CN102328516A - 印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种印染制辊技术，具体的说是一种印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法，其工艺步骤包括机械加工，镀铜，研磨，稿件制作，刮胶，激光雕刻，腐蚀，镀铬。本发明同现有技术相比，避免凹版色块中间的网墙比色块边缘部分的网墙大的情况。防止了网墙易断，而造成的印刷时拖墨、拉刀丝等问题。

Description

印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法
[技术领域]
本发明涉及一种印染制辊技术，具体的说是一种印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法。
[背景技术]
普通的激光腐蚀凹版只要不是满涂版，色块与色块之间就存在间隔，浸到腐蚀液中，版辊转动时由于边缘部分受腐蚀液的阻力比色块里面大，造成色块里面的网墙比色块上下边缘的网墙要大，当线数比较高，深度又较深，色块内的网墙要求控在13微米左右时，色块上下边缘的网墙很容易断，造成印刷时拖墨、拉刀丝等问题，严重的造成边缘部分油墨印不上的情况。
[发明内容]
本发明为了克服现有技术的不足，提供了一种印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法。
为了实现上述目的，本实用新型设计了一种印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法，其工艺步骤包括机械加工，镀铜，研磨，稿件制作，刮胶，激光雕刻，腐蚀，镀铬，其特征在于。
所述的稿件制作：根据客户的要求，通过计算机软件绘制图纹，腐蚀深度为1.5丝以下，色块周边不做挂网线条；腐蚀深度为1.5至2.5丝，色块周边做0.1毫米、挂95％的网层的线条；腐蚀深度为2.5至4丝，色块周边做0.1毫米，挂90％的网层的线条。
所述的刮胶：在刮胶机上进行刮胶处理，车间温度为20至25度，湿度60％以下，黑胶粘度20秒，胶层厚度3至5微米。
所述的腐蚀：按规定的腐蚀深度进行腐蚀，色块内的网墙高度与图案周边的网墙高度在4微米以下。
所述的镀铜，母辊表面先镀底镍1丝，随后单边镀铜12丝。
所述的激光雕刻，的雕刻工率15至20瓦，转速每分钟800至1000转。
所述的镀铬，铬层厚度在1至1.2丝。
本发明同现有技术相比，避免凹版色块中间的网墙比色块边缘部分的网墙大的情况。防止了网墙易断，而造成的印刷时拖墨、拉刀丝等问题。
[具体实施方式]
本发明的母辊版长600毫米，直径233.50毫米，下面进一步说明本发明的制造方法。
机械加工，母辊加工长度为750毫米，直径为233.50毫米。
镀铜，母辊表面先镀底镍1丝，随后单边镀铜12丝。
研磨，镀铜完成后进行研磨处理，确保版面光洁度。
稿件制作，根据客户的要求，通过计算机软件绘制图纹，腐蚀深度为1.5丝以下，色块周边不做挂网线条；腐蚀深度为1.5至2.5丝，色块周边做0.1毫米粗、挂95％的网层的线条；腐蚀深度为2.5至4丝，色块周边做0.1毫米粗，挂90％的网层的线条。通过这种设计方式，当色块中网墙做到12微米以下时，色块边缘部分的网墙在7至9微米。
刮胶，在刮胶机上进行刮胶处理，车间温度为20至25度，湿度60％以下，黑胶粘度20秒，胶层厚度3至5微米。
激光雕刻，通过计算机软件预先编排好的程序进行激光雕刻，雕刻工率15至20瓦，转速每分钟800至1000转。
腐蚀，按规定的腐蚀深度进行腐蚀，色块内的网墙高度与图案周边的网墙高度在4微米以下。
镀铬，为保护铜层和确保承印量需在版辊表面进行镀铬处理，铬层厚度在1至1.2丝。
本发明同现有技术相比，避免凹版色块中间的网墙比色块边缘部分的网墙大的情况。防止了网墙易断，而造成的印刷时拖墨、拉刀丝等问题。

Claims (4)

1.一种印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法，其工艺步骤包括机械加工，镀铜，研磨，稿件制作，刮胶，激光雕刻，腐蚀，镀铬，其特征在于：
所述的稿件制作：根据客户的要求，通过计算机软件绘制图纹，腐蚀深度为1.5丝以下，色块周边不做挂网线条；腐蚀深度为1.5至2.5丝，色块周边做0.1毫米粗、挂95％的网层的线条；腐蚀深度为2.5至4丝，色块周边做0.1毫米粗，挂90％的网层的线条；
所述的刮胶：在刮胶机上进行刮胶处理，车间温度为20至25度，湿度60％以下，黑胶粘度20秒，胶层厚度3至5微米；
所述的腐蚀：按规定的腐蚀深度进行腐蚀，色块内的网墙高度与图案周边的网墙高度在4微米以下。
2.根据权利要求1所述的印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法，其特征在于：所述的镀铜，母辊表面先镀底镍1丝，随后单边镀铜12丝。
3.根据权利要求1所述的印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法，其特征在于：所述的激光雕刻，的雕刻工率15至20瓦，转速每分钟800至1000转。
4.根据权利要求1所述的印染辊激光腐蚀凹版色块边缘的制造方法，其特征在于：所述的镀铬，铬层厚度为1至1.2丝。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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