CN102446867A - 带有基础模块和连接模块的功率半导体模块 - Google Patents

带有基础模块和连接模块的功率半导体模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102446867A
CN102446867A CN201110302199XA CN201110302199A CN102446867A CN 102446867 A CN102446867 A CN 102446867A CN 201110302199X A CN201110302199X A CN 201110302199XA CN 201110302199 A CN201110302199 A CN 201110302199A CN 102446867 A CN102446867 A CN 102446867A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power semiconductor
contact device
contact
semiconductor
link block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201110302199XA
Other languages
English (en)
Inventor
克里斯蒂安·约布尔
汤姆斯·施托克迈尔
克里斯蒂安·克洛内达
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Publication of CN102446867A publication Critical patent/CN102446867A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

一种带有基础模块和连接模块的功率半导体模块和所配属的用于制造功率半导体模块的方法，功率半导体模块具有电绝缘的壳体、基础模块和连接模块。该方法的特征在于下列方法步骤：构造半导体组件，半导体组件分别具有第一导电元件、布置在第一导电元件上的至少一个功率半导体器件以及与第一导电元件导电接触的第一接触装置和与至少一个功率半导体器件导电接触的第二接触装置。通过将半导体组件借助至少一个绝缘装置电绝缘地布置在基板上来构造基础模块。构造带有绝缘材料成型体和至少一个连接装置的连接模块。在半导体组件的接触装置与另一个半导体组件的接触装置之间借助连接装置构成至少一个内部导电连接的情况下，相对于基础模块布置连接模块。

Description

带有基础模块和连接模块的功率半导体模块
技术领域
本发明介绍了一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有电绝缘的壳体以及布置在该壳体中地且电路适宜地连接的多个功率半导体器件。
背景技术
这种功率半导体模块例如由DE 102006034964B3所公知。该文献公开了带有两个串行连接的、优选构造为晶闸管的功率半导体器件的功率半导体模块，这些功率半导体器件电绝缘地布置在基板上。借助两个连接部元件，这些功率半导体器件与外部接触元件连接。连接元件一方面构成功率半导体器件的内部的电连接，并且另一方面用作其它的外部接触元件。在这种情况下，接触元件与功率半导体器件的模块内部连接构造为力锁合连接，并且为此每个功率半导体器件具有特有的压力装置。
这种功率半导体器件的缺点是复杂的制造方法，在该制造方法中，大量单个部件必须一个接一个地连接到功率半导体模块。
发明内容
本发明基于如下任务，即，介绍一种模块化构成的功率半导体模块和所属的简化的制造方法，其中，预制的模块可以相对彼此地布置，并且额外地可以简单地实现功率半导体模块的各种内部的电路变化方案。
该任务依据本发明通过依据权利要求1的功率半导体模块以及通过带有权利要求6的特征的方法来解决。优选实施方式在各个从属权利要求中进行介绍。
本发明的出发点是构造一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有：电绝缘的壳体、基板和用于功率半导体模块的功率半导体器件的电路适宜的外部连接的外部接触元件。在这种情况下，依据本发明的功率半导体模块具有两个基本的分模块，即基础模块和连接模块，其中，基础模块本身作为基本部件具有至少两个半导体组件。用于功率半导体模块的所属的依据本发明的制造方法在下文中与功率半导体模块本身一起介绍。
在这种情况下，每个半导体组件都具有第一导电元件、至少一个布置在第一导电元件上的功率半导体器件以及一个用于接触第一导电元件的第一接触装置和一个或者各一个用于接触功率半导体器件的第二接触装置。由此，导电元件用于功率半导体器件的第一接触面的电连接，并且借助第一接触装置用于其在功率半导体模块内部的其它电连接。第二接触装置间接或者直接地与布置在与功率半导体器件的与第一接触面对置的主面上的第二接触面连接。为了间接接触，可以在这些接触面上、在这些接触面和第二接触元件之间再设置额外的、优选呈盘形的导电元件。
在设计为圆形的功率半导体器件中有利的是，第一连接装置构造为空心圆柱体，该连接装置在某个区段中围住功率半导体器件。同样有利的是，第二接触装置构造为圆柱体或者构造为空心圆柱体。特别在可控制的功率半导体器件中，作为空心圆柱体的构造方式特别有利，因为这样可以例如借助接触弹簧来接触经常居中地布置在功率半导体器件上的控制连接部。不言而喻地，必须保持不同电位的在电方面必要的绝缘间距，这可以在制造方法范畴中例如通过布置凝胶状的绝缘材料来实现。
在功率半导体模块的依据本发明的制造方法的范畴中，构造这种半导体组件是基本的方法步骤。在这种情况下优选的是，将在热方面或者电方面特别要求的连接构造为加压烧结连接。尤其优选的是，将所有半导体组件的导电连接构造为加压烧结连接。
半导体组件在制造方法的范畴中布置在基板上，其中，在基板和各个半导体组件的导电元件之间设置有共同的绝缘装置，或者给每个半导体组件设置一个绝缘装置。所述绝缘装置用于相对基板电绝缘，由此，该基板在应用功率半导体模块时可以持续地处在某个基本电位上。
在基板和必要时每个绝缘装置之间的优选可用的连接同样地可如同用于半导体组件的绝缘装置的连接那样构造为粘接。
作为替代地或者额外地可优选的是，基础模块此外具有基础壳体，该基础壳体构造为框架式的，并且具有用于布置半导体组件或者半导体组件的部分的定位机构。这种定位机构可以例如在该制造方法的范畴中构造为引导元件以及构造为用于半导体组件与基础壳体的插塞式止动连接的止动凸起部。
连接模块本身具有绝缘材料成型体和至少一个内部连接装置。该至少一个连接装置用于两个半导体组件的电路适宜的连接，准确地说是用于两个半导体组件的负载连接，而不是两个半导体组件的控制连接。在这种情况下，取决于待实现的电路变化方案地，示例性地构造了在两个半导体组件的在第一连接装置之间的或者第二连接装置之间的连接。同样可行的是，构造在不同半导体组件的第一和第二连接装置之间的连接。
由此，可以在基础模块的相同设计方案中，仅通过改变的连接模块而不同地构造功率半导体模块的内部电路变化方案。
此外，连接装置可以具有特有的外部接触元件，该外部接触元件与其它直接与第一或者第二连接装置电连接的外部接触元件共同构造成功率半导体模块的外部连接部元件。这些其它的外部接触元件能以优选的方式同样间接地借助合适的连接机构与所配属的接触装置连接。由此，连接机构与连接装置以如下方式区分，即，连接机构仅用于接触装置与所配属的外部接触元件的连接，而连接装置将半导体组件彼此连接并且优选额外地与外部接触元件连接。
对于在两个待连接的接触装置和所配属的连接装置之间的连接而言优选的是，力锁合地或者形状锁合地构造和制造所述连接。
对于力锁合的连接而言有利的是，在连接模块中设置至少一个压力元件，在制造方法范畴中布置时以及随后，该压力元件持续地施加压力到所配属的连接元件上，并且产生该连接元件与所配属的第一和第二接触装置的连接。
功率半导体模块的电绝缘的壳体优选仅由基础模块的基础壳体和连接模块的作为盖子起作用的绝缘材料成型体构造成。在这种情况下特别优选的是，基础模块的基础壳体与连接模块的绝缘材料成型体的连接借助螺旋连接或者借助搭扣式止动连接来实现。通过该连接变化方案，在接触装置与所配属的连接装置力锁合地连接时，特别有利地制造出了所述连接。
附图说明
依据本发明的任务借助于依据图1至图5的实施例作进一步阐释。
图1以侧剖面图示意性地示出了依据本发明的功率半导体模块；
图2示出了依据图1的功率半导体模块的基础模块的俯视图；
图3至图5以不同的细节程度示出了连接模块的各种设计方案，以及可由此实现的电路变化方案。
具体实施方式
图1以侧剖面图示意性地示出了依据本发明的功率半导体模块1。彼此间隔地显示出的是该功率半导体模块的基础模块3和连接模块6。在此，基础模块3具有通常由非常良好地导热的金属制成的基板10。在此，在该基板10上并且朝向功率半导体模块1的内部设置有两个绝缘装置12。
在这些绝缘装置12上又设置有各一个半导体组件4a/4b，由此，半导体组件与基板10电绝缘地布置在功率半导体模块1中。各个半导体组件4a/4b由导电元件14、在此正好是一个的功率半导体器件16以及第一和第二接触装置24a/24b、26a/26b组成。
功率半导体器件16或者其第一接触面(准确的说是负载接触面)优选借助加压烧结连接与第一导电元件14a/14b连接，而该第一导电元件同样优选借助加压烧结连接与第一接触装置24a/24b连接。功率半导体器件16的第二接触面(同样是负载接触面)又优选借助加压烧结连接与第二接触装置26a/26b导电地连接。
特别在功率半导体模块1设计为带有高功率的二极管模块/晶闸管模块时优选的是，功率半导体器件16具有圆形的、盘状的基础外形。然后在该设计方案中同样优选的是，第一和第二接触装置24a/24b、26a/26b构造为金属的空心圆柱体。这尤其地具有如下优点，即，在这种情况下提供了接触装置的高载流能力。
额外地，第一功率组件4a具有呈接触弹簧形式的辅助连接元件36，用于功率半导体器件16(在此是晶闸管)的控制连接部的接触。此外，第二功率组件4b的功率半导体器件16在该功率半导体器件的背离基板的侧上具有第二导电元件160。该第二导电元件例如用于功率半导体器件16(在此是二极管)的以及所配属的第二接触装置26b的机械脱离。
出于概览的原因而与基础模块3间隔地示出连接模块6，该连接模块本身具有绝缘材料成型体60和在该设计方案中恰好为一个的连接装置40。同样参看图3至图5，连接装置40构造为扁平的金属成型体，该金属成型体具有朝着基础模块3的接触装置24a/24b、26a/26b的接触部位，进而构成功率半导体模块1的在大多数情况下为多个的电路变化方案中的一个。构造在功率半导体模块1的内部的电路变化方案或者所配属的电连接通过虚线来标明。
可能有利的是，将连接装置40以注塑技术与绝缘材料成型体60连接，在此同样合适的是搭扣式止动连接。
此外，在此设置有外部的接触元件140、154、156作为连接模块6的部件，这些外部的接触元件用于功率半导体模块1的外部的电连接。在此，这些外部的接触元件140、154、156例如构造为螺旋连接的部件。这些外部的接触元件140、154、156与所配属的第一和第二接触装置24a/24b、26a/26b，或者与所配属的连接装置40在电方面保持间接或者直接的接触。
此外，连接模块40具有压力元件44，该压力元件在朝基础模块3布置连接模块6时至少施加压力给连接装置40，并且通过该连接装置施加压力给连接装置的朝向所配属的第一和第二接触装置24a/24b、26a/26b的接触面，进而在其间构造出力锁合的电连接。还可有利的是，在连接模块6中设置仅在图3至图5中显示出的连接机构54、56，这些连接机构同样加载以压力，并且在其它外部接触元件154、156和所配属的第一、第二接触元件24a/24b、26a/26b之间制造出间接的电连接。
作为替代地，也可以优选将在半导体组件4a/4b的接触装置24a/24b、26a/26b和所配属的连接装置40之间的导电连接构造为形状锁合连接。为此，可以在朝连接模块6布置基础模块3时，在连接元件40和接触装置24a/24b、26a/26b之间设置插塞连接，在这种情况下，这些插塞连接是封闭的。
在功率半导体模块1的该设计方案中，电绝缘的壳体2由作为基础模块3的另一部件的基础壳体20以及由连接模块6的绝缘材料成型体60构造成。由此，基础壳体20构造了壳体2的框架式的部分，而绝缘材料成型体60构造了盖子62。特别有利的是，基础壳体20与盖子62借助搭扣式止动连接200连接，该搭扣式止动连接同时构造了上述的力锁合连接。当然，除了其它可行的设计方案外可能有利的是，在基础壳体20和盖子62之间设置螺旋连接。
此外，可能有利的是，基础壳体20具有定位机构202，以便将半导体组件4a/4b位置适宜地布置和/或固定在基板10上。
由此，依据本发明的制造方法概括地具有如下步骤：
·构造半导体组件4a/4b；
·构造带有与基板10电绝缘的半导体组件4a/4b的基础模块3；
·构造带有连接装置的连接模块6；
·将带有基础模块3的连接模块6布置成功率半导体模块1。
图2示出了依据图1的到功率半导体模块1上的俯视图。除了框架式的壳体20外，还显示出了各个半导体组件4a/4b的第一和第二接触装置24a/24b、26a/26b。在此，这些接触装置24a/24b、26a/26b出于上述的原因构造为空心圆柱体，不言而喻地，这些接触装置相对彼此充分电绝缘地布置。在第一半导体组件4a的第二接触装置26a的空心圆柱体的内部又设置有控制连接部的接触弹簧36。
当所配属的功率半导体器件如上所介绍的那样是二极管时，第二半导体组件的第二接触装置同样可以构造为实心圆柱体，因为在此没有设置辅助接触连接部。
图3至图5以不同的细节程度示出了连接模块的各种设计方案，以及可由此实现的电路变化方案。
图3示出了依据图1的连接模块6，其中，在这里以及在其它的附图中以虚线显示出了基础模块3的接触装置24a/24b、26a/26b。在此，第一半导体组件4a的第一接触装置24a借助连接装置40与第二半导体组件4b的第二接触装置26b连接。为此，连接装置40构造为扁平的、在俯视图中构造成封闭带的金属成型体。
第一半导体组件4a的第二接触装置26a分配有呈环形的连接机构56，该呈环形的连接机构优选具有与连接装置40相同的厚度和相同的在连接模块6中的水平位置。第二半导体器件4b的第一接触装置24b分配有连接机构54，该连接机构构造为打开的环，并且同样具有与连接装置40相同的厚度和相同的在连接模块6中的水平位置。
优选的是，连接机构以及连接装置力锁合地借助上述方法与接触装置电路适宜地连接。由此，就针对功率半导体模块构造了所显示出的晶闸管与二极管的串联电路，针对该串联电路也设置了中间抽头，但是同样如其余外部接触元件那样在此没有显示出来。
图4示出了另一个电路变化方案，即两个二极管的串联电路，该串联电路可以在基础模块3的例如与图1和图2所说明的在机械上相同的设计方案中实现。该设计方案的连接模块6基本通过连接装置40的构造和用于第一半导体组件4a的第二接触装置26a的接触机构56的构造来区分。该接触机构56在此构造成呈盘形的，而连接装置40在此具有与依据图3的设计方案相比更大的横截面积。
额外地，在此显示出了外部的接触元件140、154、156，这些外部的接触元件分别空间上直接配属于所属的连接机构54、56或者连接装置40。通过这些连接机构54、56制造出在外部的接触元件154、156和所配属的接触装置24b、26a之间的间接的连接。
图5示出了另一个可在基础模块3的在机械上相同的设计方案中实现的电路变化方案，即晶闸管与二极管的串行电路，其中，它们的阴极彼此连接，并且连接点是中间抽头。
连接模块6的该设计方案基本通过连接装置40的外形和功能进行区分。在此，该连接装置将两个半导体组件4a/4b的两个第一接触装置24a/24b彼此连接。同样显示出的还有外部的接触元件140、154、156。构造成中间抽头的接触元件140配属于连接装置40，而另两个接触元件154、156分别配属于半导体组件4a/4b的两个接触装置26a/26b，进而配属于功率半导体器件16的阳极。

Claims (11)

1.功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块具有：电绝缘的壳体(2)、基础模块(3)和连接模块(6)，其中，所述基础模块(3)具有基板(10)和通过至少一个绝缘装置(12)电绝缘地布置在所述基板上的半导体组件(4a/4b)，所述半导体组件分别具有第一导电元件(14a/14b)、布置在所述第一导电元件上的至少一个功率半导体器件(16)以及第一接触装置(24)和第二接触装置(26)，所述第一接触装置用于接触并且与所述第一导电元件(14a/14b)导电接触，所述第二接触装置用于接触并且与所述至少一个功率半导体器件(16)导电接触，并且其中，
所述连接模块(6)具有带有至少一个内部的连接装置(40)的绝缘材料成型体(60)，其中，至少一个连接装置(40)分别构成在半导体组件(4a)的接触装置(24a、26a)与另一个半导体组件(4b)的接触装置(24b、26b)之间的电接触。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，
所述连接模块(6)具有外部接触元件(140、154、156)，所述外部接触元件电路适宜地、间接地通过连接机构(54、56)或者直接地与第一接触装置(24a/24b)或者与第二接触装置(26a/26b)或者与连接装置(40)连接。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，
所述绝缘材料成型体(60)构造成所述功率半导体模块(1)的盖子(62)。
4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，
所述基础模块(3)本身具有框架式的电绝缘的基础壳体(20)，并且所述基础壳体(20)具有用于所述半导体组件(4a/4b)或者所述半导体组件的部分的定位机构(202)。
5.根据权利要求3和4所述的功率半导体模块，其中，
所述功率半导体模块(1)的所述电绝缘的壳体(2)仅由所述基础壳体(20)和所述盖子(62)构造成。
6.用于制造功率半导体模块(1)的方法，所述功率半导体模块具有：电绝缘的壳体(2)、基础模块(3)和连接模块(6)，其特征在于如下方法步骤：
·构造半导体组件(4a/4b)，所述半导体组件分别具有：第一导电元件(14a/14b)、布置在所述第一导电元件上的至少一个功率半导体器件(16)以及与所述第一导电元件(14a/14b)导电接触的第一接触装置(24a/24b)和与所述至少一个功率半导体器件(16)导电接触的第二接触装置(26a/26b)；
·通过借助至少一个绝缘装置(12)将所述半导体组件(4a/4b)电绝缘地布置在基板(10)上来构造所述基础模块(3)；
·构造带有绝缘材料成型体(60)和至少一个连接装置(40)的所述连接模块(6)；
·在半导体组件(4a)的接触装置(24a、26a)与另一个半导体组件(4b)的接触装置(24b、26b)之间借助连接装置(40)构成至少一个内部的导电连接的情况下，相对于所述基础模块(3)布置所述连接模块(6)。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，
将在两个半导体组件(4a/4b)的接触装置(24a/24b、26a/26b)和所配属的所述连接装置(40)之间的导电连接构造为力锁合连接。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，
为了构造所述力锁合连接，在布置基础模块(3)和连接模块(6)时，在所述连接模块(6)中设置至少一个压力元件(44)，并且所述压力元件(44)持续地施加挤压力到所配属的连接元件(40)上并且产生所述连接元件与所配属的第一接触装置和第二接触装置(24a/24b、26a/26b)的连接。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，
将在两个半导体组件(4a/4b)的接触装置(24a/24b、26a/26b)与所配属的连接装置(40)之间的导电连接构造为形状锁合的连接。
10.依据权利要求9所述的方法，其中，
为了构造所述形状锁合的连接，在布置基础模块(3)和连接模块(6)时，在所述连接元件(40)和所述接触装置(24a/24b、26a/26b)之间设置插塞连接。
11.依据权利要求6所述的方法，其中，
在所述半导体组件(4a/4b)内部将至少一个导电连接，但优选将所有的导电连接构造为加压烧结连接。
CN201110302199XA 2010-10-01 2011-09-28 带有基础模块和连接模块的功率半导体模块 Pending CN102446867A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010041849.8 2010-10-01
DE102010041849A DE102010041849A1 (de) 2010-10-01 2010-10-01 Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102446867A true CN102446867A (zh) 2012-05-09

Family

ID=44532658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110302199XA Pending CN102446867A (zh) 2010-10-01 2011-09-28 带有基础模块和连接模块的功率半导体模块

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2437295A3 (zh)
CN (1) CN102446867A (zh)
DE (1) DE102010041849A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767643A (zh) * 2018-07-25 2020-02-07 清华大学 一种电气器件

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9234481B2 (en) 2008-01-25 2016-01-12 United Technologies Corporation Shared flow thermal management system
JP2016518030A (ja) 2013-04-29 2016-06-20 アーベーベー・テクノロジー・アーゲー パワー半導体装置のモジュール配列

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054765A (en) * 1998-04-27 2000-04-25 Delco Electronics Corporation Parallel dual switch module
DE102004057421A1 (de) * 2004-11-27 2006-06-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
CN101064299A (zh) * 2006-02-13 2007-10-31 塞米克朗电子有限及两合公司 压力接触构造的功率半导体模块

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6060772A (en) * 1997-06-30 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips
CN101248527B (zh) * 2005-08-26 2012-06-20 西门子公司 带有安装在电路载体上的负载连接元件的功率半导体模块
DE102006034964B3 (de) 2006-07-28 2007-09-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einer Kontakteinrichtung
JP4607995B2 (ja) * 2008-11-28 2011-01-05 三菱電機株式会社 電力用半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054765A (en) * 1998-04-27 2000-04-25 Delco Electronics Corporation Parallel dual switch module
DE102004057421A1 (de) * 2004-11-27 2006-06-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
CN101064299A (zh) * 2006-02-13 2007-10-31 塞米克朗电子有限及两合公司 压力接触构造的功率半导体模块

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767643A (zh) * 2018-07-25 2020-02-07 清华大学 一种电气器件
CN110767643B (zh) * 2018-07-25 2024-05-31 清华大学 一种电气器件

Also Published As

Publication number Publication date
EP2437295A3 (de) 2012-04-25
EP2437295A2 (de) 2012-04-04
DE102010041849A1 (de) 2012-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1700453B (zh) 与功率半导体模块形成压力接触的结构
CN206134503U (zh) 具有电容器装置的功率电子组件
CN101399262B (zh) 功率半导体装置及其组装方法
CN102386159B (zh) 具有柔性的连接装置的功率组件
CN104851879A (zh) 具低电感配置内部负载和辅助连接装置的功率半导体模块
CN104157622A (zh) 功率电子开关装置和具有该功率电子开关装置的布置结构
CN207320097U (zh) 功率电子设备和具有该设备的车辆
CN104157635A (zh) 功率半导体模块和具有该功率半导体模块的系统
CN102222652B (zh) 具有接线端元件的功率半导体模块
CN103974585B (zh) 半导体模块装置和用于制造半导体模块装置的方法
CN1971905B (zh) 具有接头元件的功率半导体模块
CN102790043A (zh) 功率半导体
US9837217B2 (en) Capacitor module
CN102446866A (zh) 带有基础模块和连接模块的功率半导体模块
KR20110026427A (ko) 복수의 부품을 구비한 칩 카드
CN104681502A (zh) 大功率半导体装置
CN101114641B (zh) 具有功率半导体元件和接触装置的设备
CN102446867A (zh) 带有基础模块和连接模块的功率半导体模块
US20150008534A1 (en) Semiconductor device
CN102017332A (zh) 借助中间电路板的阳型多点连接器连接装置
US20050035439A1 (en) Semiconductor module with scalable construction
CN102800638A (zh) 具有第一和第二子系统的功率电子系统
US9941501B2 (en) Apparatus for a battery module
US20160118329A1 (en) Semiconductor device
CN103930999A (zh) 带有简化的连接的光伏模块

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120509