CN102435961B - 长型磁传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种长型磁传感器，目的在于，抑制在相邻的磁铁彼此之间的间隙部产生的灵敏度降低。磁阻元件的感磁部(20)是在磁阻层的上表面形成了由电极材料构成的多个短路棒的部件。磁阻部是没有被短路棒(22)覆盖的部分。在印刷于纸币上的磁性体通过时，磁阻元件的电阻值的变化率(元件灵敏度)根据其通过位置而不同。感磁部中的磁阻部的密度越高则磁阻元件的电阻值的变化率越大。因此，通过使位于相邻的磁铁彼此之间的间隙部上或相邻的磁阻元件的间隙部附近的感磁部(20)的磁阻部的密度与其他区域相比相对提高，来抑制磁铁彼此之间的间隙部的灵敏度降低。

Description

长型磁传感器

技术领域

本发明涉及对例如印刷于纸币等的磁性图案进行检测的长型磁传感器。

背景技术

例如专利文献1公开了一种长型磁传感器，其具有多个磁阻元件和多个磁铁，其中磁阻元件在表面形成了以相对于被探测物的移动方向大致正交的方向为长边方向的感磁部，磁铁对该磁阻元件的感磁部施加磁场。

在此，在图1中示出专利文献1所公开的长型磁传感器的构造例。在图1的例子中，按照对磁铁5a-5b进行搭桥的方式，配置有具备感磁部20ab的磁阻元件2ab，按照对磁铁5b-5c进行搭桥的方式，配置有具备感磁部20bc的磁阻元件2bc。并且，按照相邻彼此相邻的磁铁的磁极成为彼此相反的方向的方式，配置了磁铁5a、5b、5c。

通过这种构造，磁铁的中央部位于彼此相邻的两个磁阻元件的感磁部间的间隙部分Gh。由于磁铁的中央部与端部附近相比，磁通量密度高且稳定，因此相邻的感磁部间的磁通量密度，与其他区域相比有所提高。其结果，能够对间隙部分Gh的检测电平的降低进行补偿，能够在长边方向的整体得到平坦的检测电平特性。

专利文献1：JP专利第3879777号公报

在此，在图2中示出一般的磁阻元件的元件灵敏度特性的例子。在图2中，横轴为磁阻元件的长边方向位置，纵轴为磁阻元件的元件灵敏度。这里的元件灵敏度(K)表示对磁阻元件施加了磁场时的磁阻值是没有对磁阻元件施加磁场时的磁阻值的几倍，用K＝RB/R0(RB：对磁阻元件施加了磁场时的磁阻元件的元件阻值，R0：没有对磁阻元件施加磁场时的磁阻元件的元件阻值)来表示。此外，与该横轴相应地表示了感磁部20。像这样，感磁部20在检测宽度方向(相对于被探测物的移动方向正交的长边方向)具有均等的灵敏度。

但是，即使在像专利文献1这样，在将磁阻元件配置为对多个磁铁进行搭桥的位置关系的情况下，例如若相邻的磁铁彼此之间的间隙大于规定值，则施加于感磁部的中央部分的磁通量密度，比施加于两端部的磁通量密度稍低。因此，在成为相邻的磁铁彼此之间的间隙的位置，例如，在磁阻元件的中央部分，磁传感器的输出灵敏度有可能陷落。图3表示了这种情况。图3(A)是表示长型磁传感器的输出灵敏度的图，图3(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件的感磁部20ab、20bc和磁铁5a、5b、5c之间的位置关系的图。在图3中，在相邻的磁铁彼此之间的间隙的位置，即在感磁部20ab、20bc的中央部分，出现了输出灵敏度(传感器检测出介质时的输出电压)的降低Dm。

此外，与磁铁的配置没有直接关系地，在磁阻元件的感磁部20ab、和与其相邻的磁阻元件的感磁部20bc之间产生间隙。在该间隙位置出现了灵敏度降低Ds。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种长型磁传感器，其能够进一步减小在相邻的磁铁彼此之间的间隙部或相邻的磁阻元件的感磁部彼此之间的间隙部附近产生的灵敏度降低。

本发明的长型磁传感器的特征在于，具有：多个磁阻元件，其在表面形成了以与被探测物的移动方向正交的方向为长边方向的感磁部；和多个磁铁，其对该磁阻元件的感磁部施加磁场，

所述多个磁阻元件的感磁部以及所述多个磁铁分别沿着与被探测物的移动方向正交的直线而排列，

所述磁阻元件的所述感磁部中的磁阻部的密度，在相邻的所述磁铁彼此之间的间隙部上或者相邻的所述磁阻元件的间隙部附近相对较高，或者在相邻的所述磁铁彼此之间的间隙部上以及相邻的所述磁阻元件的间隙部附近相对较高。另外，在此所说的“磁阻部的密度”是指每单位面积中磁阻部的面积所占的比例。

例如，所述磁阻元件配置为对所述多个磁铁中的相邻的磁铁彼此之间进行搭桥的位置关系。

此外，例如所述磁阻元件的长边方向的两端部(即相邻的磁阻元件的感磁部彼此之间的间隙部的附近)的所述感磁部中的所述磁阻部的密度相对较高。

所述多个磁铁也可以配置为，相对于所述多个磁阻元件的感磁部的磁极方向，在相邻的磁铁之间彼此相反。或者，也可以配置为相对于所述多个磁阻元件的感磁部的磁极方向相同。

根据本发明，磁阻元件通过使感磁部的磁阻部中的、相邻的磁铁彼此之间的间隙部上的密度或者相邻的磁阻元件的间隙部附近的密度与其他区域的密度相比相对较高地形成，能够进一步减小在相邻的磁铁彼此之间的间隙部产生的灵敏度降低或在相邻的磁阻元件的间隙部(更具体来说，感磁部彼此之间的间隙部)附近产生的灵敏度降低。

附图说明

图1是表示专利文献1所公开的长型磁传感器的构造例的图。

图2是表示一般的磁阻元件的元件灵敏度特性的例子的图。

图3是表示在相邻的磁铁彼此之间的间隙部以及相邻的感磁部彼此之间的间隙部，磁传感器的输出灵敏度陷落的特性的例子的图。

图4是第1实施方式的长型磁传感器的外观立体图，图4(A)表示正在安装外罩的状态，图4(B)表示安装状态。

图5(A)是将图4所示的第1实施方式的长型磁传感器的外罩取下后的状态下的俯视图。图5(B)是与感磁部形成面垂直，且穿过多个磁阻元件和多个磁铁部分的面上的剖面图。

图6(A)是图5所示的第1实施方式的磁阻元件2a～2d等中的一个磁阻元件的俯视图，图6(B)是表示磁阻元件的元件灵敏度特性的图。

图7(A)是表示第1实施方式的长型磁传感器的输出灵敏度特性的图，图7(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件的感磁部20和磁铁5a、5b、5c之间的位置关系的图。图7(C)是长型磁传感器301的主要部分的部分俯视图。

图8(A)是第2实施方式所涉及的磁阻元件202的俯视图，图8(B)是表示该磁阻元件202的元件灵敏度特性的图。

图9(A)是感磁部20的部分放大立体图，图9(B)是图9(A)中的A-A部分的剖面图。

图10是表示第2实施方式的长型磁传感器的灵敏度特性的图。图10(A)是表示长型磁传感器的输出灵敏度特性的图，图10(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件的感磁部20和磁铁5a、5b、5c之间的位置关系的图。

图11(A)、图11(B)是用于说明第3实施方式的图，图11(A)是多个磁铁5a～5d等中的相邻的磁铁的极性为相反极性的情况下的通过感磁部20的磁通量的概念图。图11(B)是多个磁铁5a～5d等中的相邻的磁铁的极性为相同极性的情况下的通过感磁部20的磁通量的概念图。

图12(A)是表示针对使用了图8所示的磁阻元件和现有构造的磁阻元件的情况，相邻的磁铁的极性为相反极性的情况下的磁传感器的输出电压变动率的差异的图。图12(B)表示针对使用了图8所示的磁阻元件和现有构造的磁阻元件的情况，相邻的磁铁的极性为相同极性的情况下的磁传感器的输出电压变动率的差异的图。

图13是表示改变了磁阻元件的感磁部的中央部的磁阻部的密度比率时的磁传感器的输出电压变动率的变化的图。

图14(A)是第4实施方式所涉及的磁阻元件204的俯视图，图14(B)是表示该磁阻元件204的元件灵敏度特性的图。

图15(A)是表示第4实施方式的长型磁传感器的输出灵敏度特性的图，图15(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件的感磁部20和磁铁5b、5c之间的位置关系的图。图15(C)是长型磁传感器305的主要部分的部分俯视图。

图16(A)是第5实施方式所涉及的磁阻元件205的俯视图，图16(B)是表示该磁阻元件205的元件灵敏度特性的图。

图17是表示第6实施方式所涉及的磁阻元件的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。

图18是表示第7实施方式所涉及的另一磁阻元件的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。

图19是表示第8实施方式所涉及的又一磁阻元件的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。

图20是表示第9实施方式所涉及的又一磁阻元件的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。

符号说明：

1...外壳

3...爪部卡合槽

4...外罩

5a、5b、5c...磁铁

6...端子针

11...外罩端子

20...感磁部

20a...感磁部

20ab...感磁部

20bc...感磁部

21...磁阻部

21L...磁阻层

22...短路棒

23...引出电极

100...被探测物

101...磁性体

201、202、204～209...磁阻元件

301、304...长型磁传感器

具体实施方式

(第1实施方式)

参照图4～图7来说明第1实施方式所涉及的长型磁传感器的构成。

图4是第1实施方式的长型磁传感器的外观立体图，(A)表示正在安装外罩的状态，(B)表示安装状态。在树脂制的外壳1的上部，形成有多个用于收纳磁阻元件的凹部，在该凹部收纳有磁阻元件2a、2b、2c、2d……。此外，在外壳1的下部，在外壳长边方向上沿着直线排列而形成有多个用于收纳磁铁的磁铁收纳凹部(未图示)，在该磁铁收纳凹部收纳有各自的磁铁。这些多个磁铁也可以不严密地沿着直线排列，可以有稍微的偏离。例如，也可以稍微在外壳短边方向上错开而配置为锯齿状。

在外壳1的下部，引出了与多个磁阻元件2a、2b、2c、2d……电连接的端子针6。在外壳1的两侧部，沿着长边方向设有爪部卡合槽3。

在金属制的外罩4上，设有与外壳的爪部卡合槽3卡合的外罩固定爪部，通过在两者的卡合状态下在长边方向上使其滑动，来如图4(B)所示那样由外罩4覆盖外壳1的上部。被探测物100如图中箭头所示在与长型磁传感器301的长边方向正交的方向上传送。被探测物100相对于该长型磁传感器301的长边方向的传送方向，也可以不是严密的90度而有稍微的角度偏差。

另外，在外罩4上设有用于对电路基板进行电接地连接的外罩端子11。

图5(A)是图4所示的第1实施方式的长型磁传感器的取下了外罩的状态下的俯视图。图5(B)是与感磁部形成面垂直并且穿过多个磁阻元件和多个磁铁部分的面上的示意剖面图。其中，在此只表示了磁阻元件2a～2d部分。此外，在图5(B)中对于外壳1以及端子针6也省略了图示。

在磁阻元件2a～2d的下部配置有磁铁5a～5d。在磁阻元件2a～2d上分别形成有感磁部20a～20d。在图4所示的被探测物100为纸币等纸张类的情况下，该被探测物100在相对于长型磁传感器301的长边方向正交的方向上被传送。感磁部20a～20d以相对于被探测物的移动方向正交的方向为长边方向而形成于磁阻元件2a～2d的表面。

各磁铁5a～5d按照磁通量垂直地贯穿各个磁阻元件2a～2d的方式来规定了磁极(N极和S极)的方向，且配置为相邻的磁铁的磁极方向彼此为反方向。即，磁铁5a的磁阻元件2a侧为N极，与其相邻的磁铁5b的磁阻元件2b侧为S极。进而与其相邻的磁铁5c的磁阻元件2c侧为N极。以后同样地配置为相邻的磁铁的磁极方向彼此为反方向。

图6(A)是图5所示的第1实施方式的磁阻元件2a～2d等中的一个磁阻元件的俯视图，图6(B)是表示磁阻元件的元件灵敏度特性的图。

磁阻元件201的感磁部20是在磁阻层的上表面形成了多个由电极材料构成的短路棒22的部件。磁阻部21是没有被短路棒22覆盖的部分。存在短路棒22的部分在短路棒22中流过电流，不存在短路棒22的部分在磁阻部21中流过电流。

当印刷在纸币上的磁性体(磁性墨)101在图6(A)所示的箭头方向上通过时，磁阻元件201的电阻值的变化率(元件灵敏度)根据其通过位置而不同。磁阻部21的密度越高则该磁阻元件201的电阻值的变化率越大。在图6(A)所示的例子中，感磁部20的长边方向中央部分的磁阻部21的密度，与其他区域的密度相比较高，因此如图6(B)所示，感磁部20的中央部分的灵敏度变高。

图7(A)是表示第1实施方式的长型磁传感器的输出灵敏度特性的图，图7(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件201的感磁部20和磁铁5a、5b、5c之间的位置关系的示意图。图7(C)是长型磁传感器301的主要部分的部分俯视图，示出了印刷于纸币等被探测物100上的磁性体101的通过位置的例子。在图7(A)中，虚线是现有构造的长型磁传感器的特性(图3(A)所示的特性)，实线是第1实施方式所涉及的长型磁传感器的特性。磁阻元件的感磁部20的中央(相邻的磁铁5a、5b彼此之间的间隙以及磁铁5b、5c的间隙的位置)的磁传感器301的灵敏度降低Dm与现有构造相比较小。

根据第1实施方式，通过使位于相邻的磁铁5a、5b的间隙以及磁铁5b、5c的间隙的区域上的磁阻元件201的磁阻部21的密度，与其他区域相比相对较高，从而由于磁阻部21的密度较高的区域的磁阻元件201的灵敏度上升，因此能够缓和在磁铁5a、5b以及5b、5c的间隙部产生的磁传感器的灵敏度降低Dm。

另外，图7(A)所示的灵敏度降低Ds，通过使感磁部彼此靠近，能够比较容易地控制其程度，但灵敏度降低Dm很难抑制。具体地说明其理由，由于磁铁5a、5b、5c、和收纳这些磁铁的树脂制的外壳1(参照图4)一般线膨胀系数有很大不同，因此外壳根据制造条件/外部环境而伸缩。为了抵消该外壳的伸缩，不得不在相邻的磁铁彼此之间设置某种程度的间隙，其结果，有时会产生灵敏度降低Dm。如第1实施方式所示，通过提高位于相邻的磁铁彼此之间的间隙部上的区域的磁阻部的密度，能够有效地减小所述灵敏度降低Dm。

(第2实施方式)

在第2实施方式中，示出多个磁阻元件的感磁部20的图案与第1实施方式不同的例子。

图8(A)是第2实施方式所涉及的磁阻元件202的俯视图，图8(B)是表示该磁阻元件202的元件灵敏度特性的图。磁阻元件202具备两行的感磁部20。感磁部的两端与引出电极23连接。

图9(A)是第2实施方式的感磁部20的部分放大立体图，图9(B)是图9(A)中的A-A部分的剖面图。磁阻层21L形成为曲折线(meanderlines)状，在其表面形成由电极材料构成的短路棒(电极)22。不存在短路棒22的部位为磁阻部21。如图9(B)中箭头所示，存在短路棒22的部位在短路棒22中流过电流，不存在短路棒22的部位在磁阻层21L中流过电流。

如图8(A)所示，从感磁部20的两端向中央，使磁阻部的密度逐渐相对提高。因此，如图8(B)所示，能够得到从感磁部20的两端向中央，灵敏度逐渐增大的灵敏度特性。

图10是表示第2实施方式的长型磁传感器的灵敏度特性的图。图10(A)是表示长型磁传感器的输出灵敏度特性的图，图10(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件的感磁部20和磁铁5a、5b、5c之间的位置关系的图。在图10(A)中，虚线为现有构造的长型磁传感器的特性(图3(A)所示的特性)，实线是第2实施方式所涉及的长型磁传感器的特性。在磁阻元件的感磁部20的中央(相邻的磁铁彼此之间5a、5b的间隙以及磁铁5b、5c的间隙的位置)的磁传感器的灵敏度降低Dm与现有构造相比较小。

根据第2实施方式，通过使位于相邻的磁铁5a、5b上的磁阻元件202的磁阻部21的密度与其他区域相比相对较高，从而由于磁阻部21的密度较高的区域的磁阻元件202的灵敏度上升，因此能够缓和在磁铁5a、5b以及5b、5c的间隙部产生的磁传感器的输出灵敏度降低Dm。

(第3实施方式)

在第3实施方式中，示出多个磁铁的极性与第1、第2实施方式不同的例子。

图11是多个磁铁5a～5d等的极性和通过感磁部20的磁通量的概念图。在图11(A)的例子中，多个磁铁5a～5d等中的相邻的磁铁的极性为相反极性。以下将该配置称作“相反极性配置”。在图11(B)的例子中，所有的磁铁5a～5d等极性一致。以下将该配置称作“相同极性配置”。

如图11(A)所示，若为多个磁铁5a～5d等中的相邻的磁铁的极性不同的配置，则磁铁所产生的磁通量在相邻的磁铁间描绘出环状。因此通过磁阻元件的感磁部20的磁通量，在感磁部的两端部分(磁铁中央部)相对于感磁部20大致垂直，但感磁部20的中央部分(磁铁彼此之间的间隙部)几乎成为水平分量。

磁阻元件的电阻值根据垂直通过磁阻元件的感磁部20磁通量而变化，因此感磁部20的中央部的灵敏度降低。

另一方面，如图11(B)所示，若所有的磁铁5a～5d等的极性一致，则磁通量垂直通过磁阻元件的感磁部20，磁通量密度大致均等。由于在磁铁彼此之间的间隙部磁通量密度稍低，因此感磁部20的中央部的灵敏度仅仅稍有降低。

图12是针对使用了图8所示的磁阻元件(第2实施方式所示的磁阻元件)和现有构造的磁阻元件(在探测宽度的整体上磁阻部的密度均匀的磁阻元件)的情况，示出磁铁的两种配置构造下的磁传感器的输出电压变动率的图。图12(A)是对磁铁进行了相反极性配置的情况下的特性，图12(B)是对磁铁进行了相同极性配置的情况下的特性。任意一者都示出了两个磁铁和一个磁阻元件的组合。在图12(A)、图12(B)中，特性P表示本实施方式的磁传感器的输出电压变动率，特性C表示具备现有构造的磁阻元件的磁传感器的输出电压变动率。

在图12(A)、图12(B)中，纵轴的传感器输出电压变动率是对连接了磁传感器的检测电路的输出电压的变动率进行了测定的结果。具体来说，例如将磁阻元件所包含的两个感磁部连接于电阻桥接电路，相当于作为被探测对象的磁性体通过前后的所述电阻桥接电路的输出电压的变动率。该变动率用百分比表示了相对于输出电压的最大值的比率。实线是图8所示的磁阻元件的特性，虚线是现有构造的磁阻元件的特性。任意一者都是，磁阻元件的感磁部的长度为10mm，磁铁彼此之间的间隙部的间隔为0.7mm，磁阻部的密度较高的区域中的相邻的磁阻部间的最小距离为0.17mm，其他的区域中的相邻的磁阻部间的距离为0.35mm。

在相反极性配置的情况下，从感磁部的两端向中央，灵敏度在宽范围内降低，中央部的灵敏度大幅降低。与此相对，在相同极性配置的情况下，在感磁部的中央部的比较的狭小的范围内灵敏度降低。而且，灵敏度的降低量也整体较少。该灵敏度降低的程度还根据相邻的磁铁彼此之间的间隙而变化。并且，还根据检测对象(磁性墨等)的大小(通过感磁部的宽度等)而变化。

虽然这种灵敏度降低的程度根据磁铁的极性、磁铁彼此之间的间隙、检测对象的大小而不同，但只要根据该灵敏度降低的类型，按照抑制该灵敏度降低的方式，来规定磁阻元件的磁阻部的密度即可。具体来说，在想要极力减小相邻的磁铁彼此之间的间隙部的影响，得到更平坦的输出特性的情况下，优选使磁铁成为相同极性配置。另一方面，在即使稍微牺牲平坦的输出特性，也寻求相邻的磁铁彼此之间的易配置性等的情况下，优选使磁铁成为不同极性配置。

在此，示出改变磁阻元件的感磁部的中央部的磁阻部的密度比率时的磁阻元件的灵敏度特性的变化。图13是示出改变磁阻元件的感磁部的中央部的磁阻部的密度比率时的磁传感器的输出电压变动率的变化的图。在图13中，横轴是磁传感器的长边方向(探测宽度方向)的位置，横轴的0是规定的磁阻元件的中央(相邻的磁铁彼此之间的间隙部的中央的位置)。另外，在此，在磁铁间不设置间隙地确认了磁阻部的密度的差别所产生的差异。图13的纵轴的传感器输出电压变动率是连接了磁传感器的检测电路的输出电压的变动率。具体来说，例如将磁阻元件所包含的两个感磁部连接于电阻桥接电路，相当于作为被探测对象的磁性体通过前后的所述电阻桥接电路的输出电压的变动率。

图13所示的磁阻元件的灵敏度特性A～D和磁阻元件的感磁部的中央部的磁阻部的密度比率之间的关系和测定条件如下。另外，作为磁传感器，使用图8所示的磁阻元件，且磁铁采用了相同极性配置。此外，磁阻部的密度通过使位于磁阻元件的中央部宽度Wc的曲折线状的图案的个数与其他区域相比有所增加来改变。

检测对象：宽度1mm的磁性墨

磁阻元件的检测宽度Wt：10mm

磁阻元件的中央部宽度Wc：1mm

中央部宽度Wc的磁阻部相对于检测宽度Wt的磁阻部的存在比例

特性A：10％

特性B：13％

特性C：15％

特性D：20％

从图13可知，在本例中，对磁铁进行相同极性配置，且去掉了磁铁间的间隙，因此可知虽然如灵敏度特性A那样，感磁部的中央的灵敏度降低原本就较小，但越提高磁阻元件的感磁部的中央部的磁阻部的密度比率，则感磁部的中央部的灵敏度增大效果越提高。

(第4实施方式)

图14(A)是表示第4实施方式所涉及的磁阻元件204的俯视图，图14(B)是表示该磁阻元件204的元件灵敏度特性的图。磁阻元件204具备两行的感磁部20。感磁部的两端与引出电极23连接。

在第4实施方式中，如图14(A)所示，从感磁部20的长边方向中央向两端，使磁阻部的密度逐渐提高。即提高了位于相邻的磁阻元件的感磁部彼此之间的间隙部附近的磁阻部的密度。因此，如图14(B)所示，能够得到从感磁部20的中央部分向两端部分，元件灵敏度逐渐提高的元件灵敏度特性。因此，能够缓和相邻的磁阻元件的间隙部附近的输出灵敏度降低Ds(参照图7(A))。另外，“相邻的磁阻元件的间隙部附近”意味着相邻的磁阻元件的间隙部的周边区域，实际上表示磁阻元件的端部的区域。

图15(A)是表示长型磁传感器的输出灵敏度特性的图，图15(B)是表示长型磁传感器的磁阻元件的感磁部20和磁铁5b、5c之间的位置关系的图。图15(C)是长型磁传感器304的主要部分的部分俯视图，示出了印刷于纸币等被探测物100上的磁性体101的通过位置的例子。在图15(A)中，虚线是现有构造的长型磁传感器的特性，实线是第5实施方式所涉及的长型磁传感器的特性。在磁阻元件的感磁部20的两端的相邻的磁铁彼此之间的间隙部的位置上的灵敏度降低Ds与现有构造相比较小。

根据第4实施方式，在排列了磁阻元件204的状态下，位于相邻的磁阻元件204的感磁部20彼此之间的间隙部附近的磁阻部的密度变高，由此磁阻部的密度较高的区域的传感器输出灵敏度上升。因此，能够缓和相邻的感磁部20彼此之间的间隙部的位置上的磁传感器304的输出灵敏度降低Ds。

(第5实施方式)

图16(A)是第5实施方式所涉及的磁阻元件205的俯视图，图16(B)是表示该磁阻元件205的元件灵敏度特性的图。磁阻元件205具备两行的感磁部20。感磁部的两端与引出电极23连接。

在第5实施方式中，如图16(A)所示，使感磁部20的长边方向中央部分的磁阻部21的密度与其他区域的密度相比有所提高，而且从感磁部20的中央向两端，使磁阻部的密度逐渐提高。即，将位于相邻的磁铁上的磁阻元件205的磁阻部21的密度与其他区域相比相对提高，并且提高位于相邻的磁阻元件205的感磁部彼此之间的间隙部附近的磁阻部的密度。因此，如图16(B)所示，能够得到感磁部20的中央部分、以及从中央部分向两端部分，元件灵敏度逐渐变高的元件灵敏度特性。因此，能够缓和磁传感器彼此之间的相邻位置上的输出灵敏度降低Ds(参照图7(A))以及相邻的磁铁彼此之间的间隙部的磁传感器的输出灵敏度降低Dm(参照图7(A))。

(第6实施方式)

在第6实施方式中，示出用于使磁阻元件的感磁部中的磁阻部的密度根据长边方向的位置而不同的另一构造(与第1～第5实施方式所示的构造不同的构造)。

图17是分别示出第6实施方式的磁阻元件206的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。磁阻元件206具备两行的感磁部20。感磁部20的两端与引出电极23连接。

在图17的例子中，感磁部20由形成为曲折线状的磁阻层、和在该磁阻层上形成的短路棒(电极)22构成。不存在短路棒22的部位是磁阻部21。在本例中，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁阻部21的密度越高。因此，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁传感器的灵敏度越高。

(第7实施方式)

在第7实施方式中，示出用于使磁阻元件的感磁部中的磁阻部的密度根据长边方向的位置而不同的又一构造。

图18是分别示出第7实施方式的磁阻元件207的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。磁阻元件207具备两行的感磁部20。感磁部20的两端与引出电极23连接。

在图18的例子中，感磁部20由形成为曲折线状的磁阻层、和在该磁阻层上形成的短路棒22构成。在本例中，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁阻层的线宽越宽。因此，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁传感器的输出灵敏度越高。

(第8实施方式)

在第8实施方式中，示出用于使磁阻元件的感磁部中的磁阻部的密度根据长边方向的位置而不同的又一构造。

图19是分别示出第8实施方式的磁阻元件208的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。磁阻元件208具备两行的感磁部20。感磁部20的两端与引出电极23连接。

在图19的例子中，感磁部20由形成为直线状的磁阻层、和在该磁阻层上形成的短路棒22构成。在本例中，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁阻部的密度越高。因此，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁传感器的输出灵敏度越高。

(第9实施方式)

在第9实施方式中，示出用于使磁阻元件的感磁部中的磁阻部的密度根据长边方向的位置而不同的又一构造。

图20是分别示出第9实施方式的磁阻元件209的感磁部形成面的磁阻部以及电极的图案的图。磁阻元件209具备两行的感磁部20。感磁部20的两端与引出电极23连接。

在图20的例子中，感磁部20由形成为线状的磁阻层、和在该磁阻层上形成的短路棒22构成。在本例中，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁阻层的线宽越宽。因此，越靠近感磁部20的长边方向的中央则磁传感器的输出灵敏度越高。

Claims (6)

1.一种长型磁传感器，其特征在于，具有：

多个磁阻元件，在表面形成了以与被探测物的移动方向正交的方向为长边方向的感磁部；和

多个磁铁，对该磁阻元件的感磁部施加磁场，

所述多个磁阻元件的感磁部以及所述多个磁铁分别沿着与被探测物的移动方向正交的直线而排列，

所述磁阻元件的所述感磁部中的磁阻部的密度，在相邻的所述磁铁彼此之间的间隙部上或者相邻的所述磁阻元件的间隙部附近相对较高，或者在相邻的所述磁铁彼此之间的间隙部上以及相邻的所述磁阻元件的间隙部附近相对较高。

2.根据权利要求1所述的长型磁传感器，其特征在于，

所述磁阻元件配置为对所述多个磁铁中的相邻的磁铁彼此之间进行搭桥的位置关系。

3.根据权利要求1所述的长型磁传感器，其特征在于，

在所述磁阻元件的长边方向的两端部的所述感磁部中的所述磁阻部的密度相对较高。

4.根据权利要求2所述的长型磁传感器，其特征在于，

在所述磁阻元件的长边方向的两端部的所述感磁部中的所述磁阻部的密度相对较高。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的长型磁传感器，其特征在于，

所述多个磁铁配置为：相对于所述多个磁阻元件的感磁部，磁极方向在相邻的磁铁之间彼此相反。

6.根据权利要求1～4中任意一项所述的长型磁传感器，其特征在于，

所述多个磁铁配置为：相对于所述多个磁阻元件的感磁部，磁极方向相同。