CN1941346A - 高导热效率电路板 - Google Patents

高导热效率电路板 Download PDF

Info

Publication number
CN1941346A
CN1941346A CN 200510108046 CN200510108046A CN1941346A CN 1941346 A CN1941346 A CN 1941346A CN 200510108046 CN200510108046 CN 200510108046 CN 200510108046 A CN200510108046 A CN 200510108046A CN 1941346 A CN1941346 A CN 1941346A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat conductive
circuit
insulating layer
circuit board
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 200510108046
Other languages
English (en)
Inventor
甘明吉
胡绍中
宋健民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHINA EMERG WHEEL ENTERPRISE Co Ltd
Original Assignee
CHINA EMERG WHEEL ENTERPRISE Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHINA EMERG WHEEL ENTERPRISE Co Ltd filed Critical CHINA EMERG WHEEL ENTERPRISE Co Ltd
Priority to CN 200510108046 priority Critical patent/CN1941346A/zh
Publication of CN1941346A publication Critical patent/CN1941346A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高导热效率电路板,其主要在于一基板上覆盖有一绝缘层,于绝缘层上设置一线路,线路一处用以设置一半导体芯片,线路外露表面上覆盖一含有钻石粉末或钻石及类钻碳膜的导热绝缘层,该导热绝缘层用以迅速传导直接来自于线路的高热及间接来自于半导体芯片的高热,并将高热排除至外界,由此,以维持该电路板在一正常工作温度;导热绝缘层可取代现有电路板基板上的防焊层,使得高功率半导体芯片所产生的高热能通过线路及导热绝缘层的传递,快速的与外界空气进行热交换而散热。

Description

高导热效率电路板
技术领域
本发明涉及一种电路板,尤其涉及一种具高导热效率电路板,其具有一导热绝缘层可提供安装于电路板上的半导体芯片良好的导热效果,以避免半导体芯片因高热聚积不散而失效或损毁。
背景技术
大多数电子组件,尤其是集成电路组件,于封装时,以芯片设置于一裸电路板之上,并将芯片接点连接于该裸电路板的接点,为避免裸电路板的金属基板氧化,在金属基板上覆盖一绝缘层以隔绝外界与基板的接触。
请参照图3,现有的裸电路板主要在一铝制基板90上形成一绝缘层91,该绝缘层91上形成有一线路92,部分线路92上分别形成覆盖线路92的防焊层93,另外一部分的线路92上覆设有一焊锡94,供连接一半导体芯片,使得半导体芯片与部分线路92电连接。
请参照图4,一发光二极管(Light Emitting Diode,LED)98透过焊锡94焊接在上述裸电路板的特定线路92之上,如图4中的箭头所示,当LED98运作而产生高热时,热能透过绝缘层91传递至基板90,或是透过线路92传递至防焊层93,最后排散至外界。
由于LED98大多位于微小腔体内,LED98所在处通常无足够空间可额外加装风扇来强制热对流,即使加装风扇,风扇亦会大量增加组件整体耗电量,而失去LED98高效率、省电节能、尺寸轻小及环保等优点,故在前述因素下,LED98的热管理趋向利用热传导与自然对流来散热。然而,现有的防焊层93以聚亚醯胺(Polyimide)制造,此种材料的热传导率极差,导致LED98产生的高热传递至铜线路92后无法有效的透过防焊层93继续向外界散热,因而高热聚积在铜线路92上,致使LED98持续增温而无法稳地运作,更甚者,则因高温而损毁。
发明内容
故本发明人有鉴于现有裸电路板的热传导效率不彰而影响了位于其上的半导体芯片等电子组件的工作稳定性的缺点,改良其不足与缺失,进而发明出一种高导热效率电路板。
本发明的主要目的在于提供一种高导热效率电路板,该电路板上设置一导热绝缘层,以迅速传导高功率半导体芯片如发光二极管等所产生的高热,使高功率半导体芯片在该裸电路板上运作时仍可维持一正常温度。
为达上述目的,本发明令前述高导热效率电路板主要在于一基板上覆盖有一绝缘层,于绝缘层上设置一线路,线路一处用以设置一半导体芯片,线路外露表面上覆盖一含有钻石粉末或钻石及类钻碳膜的导热绝缘层,该导热绝缘层用以迅速传导直接来自于线路的高热及间接来自于半导体芯片的高热,并将高热排除至外界,由此,以维持该电路板在一正常工作温度。
通过上述技术手段,导热绝缘层可取代现有电路板基板上的防焊层,使得高功率半导体芯片所产生的高热能通过线路及导热绝缘层的传递,快速的与外界空气进行热交换而散热。
前述导热绝缘层以钻石粉末及聚亚醯胺混合制造。
前述导热绝缘层之中钻石粉末的体积比在5vol%~95vol%之间。
前述绝缘层以环氧树脂制造。
附图说明
图1为本发明的正面剖视图。
图2为本发明的操作视意图。
图3为现有电路板的正面剖视图。
图4为现有电路板的操作视意图。
主要组件符号说明
10基板                    11绝缘层
12线路                    14焊锡
17导热绝缘层              20发光二极管
90金属基板                91绝缘层
92线路                    93防焊层
94焊锡                    98发光二极管
具体实施方式
请参照图1,本发明高导热效率电路板包含有:一基板10、一绝缘层11、一线路12及一导热绝缘层17。
该基板10以铝、铜或陶瓷等材料制造。
该绝缘层11覆盖在基板10表面,且以环氧树脂(Epoxy Resin)制造。
该线路12以铜材制作在绝缘层11之上,在线路12一处上覆设有焊锡14。
该导热绝缘层17以具良好导热性的钻石粉末混合聚亚醯胺(Polyimide)来制造,且覆盖于线路12上所有未为焊锡14覆盖的外露表面上,该钻石粉末的体积比可以在5vol%~95vol%之间,此外,导热绝缘层17亦可纯粹以钻石或是类钻碳膜来制造。
请参照图2,由于钻石粉末的热传导率约800~2000W/mK,而钻石或类钻碳的热传导率为400到1800W/mK之间,远大于传统聚亚醯胺的热传导率,且钻石及其粉末以及类钻碳皆具有良好的绝缘性,故当一高功率发光二极管(LED,Light Emitting Diode)20透过焊锡14与线路12连接时,如图2中代表热传导方向的箭头所示,发光二极管20所发出的高热透过焊锡14及线路12传递到导热绝缘层17,而导热绝缘层17快速地与外部空气进行热交换以进行对发光二极管20的散热。
钻石或类钻碳膜所构成导热绝缘层17的形成方法将详述于下;当基板10以硅或陶瓷来制造时,钻石导热绝缘层以热灯丝法化学气相沉积(Hot Filament CVD)方法或微波电浆辅助化学气相沉积(MicrowavePlasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)方法而形成,且其制程温度大于500℃,钻石膜所形成的导热绝缘层厚度为1-100微米;当基板10以硅、陶瓷或铝、铜等金属来制造时,类钻碳膜导热绝缘层以阴极环电弧物理气相沉积(Cathodic Arc PVD)方法、溅射物理气相沉积(Sputtering PVD)方法或电浆辅助化学气相沉积(Plasma Assisted CVD)方法来形成。
通过上述技术手段,导热绝缘层17可取代传统基板上的聚亚醯胺防焊层,使得发光二极管20等高功率半导体芯片所产生的高热能经过焊锡14及线路12后,通过导热绝缘层17快速地与外界热空气热交换而散热,故设置于电路板上的半导体芯片可维持一稳定的工作温度,由此,电路板的应用性大为提高。

Claims (10)

1.一种高导热效率电路板,其特征在于,于一基板上覆盖有一绝缘层,于绝缘层上设置一线路,线路一处用以设置一半导体芯片,线路外露表面上覆盖一含有钻石粉末的导热绝缘层,该导热绝缘层用以迅速传导直接来自于线路的高热及间接来自于半导体芯片的高热,并将高热排除至外界,由此,以维持该电路板在一正常工作温度。
2.如权利要求1所述的高导热效率电路板,其特征在于,导热绝缘层以钻石粉末及聚亚醯胺混合制造。
3.如权利要求1或2所述的高导热效率电路板,其特征在于,导热绝缘层之中钻石粉末的体积比在5vol%~95vol%之间。
4.如权利要求3所述的高导热效率电路板,其特征在于,该绝缘层以环氧树脂制造。
5.一种高导热效率电路板,其特征在于,于一基板上覆盖有一绝缘层,于绝缘层上设置一线路,线路一处用以设置一半导体芯片,线路外露表面上覆盖一以钻石膜制造的导热绝缘层,该导热绝缘层用以迅速传导直接来自于线路的高热及间接来自于半导体芯片的高热,并将高热排除至外界,由此,以维持该电路板在一正常工作温度。
6.如权利要求5所述的高导热性印刷电路板,其特征在于,钻石膜导热绝缘层以热灯丝法化学气相沉积方法而形成。
7.如权利要求5所述的高导热性印刷电路板,其特征在于,钻石膜导热绝缘层以微波电浆辅助化学气相沉积方法而形成。
8.一种高导热效率电路板,其特征在于,于一基板上覆盖有一绝缘层,于绝缘层上设置一线路,线路一处用以设置一半导体芯片,线路外露表面上覆盖一以类钻碳膜制造的导热绝缘层,该导热绝缘层用以迅速传导直接来自于线路的高热及间接来自于半导体芯片的高热,并将高热排除至外界,由此,以维持该电路板在一正常工作温度。
9.如权利要求8所述的高导热性印刷电路板,其特征在于,类钻碳膜导热绝缘层以阴极环电弧物理气相沉积方法而形成。
10.如权利要求8所述的高导热性印刷电路板,其特征在于,类钻碳膜导热绝缘层以溅射物理气相沉积方法而形成。
CN 200510108046 2005-09-29 2005-09-29 高导热效率电路板 Pending CN1941346A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200510108046 CN1941346A (zh) 2005-09-29 2005-09-29 高导热效率电路板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200510108046 CN1941346A (zh) 2005-09-29 2005-09-29 高导热效率电路板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1941346A true CN1941346A (zh) 2007-04-04

Family

ID=37959337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200510108046 Pending CN1941346A (zh) 2005-09-29 2005-09-29 高导热效率电路板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1941346A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101677488B (zh) * 2008-09-18 2010-12-08 王俣韡 高导热基板结构及其制作方法
US7922362B2 (en) 2007-10-19 2011-04-12 Au Optronics Corp. Circuit board assembly and backlight module comprising the same
WO2012037816A1 (zh) * 2010-09-24 2012-03-29 光宏精密股份有限公司 利用非导电性载体形成电路结构的方法
CN103682074A (zh) * 2013-12-27 2014-03-26 江苏天楹环保科技有限公司 高导热性金属电路半导体制冷片及其加工方法
CN108281404A (zh) * 2015-04-30 2018-07-13 华为技术有限公司 一种集成电路管芯及制造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7922362B2 (en) 2007-10-19 2011-04-12 Au Optronics Corp. Circuit board assembly and backlight module comprising the same
CN101677488B (zh) * 2008-09-18 2010-12-08 王俣韡 高导热基板结构及其制作方法
WO2012037816A1 (zh) * 2010-09-24 2012-03-29 光宏精密股份有限公司 利用非导电性载体形成电路结构的方法
CN102421256A (zh) * 2010-09-24 2012-04-18 光宏精密股份有限公司 非导电性载体形成电路结构的制造方法
TWI423750B (zh) * 2010-09-24 2014-01-11 Kuang Hong Prec Co Ltd 非導電性載體形成電路結構之製造方法
CN103682074A (zh) * 2013-12-27 2014-03-26 江苏天楹环保科技有限公司 高导热性金属电路半导体制冷片及其加工方法
CN108281404A (zh) * 2015-04-30 2018-07-13 华为技术有限公司 一种集成电路管芯及制造方法
US10607913B2 (en) 2015-04-30 2020-03-31 Huawei Technologies Co., Ltd. Integrated circuit die and manufacture method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100366130C (zh) 用于电装置的柔性互连结构以及带有该结构的光源
CN102738377B (zh) 超高导热金属基线路板及其制备方法、应用
CN101076224A (zh) 铝基印刷电路板及其制作方法
CN105304593B (zh) 用于光电器件的高效散热基板
CN102769076A (zh) 封装载板及其制作方法
CN101660728A (zh) 交流led光源用散热基板
US20110001418A1 (en) High heat dissipation electric circuit board and manufacturing method thereof
CN1941346A (zh) 高导热效率电路板
CN108990254B (zh) 内建纵向散热陶瓷块印刷电路板及具该电路板的电路组件
CN101901865A (zh) 金属层压板和使用其的发光二极管封装的制造方法
CN1941347A (zh) 高导热效率电路板
KR100934476B1 (ko) 회로 기판 및 그 제조 방법
CN101765350A (zh) 高功率散热模块
WO2015135249A1 (zh) 图案化多绝缘材质电路基板
CN101437355B (zh) 电路基板及其制造方法
CN201986260U (zh) 一种复合pcb板
KR20200007299A (ko) Led 발열 개선 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
CN101764193A (zh) 一种高导热大功率led引线框架及制备方法
JP4870426B2 (ja) 熱伝導効率の高い回路板
CN100585890C (zh) 发光芯片封装体及其制造方法
CN108575046A (zh) 一种高导热复合基材多层印制电路板
KR101064793B1 (ko) 방열엘이디보드
CN100536180C (zh) 发光装置
CN2886805Y (zh) 发光二极体电路整合于散热基板的结构
CN101593802A (zh) 新型led封装用基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication