CN102318066A - 线性图像传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器(1)，其排列有多个长形的埋入型光电二极管PD(n)。各个该埋入型光电二极管PD(n)具备：第1导电类型的第1半导体区域(10)；长形的第2半导体区域(20)，其形成于第1半导体区域(10)上，且第2导电类型的杂质浓度较低；第1导电类型的第3半导体区域(30)，其以覆盖第2半导体区域(20)的表面的形式而形成于第2半导体区域(20)上；以及第2导电类型的第4半导体区域(40)，其用于从第2半导体区域(20)取出电荷，第4半导体区域(40)在第2半导体区域(20)上，以在长度方向上隔开的方式而配置成多个。

Description

线性图像传感器
技术领域
本发明涉及一维排列有长形的埋入型光电二极管的线性图像传感器。
背景技术
一维排列有埋入型光电二极管的线性图像传感器被用于条形码阅读系统，在该情况下光电二极管就有必要在垂直于排列方向的方向上做成长形。在专利文献1中公开了这种线性图像传感器。
在专利文献1所记载的线性图像传感器中一维排列有多个具备长形的pn接合型光电二极管的受光部。在该线性图像传感器中，pn接合型光电二极管是由n型半导体基体和被形成于n型半导体基体上的p型半导体区域所形成，与入射光强度相对应的量的电荷被蓄积到由这个n型半导体基体和p型半导体区域所形成的pn接合容量。另外，在这个线性图像传感器中，邻接于pn接合型光电二极管而形成晶体管，由这个晶体管来读出被蓄积于pn接合型光电二极管的电荷。然而，在这个线性图像传感器中，因为是将电荷蓄积至pn接合型光电二极管的pn接合容量，所以就会存在着如果pn接合区域以长形的形式变大的话那么其pn接合容量也变大并且应答速度发生降低的问题。
关于这个问题，可以设计成替代pn接合型光电二极管而使用埋入型光电二极管的线性图像传感器。在埋入型光电二极管中，例如n型低浓度半导体区域被形成于p型基板上，并且薄的p型高浓度半导体区域被形成于该n型低浓度半导体区域的表面。根据该埋入型光电二极管，因为能够使n型低浓度半导体区域完全耗尽(depletion)，所以显然能够将电荷读出时的pn接合容量调制到零。其结果也就能够提高应答速度。
现有技术文献
专利文献1：特开昭61-40056号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在埋入型光电二极管中，在成为长形的情况下如果打算从长形的单方的一端加以读出的话，那么从与长度方向的读出部相反侧的边缘部到读出部的电位梯度会基本上变得没有，并且由于漂移而变得难以读出n型低浓度半导体区域中的长度方向的边缘部的电荷，以至于发生电荷的读出不完全。该结果会有发生余像的可能性。
因此，本发明的目的在于提供一种能够降低电荷的读出不完全的线性图像传感器。
解决课题的手段
本发明的线性图像传感器是一种排列有多个长形的埋入型光电二吸管的线性图像传感器。各个该埋入型光电二极管具备：第1导电类型的第1半导体区域；长形的第2半导体区域，其形成于第1半导体区域上，且第2导电类型的杂质浓度较低；第1导电类型的第3半导体区域，其以覆盖第2半导体区域的表面的形式而形成于第2半导体区域上；以及第2导电类型的第4半导体区域，其用于从第2半导体区域取出电荷，所述第4半导体区域在第2半导体区域上，以在长度方向上隔开的形式而配置成多个。
根据该线性图像传感器，用于从第2半导体区域(光感应区域)取出电荷的第4半导体区域因为以在长度方向上隔开的方式而配置成多个，所以能够缩短从第4半导体区域到第2半导体区域边缘的距离。因此，在埋入型光电二极管中能够确保到第4半导体区域的电位梯度，并且能够降低来自第2半导体区域的电荷的不完全读出。其结果能够抑制余像的发生。
优选上述第4半导体区域沿着中心轴而配置成多个，其中，所述中心轴在第2半导体区域的长度方向上延伸。
根据该结构，能够进一步缩短从第4半导体区域到第2半导体区域边缘的距离。
优选上述第4半导体区域沿着长边而配置成多个，其中，所述长边在第2半导体区域的长度方向上延伸。
根据该结构，那么就能够将与第4半导体区域连接的配线配置于邻接的埋入型光电二极管的第2半导体区域之间的第1半导体区域上，由该配线就能够减少覆盖作为光感应区域的第2半导体区域。其结果也就能够提高光感应区域的开口率，并能够提高光检测的灵敏度。
优选上述第4半导体区域沿着两条长边而交错状地交替配置成多个，其中，所述两条长边在第2半导体区域的长度方向上延伸。
根据该结构，那么即使第2半导体区域在垂直于长度方向的方向上变大，也能够缩短从第4半导体区域到第2半导体区域边缘的距离。
上述线性图像传感器优选具备遮光膜，该遮光膜为覆盖第4半导体区域的遮光膜，并且在排列方向上进行延伸。
在第4半导体区域沿着在第2半导体区域的长度方向上延伸的长边而被加以配置的情况下，入射光横跨于所邻接的受光部，而且，在入射光被照射于一方的受光部的埋入型光电二极管的电荷读出线上的情况下，仅第4半导体区域的一方的受光部灵敏度发生降低，对于所邻接的受光部的光检测灵敏度而言会发生不均匀。
同样，即使第4半导体区域是沿着在第2半导体区域的长度方向上延伸的中心轴而配置成多个的构造，连接于第4半导体区域的电荷读出线在受光部的排列方向上被引出，且在所邻接的埋入型光电二极管中的第2半导体区域之间的第1半导体区域上进行延伸的情况下，入射光横跨于所邻接的受光部，而且，在入射光被照射于一方的受光部上的埋入型光电二极管的电荷读出线上的情况下，而且，在入射光被照射于一方的受光部上的埋入型光电二极管的电荷读出线上的情况下，仅在排列方向上进行延伸的电荷读出线一方的受光部灵敏度发生降低，对于所邻接的受光部的光检测灵敏度而言会发生不均匀。
然而，根据该结构，因为具备以覆盖第4半导区域的形式在排列方向上进行延伸的遮光膜，所以能够相对于在受光部的长度方向上进行延伸的中心轴，将光感应区域的形状制作成左右对称。然而，即使是在横跨于所邻接的受光部而照射光的情况下，也能够降低所邻接的受光部的光检测灵敏度的不均匀性。
发明效果
根据本发明，能够降低线性图像传感器中电荷的读出不完全。其结果，能够抑制余像的发生。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的线性图像传感器的结构的图。
图2是由图1所表示的受光部的第1实施方式，是表示从表面侧看到的受光部的图。
图3是表示沿着图2中的III-III线的受光部的截面的图。
图4是从表面侧看到本发明的比较例的受光部的图。
图5是表示沿着图4中的V-V线的受光部的截面的图。
图6是由图1所表示的受光部的第2实施方式，是表示从表面侧看到的受光部的图。
图7是表示沿着图6中的VII-VII线的受光部的截面的图。
图8是由图1所表示的受光部的第3实施方式，是表示从表面侧看到的受光部的图。
图9是表示沿着图8中的IX-IX线的受光部的截面的图。
图10是由图1所表示的受光部P(n)的第4实施方式，是表示从表面侧看到的受光部的图。
图11是表示沿着图10中的XI-XI线的受光部的截面的图。
图12是第3实施方式的受光部，是光横跨于所邻接的受光部进行入射的时候的图。
图13是第4实施方式的受光部，是光横跨于所邻接的受光部进行入射的时候的图。
图14是由图1所表示的受光部的变形例，是表示从表面侧所看到的受光部的图。
图15是表示沿着图14中的XV-XV线的受光部的截面的图。
符号说明
1、1A、1B、1C、1X线性图像传感器
P(n)、P1(n)、P2(n)、P3(n)、P4(n)、P5(n)、Px(n)受光部
PD(n)、PD1(n)、PD2(n)、PD3(n)、PD4(n)、PD5(n)、PDx(n)埋入型光电二极管
10p型基板(第1半导体区域)
20n型低浓度半导体区域(第2半导体区域)
30p型高浓度半导体区域(第3半导体区域)
40n型高浓度半导体区域(第4半导体区域)
50配线
60遮光膜
70硅酮氧化膜
T(n)、T1(n)、Tx(n)晶体管
DS n型高浓度半导体区域
G栅电极
具体实施方式
以下参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。还有，对于各个附图中相同或者相当的部分标注相同的符号。
图1是表示本发明的实施方式所涉及的线性图像传感器的结构的图。由图1所表示的线性图像传感器1具备被一维排列的N个受光部P(n)。在此，N为2以上的整数，n为1以上N以下的任意整数。还有，在图1中为了明确本发明的特征而省略了用于控制各个受光部P(n)的动作的控制部、处理从各个受光部P(n)所读出的信号的信号处理部等。以下对具有本发明的特征的受光部P(n)，例示多个实施方式来加以说明。
[第1实施方式]
图2是由图1所表示的受光部P(n)的第1实施方式，是表示从表面侧看到的受光部P1(n)的图，图3是表示沿着图2中的III-III线的受光部P1(n)的截面的图。在图2以及图3中代表N个受光部P1(n)而表示n号的受光部P1(n)。这个受光部P1(n)具有埋入型光电二极管PD1(n)、晶体管T1(n)。另外，在图2中为了容易理解本发明的特征而省略了埋入型光电二极管PD1(n)中的后面所述的p型高浓度半导体区域30。
埋入型光电二极管PD1(n)具有p型基板10、被形成于该p型基板10上的n型低浓度半导体区域20、被形成于该n型低浓度半导体区域20上的p型高浓度半导体区域30、被形成于n型低浓度半导体区域20上的多个n型高浓度半导体区域40。还有，这些p型基板10、n型低浓度半导体区域20、p型高浓度半导体区域30以及n型高浓度半导体区域40分别与权利要求范围内所记载的第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域以及第4半导体区域相当，p型以及n型分别与专利权利要求范围内所记载的第1导电类型、第2导电类型相当。
P型基板10的p型杂质浓度例如为1015cm-3～1017cm-3左右。在p型基板10上以被埋入到p型基板10的一部分的形式而形成有n型低浓度半导体区域20。
n型低浓度半导体区域20形成为长形。例如，n型低浓度半导体区域20的厚度为0.6μm～1.0μm左右，n型低浓度半导体区域20的n型杂质浓度比较低，为1016cm-3～1018cm-3左右。在n型低浓度半导体区域20的表面上形成有p型高浓度半导体区域30以及n型高浓度半导体区域40。
p型高浓度半导体区域30是以覆盖n型低浓度半导体区域20的表面的形式而形成，其厚度薄，为0.2μm～0.4μm。p型高浓度半导体区域30的p型杂质浓度比较高，为1017cm-3～1019cm-3左右。
这些p型基板10、n型低浓度半导体区域20以及p型高浓度半导体区域30形成了光感应区域，与入射到该光感应区域的光强度相对应而发生的量的电荷被积蓄于由p型基板10和n型低浓度半导体区域20形成的pn型接合部、以及由n型低浓度半导体区域20和p型高浓度半导体区域30形成的pn接合部。
如上所述，因为n型低浓度半导体区域20的n型杂质低，所以能够完全使n型低浓度半导体区域20耗尽，并且能够完全读出在pn接合部上所产生的电荷。
另外，将薄的p型高浓度半导体区域30形成于n型低浓度半导体区域20的表面，并通过将基准电压施加于该p型高浓度半导体区域30从而即使在使n型低浓度半导体区域20完全耗尽的情况下，也能够做到不让p型高浓度半导体区域30即基板表面发生耗尽。其结果就能够降低起因于可能存在于基板表面的电荷而可能产生的漏电流(暗电流)，并能够提高光检测的S/N。
另外一方面，n型高浓度半导体区域40是以被p型高浓度半导体区域30围绕着的形式而形成于多个地方(例如4个地方)。这些n型高浓度半导体区域40是沿着在n型低浓度半导体区域20的长度方向上延伸的中心轴III-III并以大致等间隔地隔开的形式来加以排列。n型高浓度半导体区域40的厚度比较薄，为0.2μm～0.4μm；n型高浓度半导体区域40的n型杂质浓度比较高，为1019cm-3～1021cm-3左右。这些n型高浓度半导体区域40通过连接点、中继接点(via)以及配线50而被连接于晶体管T1(n)。
晶体管T1(n)是由相当于漏极(drain)和源极(source)的n型高浓度半导体区域DS和栅电极G所构成的。晶体管T1(n)是在埋入型光电二极管PD1(n)的长度方向上进行邻接形成的，例如n型高浓度半导体区域DS的一方在兼用埋入型光电二极管PD1(n)中的n型高浓度半导体区域40当中的一个的同时被连接于配线50，并被连接于所有的n型高浓度半导体区域40。晶体管T1(n)与被施加于栅电极G的电压对应成为ON状态，并将通过n型高浓度半导体区域40取出的来自于n型低浓度半导体区域20的电荷从一方的n型高浓度半导体区域DS读出至另一方的n型高浓度半导体区域DS。
还有，配线50是以沿着n型低浓度半导体区域20的中心轴III-III而在长度方向上进行延伸的形式来加以配置的。
另外，基板的表面以及基板的侧面被硅酮氧化膜70所保护。
以下与本发明的比较例所涉及的线性图像传感器1X相比较来说明第1实施方式的线性图像传感器1的作用效果。
本发明的比较例所涉及的线性图像传感器1X与由图1所表示的第1实施方式的线性图像传感器1相同，具备被一维排列的N个受光部Px(n)，该受光部Px(n)在具备埋入型光电二极管PDx(n)以取代埋入型光电二极管PD1(n)的结构方面与第1实施方式有所不同。线性图像传感器1X的其它结构与线性图像传感器1相同。
图4是从表面侧看到比较例的受光部Px(n)的图，图5是表示在沿着图4中的V-V线的受光部Px(n)的截面的图。在图4中也省略表示埋入型光电二极管PDx(n)中的p型高浓度半导体区域30。
比较例的埋入型光电二极管PDx(n)，是第1实施方式的埋入型光电二极管PD(n)中，n型高浓度半导体区域40的个数变得不同。即，在比较例的埋入型光电二极管PDx(n)中，用于取出电荷的n型高浓度半导体区域40是n型低浓度半导体区域20中的长度方向的一个端部，且在晶体管Tx(n)侧的一个端部上只形成一个。另外，n型高浓度半导体区域40与相当于晶体管Tx(n)的漏极(drain)和源极(source)的n型高浓度半导体区域DS一体形成。
在该比较例的埋入型光电二极管PDx(n)中，从被形成于n型低浓度半导体区域20中的长度方向的一个端部的n型高浓度半导体区域40到n型低浓度半导体区域20中的长度方向的另一个端部侧的边缘为止的距离为较长。为此，从n型低浓度半导体区域20的另一端部到n型高浓度半导体区域40的电位梯度基本上变得没有，由此变得难以取出n型低浓度半导体区域20的另一端部侧的电荷，并且有可能发生电荷的读出不完全。其结果就会发生余像。
然而，根据具备第1实施方式的埋入型光电二极管PD1(n)以及受光部P1(n)的线性图像传感器1，用于从n型底浓度半导体区域(第2半导体区域：光感应区域)20取出电荷的n型高浓度半导体区域(第4半导体区域)40，因为在长度方向上是以多个间隔的形式加以配置的，所以能够缩短从n型高浓度半导体区域40到n型低浓度半导体区域20的边缘为止的距离。因此，在埋入型光电二极管PD1(n)中能够确保到第4半导体区域的电位梯度，并且能够降低来自n型低浓度半导体区域20的电荷的读出不完全。其结果也就能够抑制余像的发生。
[第2实施方式]
图6是由图1所表示的受光部P(n)的第2实施方式，是表示从表面侧看到的受光部P2(n)的图，图7是表示沿着图6中的VII-VII线的受光部P2(n)的截面的图。在图6以及图7中，代表N个受光部P2(n)而表示n号的受光部P2(n)。该受光部P2(n)具有埋入型光电二极管PD2(n)和上述晶体管T1(n)。另外，在图6中，为了容易理解本发明的特征而省略了埋入型光电二极管PD2(n)中的后面所述的p型高浓度半导体区域30。
第2实施方式的埋入型光电二极管PD2(n)，是第1实施方式的埋入型光电二极管PD1(n)中，多个n型高浓度半导体区域40的形成位置变得不同。即，多个n型高浓度半导体区域40是沿着在n型低浓度半导体区域20的长度方向上进行延伸的长边以大致等间隔地隔开的形式来加以排列的。埋入型光电二极管PD2(n)的其它结构与埋入型光电二极管PD1(n)相同。
另外，在第2实施方式的受光部P2(n)上，埋入型光电二极管PD2(n)的与多个n型高浓度半导体区域40连接的配线50被配置于所邻接的埋入型光电二极管PD2(n)中的n型低浓度半导体区域20之间的p型基板10上。
具备该第2实施方式的埋入型光电二极管PD2(n)以及受光部P2(n)的线性图像传感器1A也能够获得与第1实施方式的线性图像传感器1相同的优点。
另外，根据具备第2实施方式的埋入型光电二极管PD2(n)以及受光部P2(n)的线性图像传感器1A，用于从n型低浓度半导体区域20取出电荷的n型高浓度半导体区域40是沿着在n型低浓度半导体区域20的长度方向上进行延伸的长边而加以形成的，与这些n型高浓度半导体区域40相连接的配线50因为被配置于n型低浓度半导体区域20之间，所以由该配线50就能够减少作为光感应区域的n型低浓度半导体区域20被覆盖。其结果也就能够提高光感应区域的开口率，并且能够提高光检测的灵敏度。
[第3实施方式]
图8是由图1所表示的受光部P(n)的第3实施方式，是表示从表面侧看到的受光部P3(n)的图，图9(a)是表示沿着图8中的IXa-IXa线的受光部P3(n)的截面的图。另外，图9(b)是表示沿着图8中的IXb-IXb线的受光部P3(n)的截面的图。在图8以及图9中，代表N个受光部P3(n)而表示n号的受光部P3(n)。该受光部P3(n)具有埋入型光电二极管PD3(n)和上述晶体管T1(n)。另外，在图8中，为了容易理解本发明的特征而省略了埋入型光电二极管PD3(n)中的后面所述的p型高浓度半导体区域30。
第3实施方式的埋入型光电二极管PD3(n)，是第1实施方式的埋入型光电二极管PD1(n)中，多个n型高浓度半导体区域40的形成位置变得不同。即，多个n型高浓度半导体区域40是沿着在n型低浓度半导体区域20的长度方向上进行延伸的两条长边，以交错状交替且大致等间隔地隔开的形式来加以排列。换言之，多个n型高浓度半导体区域40是沿着在n型低浓度半导体区域20的长度方向上进行延伸的两条长边，以交替地锯齿形隔开的形式来加以排列。埋入型光电二极管PD3(n)的其它结构与埋入型光电二极管PD1(n)相同。
另外，在第3实施方式的受光部P3(n)上，埋入型光电二极管PD3(n)的与多个n型高浓度半导体区域40连接的配线50被配置于所邻接的埋入型光电二极管PD3(n)中的n型低浓度半导体区域20之间的p型基板10上。
具备该第3实施方式的埋入型光电二极管PD3(n)以及受光部P3(n)的线性图像传感器1B也能够获得与第1实施方式的线性图像传感器1相同的优点。
另外，根据具备第3实施方式的埋入型光电二极管PD3(n)以及受光部P3(n)的线性图像传感器1B，多个n型高浓度半导体区域40因为是沿着在n型低浓度半导体区域20的两条长边以交错状交替地被排列，所以n型低浓度半导体区域20即使在垂直于长度方向的方向上变大也能够适当缩短从n型高浓度半导体区域40到n型低浓度半导体区域20边缘的距离。因此，在埋入型光电二极管PD3(n)中能够确保到第4半导体区域的电位梯度，并且能够适当降低来自n型低浓度半导体区域20的电荷的读出不完全。
[第4实施方式]
图10是由图1所表示的受光部P(n)的第4实施方式，是表示从表面侧看到的受光部P4(n)的图，图11是表示沿着图10中的XI-XI线的受光部P4(n)的截面的图。在图10以及图11中，代表N个受光部P4(n)而表示n号的受光部P4(n)。该受光部P4(n)除了第3实施方式的受光部P3(n)之外还具备多个(例如4个)遮光膜60。受光部P4(n)的其它结构与受光部P3(n)相同。另外，在图10中，为了容易理解本发明的特征而省略了埋入型光电二极管PD4(n)中的后面所述的p型高浓度半导体区域30。
遮光膜60在由图1所表示的受光部P(n)的排列方向上进行延伸。多个遮光膜60分别是以覆盖n型高浓度半导体区域40以及被连接于该n型高浓度半导体区域40并在排列方向上进行延伸的配线50的形式而被配置。对于遮光膜的材料来说虽然使用了Al等，但是优选使用具有光吸收性的物质，例如如果使用了TiN等，就能够防止检测光的散射，因此优选。
在此，与第3实施方式的受光部P3(n)相比较来说明第4实施方式的受光部P4(n)的作用效果。
图12是第3实施方式的受光部P3(n)，是光横跨于所邻接的受光部P3(1)和P3(2)进行入射的时候的图，图13是第4实施方式的受光部P4(n)，是光横跨于所邻接的受光部P4(1)和P4(2)进行入射的时候的图。
如图12所示，在第3实施方式的受光部P3(n)上，在入射光A横跨所邻接的受光部P3(1)和P3(2)而且被照射于一方的受光部P3(2)的埋入型光电二极管PD3(2)的电荷读出线上的情况下，仅n型高浓度半导体区域40以及在排列方向上进行延伸的配线50，其一方的受光部P3(2)的灵敏度发生降低，因而所邻接的受光部P3(1)和P3(2)的光检测灵敏度会发生不均匀。
但是，如图13所示，根据具备该第4实施方式的受光部P4(n)的线性图像传感器1C，因为具备以覆盖n型高浓度半导体区域40以及在排列方向上进行延伸的配线50的形式而在排列方向上进行延伸的遮光膜60，所以相对于在受光部P4(n)的长度方向上进行延伸的中心轴能够做到使光感应区域的形状左右对称。即，能够缓和由于n型高浓度半导体区域40而产生的那一部分的非对称性。因此，即使在光A横跨于所邻接的受光部P4(1)和P4(2)进行照射的情况下也能够降低所邻接的受光部P4(1)和P4(2)的光检测灵敏度的不均匀性。
还有，本发明并不限定于上述本实施方式，可以进行各种变形。例如，配线50的形状以及多个n型高浓度半导体区域40的排列位置不受限于本实施方式。例如，图14以及图15是表示本发明的变形例所涉及的受光部P5(n)。
图14是由图1所表示的受光部P(n)的变形例，是表示从表面侧所看到的受光部P5(n)的图，图15是表示沿着图14中的XV-XV线的受光部P5(n)的截面的图。在图14以及图15中，代表N个受光部P5(n)而表示n号的受光部P5(n)。该受光部P5(n)具有埋入型光电二极管PD5(n)和上述晶体管T1(n)。另外，在图14中，为了容易理解本发明的特征而省略了埋入型光电二极管PD5(n)中的后面所述的p型高浓度半导体区域30。
如图14以及图15所示，在埋入型光电二极管PD5(n)的n型高浓度半导体区域40沿着以n型低浓度半导体区域20的长度方向进行延伸的中心轴加以排列的结构中，与n型高浓度半导体区域40连接的配线50在受光部P5(n)的排列方向上被引出，且在所邻接的埋入型光电二极管PD5(n)中的n型低浓度半导体区域20之间的p型基板10上延伸。在此情况下，为了降低由于在排列方向上进行延伸的配线50而产生的所邻接的受光部P(n)的光检测灵敏度的不均匀性，而优选具备以覆盖n型高浓度半导体区域40以及在排列方向上进行延伸的配线50的形式而在排列方向上进行延伸的遮光膜60。
另外，在本实施方式中，埋入型光电二极管PD(n)以及晶体管T(n)虽然是被直接形成于p型基板10上，但也可以是被形成于n型基板上。在此情况下，也可以将p型阱形成于n型基板上，并在该p型阱上形成同样的结构。
产业上的利用可能性
能够适用于降低线性图像传感器的电荷的读出不完全的用途。

Claims (5)

1.一种线性图像传感器，其特征在于，
在排列有多个长形的埋入型光电二极管的线性图像传感器中，
各个所述埋入型光电二极管具备：
第1导电类型的第1半导体区域；
长形的第2半导体区域，其形成于所述第1半导体区域上，且第2导电类型的杂质浓度较低；
第1导电类型的第3半导体区域，其以覆盖所述第2半导体区域的表面的形式而形成于所述第2半导体区域上；以及
第2导电类型的第4半导体区域，其用于从所述第2半导体区域取出电荷，
所述第4半导体区域在所述第2半导体区域上，以在长度方向上隔开的形式而配置成多个。
2.如权利要求1所述的线性图像传感器，其特征在于，
所述第4半导体区域沿着中心轴而配置成多个，其中，所述中心轴在所述第2半导体区域的所述长度方向上延伸。
3.如权利要求1所述的线性图像传感器，其特征在于，
所述第4半导体区域沿着长边而配置成多个，其中，所述长边在所述第2半导体区域的所述长度方向上延伸。
4.如权利要求1所述的线性图像传感器，其特征在于，
所述第4半导体区域沿着两条长边而交错状地交替配置成多个，其中，所述两条长边在所述第2半导体区域的所述长度方向上延伸。
5.如权利要求1～4中任意一项所述的线性图像传感器，其特征在于，
具备遮光膜，
所述遮光膜覆盖所述第4半导体区域，并且在排列方向上进行延伸。
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