CN102410657B - 一种半导体致冷器件 - Google Patents

一种半导体致冷器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102410657B
CN102410657B CN2011103331360A CN201110333136A CN102410657B CN 102410657 B CN102410657 B CN 102410657B CN 2011103331360 A CN2011103331360 A CN 2011103331360A CN 201110333136 A CN201110333136 A CN 201110333136A CN 102410657 B CN102410657 B CN 102410657B
Authority
CN
China
Prior art keywords
type semiconductor
tellurium
ceramic insulator
type semiconducting
selenium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2011103331360A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102410657A (zh
Inventor
陈国华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HANGZHOU AURIN COOLING DEVICE CO Ltd
Original Assignee
HANGZHOU AURIN COOLING DEVICE CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HANGZHOU AURIN COOLING DEVICE CO Ltd filed Critical HANGZHOU AURIN COOLING DEVICE CO Ltd
Priority to CN2011103331360A priority Critical patent/CN102410657B/zh
Publication of CN102410657A publication Critical patent/CN102410657A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102410657B publication Critical patent/CN102410657B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体和两块陶瓷绝缘板，金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，N型半导体晶体成分重量份数为：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分重量份数为：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。本发明的有益效果在于：在N型半导体晶体中加入了四碘化碲，使N型半导体晶体在潮解空气中稳定，从而使整个半导体致冷器件的性能更加稳定，致冷效果更好。

Description

一种半导体致冷器件
技术领域
本发明涉及一种半导体致冷器件，尤其涉及一种用于日常生活方面的半导体致冷器件。
背景技术
半导体致冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由J.A.C帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的导体A和B组成的电路且通有直流电时，在接头处除焦耳热以外还会释放出某种其它的热量，而另一个接头处则吸收热量，且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度I成正比。
半导体致冷器没有机械传动部分，工作中无噪音，无液、气工作介质，因而不污染环境，制冷参数不受空间方向以及重力影响，在大的机械过载条件下，能够正常地工作;通过调节工作电流的大小，可方便调节制冷速率；通过切换电流方向，可使致冷器从制冷状态转变为制热工作状态；作用速度快，使用寿命长，且易于控制。因此半导体致冷器被广泛地应用于现在的日常生活中。
半导体致冷器件包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体和两块陶瓷绝缘板，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于金属导体之间，在金属导体的外侧设有陶瓷绝缘板。
现如今大多数的半导体致冷器件，在性能上不够稳定，尤其是在潮湿的环境下，致冷器件的致冷效果变差，如何解决这个问题，成为大多数厂家迫切需要解决的。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足和缺点，本发明提供了一种性能稳定且致冷效果好的半导体致冷器件。
一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体、第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板，所述的金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。
优选地，所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1.4、硒31、碲675、铋793。
优选地，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒12、铋185、锑326、碲687。
本发明一种半导体致冷器件的有益效果在于：在N型半导体晶体中加入了四碘化碲，使N型半导体晶体在潮解空气中稳定，从而使整个半导体致冷器件的性能更加稳定，致冷效果更好。
附图说明
图1为本发明半导体致冷器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围并不限于此。
实施例1
一种半导体致冷器件，包括若干金属导体1、N型半导体晶体2、P型半导体晶体3、第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5，所述的金属导体1间隔固定于第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5之间，N型半导体晶体2和P型半导体晶体3设于第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5之间且通过金属导体1串接。
N型半导体晶体2成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800。
P型半导体晶体3成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。
实施例2
一种半导体致冷器件，包括若干金属导体1、N型半导体晶体2、P型半导体晶体3、第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5，所述的金属导体1间隔固定于第一陶瓷绝缘板4下侧和第二陶瓷绝缘板5上侧，N型半导体晶体2和P型半导体晶体3设于第一陶瓷绝缘板4和第二陶瓷绝缘板5之间且通过金属导体1串接。
N型半导体晶体2成分为（重量份）：四碘化碲1.4、硒31、碲675、铋793。
P型半导体晶体3成分为（重量份）：硒12、铋185、锑326、碲687。

Claims (3)

1.一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体、第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板，所述的金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，其特征在于：所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。
2.根据权利要求1所述的半导体致冷器件，其特征在于：所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1.4、硒31、碲675、铋793。
3.根据权利要求1所述的半导体致冷器件，其特征在于：所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒12、铋185、锑326、碲687。
CN2011103331360A 2011-10-28 2011-10-28 一种半导体致冷器件 Expired - Fee Related CN102410657B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103331360A CN102410657B (zh) 2011-10-28 2011-10-28 一种半导体致冷器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103331360A CN102410657B (zh) 2011-10-28 2011-10-28 一种半导体致冷器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102410657A CN102410657A (zh) 2012-04-11
CN102410657B true CN102410657B (zh) 2013-12-04

Family

ID=45912879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011103331360A Expired - Fee Related CN102410657B (zh) 2011-10-28 2011-10-28 一种半导体致冷器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102410657B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113161470A (zh) * 2021-04-09 2021-07-23 河南鸿昌电子有限公司 制造半导体致冷件所用的材料、半导体晶粒和致冷件
CN113013316A (zh) * 2021-04-28 2021-06-22 河南鸿昌电子有限公司 高强制造致冷件所用的材料、致冷件晶粒和致冷件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226804A (en) * 1962-03-13 1966-01-04 Philips Corp Method of soldering peltier devices
CN101639299A (zh) * 2008-07-31 2010-02-03 美固电子(深圳)有限公司 制冷装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11284237A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Matsushita Electric Works Ltd Ｐ型熱電変換材料の製造方法
JP4127437B2 (ja) * 1998-11-30 2008-07-30 小松エレクトロニクス株式会社 サーモモジュール
CA2280990A1 (en) * 1999-08-27 2001-02-27 Jacques L'ecuyer New process for producing thermoelectric alloys

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226804A (en) * 1962-03-13 1966-01-04 Philips Corp Method of soldering peltier devices
CN101639299A (zh) * 2008-07-31 2010-02-03 美固电子(深圳)有限公司 制冷装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开11-284237A 1999.10.15

Also Published As

Publication number Publication date
CN102410657A (zh) 2012-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chung Thermal interface materials
CN2831423Y (zh) 大规模集成芯片的有源散热装置
KR102067647B1 (ko) 열전소자의 제조방법 및 이를 이용한 열전냉각모듈
CN102410657B (zh) 一种半导体致冷器件
CN103353098A (zh) 一种大功率led灯降温器件及其制作方法
JP2015056562A (ja) 半導体装置及び放射線装置
KR20030068633A (ko) 열전소자를 이용한 집적회로 냉각장치
CN100463148C (zh) 散热装置
CN109545950A (zh) 热电散热器件及其散热系统
CN202918632U (zh) 一种多功率器件的双面散热结构及其电子装置
CN202444696U (zh) 一种高导热性组合线路板
CN205608642U (zh) 带半导体制冷系统的计算机主机箱
CN2932237Y (zh) 半导体温差电冷热泵
CN203366215U (zh) 工控机硬盘恒温保护系统
CN105462533A (zh) 一种大功率led封装用导电银胶及其制备方法
Gupta et al. A review on thermoelectric cooler
CN205123620U (zh) 相变抑制传热温差发电器件
CN105517379A (zh) 电子装置
CN203893126U (zh) 一种led背光源散热结构
CN105135635A (zh) 一种smt生产线恒温恒湿系统
CN202734342U (zh) 半导体制冷器
CN205405396U (zh) 一种笔记本电脑散热器
CN203445106U (zh) Cpu散热装置
CN219832513U (zh) 一种基于相变材料开关的过热保护装置
CN207865755U (zh) 电控柜半导体制冷空调

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131204

Termination date: 20141028

EXPY Termination of patent right or utility model