CN102410657A - 一种半导体致冷器件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体和两块陶瓷绝缘板，金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板下侧和第二陶瓷绝缘板上侧，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，N型半导体晶体成分重量份数为：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分重量份数为：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。本发明的有益效果在于：在N型半导体晶体中加入了四碘化碲，使N型半导体晶体在潮解空气中稳定，从而使整个半导体致冷器件的性能更加稳定，致冷效果更好。

Description

一种半导体致冷器件
技术领域
本发明涉及一种半导体致冷器件，尤其涉及一种用于日常生活方面的半导体致冷器件。
背景技术
半导体致冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由J.A.C帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的导体A和B组成的电路且通有直流电时，在接头处除焦耳热以外还会释放出某种其它的热量，而另一个接头处则吸收热量，且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度I成正比。
半导体致冷器没有机械传动部分，工作中无噪音，无液、气工作介质，因而不污染环境，制冷参数不受空间方向以及重力影响，在大的机械过载条件下，能够正常地工作;通过调节工作电流的大小，可方便调节制冷速率；通过切换电流方向，可使致冷器从制冷状态转变为制热工作状态；作用速度快，使用寿命长，且易于控制。因此半导体致冷器被广泛地应用于现在的日常生活中。
半导体致冷器件包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体和两块陶瓷绝缘板，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于金属导体之间，在金属导体的外侧设有陶瓷绝缘板。
现如今大多数的半导体致冷器件，在性能上不够稳定，尤其是在潮湿的环境下，致冷器件的致冷效果变差，如何解决这个问题，成为大多数厂家迫切需要解决的。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足和缺点，本发明提供了一种性能稳定且致冷效果好的半导体致冷器件。
一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体、第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板，所述的金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板下侧和第二陶瓷绝缘板上侧，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。
优选地，所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1.4、硒31、碲675、铋793。
优选地，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒12、铋185、锑326、碲687。
本发明一种半导体致冷器件的有益效果在于：在N型半导体晶体中加入了四碘化碲，使N型半导体晶体在潮解空气中稳定，从而使整个半导体致冷器件的性能更加稳定，致冷效果更好。
附图说明
图1为本发明半导体致冷器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围并不限于此。
实施例1
一种半导体致冷器件，包括若干金属导体1、N型半导体晶体2、P型半导体晶体3、第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5，所述的金属导体1间隔固定于第一陶瓷绝缘板4下侧和第二陶瓷绝缘板5上侧，N型半导体晶体2和P型半导体晶体3设于第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5之间且通过金属导体1串接。
N型半导体晶体2成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800。
P型半导体晶体3成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。
实施例2
一种半导体致冷器件，包括若干金属导体1、N型半导体晶体2、P型半导体晶体3、第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5，所述的金属导体1间隔固定于第一陶瓷绝缘板4下侧和第二陶瓷绝缘板5上侧，N型半导体晶体2和P型半导体晶体3设于第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5之间且通过金属导体1串接。
N型半导体晶体2成分为（重量份）：四碘化碲1.4、硒31、碲675、铋793。
P型半导体晶体3成分为（重量份）：硒12、铋185、锑326、碲687。

Claims (3)

1.一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体、第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板，所述的金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板下侧和第二陶瓷绝缘板上侧，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，其特征在于：所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。
2.根据权利要求1所述的半导体致冷器件，其特征在于：所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1.4、硒31、碲675、铋793。
3.根据权利要求1所述的半导体致冷器件，其特征在于：所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒12、铋185、锑326、碲687。
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