CN102421256A - 非导电性载体形成电路结构的制造方法 - Google Patents

非导电性载体形成电路结构的制造方法 Download PDF

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江荣泉
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Abstract

本发明涉及一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，其步骤包含提供非导电性载体后，将催化剂分散于非导电性载体上或其内；形成一预定线路结构于非导电性载体上，并使催化剂裸露于所述预定线路结构的表面；及金属化具有催化剂的预定线路结构的表面，以形成一导电线路。本发明的电路的制造方法中，可选择性地移除残留的薄膜，故可回收薄膜内的催化剂再利用，进而降低电路制程成本。

Description

非导电性载体形成电路结构的制造方法
技术领域
本发明是涉及一种制造方法，特别是涉及一种非导电性载体形成电路结构的制造方法。
背景技术
基于大众对于3C产品的便利性及可携带性的讲究，驱使电子产品朝向微小化、轻量化及多功能化的趋势发展。因而使得电路设计与制作方式亦迈向质量轻、体积小及厚度薄的方向发展。
目前已知用在制作电路的方法中普遍可分为电镀及化学镀两种。其中，相较于电镀，化学镀又称为无电镀(Electroless plating)或自身催化电镀(autocatalytic plating)，其是指水溶液中的金属离子在被控制的环境下，予以化学还原，而不需电力镀在基材上。化学镀的优点包含镀层均匀、镀层孔率少、可形成多元合金等特点。因此，在金属层厚度均匀度要求较高的电子产品，如手机、笔记型计算机等的电路组件的电路形成方式大多都采用化学镀来制作电路组件。
目前，在模塑互连组件(Moulded Interconnect Device，MID)的制造程序中，一熟知技术为将金属氧化物分散在非导电性载体内，且射出成型一基座。接续以激光照射基座的任一表面使其形成一预设电路图样，其于激光烧蚀基座表面同时裸露及活化所述表面的金属氧化物使其释放金属核(metal nuclei)。在制造过程中，为均匀分散金属氧化物至非导电性载体内，故需提供一定比例量的金属氧化物。然而，所述金属氧化物所释放的金属核仅为提供预设电路图样部表面金属化还原反应的用途，因此无受到激光活化的金属氧化物会导致成本的浪费，亦无回收再利用的可能性。
此外，其它熟知技术可能会因为部分催化剂裸露在非预定线路的表面上，而使得后续金属化时，在非预定线路的表面上亦镀覆金属，因而造成成品不良率增加。
再者，美国专利第7060421号所揭示的制造导体轨道结构(conductor track structure)方法中，其因所使用的激光功率须达到金属氧化物释放金属核的能量，故而缩短激光源的寿命。而美国专利第5945213号及第5076841号则具有于3D曲面形成微线路须配合3D遮罩(mask)，故其成本较高的问题。
发明内容
有鉴于上述已知技艺的问题，本发明的目的就是在于提供一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，除了可达到制造程序简易、降低成本及成品不良率的功效，亦有实施方式灵活的优点。
根据本发明的目的，提出以下的技术方案：
一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，其包含下列步骤：
提供一非导电性载体；
分散一催化剂于所述非导电性载体上或所述非导电性载体内；
形成一预定线路结构于所述非导电性载体上，并使所述催化剂裸露于所述预定线路结构的表面；以及
金属化所述预定线路结构，以形成一导电线路。
利用一喷砂加工、一激光照射或一化学蚀刻，使所述预定线路结构形成在所述非导电性载体上，以裸露所述催化剂于所述预定线路结构上。所述激光的波长范围为248纳米至10600纳米之间的任一波长。
非导电性载体形成电路结构的制造方法，其还包括设置一绝缘层于含有所述催化剂的所述非导电性载体上，以形成一复合体。所述催化剂分散于所述非导电性载体上的步骤为藉由含有所述催化剂的一薄膜设置于所述非导电性载体的表面所达成。所述薄膜包含油墨、涂料、有机高分子或其组合。其还包括于形成所述导电线路后，移除残留的所述薄膜的步骤。
非导电性载体形成电路结构的制造方法，其还包括将所述催化剂覆盖于一无机填充料表面的步骤，以增加所述催化剂的比表面积；所述无机填充料包含硅酸、硅酸衍生物、碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、纳米碳管、石墨、沸石、黏土矿物、陶瓷粉末、甲壳素或其组合。
所述催化剂包括一金属元素、或所述金属元素的一金属氧化物、一金属氢氧化物、一金属水合氧化物、一复合金属氧化物水合物或其组合。
所述金属元素包括钛、锑、银、钯、铁、镍、铜、钒、钴、锌、铂、金、铟、铱、锇、铑、铼、钌、锡或其组合。
所述金属氧化物包括氧化银、氧化钯或其组合。
所述金属氢氧化物包括氢氧化银、氢氧化铜、氢氧化钯、氢氧化镍、氢氧化金、氢氧化铂、氢氧化铟、氢氧化铼、氢氧化铑或其组合。
所述金属水合氧化物包括水合氧化铂、水合氧化银、水合氧化铜、水合氧化钯、水合氧化镍、水合氧化金、水合氧化铟、水合氧化铼、水合氧化铑或其组合。
所述复合金属氧化物水合物包括下列分子式：
M1 XM2Om.n(H2O)
其中，M1为钯或银，M2为硅、钛或锆，当M1为钯时x为1，当M1为银时x为2，m及n为介于1至20的间的整数。
所述非导电性载体的材料为一高分子塑料，所述高分子塑料包括一热塑性塑料或一热固性塑料。
所述非导电性载体的材料为一陶瓷材料，所述陶瓷材料包括氧化铝、氮化铝、低温共烧陶瓷、碳化硅、氧化锆、氮化硅、氮化硼、氧化镁、氧化铍、碳化钛、碳化硼或其组合。
非导电性载体形成电路结构的制造方法，其还包含设置一导热材、一导热柱或其组合于所述非导电性载体中。所述导热材包括一非金属导热材、一金属导热材或其组合。所述非金属导热材包含石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅、碳化硅或其组合。所述金属导热材包含铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银或其组合。
所述导热柱的材料包含铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银、石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅、碳化硅或其组合。
本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法，提供非导电性载体后，分散催化剂于非导电性载体上或非导电性载体内。接着，预定线路结构形成于非导电性载体上，并使催化剂裸露所述预定线路结构的表面，再金属化预定线路结构，以形成一导电线路。
其中，可利用全面或局部的喷砂加工、激光照射或化学性蚀刻，使预定线路结构形成在非导电性载体上，以裸露该催化剂于预定线路结构上。前述所言的化学性蚀刻除可裸露催化剂，亦有些微湿润(wetting)的效果，使得欲镀面具备些微亲水性，利于后续化学镀的进行。
在上述的非导电性载体形成电路结构的制造方法中，还可包含设置一绝缘层于含有催化剂的非导电性载体上的步骤，以形成一复合体。因此，在后续金属化时，设置绝缘层可避免金属镀覆于非预定线路的表面上，降低成品不良率。
其中，催化剂分散于该非导电性载体上的步骤可藉由含有催化剂的一薄膜设置于非导电性载体的表面所达成。而薄膜可为油墨、胶膜、涂料或有机高分子。亦可在形成导电线路后，选择性移除残留的薄膜。
其中，本发明的非导电性载体还可包含导热材、导热柱或其组合于其中，进而增加导热效能。导热材可包括非金属导热材、金属导热材。非金属导热材可选自石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅及碳化硅所组成的群组。而金属导热材则可选自铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌及银所组成的群组。又，导热柱的材料可选自于铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银、石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅及碳化硅所组成的群组。
承上所述，依本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其可具有一或多个下述优点：
(1)本发明的制造方法中，若使用激光裸露催化剂，其激光以低功率进行裸露程序即可，且因金属核在化学镀程序中静置反应约为10～15分钟，而本发明的催化剂在化学镀程序中静置反应约为3～5分钟，故本发明的非导电性载体中的催化剂在化学镀过程中的氧化还原反应速率较激光活化金属氧化物所释放的金属核快速。
(2)本发明的电路的制造方法中，可选择性地移除残留的薄膜，故可回收薄膜内的催化剂再利用，进而降低电路制程成本。
(3)本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法中，因含有催化剂的薄膜上设置有一绝缘层，故在金属化时，可避免部分催化剂因裸露于薄膜表面时所造成的不良影响。
(4)本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法中，因非导电性载体可包含有导热材、导热柱或其组合，故使得制作完成的电路板具有极佳的热传导、热辐射的效能。
附图说明
图1为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第一实施例的步骤流程图。
图2为本发明的电路的一实施例的剖面图。
图3为以本发明的电路剖面图，且其预定线路结构形成于薄膜上。
图4为以本发明的电路剖面图，且其预定线路结构形成于非导电性载体上。
图5为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第二实施例的步骤流程图。
图6为以本发明的第二实施例的制造方法所制得的电路剖面图，且其预定线路结构形成于薄膜上。
图7为以本发明的第二实施例的制造方法所制得的电路剖面图，且其预定线路结构形成于非导电性载体上。
图8为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第三实施例的步骤流程图。
图9为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第四实施例的步骤流程图。
图10为本发明的含有导热材的电路的一实施例的剖面图。
【主要组件符号说明】
21：非导电性载体
24：薄膜
32：催化剂
33：金属层
61：绝缘层
111：纳米碳球
S11～S14、S51～S55、S81～S84、S91～S95：步骤
具体实施方式
请参照图1，其为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第一实施例的步骤流程图。如图所示，其步骤包括：步骤S11，提供一非导电性载体。步骤S12，分散催化剂于非导电性载体上或非导电性载体内。步骤S13，形成一预定线路结构于非导电性载体上，并使催化剂裸露于预定线路结构的表面。步骤S14，金属化具有催化剂的预定线路结构，以形成一导电线路(金属层)。当分散催化剂于非导性载体内时即为S11和S12步骤同时实施。
在本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法中，催化剂可包含金属元素、或其金属元素的金属氧化物、金属氢氧化物、金属水合氧化物或复合金属氧化物水合物。
其中，金属元素可包含钛、锑、银、钯、铁、镍、铜、钒、钴、锌、铂、铱、锇、铑、铼、钌、锡等过渡金属或其混合物。金属氧化物可包括氧化银或氧化钯等。金属氢氧化物则可包括氢氧化银、氢氧化铜、氢氧化钯、氢氧化镍、氢氧化金、氢氧化铂、氢氧化铟、氢氧化铼或氢氧化铑。金属水合氧化物可包括水合氧化铂、水合氧化银、水合氧化铜、水合氧化钯、水合氧化镍、水合氧化金、水合氧化铟、水合氧化铼或水合氧化铑等。复合金属氧化物水合物可为下列分子式：
M1 XM2Om.n(H2O)
其中，M1为钯或银，M2为硅、钛或锆。当M1为钯时x为1，而当M1为银时x为2，m及n为介于1至20之间的整数。复合金属氧化物水合物例如为PdTiO3·n(H2O)、Ag2TiO3·n(H2O)、PdSiO3·n(H2O)、PdZrO3·n(H2O)等。
对于预定线路结构形成在非导电性载体而言，可利用全面或局部的喷砂加工、激光照射或化学蚀刻的方式而达成，进而使催化剂裸露于预定线路结构上。
所述的激光照射的方式包括二氧化碳(CO2)激光、铷雅铬(Nd:YAG)激光、掺钕钒酸钇晶体(Nd:YVO4)激光、准分子(EXCIMER)激光或光纤激光(Fiber Laser)等。而激光的波长范围可为248纳米至10600纳米之间的任一波长，其使用何种波长可依据欲将预定线路结构形成于薄膜或非导电性载体上的选择，且亦根据激光强弱来调整激光照射时间。
当催化剂直接分散于非导电性载体21内时，预定线路结构可直接形成在非导电性载体21上，故使得催化剂32直接裸露于预定线路结构的表面，进而进行金属化，以在预定线路结构上形成金属层33，如图2所示。
在另一实施例中，当催化剂分散于非导电性载体上时，可利用含有催化剂的薄膜的设置而达成：如钯催化剂(不以此为限)。在步骤S13中，藉由激光烧蚀、喷砂加工或化学蚀刻后的非导电性载体浸泡于无电解电镀的溶液中，裸露于预定线路结构的钯催化剂催化无电解溶液中的金属离子，经由化学还原反应还原析出于预定线路结构上的表面，进而形成金属镀层，以达到制作结构性电路于非导电性载体上的目的。
对于不同非导电性载体来说，在进行激光烧蚀时的激光照射强度亦有不同，且激光照射时间会随着激光照射功率而改变。例如以高分子塑料(例如热塑性塑料或热固性塑料)为非导电性载体的材料，且使用功率较强的激光照射时，其激光照射时间就相对于较短，以避免破坏由高分子塑料所组成的非导电性载体的结构。若藉由激光烧蚀至以热塑性塑料或热固性塑料所组成的非导电性载体时，非导电性载体表面则可能因为过度熔融致使塑料受热而分解变质，然而其分解变质的副产物可能影响催化剂的作用，或因为过度烧蚀使非导电性载体上的催化剂薄膜的催化剂量减少，而使得在后续制程中无法镀覆其它欲镀金属或有镀覆不完全的现象，进而影响最后成品的质量。
因此，当非导电性载体21由高分子塑料所组成时，催化剂亦可藉由薄膜24的方式形成于非导电性载体21上。意即，设置含有催化剂的薄膜24于非导电性载体21上，故于薄膜24上进行激光烧蚀，并无破坏由高分子塑料所组成的非导电性载体21，如图3所示。而薄膜24可为油墨、胶膜、涂料或有机高分子。此外，于镀覆金属后(即形成导电线路后)，亦可选择性地将残留的薄膜移除。
其中，热塑性塑料可包括聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺(尼龙，Nylon)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、聚四氟乙烯(特富龙，PTFE)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET，PETE)、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物(ABS)或聚碳酸酯/丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物的合金塑料(PC/ABS)等同时亦包含其组合。而热固性塑料则可为环氧树脂、酚醛塑料、聚酰亚胺、三聚氰氨甲醛树脂等同时亦包含其组合。非导电性载体亦可为液晶高分子聚合物(LCP)材料。
再者，非导电性载体亦可以陶瓷材料制成，或者可在陶瓷材料表面含有催化剂的薄膜中加入玻璃质材料，在烧结程序后，以增加陶瓷材料与催化剂间的接着强度。然而，因玻璃质材料融熔后会填补陶瓷材料表面的孔洞，故激光照射较不易使催化剂渗透至由陶瓷材料所制成的非导电性载体上。当预定线路结构形成于非导电性载体21上时，催化剂可裸露于预定线路结构表面上，如图4所示。在藉由激光烧蚀的过程中，催化剂32则会渗透且裸露(也可单独裸露)于预定线路结构的表面，以进行后续制程。陶瓷材料可为氧化铝、氮化铝、低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics，LTCC)、碳化硅、氧化锆、氮化硅、氮化硼、氧化镁、氧化铍、碳化钛、碳化硼或其组合。
请参照图5，其为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第二实施例的步骤流程图。如图所示，其步骤包括：步骤S51，提供非导电性载体。步骤S52，设置含有催化剂的薄膜于非导电性载体上。步骤S53，设置一绝缘层于薄膜上。步骤S54，藉由激光烧蚀绝缘层及薄膜，以形成一预定线路结构，并使催化剂裸露或渗透且裸露于预定线路结构的表面。步骤S55，金属化具有催化剂的预定线路结构，以形成一导电线路。其中，在步骤S54中，形成预定线路结构的方式有多种，本实施例是以激光烧蚀为例，不以此为限。此外，在步骤S52中，若催化剂于非导电性载体内时，步骤S53所述的绝缘层则直接设置于非导电性载体上。
相对于上述实施例，本发明的第二实施例多了一绝缘层，如图6所示。催化剂32可能裸露于非预定线路结构的薄膜表面的部位，在随后的镀覆金属的步骤中，可能会使非预定线路结构的部位也镀覆金属的情况发生。因此，可藉由绝缘层61覆盖薄膜24，而避免因催化剂32裸露于薄膜24表面时所造成的不良影响。
此外，在图6中，因非导电性载体21是由高分子塑材所制得，故藉由激光烧蚀至薄膜24，使预定线路结构形成于薄膜24上。而当非导电性载体21由陶瓷材料所制成时，则可激光烧蚀至非导电性载体21，使预定线路结构形成于非导电性载体21上，如图7所示。在此，需注意的是，无论非导电性载体的材料为塑料或陶瓷材料，其皆可有图6及图7所示的电路结构。
请参照图8，其为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第三实施例的步骤流程图。如图所示，其步骤包括：步骤S81，设置含有催化剂的薄膜于高分子膜上。步骤S82，将具有薄膜的高分子膜放入具有塑料射出成型机，经由射出成型(模内射出)以形成一复合体，其中所述塑料为非导电性载体的材料。步骤S83，藉由激光烧蚀复合体，以形成预定线路结构，并使催化剂渗透且裸露于预定线路结构的表面。步骤S84，金属化具有预定线路结构的复合体，以形成一导电线路。其中，在步骤S83中，形成预定线路结构的方式有多种，本实施例是以激光烧蚀为例，不以此为限。此外，在线路结构形成后，亦可将高分子膜移除。
第三实施例与第一及二实施例的差别在于，第三实施例是利用射出成型的方式形成由高分子膜、含催化剂的薄膜及非导电性载体所构成的复合体，将其复合体直接作为电路组件的基座。此外，薄膜上可含有预定线路结构的图案，依据其图案进行烧蚀，以在薄膜或非导电性载体上形成预定线路结构，并裸露其催化剂。
当高分子膜、含催化剂的薄膜及非导电性载体经由射出成型而形成复合体的制程中，可藉由不同的射出成型模具的设计，制作不同结构的导电线路图样。此外，薄膜、高分子膜及非导电性载体的设置位置亦具有多种态样。例如，在射出成型时，高分子膜可设于薄膜及非导电性载体之间，或者薄膜位于非导电性载体与高分子膜之间等。且，根据非导电性载体的种类，藉由激光烧蚀的程度亦有所不同。其原理如同于上述实施例，故在此不再赘述。有所不同的是，在本实施例中，因高分子膜可设于薄膜与非导电性载体之间，故在烧蚀过程中，预定线路结构可形成在高分子膜上。
在上述各实施例中，可进一步移除残留的薄膜。以第二实施例而言，当导电线路形成后，可将其残留的薄膜移除，以将催化剂溶融出并再利用，进而节省原料成本。
请参照图9，其为本发明的非导电性载体形成电路结构的制造方法的第四实施例的步骤流程图。如图所示，其步骤包括：步骤S91，于高分子膜上形成含有催化剂的薄膜。步骤S92，以热压法或激光加热法(包含直接加热或间接加热)将含有催化剂的薄膜熔融接合于非导电性载体的表面。步骤S93，移除高分子膜。步骤S94，藉由激光烧蚀薄膜，以形成一预定线路结构，使催化剂裸露于预定线路结构的表面。步骤S95，金属化含有催化剂的预定线路结构，以形成导电线路。其中，根据非导电性载体的种类，激光烧蚀的程度有所不同，且其原理如同于上述实施例，故在此不再赘述。于步骤S94中，形成预定线路结构的方式有多种，本实施例是以激光烧蚀为例，不以此为限。
再者，第二实施例至第四实施例的催化剂种类皆与第一实施例相同，故不再赘述。另，虽然上述的催化剂皆以薄膜的方式举例，但不以此为限，催化剂亦可直接存在于非导电性载体内。此外，上述的催化剂可覆盖于无机填充料表面，形成复合颗粒后，再将其混合入薄膜内，以增加其比表面积。如此，便可增加在激光照射后，所裸露出的催化剂的数量，且可以更进一步减少催化剂的使用量，及降低成本。其中，无机填充料可包含硅酸、硅酸衍生物、碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、纳米碳管、石墨、沸石、黏土矿物、陶瓷粉末、甲壳素或其组合。
上述所有实施例中，当非导电性载体是由导热性较差的材料(例如高分子塑料)所组成时，本发明的制造方法还可包含设置导热材、导热柱或其组合于非导电性载体其中，以增加导热效率。其中，导热材可包括非金属导热材或金属导热材。非金属导热材可选自石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅及碳化硅所组成的群组。而金属导热材则可选自铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌及银所组成的群组。导热柱的材料可选自于铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银、石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅及碳化硅所组成的群组。
请参照图10，其为本发明的含有导热材的电路的一实施例的剖面图。图中，导热材为纳米碳球111的非金属导热材，不以此为限。而催化剂32存在于薄膜24上，不以此为限，亦可直接存在于非导电性载体21中(图中未示)。因此，最后所得的电路板具有极佳的热传导、热辐射的效能。
综上所述，因含有催化剂的薄膜上设置有一绝缘层，故可避免因催化剂裸露于非预定线路结构的薄膜表面部位时，其后续金属化制程中所造成的不良影响。此外，因非导电性载体可包含有导热材、导热柱或其组合，以增加导热效能。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于所附的权利要求保护范围中。

Claims (21)

1.一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：包含下列步骤：
提供一非导电性载体；
分散一催化剂于所述非导电性载体上或所述非导电性载体内；
形成一预定线路结构于所述非导电性载体上，并使所述催化剂裸露于所述预定线路结构的表面；以及
金属化所述预定线路结构，以形成一导电线路。
2.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：利用一喷砂加工、一激光照射或一化学蚀刻，使所述预定线路结构形成在所述非导电性载体上，以裸露所述催化剂于所述预定线路结构上。
3.根据权利要求2所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述激光的波长范围为248纳米至10600纳米之间的任一波长。
4.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：其还包括设置一绝缘层于含有所述催化剂的所述非导电性载体上，以形成一复合体。
5.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述催化剂分散在所述非导电性载体上的步骤为藉由含有所述催化剂的一薄膜设置于所述非导电性载体的表面所达成。
6.根据权利要求5所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：其还包括于形成所述导电线路后，移除残留的所述薄膜的步骤。
7.根据权利要求5所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述薄膜包含油墨、涂料、有机高分子或其组合。
8.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：其还包括将所述催化剂覆盖于一无机填充料表面的步骤，以增加所述催化剂的比表面积；所述无机填充料包含硅酸、硅酸衍生物、碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、纳米碳管、石墨、沸石、黏土矿物、陶瓷粉末、甲壳素或其组合。
9.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述催化剂包括一金属元素、或所述金属元素的一金属氧化物、一金属氢氧化物、一金属水合氧化物、一复合金属氧化物水合物或其组合。
10.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属元素包括钛、锑、银、钯、铁、镍、铜、钒、钴、锌、铂、金、铟、铱、锇、铑、铼、钌、锡或其组合。
11.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属氧化物包括氧化银、氧化钯或其组合。
12.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属氢氧化物包括氢氧化银、氢氧化铜、氢氧化钯、氢氧化镍、氢氧化金、氢氧化铂、氢氧化铟、氢氧化铼、氢氧化铑或其组合。
13.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属水合氧化物包括水合氧化铂、水合氧化银、水合氧化铜、水合氧化钯、水合氧化镍、水合氧化金、水合氧化铟、水合氧化铼、水合氧化铑或其组合。
14.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述复合金属氧化物水合物包括下列分子式：
M1 XM2Om.n(H2O)
其中，M1为钯或银，M2为硅、钛或锆，当M1为钯时x为1，当M1为银时x为2，m及n为介于1至20的间的整数。
15.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述非导电性载体的材料为一高分子塑料，所述高分子塑料包括一热塑性塑料或一热固性塑料。
16.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述非导电性载体的材料为一陶瓷材料，所述陶瓷材料包括氧化铝、氮化铝、低温共烧陶瓷、碳化硅、氧化锆、氮化硅、氮化硼、氧化镁、氧化铍、碳化钛、碳化硼或其组合。
17.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：其还包含设置一导热材、一导热柱或其组合于所述非导电性载体中。
18.根据权利要求17所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述导热材包括一非金属导热材、一金属导热材或其组合。
19.根据权利要求18所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述非金属导热材包含石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅、碳化硅或其组合。
20.根据权利要求18所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属导热材包含铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银或其组合。
21.根据权利要求17所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述导热柱的材料包含铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银、石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅、碳化硅或其组合。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120418