CN102344800A - 一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉及其制备方法 - Google Patents

一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉及其制备方法,其化学组成为A1-x-yB2O2N2:xCe,yTb;其中A元素为Ca、Ba、Sr中的一种或几种,B元素为Si或Ge,0<x≤0.04,0<y≤0.1。本发明提供的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉,是一种单一基质白色发光荧光粉,克服了荧光粉混合调配所带来的缺陷。本发明提供的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,通过高温固相法一次烧结完成,可操作性强,原料价格低廉,工艺窗口宽,适于大规模工业化生产。

Description

一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉及其制备方法
技术领域
本发明属于LED用荧光粉技术领域,涉及一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉及其制备方法。
背景技术
白光LED具有环保、体积小、寿命长、反应速度快等优点,并克服了传统白炽灯和荧光灯存在的耗电多、易碎及弃物汞污染等缺点。在特种照明、液晶显示以及普通照明等方面显示出巨大的应用前景。
目前,获取白光LED的途径大致有三种:光转换、多色LED芯片组合、多量子阱。综合技术、工艺、生产成本等因素,目前光转换型白光LED是最易实现产业化的,其中最普遍的方法是:通过蓝光芯片激发YAG:Ce3+黄色荧光粉,利用黄光和蓝光混合得到白光。但这种类型的白光LED的发光颜色很容易受输入电流和荧光粉涂层厚度的影响,且YAG:Ce3+的发光强度受环境温度影响也很大。为解决以上问题,该领域将注意力逐渐转向采用紫外-近紫外辐射InGaN芯片激发荧光粉以实现白光LED。
由于荧光粉混合调配及颜色再吸收等问题的存在,使得流明效率及色彩稳定性、显示指数等有较大的影响,近年来研制近紫外激发全色单一白光荧光粉成为一个研究热点。近期发现的多数氮化物,氮氧化物荧光粉都为近紫外激发,并表现出良好的热学、化学稳定性。如Li等制备出一系列氧氮化物荧光粉MSi2O2N2:Ce3+(M=Ca,Sr,Ba),其中MSi2O2N2:Ce3+在400nm左右发出较宽光谱,呈现蓝光。这种荧光粉激发波长均可以与近紫外InGaN基发光二极管匹配。
发明内容
本发明解决的问题在于提供一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉及其制备方法,该氮氧化物荧光粉被近紫外激发后发射白光,是一种较好的单一基质白光发射荧光粉。
本发明是通过以下技术方案来实现:
一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉,其化学组成为A1-x-yB2O2N2:xCe,yTb;其中A元素为Ca、Ba、Sr中的一种或几种,B元素为Si或Ge,0<x≤0.04,0<y≤0.1。
所述的y∶x=2~20。
一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,包括以下步骤:
1)按摩尔比为A∶B∶O∶N∶Ce∶Tb=(1-x-y)∶2∶2∶2∶x∶y的比例,其中A元素为Ca、Ba、Sr中的一种或几种,B元素为Si或Ge,0<x≤0.04,0<y≤0.1;将A元素的碳酸盐或其氧化物、Ce的氧化物、Tb的氧化物与B元素的氮化物混合,充分研磨后得到混合物;
2)在所得混合物中加入其质量2~5%的助熔剂,所述的助熔剂为H3BO3、NH4Cl、AF2中的一种或几种,在保护气氛下于1400~1600℃烧结5~10h,然后在保护气氛下冷却至室温;再将烧结产物充分研磨后洗涤,得到Ce,Eu共掺杂的氮氧化物荧光粉A1-x-yB2O2N2:xCe,yTb。
所述的B元素的氮化物为为α-Si3N4或α-Ge3N4
在所得混合物中加入摩尔比与Ce和Tb掺杂量为1∶1的电荷补偿剂,所述的电荷补偿剂为锂盐或钠盐。
所述的烧结在加温至1000℃以后,以50~80℃/min的速度提升至1400~1600℃。
所述的保护气氛N2、Ar、H2、N2/H2或NH3,以体积比计,N2/H2=1∶3~99。
所述的洗涤为用乙二醇对荧光粉进行洗涤。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
本发明提供的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉,是一种单一基质白色发光荧光粉,克服了荧光粉混合调配所带来的缺陷。在对A1-x-yB2O2N2基质进行Ce,Tb的共掺杂后,可同时观察到Ce离子的特征发射光(蓝色)和Tb离子的特征发射光(绿色+红色),再根据荧光粉的发射光谱对应色坐标位置,尤其是白光区的位置,调节Ce,Tb的掺杂量就可实现被激发之后发射白光。
本发明提供的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,通过高温固相法一次烧结完成,可操作性强,原料价格低廉,工艺窗口宽,适于大规模工业化生产。
附图说明
图1为掺杂量x,y不同值时Ca1-x-ySi2O2N2:xCe,yTb荧光粉的XRD图谱;
图2为掺杂量x,y不同值时Ca1-x-ySi2O2N2:xCe,yTb荧光粉的发射光谱对比图(激发波长为360nm);其中横坐标为发光波长,纵坐标为发光强度;
图3为掺杂量x,y不同值时Ca1-x-ySi2O2N2:xCe,yTb荧光粉的发射光谱对应色坐标位置的变化示意图(激发波长为360nm);其中横坐标为色坐标X,纵坐标为色坐标Y。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。
实施例1荧光粉Ca0.955Si2O2N2:0.005Ce,0.04Tb的制备
根据荧光粉Ca0.955Si2O2N2:0.005Ce,0.04Tb的化学式,按照其摩尔计量比,将CaCO3研磨过筛后再与α-Si3N4,Tb4O7和CeO2混合,充分研磨后得到混合物;
再向混合物中加入其质量3%的CaF2作为助熔剂,研磨混合均匀后放入钼坩埚中,将坩埚移入高温管式炉中,在保护气氛N2/H2(N2/H2=1∶9)下于1500℃烧结10小时,在升温至1000℃以后为了防止碳酸盐分解过快影响实验,需要加快升温速度,以最快的速度达到1500℃的高温状态,进行烧结;
烧结完成之后仍然需要保护气体保护,至其温度降至室温,之后取出烧结物研磨过筛后,经乙二醇洗涤干燥所得荧光粉即为Ca0.955Si2O2N2:0.005Ce,0.04Tb。
按照上述方法,进行掺杂量x,y的改变可得到一系列不同的荧光粉Ca1-x-ySi2O2N2:xCe,yTb,比如图1、图2当中所示的掺杂量x,y的变化。对所得的荧光粉进行X光衍射和其发射光谱及色坐标进行对比:
如图1所示的XRD图谱,与标准卡片相比,各个图谱与标准卡片的峰值基本吻合,说明制备所得的荧光粉为CaSi2O2N2的晶体结构;
如图2所示的荧光粉的发射光谱对比图(激发波长为360nm);可以看出当x=0或y=0时均只有一种特征发射光,当x=0.05,y取不同的掺杂量时,荧光粉发出Ce离子的特征发射光(蓝色)以及Tb离子的特征发射光(绿色+红色);
图3为图2所示一系列荧光粉的发射光谱对应色坐标示意图,可以清晰的看到,随着掺杂量的改变(尤其是x=0.05,y逐渐增大掺杂量时),荧光粉被激发后(激发波长为360nm)发光由蓝色逐渐过渡到白光区域。
结合图2、图3,结果表明,根据其发射光谱和色坐标的位置,进行Ce,Tb的掺杂量的调节可使得荧光粉发出白光。下面说明其他基质荧光粉的制备,通过Ce,Tb的掺杂量的调节均可获得发出白光的荧光粉。
实施例2荧光粉Sr0.935Si2O2N2:0.005Ce,0.06Tb的制备
根据荧光粉Sr0.935Si2O2N2:0.005Ce,0.06Tb的化学式,按照其摩尔计量比,将SrCO3研磨过筛后再与α-Si3N4,Tb4O7和CeO2混合,充分研磨后得到混合物;
再向混合物中加入其质量2%的SrF2和1%的NH4Cl作为助熔剂,研磨混合均匀后放入钼坩埚中,将坩埚移入高温管式炉中,在保护气氛N2/H2(N2/H2=1∶3)下于1580~1600℃烧结10小时,在升温至1000℃以后为了防止碳酸盐分解过快影响实验,需要加快升温速度,以最快的速度达到1600℃的高温状态,进行烧结;
烧结完成之后仍然需要保护气体保护,至其温度降至室温,之后取出烧结物研磨过筛后,经乙二醇洗涤干燥所得荧光粉即为Sr0.935Si2O2N2:0.005Ce,0.06Tb。
实施例3荧光粉Ba0.96Si2O2N2:0.01Ce,0.03Tb的制备
根据荧光粉Ba0.96Si2O2N2:0.01Ce,0.03Tb的化学式,按照其摩尔计量比,将BaCO3研磨过筛后再与α-Si3N4,Tb4O7和CeO2混合,充分研磨后得到混合物;
再向混合物中加入其质量5%的BaF2作为助熔剂,研磨混合均匀后放入钼坩埚中,将坩埚移入高温管式炉中,在保护气氛N2/H2(N2/H2=1∶20)下于1400℃烧结5小时,在升温至1000℃以后为了防止碳酸盐分解过快影响实验,需要加快升温速度,以最快的速度达到1400℃的高温状态,进行烧结;
烧结完成之后仍然需要保护气体保护,至其温度降至室温,之后取出烧结物研磨过筛后,经乙二醇洗涤干燥所得荧光粉即为Ba0.955Si2O2N2:0.01Ce,0.03Tb。
实施例4荧光粉Ba0.5Ca0.445Si2O2N2:0.005Ce,0.05Tb的制备
根据荧光粉Ba0.5Ca0.445Si2O2N2:0.005Ce,0.05Tb的化学式,按照其摩尔计量比,将BaCO3,CaCO3研磨过筛后再与α-Si3N4,Tb4O7和CeO2混合,充分研磨后得到混合物;
再向混合物中加入其质量1%的CaF2、1%的BaF2作为助熔剂,研磨混合均匀后放入钼坩埚中,将坩埚移入高温管式炉中,在保护气氛N2下于1450℃烧结8小时,在升温至1000℃以后为了防止碳酸盐分解过快影响实验,需要加快升温速度,以最快的速度达到1450℃的高温状态,进行烧结;
烧结完成之后仍然需要保护气体保护,至其温度降至室温,之后取出烧结物研磨过筛后,经乙二醇洗涤干燥所得荧光粉即为Ba0.5Ca0.445Si2O2N2:0.005Ce,0.05Tb。
实施例5荧光粉Ba0.4Ca0.532Si2O2N2:0.008Ce,0.06Tb的制备
根据荧光粉Ba0.4Ca0.532Si2O2N2:0.008Ce,0.06Tb的化学式,按照其摩尔计量比,将BaO,CaO研磨过筛后再与α-Si3N4,Tb4O7和CeO2混合,充分研磨后得到混合物;
再向混合物中加入其质量1%的CaF2、1%的BaF2和1%的H3BO3作为助熔剂,研磨混合均匀后放入钼坩埚中,将坩埚移入高温管式炉中,在保护气氛NH3下于1550℃烧结5.5小时;
烧结完成之后仍然需要保护气体保护,至其温度降至室温,之后取出烧结物研磨过筛后,经乙二醇洗涤干燥所得荧光粉即为Ba0.4Ca0.532Si2O2N2:0.008Ce,0.06Tb。
实施例6荧光粉Ca0.49Sr0.4Ge2O2N2:0.01Ce,0.1Tb的制备
根据荧光粉Ca0.49Sr0.4Ge2O2N2:0.01Ce,0.1Tb的化学式,按照其摩尔计量比,将BaO,CaO研磨过筛后再与α-Ge3N4,Tb4O7和CeO2混合,充分研磨后得到混合物;
再向混合物中加入其质量1%的CaF2、1%的Sr F2和1%的NH4Cl3作为助熔剂,还加入11%的Li2CO3作为电荷补偿剂,研磨混合均匀后放入钼坩埚中,将坩埚移入高温管式炉中,在保护气氛Ar下于1600℃烧结6.5小时;
烧结完成之后仍然需要保护气体保护,至其温度降至室温,之后取出烧结物研磨过筛后,经乙二醇洗涤干燥所得荧光粉即为Ca0.49Sr0.4Ge2O2N2:0.01Ce,0.1Tb。
实施例7荧光粉Ba0.49Sr0.4Ge2O2N2:0.04Ce,0.08Tb的制备
根据荧光粉Ba0.48Sr0.4Ge2O2N2:0.04Ce,0.08Tb的化学式,按照其摩尔计量比,将BaO,CaO研磨过筛后再与α-Ge3N4,Tb4O7和CeO2混合,充分研磨后得到混合物;
再向混合物中加入其质量1%的CaF2、1%的Sr F2和1%的NH4Cl3作为助熔剂,还加入12%的Na2CO3作为电荷补偿剂,研磨混合均匀后放入钼坩埚中,将坩埚移入高温管式炉中,在保护气氛Ar下于1600℃烧结6.5小时;
烧结完成之后仍然需要保护气体保护,至其温度降至室温,之后取出烧结物研磨过筛后,经乙二醇洗涤干燥所得荧光粉即为Ca0.48Sr0.4Ge2O2N2:0.04Ce,0.08Tb。

Claims (8)

1.一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉,其特征在于,其化学组成为A1-x-yB2O2N2:xCe,yTb;其中A元素为Ca、Ba、Sr中的一种或几种,B元素为Si或Ge,0<x≤0.04,0<y≤0.1。
2.如权利要求1所述的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉,其特征在于,所述的y∶x=2~20。
3.一种Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)按摩尔比为A∶B∶O∶N∶Ce∶Tb=(1-x-y)∶2∶2∶2∶x∶y的比例,其中A元素为Ca、Ba、Sr中的一种或几种,B元素为Si或Ge,0<x≤0.04,0<y≤0.1;将A元素的碳酸盐或其氧化物、Ce的氧化物、Tb的氧化物与B元素的氮化物混合,充分研磨后得到混合物;
2)在所得混合物中加入其质量2~5%的助熔剂,所述的助熔剂为H3BO3、NH4Cl、AF2中的一种或几种,在保护气氛下于1400~1600℃烧结5~10h,然后在保护气氛下冷却至室温;再将烧结产物充分研磨后洗涤,得到Ce,Eu共掺杂的氮氧化物荧光粉A1-x-yB2O2N2:xCe,yTb。
4.如权利要求3所述的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的含B元素的氮化物为α-Si3N4或α-Ge3N4
5.如权利要求3所述的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征在于,在所得混合物中加入摩尔比与Ce和Tb掺杂量为1∶1的电荷补偿剂,所述的电荷补偿剂为锂盐或钠盐。
6.如权利要求3所述的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的烧结在加温至1000℃以后,以50~80℃/min的速度提升至1400~1600℃。
7.如权利要求3所述的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的保护气氛N2、Ar、H2、N2/H2或NH3,以体积比计,N2/H2=1∶3~99。
8.如权利要求3所述的Ce,Tb共掺杂的氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的洗涤为用乙二醇对荧光粉进行洗涤。
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