CN102368132A - 薄膜晶体管面板及其制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102368132A
CN102368132A CN2011101645081A CN201110164508A CN102368132A CN 102368132 A CN102368132 A CN 102368132A CN 2011101645081 A CN2011101645081 A CN 2011101645081A CN 201110164508 A CN201110164508 A CN 201110164508A CN 102368132 A CN102368132 A CN 102368132A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent conductive
conductive material
thin
film transistor
protrusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011101645081A
Other languages
English (en)
Inventor
邱钟毅
贺成明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN2011101645081A priority Critical patent/CN102368132A/zh
Priority to US13/376,593 priority patent/US20120319277A1/en
Priority to PCT/CN2011/078312 priority patent/WO2012174780A1/zh
Publication of CN102368132A publication Critical patent/CN102368132A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料，所述绝缘层背向所述基板的一面上设有突出物，相邻两个所述突出物的间距的取值范围为1-10μm；所述透明导电材料设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和侧面上，或者顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上。本发明还公开了一种薄膜晶体管面板的制造方法。

Description

薄膜晶体管面板及其制造方法
【技术领域】
本发明涉及一种液晶显示器件，特别是涉及一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料；
本发明还涉及一种液晶显示器件的制造方法，特别是涉及一种薄膜晶体管面板的制造方法，包括基板，绝缘层，透明导电材料，该方法包括配置薄膜晶体管的步骤。
【背景技术】
现有薄膜晶体管面板中，两相邻的条状透明导电电极4之间具有间隙，如图1所示，这造成了部分区域的液晶接收到的电场不足，液晶不倾斜，如图2所示，从而在这些间隙区域的穿透率非常低，如图3所示，影响了液晶面板的显示效果。制造这种薄膜晶体管面板需要高解析度曝光能力的机台，对制程有极大的困难。
故，有必要提供一种薄膜晶体管面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种薄膜晶体管面板，以解决薄膜晶体管面板中部分区域的液晶接收的电场不足从而导致穿透率低，显示效果受限的技术问题。
为解决上述问题，本发明构造了一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料，所述绝缘层背向所述基板的一面上设有突出物，相邻两个所述突出物的间距的取值范围为1-10μm(微米)；所述透明导电材料设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和侧面上，或者顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上，所述绝缘层与所述突出物为同一材料及层别。
在本发明的薄膜晶体管面板中，若所述透明电极设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上，两个相邻的所述突出物上的所述透明导电材料相连。
在本发明的薄膜晶体管面板中，所述设置在所述突出物上的所述透明导电材料是条状的或者是片状的。
在本发明的薄膜晶体管面板中，所述突出物的高度的取值范围为10-100纳米。
在本发明的薄膜晶体管面板中，所述突出物的截面形状是规则的形状或者不规则的形状。
本发明的另一个目的在于提供一种薄膜晶体管面板的制造方法，以解决薄膜晶体管面板中部分区域的液晶接收的电场不足从而导致穿透率低，显示效果受限的技术问题。
为解决上述问题，本发明构造了一种薄膜晶体管面板的制造方法，包括基板，绝缘层，透明导电材料，所述方法包括配置薄膜晶体管的步骤，所述方法还包括以下步骤：(A)在所述基板背向光源的一面上设置所述绝缘层；(B)对所述绝缘层背向所述基板的一面进行蚀刻，形成突出物，两个相邻的所述突出物的间距的取值范围为1-10μm；(C)去除所述绝缘层上蚀刻产生的残留物；(D)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面上设置所述透明导电材料。
在本发明的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(D)具体包括以下步骤：(d1)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上设置厚度固定的所述透明导电材料；或者(d2)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上沉积厚度不固定的所述透明导电材料，在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的厚度大于在所述突出物顶面的所述透明导电材料的厚度；或者(d3)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上沉积厚度不固定的所述透明导电材料，在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的厚度小于在所述突出物顶面的所述透明导电材料的厚度。
在本发明的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(d1)后还包括以下步骤：(d11)去除所述透明导电材料上的残留物。
在本发明的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(d2)还包括以下步骤：(d21)在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的所述透明导电材料的厚度固定；(d22)在蚀刻后，去除所述透明导电材料上的残留物。。
在本发明的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(d3)还包括以下步骤：(d31)在所述突出物的顶面的透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的透明导电材料的厚度固定；(d32)在蚀刻后，去除所述透明导电材料上的残留物。
本发明相对于现有技术，消除了现有技术中两透明导电电极之间液晶不倾斜的盲区，显示区域中的穿透率均匀，增强了显示效果。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为现有技术中薄膜晶体管面板的薄膜晶体管与像素区域的俯视图；
图2为图1中A-A’截面的局部视图；
图3为图2中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；
图4为本发明的薄膜晶体管面板的第一较佳实施例的俯视图；
图5为图4中B-B’截面的局部视图；
图6为图5中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；
图7为本发明的薄膜晶体管面板的第二较佳实施例的示意图；
图8为图7中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；
图9为本发明的薄膜晶体管面板的第三较佳实施例的俯视图；
图10为图9中C-C’截面的局部视图；
图11为图10中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；
图12为本发明的薄膜晶体管面板的第四较佳实施例的示意图；
图13为图12中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；
图14为本发明的薄膜晶体管面板的第五较佳实施例的示意图；
图15为图14中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；
图16为本发明薄膜晶体管面板的制造方法较佳实施例的流程图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
参考图4和图5，图4为本发明的薄膜晶体管面板的第一较佳实施例的俯视图，图5为图4中B-B’截面的局部视图。透明导电材料(第一透明导电材料12和第二透明导电材料15)是条状的。绝缘层5设置在基板6上，绝缘层5背向基板6的一面上设有突出物7，突出物7具有顶面8、第一侧面9和第二侧面10。在本实施例中，突出物7的截面是矩形的，绝缘层5与突出物7为同一材料及层别。突出物7的顶面8上设有第一透明导电材料12，突出物7的根部所在的平面11设有第二透明导电材料15。彩色滤光片2设置在公共电极1之上，液晶层3置于公共电极1和透明材料(第一透明导电材料12和第二透明导电材料15)之间。在本实施例中，第二透明导电材料15与突出物7的第一侧面9和相邻的突出物7的第二侧面10相接触。第一透明导电材料12的厚度和第二透明导电材料15的厚度固定，在这里，厚度固定定义为在第一透明导电材料12和第二透明导电材料15上任意选取两个区域，这两个区域的厚度相差不超过10％。突出物7的高度H均可在10-100nm(纳米)内取值。两个相邻的突出物7的间距为D，D的取值范围为1-10μm(微米)。本发明中，由于在绝缘层5上设置突出物7，并且在突出物7的顶面8和突出物7根部所在的平面11上均设置透明导电材料(第一透明导电材料12和第二透明导电材料15)，因此消除了现有技术中的液晶不倾斜的盲区，提升了穿透率，如图6所示，图6中第一透明导电材料12区域对应的穿透率跟第二透明导电材料15区域对应的穿透率相差不大，同时由于两个透明导电材料在垂直方向上具有一定的落差，即电场的发出点错开布置，增加了电场对液晶的作用，提升了穿透率。
参考图7，图7为本发明的薄膜晶体管面板的第二较佳实施例的示意图。透明导电材料(第一透明导电材料12、第三透明导电材料13和第二透明导电材料15组成的整体)是条状的，本实施例的薄膜晶体管面板的俯视图与图4类似。绝缘层5设置在基板6上，绝缘层5背向基板6的一面上设有突出物7，突出物7具有顶面8、第一侧面9和第二侧面10，绝缘层5与突出物7为同一材料及层别。在本实施例中，突出物7的截面是直角梯形。突出物7的顶面8、第二侧面10上分别设有第一透明导电材料12和第三透明导电材料13，第三透明导电材料13延伸到突出物7根部所在的平面11，与第二透明导电材料15连接，优选地，第一透明导电材料12与第三透明导电材料13相连。彩色滤光片2设置在公共电极1之上，液晶层3置于公共电极1和透明材料(第一透明导电材料12、第三透明导电材料13和第二透明导电材料15组成的整体)之间。第一透明导电材料12和第三透明导电材料13的厚度固定，在这里，厚度固定定义为在第一透明导电材料12、第三透明导电材料13和第二透明导电材料15上任意选取两个区域，这两个区域的厚度相差不超过10％。突出物7的高度H的取值范围为10-100nm。两个相邻的突出物7的间距为D，D的取值范围为1-10μm。如图8所示，第三透明导电材料13区域对应的穿透率跟第一透明导电材料12区域对应的穿透率相差不大，即消除了现有技术中两相邻的透明导电材料之间的液晶不倾斜的盲区。
参考图9和图10，图9为本发明的薄膜晶体管面板的第三较佳实施例的俯视图，图10为图9中C-C’截面的局部视图。透明导电材料(第一透明导电材料12、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14组成的整体)是片状的。绝缘层5设置在基板6上，绝缘层5背向基板6的一面上设有突出物7，突出物7具有顶面8、第一侧面9和第二侧面10，突出物7的截面形状是等腰梯形，绝缘层5与突出物7为同一材料及层别。第一透明导电材料12设置在突出物7的顶面8上，第三透明导电材料13和第四透明导电材料14分别设置在第一侧面9和第二侧面10上，第二透明导电材料15设置在突出物7根部所在的平面11上。彩色滤光片2设置在公共电极1之上，液晶层3置于公共电极1和透明材料(第一透明导电材料12、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14组成的整体)之间。第一透明导电材料12、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14的厚度固定，在这里，厚度固定定义为在第一透明导电材料12、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14上任意选取两个区域，这两个区域的厚度相互之间相差不超过10％。突出物7的高度为H，H的取值范围为10-100nm。两个相邻的突出物7的间距为D，D的取值范围为1-10μm。参考图11，穿透率曲线很平坦，消除现有技术中出现的关于穿透率的波谷，增强了显示效果。
参考图12，图12为本发明的薄膜晶体管面板的第四较佳实施例的示意图。透明导电材料(第一透明导电材料、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14组成的整体)是片状的，本实施例的薄膜晶体管面板的俯视图与图9类似。绝缘层5设置在基板6上，绝缘层5背向基板6的一面上设置有突出物7，突出物7具有顶面8、第一侧面9和第二侧面10，突出物7的截面形状是矩形，绝缘层5与突出物7为同一材料及层别。第一透明导电材料12设置在突出物7的顶面8上，第三透明导电材料13和第四透明导电材料14分别设置在第一侧面13和第二侧面14上，第二透明导电材料15设置在突出物7根部所在的平面11上。两个相邻的突出物7上的透明导电材料相连。彩色滤光片2设置在公共电极1之上，液晶层3置于公共电极1和透明材料(第一透明导电材料12、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14组成的整体)之间。第一透明导电材料12、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14的厚度固定，在这里，厚度固定定义为在第一透明导电材料12、第二透明导电材料15、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14上任意选取两个区域，这两个区域的厚度相互之间相差不超过10％。突出物7的高度为H，H的取值范围为10-100nm。两个相邻的突出物7的间距为D，D的取值范围为1-10μm。图13，穿透率曲线很平坦，消除现有技术中出现的关于穿透率的波谷，增强了显示效果。
参考图14，图14为本发明的薄膜晶体管面板的第五较佳实施例的示意图。透明导电材料(第一透明导电材料12、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14组成的整体)是片状的，本实施例的薄膜晶体管面板的俯视图与图9类似。绝缘层5设置在基板6上，绝缘层5背向基板6的一面上设有突出物7，突出物7具有顶面8、第一侧面9和第二侧面10，突出物7为非规则形状，突出物7的第一侧面9和第二侧10面均是曲面，特别地，在本实施例中，突出物7的第一侧面9和第二侧面10均是四分之一圆弧曲面，绝缘层5与突出物7为同一材料及层别。第一透明导电材料12设置在突出物7的顶面8上，第三透明导电材料13和第四透明导电材料14分别设置在第一侧面13和第二侧面14上，相邻两个突出物7的相对的侧面上的透明导电材料相连。彩色滤光片2设置在公共电极1之上，液晶层3置于公共电极1和透明材料(第一透明导电材料12、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14组成的整体)之间。第一透明导电材料12、第三透明导电材料13和第四透明导电材料14的厚度固定，在这里，厚度固定定义为在透明材料上任意选取两个区域，这两个区域的厚度相互之间相差不超过10％。突出物7的高度为H，H的取值范围为10-100nm。两个相邻的突出物7的间距为D，D的取值范围为1-10μm。图15，穿透率曲线很平坦，消除现有技术中出现的关于穿透率的波谷，增强了显示效果。
在本发明的薄膜晶体管面板中，突出物7的截面形状除了可以是上述形状外，还可以是三角形、平行四边形、半圆形等规则形状，还可以是其它不规则的形状。
参考图16，图16为本发明的薄膜晶体管面板的制造方法的较佳实施例流程图。在步骤1601，在基板6背向光源的一面上设置绝缘层5。在步骤1602，对所述绝缘层5背向基板6的一面进行蚀刻以形成突出物7，两个相邻的所述突出物7的间距的取值范围为1-10μm。在步骤1603，去除绝缘层5上蚀刻后产生的残留物。在步骤1604，在绝缘层5进行了蚀刻的一面上设置透明导电材料，具体地，可以使用磁控溅射或者沉积的方式在绝缘层进行了蚀刻的一面上设置厚度固定的透明导电材料在这里，厚度固定是指任意选取透明导电材料的两个区域，这两个区域的厚度相差不超过10％；另外，还可以使用沉积的方式在绝缘层进行了蚀刻的一面上沉积厚度不固定的透明导电材料，在这里，厚度不固定是指在两个相邻的突出物之间(包括突出物7的第一侧面9、第二侧面10和突出物7根部所在的平面11)的透明导电材料的厚度与在突出物7顶面8的透明导电材料的厚度相差超过10％，特别地，如果前者大于后者，那么在相邻两个突出物7之间的透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的透明导电材料厚度固定，在这里，厚度固定是指任意选取透明导电材料的两个区域，这两个区域的厚度相差不超过10％，蚀刻后，去除透明导电材料上的残留物，如果前者小于后者，那么在突出物7顶面8的透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的透明导电材料厚度固定，在这里，厚度固定是指任意选取透明导电材料的两个区域，这两个区域的厚度相差不超过10％，蚀刻后，去除透明导电材料上的残留物。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料，其特征在于：
所述绝缘层背向所述基板的一面上设有突出物，相邻两个所述突出物的间距的取值范围为1-10微米；
所述透明导电材料设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和侧面上，或者顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上，所述绝缘层与所述突出物为同一材料及层别。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，若所述透明电极设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上，两个相邻的所述突出物上的所述透明导电材料相连。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，设置在所述突出物上的所述透明导电材料是条状的或者是片状的。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述突出物的高度的取值范围为10-100纳米。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述突出物的截面形状是规则的形状或者不规则的形状。
6.一种薄膜晶体管面板的制造方法，包括基板，绝缘层，透明导电材料，所述方法包括配置薄膜晶体管的步骤，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
(A)在所述基板背向光源的一面上设置所述绝缘层；
(B)对所述绝缘层背向所述基板的一面进行蚀刻，形成突出物，两个相邻的所述突出物的间距的取值范围为1-10微米；
(C)去除所述绝缘层上蚀刻产生的残留物；
(D)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面上设置所述透明导电材料。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，所述步骤(D)具体包括以下步骤：
(d1)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上设置厚度固定的所述透明导电材料；或者
(d2)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上沉积厚度不固定的所述透明导电材料，在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的厚度大于在所述突出物顶面的所述透明导电材料的厚度；或者
(d3)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上沉积厚度不固定的所述透明导电材料，在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的厚度小于在所述突出物顶面的所述透明导电材料的厚度。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，所述步骤(d1)后还包括以下步骤：
(d11)去除所述透明导电材料上的残留物。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，所述步骤(d2)还包括以下步骤：
(d21)在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的所述透明导电材料的厚度固定；
(d22)在蚀刻后，去除所述透明导电材料上的残留物。
10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，所述步骤(d3)还包括以下步骤：
(d31)在所述突出物的顶面的所述透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的所述透明导电材料的厚度固定；
(d32)在蚀刻后，去除所述透明导电材料上的残留物。
CN2011101645081A 2011-06-19 2011-06-19 薄膜晶体管面板及其制造方法 Pending CN102368132A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101645081A CN102368132A (zh) 2011-06-19 2011-06-19 薄膜晶体管面板及其制造方法
US13/376,593 US20120319277A1 (en) 2011-06-19 2011-08-11 Thin film transistor panel and manufacturing method thereof
PCT/CN2011/078312 WO2012174780A1 (zh) 2011-06-19 2011-08-11 薄膜晶体管面板及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101645081A CN102368132A (zh) 2011-06-19 2011-06-19 薄膜晶体管面板及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102368132A true CN102368132A (zh) 2012-03-07

Family

ID=45760702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101645081A Pending CN102368132A (zh) 2011-06-19 2011-06-19 薄膜晶体管面板及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN102368132A (zh)
WO (1) WO2012174780A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103149764A (zh) * 2013-03-13 2013-06-12 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板、显示装置及方法
CN107340656A (zh) * 2017-09-08 2017-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 像素电极及制作方法、显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0651296A (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 Matsushita Electric Works Ltd 液晶表示素子
JP2004061849A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Toshiba Corp 液晶表示器及びその製造方法
US20070182899A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 Sanyo Epson Imaging Devices Corp. Liquid crystal display device
JP2010066393A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
CN101900913A (zh) * 2009-05-29 2010-12-01 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其制造方法
CN202183001U (zh) * 2011-06-19 2012-04-04 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0651296A (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 Matsushita Electric Works Ltd 液晶表示素子
JP2004061849A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Toshiba Corp 液晶表示器及びその製造方法
US20070182899A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 Sanyo Epson Imaging Devices Corp. Liquid crystal display device
JP2010066393A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
CN101900913A (zh) * 2009-05-29 2010-12-01 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其制造方法
CN202183001U (zh) * 2011-06-19 2012-04-04 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管面板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103149764A (zh) * 2013-03-13 2013-06-12 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板、显示装置及方法
CN107340656A (zh) * 2017-09-08 2017-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 像素电极及制作方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012174780A1 (zh) 2012-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9209308B2 (en) Thin film transistor, array substrate and method for manufacturing the same, display device
US7471364B2 (en) Multi-cell gap fringe field switching mode LCD
US9594454B2 (en) Touch-panel substrate and electronic device
CN103323993B (zh) 液晶显示装置及导电基板的制作方法
CN104460121A (zh) 液晶显示面板及其制作方法、液晶显示装置
US9535300B2 (en) Pixel structure and liquid crystal panel
JP6572388B2 (ja) Ｉｐｓ型ｔｆｔ−ｌｃｄアレイ基板の製造方法及びｉｐｓ型ｔｆｔ−ｌｃｄアレイ基板
JP2012027163A (ja) 電気泳動表示装置
CN103926769A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示器
CN102566158B (zh) 液晶基板及其制作方法
US20130186925A1 (en) Method of Patterning Electrically-Conductive Film on Flexible Substrates
CN102591060A (zh) 液晶显示面板及其制造方法以及液晶显示装置
WO2016045424A1 (en) Array substrate, fabricating method thereof, and display panel
CN104714343A (zh) 边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JPH11184399A (ja) 平板表示装置
CN102368132A (zh) 薄膜晶体管面板及其制造方法
US20180188625A1 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, and display device
KR102089328B1 (ko) 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108257976B (zh) Tft基板及其制作方法
CN102623461A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN202183001U (zh) 薄膜晶体管面板
CN102637634A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN202141824U (zh) 彩色滤光片、液晶面板以及液晶显示器
CN101055380A (zh) 液晶面板
US6812987B2 (en) IPS-LCD with a compensation structure for reducing transmittance difference

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120307