电路为混合结构，其在电压增益与所消耗电力间取得平衡。

Description

用于低供应电压的电子泵

技术领域

本发明涉及一种电子泵，特别涉及一种用于低供应电压的电子泵。

背景技术

一般而言，为了维持集成电路(IC)的正常运作，电压越高越好，晶载式(on-chip)电压产生器或倍增器可用于具有单一电源的集成电路(IC)中，以提供比电源更高的电压，而上述用以实现提高电压的装置则称为电子泵(charge pump)。电子泵可用以产生高于电源电压的正电压或低于电源电压的负电压，其可广泛运用于内存相关领域，如用于动态随机存取存储器(DRAM)的回授偏压(backbias)、非挥发性内存的写入及抹除(如一次性可编程只读存储器(one timeprogrammable read only memory，OTP)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、闪存等。以闪存的堆栈闸(stack gate)为例，正向高电压可通过信道热电子编程(CHE)或FN通道法(Fowler-Nordheim tunneling)将电子从控制闸极驱动至悬浮闸极(floating gate)，以上所述为数据写入的动作。而相同的原理也可应用于数据抹除，当控制闸极接负高压且源极接至一个正高压时，悬浮闸极上的负电子将会自悬浮闸极中拉至源极，进而完成抹除的动作。

电子泵为一种直流转直流并提升电压的电压转换器，其中每一增益级由多个MOS晶体管及电容所构成。电容式电子泵可广泛应用于芯片上，其可驱动电荷以产生比供应电压更高的正电压或更低的负电压。且由于此电路结构无须使用任何磁性元件，故可有效降低制造成本。电子泵输出的电流大小如以下所示。

Iout＝C[(1+1/N)(VDD-Vth)-Vout/N]/T

由以上公式可知，输出电流(Iout)正比于电容值及供应电压(VDD)与临界电压(Vth)的差值。因此，要设计一性能优越的电子泵，关键在于提升电容值、增加供应电压或降低临界电压。

目前业界所广泛使用的电子泵为迪克森电子泵(Dickson’s charge pump)，其以迪克森(Dickson)二极管连接金属氧化物半导体(NMOS)结构为原型，利用切换电容电路(switched-capacitor circuit)单向传输电荷，但此类型的电子泵易受限于临界电压(Vth)的大小，进而减少传递的电荷量。当每一增益级中高电压路径(high voltage path，HV path)的电压增加时，施以高压的NMOS会受到本体效应(body effect)的影响而导致临界电压的增加。因此，当此电子泵的增益级越多时，越高级数的电压增益却会减少，使得输出电压无法线性增加，因此迪克森电子泵的效率远低于理想值。为了克服迪克森电子泵的缺点，一种新的电子泵因应而生，又称为NPC-1，其利用电荷传递开关(charge transfer switch，CTS)以解决由源极至汲极所产生电压降的问题。而NCP-2通过控制本体偏压(body bias)，让本体电位随着汲极及源极较高者变动，可有效增加效率。而NCP-3在最后一级前配置一高压频率产生器，以在最后一级提供高电压。此外，由于四相频率架构可增加电源晶体管(power transistor，Mp)的闸极电压使其高于高电压(HV)路径的电压，故其可用来增加电压增益ΔV，进而减缓临界电压对电压增益的影响。

随着科技日新月异的发展，低供应电源、低能源损耗及高操作速度成为科技发展的主流。以CMOS制程为例，操作电压已由3.3伏特降为1.8伏特，在现今的90纳米制程中，操作电压更只有1伏特。因此，可以预期未来所需的操作电压会越来越低。此外，再生能源(如太阳能)已成为现今科技主要发展方向，然而，一般太阳能电池的输出电压仅有0.5伏特，远低于现有制程的操作电压。因此，低供应电压的应用在未来可说是非常重要的。然而，由于供应电压VDD和临界电压Vth的差值减少，故上所述的各种电子泵均无法在低供应电压的环境下操作，因此，发展一种用于低供应电压的电子泵可谓当务之急。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种用于低供应电压的电子泵。

为达到上述目的，本发明提供一种用于低供应电压的电子泵系统，所述用于低供应电压的电子泵系统包含：

一频率产生器，其用以产生多个频率信号；

一频率泵电路，其耦合至所述频率产生器以产生一高电压，其中所述高电压低于一逻辑装置的电压；

一位准偏移器，其耦合至所述频率产生器及所述频率泵电路以产生多个高压频率信号，其中所述多个高压频率信号的电压等于所述高电压；及

一主要泵电路，其耦合至所述频率产生器及所述位准偏移器以产生输出电压。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述频率泵电路包含多个逻辑装置。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述位准偏移器包含多个逻辑装置。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述主要泵电路包含多个泵电路。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述泵电路为一单向结构。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述单向结构包含：

二泵电容，其耦合至所述频率产生器以接收所述频率信号；

一闸极增益电容，其耦合至所述位准偏移器以接收所述高压频率信号；及

一增益级电路。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述增益级电路包含多个逻辑装置，且产生电压低于1伏特。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述增益级电路包含多个高压装置，且产生电压高于1伏特。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述泵电容及所述闸极增益电容为逻辑装置。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述泵电容及所述闸极增益电容为高压装置。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述泵电路为一双向结构。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述双向结构包含二泵电容及一闸极增益电容，分别耦合至所述位准偏移器以接收所述高压频率信号；以及一增益级电路。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中所述泵电容、所述闸极增益电容及所述增益级电路包含多个高压装置。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中每两相邻的所述泵电路为一混合结构。

作为上述一种用于低供应电压的电子泵的优选方案，其中一所述泵电路包含二泵电容耦合至所述频率产生器用以分别接收所述频率信号及一闸极增益电容耦合至所述位准偏移器用以接收所述高压频率信号；另一所述泵电路包含二泵电容及一闸极增益电容分别耦合至所述位准偏移器用以接收所述高压频率信号。

本发明还提供一种电子泵系统的操作方法，所述电子泵系统的操作方法包含以下步骤：

通过一频率产生器产生多个频率信号；

分别传输所述多个频率信号至一频率泵电路、一位准偏移器及一主要泵电路；

通过所述频率泵电路提供高电压至所述位准偏移器，其中所述高电压低于1伏特；

在所述位准偏移器中通过整合所述多个频率信号及所述高电压产生多个高压频率信号；及

传输所述多个高压频率信号至所述主要泵电路。

作为上述一种电子泵系统的操作方法的优选方案，其中所述主要泵电路包含多个单向结构。

作为上述一种电子泵系统的操作方法的优选方案，其中所述主要泵电路包含多个双向结构。

作为上述一种电子泵系统的操作方法的优选方案，其中所述主要泵电路包含多个混合结构。

相比于现有技术，本发明具有以下有益效果：

1)本发明的一优点在于低供应电压可应用于本电子泵中，其系因为位准偏移器可转换低供应电压为高电压，进而提升电子泵的电压增益；

2)本发明的另一优点为在于本发明所揭示的频率产生器、频率泵电路、位准偏移器及主要泵电路可包含逻辑装置，借此可减少此电子泵系统的面积并提升其增益电压的能力；

3)本发明的又一优点在于主要泵电路为混合结构，其可在电压增益与所消耗电力间取得平衡。

附图说明

图1显示本发明所揭示的电子泵系统；

图2显示本发明所揭示的单向结构；

图3显示本发明所揭示的双向结构；

图4显示本发明所揭示的混合结构；

图5显示本发明所揭示的频率泵电路；

图6显示本发明所揭示的位准偏移器；

图7显示本发明主要泵电路的第一增益级；

图8显示本发明单向结构的实施例；

图9显示本发明双向结构的实施例。

主要元件符号说明：

频率产生器-10；

频率泵电路-20；反相器-201、202；闸极NMO S-203；泵NMOS-204；主要NMOS-205；传递NMOS-206；夹钳NMOS-207；次要NMOS-208；

位准偏移器-30；第一延迟元件-301；第二延迟元件-302；NMOS-303、304、305；PMOS-306、307、308；反相器-309；

主要泵电路-40；反相器-401；闸极NMOS-402；泵NMOS-403；主要NMOS-404；传递NMOS-405；单向结构-41；双向结构-41a；混合结构-41b；反相器-411；闸极NMOS-412；泵NMOS-413；主要NMOS-414；传递NMOS-415；夹钳NMOS-416；次要NMOS-417；增益级电路-42、42a；NMOS闸极-421；泵NMOS-422；主要NMOS-423；传递NMOS-424；夹钳NMOS-425；次要NMOS-426；闸极增益电容-43、43a；泵电容-44、45、44a、45a。

具体实施方式

本发明涉及一种用于低供应电压的电子泵，可应用于一嵌入式非挥发性内存。

本发明将以较佳实施例及附图加以描述，此类描述解释本发明的结构及步骤，仅用以说明而非用以限制本发明的权利要求。因此，除说明书中的较佳实施例以外，本发明还可广泛实行于其它实施例中。

请参阅图1，图1显示本发明的较佳实施例，揭示一种电子泵系统，其包含：一频率产生器10，用以产生多个频率信号，较佳为四相频率信号；一频率泵电路20耦合至上述频率产生器10已产生高电压(HV)；一位准偏移器30耦合至上述频率产生器10及频率泵电路20，以产生多个高压(HV)频率信号；以及一主要泵电路40耦合至频率产生器10及位准偏移器30，以产生输出电压。

请参阅图2，图2显示一主要泵电路40的实施例，其包含多个单向结构41，而此单向结构包含一闸极增益电容43耦合至位准偏移器30以接收高压频率信号，进而增加电压增益ΔV，以补偿因为低供应电压而降低的电压增益；在本实施例中，一泵电容44及另一泵电容45分别耦合至频率产生器10以接收频率信号，以提升电压以供应下一增益级(stage)，而增益级电路42分别与电容44、45、以及接收高压频率信号的闸极增益电容43相耦合。在本实施例中，高压频率信号将经由闸极增益电容43传输至增益级电路42，以启动此增益级电路42，而频率信号将由泵电容44及45传输，以提升电压并供给下一增益级。由于单向结构41利用频率信号以提升电压至下一增益级，故可节省更多电力，但电压增益较低。

请参阅图3，图3显示主要泵电路40的另一实施例，其包含多个双向结构41a，其中双向结构41a包括一闸极增益电容43a、一泵电容44a、另一泵电容45a、及一增益级电路42a，其中，闸极增益电容43a、泵电容44a及泵电容45a分别耦合至位准偏移器30以接收高压频率信号，进而增加电压增益ΔV，以补偿因为低供应电压而降低的电压增益。在本实施例中，高压频率信号将经由闸极增益电容43a传输至增益级电路42a，以启动增益级电路42a。此外，高压频率信号将通过泵电容44a及45a提升电压并传输至下一增益级，由于双向结构利用高压频率信号提升电压，故其电压增益将比单向结构41高。通过施加高压频率信号于闸极增益电容43a、泵电容44a及45a，电压增益及其所产生的输出电压可比已知的电子泵更高。然而，双向结构41a却会损耗更多电力。

在本发明的另一较佳实施例中，利用一种整合单向结构41及双向结构41a的混合结构，以达到兼具高电压增益及省电的目的。如图4所示，此主要泵电路40(如图1所示)包含多个混合结构41b，每一混合结构41b包含二增益级电路，其中，前增益级电路42包含泵电容44、泵电容45及一闸极增益电容43，其中，泵电容44及45分别耦合至频率产生器10以接收频率信号，而闸极增益电容耦合至位准偏移器30以接收高压频率信号。而后增益级电路42a包含泵电容44a、泵电容45a与门极增益电容43a，上述电容均分别耦合至位准偏移器30以接收高压频率信号。在本实施例中，利用单向结构41作为混合结构41b的前增益级及利用双向结构41a作为混合结构41b的后增益级，将可使得电压增益及所需供应电力取得平衡。

以MOS电容取代一般电容可减少电容所需面积，且利用逻辑装置取代高压装置可增加主要泵电路40的驱动能力，然而，由于逻辑装置仅能操作于低电压下(如1伏特)，故逻辑MOS电容适用于具有较低电压的增益级电路中，例如，主要泵电路40的前部分增益级。主要泵电路的一较佳实施例可包含：两个单向结构41的增益级，其由逻辑装置所构成；七个单向结构41的增益级，其由高压装置所构成；三个双向结构41a的增益级，其由高压装置所构成；以及一个输出增益级，其由高压装置所构成的双向结构。此外，由于频率产生器10、频率泵电路20及位准偏移器30的操作电压均小于1伏特，故上述装置还可使用逻辑装置。因此，电子泵的面积将可有效减少，且位准偏移器30的驱动能力还可有效提升。

图5显示频率泵电路其中一增益级的实施例。在本实施例中，二反相器201串联至频率产生器10(示于图1中)并输出频率信号pgate至一闸极NMOS 203，由于闸极NMOS 203的闸极、源极及汲极均耦合在一起，故可用以作为一闸极电容，而闸极NMOS 203的闸极耦合至主要NMOS 205的闸极。当频率信号pgate位于高位准时，此主要NMOS205将被导通(turn on)，进而将此增益级的电荷传输至下一增益级。二反相器202串联至频率产生器10并输出频率信号psource至一泵NMOS 204，其闸极、源极及汲极均耦合在一起以作为一泵电容，且泵NMOS 204的闸极耦合至一传递NMOS 206，以避免反转电荷共享(reversedcharge sharing)。汲极与闸极均耦合至供应电压的一夹钳NMOS 207用以作为电压的钳制，以确保夹钳NMOS 207的源极电压相等于VDD-Vth(供应电压减去临界电压)，若频率信号pin的初始电压值太低，则频率信号pin的电压将等于VDD-Vth。此外，当此增益级的频率信号pgate位于低位准时，前一增益级的频率信号pgate则为高位准。因此，由于前一增益级的频率信号pgate为高位准，故等同于前一增益级的频率信号pgo的本增益级的频率信号pgi也为高位准，且因为主要NMOS 205的闸极与源极相互耦合，故可导通由频率信号pgi所控制的次要NMOS 208，以关闭主要NMOS 205，进而避免反转电荷共享的问题。

请参阅图6所示，图6显示本发明位准偏移器30的一实施例，其包含一第一延迟元件301、一第二延迟元件302、NMOS 303、NMOS 304、NMOS 305、PMOS 306、PMOS307、PMOS308及一反相器309，其中第一延迟元件301及反相器309并联且耦合至频率产生器10以接收频率信号，而第二延迟元件302及NMOS 304的闸极并联且耦合至反相器309，NMOS 305的闸极耦合至第二延迟元件302，NMOS 303则耦合至第一延迟元件301，而PMOS 306的源极、PMOS307的闸极及PMOS308的闸极并联且耦合至NMOS303的汲极，且NMOS304的汲极及PMOS306的闸极并联且耦合至PMOS 307的源极，PMOS306的汲极、PMOS 307的汲极及PMOS308的汲极并联且耦合至频率泵电路20以接收高电压HV，而主要泵电路40耦合至NMOS 305的汲极及PMOS308的源极以传输高压频率信号。因此，频率信号可经由NMOS 303-305及PMOS 306-308转换为高压频率信号，以使位准偏移器30可提供高压频率信号给主要泵电路40。

本发明所示的电子泵系统的第一增益级如图7所示，其为具有多个逻辑装置的一单向结构，包含一位准偏移器30、四反相器401、一闸极NMOS 402、一泵NMOS 403、一主要NMOS 404及一传递NMOS 405。在本实施例中，位准偏移器耦合至频率产生器10以接收频率信号pgate且耦合至频率泵电路20以接收高电压HV，进而产生高压频率信号，而闸极、源极及汲极互相耦合的闸极NMOS 402可作为一闸极电容，其耦合至位准偏移器30以接收高压频率信号，而主要NMOS 404用以推动电荷至下一增益级，其中，主要NMOS 404的闸极耦合至闸极NMOS 402的闸极，以使主要NMOS 404可由高压频率信号所控制。串联至频率产生器10以接收频率信号psource的四反相器401耦合至泵NMOS 403以传输psource至做为电容的泵NMOS 403，其中，泵NMOS 403的闸极、源极及汲极互相耦合以作为电容。而通过耦合传递NMOS 405的汲极至主要NMOS 404的闸极，以及耦合传递NMOS 405的源极至主要NMOS 404的源极，可在频率信号psource在高位准时关闭主要NMOS 404，进而避免反转电荷共享。需要注意的是，由于第一增益级的电压小于1伏特，故闸极NMOS402、泵NMOS 403、主要NMOS 404及传递NMOS 405均为逻辑NMOS，借此可提升此增益级的驱动能力，且减少其占有的面积。

图8显示本发明单向结构的实施例，其包含：一位准偏移器30、四反相器411、一闸极NMOS 412、一泵NMOS 413、一主要NMOS 414、一传递NMOS415、一夹钳NMOS 416及一次要NMOS 417。在本实施例中，位准偏移器30耦合至频率产生器10以接收频率信号pgate，且耦合至频率泵电路20以接收高电压HV，进而产生高压频率信号。闸极NMOS 412的闸极、源极、及汲极互相耦合以作为一闸极电容，其耦合至位准偏移器30以接收高压频率信号，且主要NMOS 414用以驱动电荷至下一增益级，其中，主要NMOS 414的闸极耦合至闸极NMOS 412的闸极，以使高压频率信号可控制主要NMOS 414。串联至频率产生器10以接收频率信号psource的四个反相器411耦合至泵NMOS 413以传输pource至泵NMOS 413，其中，泵NMOS 413的闸极、源极、及汲极互相耦合以作为一泵电容。此外，通过耦合传递NMOS 415的汲极至主要NMOS414的闸极，并耦合传递NMOS 415的源极至主要NMOS 414的源极，可在频率信号psource位于高位准时关闭主要NMOS 414，进而避免反转电荷共享。夹钳NMOS 416的汲极和闸极耦合至供应电源以作为一电压的钳制，借此确保钳制NMOS 416的源极电压相等于VDD-Vth，即供应电压减去临界电压，若频率信号pin的初始电压太低，则此频率信号pin的电压将为VDD-Vth。此外，当此增益级的频率信号pgate位于低位准，则前一增益级的pgate将为高位准。因此，由于前一增益级的频率信号pgate位于高位准，故，等同于前一增益级的频率信号pgo的本增益级的频率信号pgi也为高位准，借此，由pgi所控制的次要NMOS 417将被导通，且因主要NMOS 414的闸极和源极为互相耦合的，故主要NMOS 414将被关闭，进而可避免反转电荷共享。需要注意的是，因为闸极NMOS 412、泵NMOS 413、传递NMOS 415、夹钳NMOS 416及次要NMOS417的电压高于1伏特，故上述元件均为高压(HV)NMOS，然而，由于主要NMOS 414的电压小于1伏特，故其可为逻辑NMOS。

图9显示本发明双向结构的实施例。其包含二位准偏移器30、一闸极NMOS421、一泵NMOS 422、一主要NMOS 423、一传递NMOS 424、一夹钳NMOS425、及一次要NMOS 426。在本实施例中，位准偏移器30耦合至频率产生器10以接收相位不同的频率信号pgate及psource，并耦合至频率泵电路20以接收高电压，接着产生一高压频率信号HV_pgate及另一高压频率信号HV_psource，闸极NMOS 421的闸极、源极及汲极互相耦合以作为一闸极电容，其耦合至位准偏移器30以接收HV_pgate，主要NMOS 423用以驱动电荷至下一增益级，其中，主要NMOS 423的闸极耦合至闸极NMOS 421的闸极，以使HV_pgate可控制主要NMOS 423。泵NMOS 422的闸极、源极及汲极互相耦合以作为一泵电容，其耦合至位准偏移器30以接收HV_psource。通过耦合传递NMOS 424的汲极至主要NMOS 423的闸极，并耦合传递NMOS 424的源极至主要NMOS 423的源极，可在HV_psource为高位准时关闭主要NMOS 423，进而避免反转电荷共享。夹钳NMOS 425的汲极与闸极耦合至供应电源以作为一电压的钳制，进而使得夹钳NMOS 425的源极电压相等于VDD-Vth，借此，若频率信号pin的初始电压太低时，其电压可为VDD-Vth。此外，当本增益级的HV_pgate位于低位准时，前一增益级的HV_pgate将为高位准，因此，由于前一增益级的HV_pgate为高位准，故相等于前一增益级的pgo的本增益级的pgi将为高位准，且由pgi所控制的次要NMOS 426将被导通，使得闸极与源极互相耦合的主要NMOS 423将被关闭，进而避免反转电荷共享。需要注意的是，由于闸极NMOS 421、泵NMOS 422、主要NMOS 423、传递NMOS 424、夹钳NMOS 425及次要NMOS 426的电压均高于1伏特，故其均为高压NMOS。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例。并非用以限定本发明的专利保护权利范围。本领域的普通技术人员在不脱离本专利精神或范围内所作的更动或修饰，均属于本发明权利要求书的保护范围内。

Claims

1.一种用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述用于低供应电压的电子泵系统包含：

一频率产生器，其用以产生多个频率信号；

一频率泵电路，其耦合至所述频率产生器以产生一高电压，其中所述高电压不高于一逻辑装置的负载电压；

2.如权利要求1所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述频率泵电路包含多个逻辑装置。

3.如权利要求1所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述位准偏移器包含多个逻辑装置。

4.如权利要求1所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述主要泵电路包含多个泵电路。

5.如权利要求4所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述泵电路为一单向结构。

6.如权利要求5所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述单向结构包含：

二泵电容，其耦合至所述频率产生器以接收所述频率信号；

一增益级电路。

7. 如权利要求6所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述增益级电路包含多个逻辑装置，且产生电压低于1伏特。

8.如权利要求6所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述增益级电路包含多个高压装置，且产生电压高于1伏特。

9.如权利要求6所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述二泵电容及所述闸极增益电容为逻辑装置。

10.如权利要求6所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述二泵电容及所述闸极增益电容为高压装置。

11.如权利要求4所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述泵电路为一双向结构。

12.如权利要求11所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述双向结构包含二泵电容及一闸极增益电容，分别耦合至所述位准偏移器以接收所述高压频率信号；以及一增益级电路。

13.如权利要求12所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，所述二泵电容、所述闸极增益电容及所述增益级电路包含多个高压装置。

14.如权利要求4所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，每两相邻的所述泵电路为一混合结构。

15.如权利要求14所述用于低供应电压的电子泵系统，其特征在于，一所述泵电路包含二泵电容耦合至所述频率产生器用以分别接收所述频率信号及一闸极增益电容耦合至所述位准偏移器用以接收所述高压频率信号；另一所述泵电路包含二泵电容及一闸极增益电容分别耦合至所述位准偏移器用以接收所述高压频率信号。

16.一种电子泵系统的操作方法，其特征在于，所述电子泵系统的操作方法包含以下步骤：

通过一频率产生器产生多个频率信号；

传输所述多个高压频率信号至所述主要泵电路。

17.如权利要求16所述的电子泵系统的操作方法，其特征在于，所述主要泵电路包含多个单向结构。

18.如权利要求16所述的电子泵系统的操作方法，其特征在于，所述主要泵电路包含多个双向结构。

19.如权利要求16所述的电子泵系统的操作方法，其特征在于，所述主要泵电路包含多个混合结构。