CN102314524A - 一种优化集成电路版图电磁分布的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种优化集成电路版图电磁分布的方法，属于集成电路设计自动化领域。该方法包括：输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则；进行电路分析，确定该电路中的高频器件和高频线网、敏感器件和敏感线网，以及关键器件和关键线网；根据电路的物理设计规则，在电路的物理版图上设定填充障碍；根据电路仿真结果进行电磁分析，确定电路的物理版图上的电磁热点；根据电磁热点在金属层上填充接地金属图形，直至不能通过新的接地金属填充优化电路的物理版图电磁分布；输出填充的金属图形到物理版图数据库。本发明可有效地优化集成电路物理版图上的电磁分布，屏蔽干扰源，保护敏感对象，提高集成电路工作性能和可靠性。

Description

一种优化集成电路版图电磁分布的方法

技术领域

本发明涉及集成电路设计自动化领域，尤其涉及一种优化集成电路版图电磁分布的方法。

背景技术

在集成电路设计中，高频器件和物理连线上的高频信号容易干扰其本身之外的其它器件和线网上的传输信号，而敏感器件和线网上的信号又容易受到外界高频信号的干扰。高频信号的干扰主要是以电磁传播和干扰的形式存在，金属一方面可以阻挡这些高频信号使其限制在一定范围内，另一方面又可以屏蔽高频信号以免敏感器件和线网上的信号受到干扰，因此合适的金属填充可以有效地屏蔽高频器件和线网上的高频信号，保护敏感器件和线网上的敏感信号。

针对电磁优化的金属填充一般是手工进行，或是在手工设定某一线网为高频信号线网需要物理屏蔽时布线器完成屏蔽模式的物理布线。其缺点是手工效率低下，手工指定高频信号线网需要经验，且标准过于绝对，导致部分干扰源得不到屏蔽，部分敏感器件和敏感信号得不到保护。

发明内容

为了解决上述的技术问题，提供了一种优化集成电路版图电磁分布的方法，其目的在于，解决现有技术方案金属填充效率低和效果差的缺陷。

本发明提供了一种优化集成电路版图电磁分布的方法，包括：

步骤1，输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则；

步骤2，根据所述电路网表、电路仿真结果以及电路的物理版图进行电路分析，确定该电路中的高频器件和高频线网、敏感器件和敏感线网，以及关键器件和关键线网；

步骤3，根据所述电路的物理设计规则，在所述电路的物理版图上设定填充障碍；

步骤4，根据所述电路仿真结果进行电磁分析，确定所述电路的物理版图上的电磁热点；

步骤5，根据所述电磁热点在金属层上填充接地金属图形，直至不能通过新的接地金属填充优化电路的物理版图电磁分布；

步骤6，输出填充的金属图形到物理版图数据库。

在所述步骤2中，确定该电路中的高频器件和高频线网的步骤具体包括：

步骤21，根据所述电路网表进行信号流分析，确定高频器件和高频线网；

步骤22，根据所述电路仿真结果中的信号频率，确定高频器件和高频线网；

步骤23，所述电路网表与电路的物理版图得到的电路网表进行一致性比较，确定高频器件和高频线网物理连线的几何位置。

在所述步骤2中，确定该电路中的敏感器件和敏感线网的步骤具体包括：

步骤31，根据所述电路网表进行信号流分析，确定敏感器件和敏感线网；

步骤32，根据所述电路仿真结果中的信号变化的幅度和信号频率，确定敏感器件和敏感线网；

步骤33，所述电路网表与电路的物理版图得到的电路网表进行一致性比较，确定敏感器件和敏感线网物理连线的几何位置。

在所述步骤2中，确定该电路中的关键器件和关键线网的步骤具体包括：

步骤41，根据所述电路网表进行信号流分析，确定关键器件和关键线网；

步骤42，根据所述电路仿真结果中的信号变化的幅度和信号频率，确定关键器件和关键线网；

步骤43，所述电路网表与根据电路的物理版图得到的电路网表进行一致性比较，确定关键器件和关键线网物理连线的几何位置。

所述步骤3具体包括：

步骤51，根据一般器件的版图信息和电路的物理设计规则，计算一般器件的保护距离；

步骤52，根据一般线网物理连线的金属层次和几何信息，以及所述电路的物理设计规则，计算一般线网的保护距离；

步骤53，根据所述关键器件的版图信息和电路性能随所述关键器件变化的敏感程度，以及所述电路的物理设计规则，计算所述关键器件的保护距离；

步骤54，根据所述关键线网物理连线的金属层次、几何信息和电路性能对所述关键线网的敏感程度，以及所述电路的物理设计规则，计算所述关键线网的保护距离；

步骤55，在所述一般器件和关键器件的保护距离之内，以及一般线网和关键线网的保护距离之内，分别设置填充金属图形的障碍。

所述步骤4具体包括：

步骤61，根据所述电路仿真结果，确定所述电路的物理版图上的电磁源；

步骤62，对所述电磁源进行三维电磁仿真，确定所述电路的物理版图上的电磁热点。

所述步骤5具体包括：

步骤71，根据所述电磁热点寻找对其它器件和线网存在干扰的高频器件和高频线网；

步骤72，在所述高频器件和高频线网的邻近区域，依据所述电路的物理设计规则插入接地金属图形；

步骤73，寻找收到电磁干扰的敏感器件和敏感线网；

步骤74，在所述敏感器件和敏感线网的邻近区域，依据所述电路的物理设计规则插入接地金属图形。

所述步骤21具体为：从高频信号输入端口出发，按高频信号的流向遍历以所述电路网表构成的有向图，直至不能再前进为止；高频信号流经的线网为高频线网，高频信号流经的器件为高频器件。

所述步骤22具体为：用户预设高频信号的频率标准，线网信号频率达到所述频率标准的为高频线网，与所述高频线网相连的非保护性器件为高频器件。

所述步骤31具体为：从信号输入端口出发，按信号的流向遍历以所述电路网表构成的有向图，直至不能再前进为止；信号流经的信号放大器件为敏感器件，所述信号放大器件的输入线网为敏感线网。

所述步骤42具体为：根据所述电路仿真结果中的信号变化幅度确定线网和器件是工作在大信号状态还是工作在小信号状态，工作在大信号状态的线网和器件为关键线网和关键器件；或者，工作信号频率高的器件和线网为关键线网和关键器件。

所述步骤51具体为：根据一般器件内金属图形所在的金属层选取所述金属层对应的金属图形之间的最小间距值作为保护距离；或者，根据一般器件允许的最大寄生电容值计算后续填充引入的最大电容值，再根据连线之间的寄生电容光模型计算后续出填充图形与器件金属图形之间的最小距离作为一般器件的保护距离；

所述步骤52具体为：根据一般线网内金属图形所在的金属层选取所述金属层对应的金属图形之间的最小间距值作为保护距离；或者，根据一般线网允许的最大寄生电容值计算后续填充引入的最大电容值，再根据连线之间的寄生电容光模型计算后续出填充图形与器件金属图形之间的最小距离作为一般线网的保护距离；

所述步骤53具体为：根据电路性能对关键器件的敏感程度确定所述关键器件上最大允许寄生电容，进一步确定后续金属填充允许引入的最大寄生电容，再利用平版电容模型确定后续填充金属与所述关键器件最小外接矩形之间的最小距离，选取所述最小距离与电路的物理设计规则中允许的金属图形之间的最小间距中较大的值为所述关键器件的保护距离；

所述步骤54具体为：根据电路性能对关键线网的敏感程度确定所述关键线网上最大允许寄生电容，进一步确定后续金属填充允许引入的最大寄生电容，再利用平版电容模型确定后续填充金属与所述关键线网物理连线之间的最小距离，选取所述最小距离与电路的物理设计规则中允许的金属图形之间的最小间距中较大的值为所述关键线网的保护距离。

本发明可有效地通过接地金属填充优化集成电路物理版图上的电磁分布，屏蔽干扰源，保护敏感对象，提高集成电路工作性能和可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种基于金属填充优化集成电路版图电磁分布方法的流程；

图2是本发明实施例提供的通过电路分析确定该电路中的高频器件和高频线网的流程；

图3是本发明实施例提供的通过电路分析确定该电路中的敏感器件和敏感线网的流程；

图4是本发明实施例提供的通过电路分析确定该电路中的关键器件和关键线网的流程；

图5是本发明实施例提供的在物理版图上设定填充障碍的流程；

图6是本发明实施例提供的通过电磁分析确定物理版图上的电磁热点的流程；

图7是本发明实施例提供的接地金属填充的流程。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明做进一步的详细描述。

本发明提出了一种针对集成电路物理版图设计的、基于计算机辅助的、通过金属填充优化集成电路版图电磁分布、旨在提高集成电路工作性能的自动优化方法。该方法包括：接受电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图、和设计规则等数据作为输入；通过电路分析确定该电路中的高频器件和高频信号线网；通过电路分析确定该电路中的敏感器件和敏感信号线网；通过电路分析确定该电路中的关键器件和关键信号线网；在关键器件和关键线网的物理连线周围设定填充障碍；通过电磁分析确定物理版图上的电磁热点；根据电磁分布在金属层上填充接地金属图形屏蔽高频器件和线网上的高频信号，保护敏感器件和物理连线上的敏感信号；重复电磁分析和接地金属填充过程，达到优化电磁分布的目的。

参见图1，本发明实施例提供的金属填充优化集成电路版图电磁分布的方法，包括：

步骤102，接收电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则数据作为输入；

步骤104，根据所述电路网表、电路仿真结果以及电路的物理版图进行电路分析确定该电路中的高频器件和高频线网；

步骤106，根据所述电路网表、电路仿真结果以及电路的物理版图进行电路分析确定该电路中的敏感器件和敏感线网；

步骤108，根据所述电路网表、电路仿真结果以及电路的物理版图进行电路分析确定该电路中的关键器件和关键线网；

步骤110，根据所述电路的物理设计规则，在所述电路的物理版图上设定填充障碍；

步骤112，根据所述电路仿真结果进行电磁分析确定所述电路的物理版图上的电磁热点；

步骤114，根据电磁热点在金属层上填充接地金属图形；

步骤116，检查通过金属填充的电磁分布优化过程是否结束；过程未结束转向执行步骤112电磁分析，优化过程结束转向执行步骤118；重复接地金属填充过程，直至不能通过新的接地金属填充得到更优的物理版图电磁分布；

步骤118，最后输出填充的金属图形到物理版图数据库。输出通过物理版图数据库的API接口函数以添加新图形的形式进行，这会有利于与任何集成电路物理设计平台集成。

在步骤102中，电路网表、电路仿真结果和电路的物理版图用于关键器件和关键线网的确定、填充障碍的确定与电磁热点的确定；电路的物理设计规则用于填充障碍的计算和设定、接地金属层图形和金属层之间通孔的插入；电路的物理版图还用于接地金属图形的填充。

参见图2，步骤104具体包括：

步骤202，根据所述电路网表对电路进行信号流分析以确定高频器件和高频线网；从高频信号输入端口出发，按高频信号的流向，遍历以电路网表构成的有向图，直至不能再前进为止，遍历过程中高频信号历经的线网和器件为高频线网和高频器件；

步骤204，对电路仿真的结果进行分析，根据电路仿真结果中的信号频率确定高频器件和高频线网；用户预设高频信号的频率标准，线网信号达到该频率标准的为高频线网，与高频信号线网相连的非保护性器件为高频器件；在电路设计中，用户可以为高频器件指定作为保护性用途的器件用于保护该高频器件，称之为保护性器件，否则为非保护性器件；

步骤206，综合以上分析取其并集得到的高频器件和高频线网，取其并集，最终确定本电路中的高频器件和高频线网；

步骤208，在寻找到逻辑上的高频器件和高频线网之后，根据版图和电路的一致性比较从而在物理版图上确定高频器件和高频线网物理连线的几何位置，为填充接地金属屏蔽高频器件和高频线网做好准备。版图和电路一致性检查就是检查电路的版图和电路的原理图/网表之间在忽略寄生器件和保护器件之后是否一致。从物理版图上提取的电路网表含有器件和线网的几何位置信息，一致性检查可以两个电路网表之间找出器件之间的匹配和线网之间的匹配，作为附带的结果可以为原来电路上的器件和线网确定稽核位置。

参见图3，步骤106具体包括：

步骤302，根据所述电路网表对电路进行信号流分析以确定敏感器件和敏感线网；从信号输入端口出发，按信号的流向，遍历以电路网表构成的有向图，直至不能再前进为止，遍历过程中历经的信号放大器件为敏感器件，信号放大器件的输入线网为敏感线网；

步骤304，对电路仿真的结果进行分析，根据电路仿真结果中的信号变化的幅度和信号频率确定敏感器件和敏感线网；根据仿真结果可以得知各个器件输入端上的信号变化幅度和输出端上的信号变化幅度，若器件输入端上微小的信号变化引起期间输出端上大的信号变化则该器件为敏感器件，与该器件输入端相连的线网为敏感线网；

步骤306，综合以上分析得到的敏感器件和敏感线网，取其并集，最终确定本电路中的敏感器件和敏感线网；

步骤308，在寻找到逻辑上的敏感器件和敏感线网之后，根据版图和电路的一致性比较从而在物理版图上确定敏感器件和敏感线网物理连线的几何位置，为填充接地金属保护敏感器件和敏感线网做好准备。

参见图4，步骤108具体包括：

步骤402，根据所述电路网表对电路进行信号流分析以确定关键器件和关键线网；在根据电路网表建立的有向图上，按照信号的流向，从关键信号输入端开始，遍历有向图，历经的器件和线网为关键器件和关键线网；

步骤404，对电路仿真的结果进行分析，根据电路仿真结果中的信号变化的幅度和信号频率确定关键器件和关键线网(这一步是作为上一步的补充，通过检测信号变化的幅度和信号频率确定上一步遗漏的内部关键信号，在根据电路网表建立的有向图上，按照信号的流向，从内部关键信号开始，遍历有向图，历经的器件和线网为关键器件和关键线网)；工作信号频率高(指定频率参考值)的器件和线网也列入关键线网和关键器件；

步骤406，综合以上分析得到的关键器件和关键线网，取它们的并集，最终确定本电路中的关键器件和关键线网；

步骤408，在寻找到逻辑上的关键器件和关键线网之后，根据版图和电路的一致性比较从而在物理版图上确定关键器件和关键线网物理连线的几何位置，为设定相关的金属填充障碍做好准备。

参见图5，步骤110具体包括：

步骤502，根据一般器件的版图信息和电路的物理设计规则计算一般器件的保护距离；根据器件内金属图形所在的金属层选取该金属层对应的金属图形之间的最小间距值A，作为保护距离，即在器件最小外接矩形区域四周外推保护距离值所得区域范围内设置为填充保护区域；另外也可以根据该器件允许的最大寄生电容值，计算后续填充引入的最大电容值，再根据连线之间的寄生电容模型，计算后续出填充图形与器件金属图形之间的最小距离B，选A和B的最大值作为保护距离；

步骤504，根据一般线网物理连线的金属层次和几何信息和电路的物理设计规则计算一般线网的保护距离；根据物理连线所在的金属层选取该金属层对应的金属图形之间的最小间距值A，作为保护距离，即在物理连线区域两侧横向外推保护距离值所得区域范围内设置为填充保护区域；另外也可以根据该线网允许的最大寄生电容值，计算后续填充引入的最大电容值，再根据连线之间的寄生电容光模型，计算后续出填充图形与连线金属图形之间的最小距离B，选A和B的最大值作为保护距离；

步骤506，根据关键器件的版图信息和电路性能随该关键器件变化的敏感程度、并基于电路的物理设计规则计算关键器件的保护距离；根据电路性能对该器件的敏感程度确定关键器件上最大允许寄生电容，进一步确定后续金属填充允许引入的最大寄生电容，再利用平版电容模型确定后续填充金属与该器件最小外接矩形之间的最小距离，结合电路的物理设计规则中允许的金属图形之间的最小间距值，选取两值中最大的值为该器件的保护距离，即该器件最小外接矩形区域向四周外推之保护距离所覆盖的区域内不得填充金属图形；

步骤508，根据线网物理连线的金属层次、几何信息、以及电路性能对该线网的敏感程度并基于电路的物理设计规则计算关键线网的保护距离；根据电路性能对该线网的敏感程度确定关键线网上最大允许寄生电容，进一步确定后续金属填充允许引入的最大寄生电容，再利用平版电容模型确定后续填充金属与该线网物理连线之间的最小距离，结合电路的物理设计规则中允许的金属图形之间的最小间距值，选取两值中最大的值为该线网的保护距离，即该线网物理连线区域横向外推之保护距离所覆盖的区域内不得填充金属图形；

步骤510，最后根据保护距离在保护距离之内设置填充金属图形的障碍。填充障碍的设定既可以保护已有的电路物理设计，保护电路中的关键器件和关键线网不受后续金属填充的引起任何电学上的负面影响，又可确保后续金属填充不会在电路的物理设计规则方面引起任何问题。填充时需要遵循的电路的物理设计规则包括：同层金属图形之间的最小间距；金属图形最小尺寸；连线跳层时的金属过孔之间的最小间距和过孔最小尺寸。障碍的设定一方面确保了后续填充遵循图形之间的最小间距要求，同时确保引入德最小寄生电容不会对电路性能的影响。

参见图6，步骤112具体包括：

步骤602，根据电路仿真结果确定电路的物理版图上的电磁源；电路仿真得知高频器件的工作状态参数，结合高频器件的物理几何参数，进而计算出高频器件对应的等效电磁源；同样仿真得到高频物理连线上的信号频率、电流和电压大小，结合高频物理连线的几何参数，进而计算出高频器件对应的等效电磁源；

步骤604，利用物理版图数据、芯片上各材料层的厚度、以及各材料层的介电系数为基础建立三维电磁仿真模型；

步骤606，借助电磁仿真工具或内置电磁分析程序对电磁源进行三维电磁仿真；

步骤608，对三维电磁仿真结果进行分析寻找高电场、高磁场点确定为物理版图上的电磁热点。电磁分布图上的电磁强度比较高(强度标准值由用户指定或根据该电磁源对周边器件和线网的影响程度来自适应地通过内部计算选择标准值)的区域的电磁源点为电磁热点。

参见图7，步骤114具体包括：

步骤702，根据电磁热点寻找对其它器件和线网存在干扰的高频器件和高频线网；在物理版图上以电磁热点物理位置为中心，寻找高频器件和高频线网，这些器件和线网上的高频信号对其周围的其它器件和线网存在干扰；

步骤704，在这些高频器件和高频线网邻近区域(以高频器件物理版图最小外接矩形或高频线网物理图形和外围障碍图形之间的空白区域为邻近区域)，在符合金属图形间距和金属图形尺寸有关的设计规则前提条件下插入接地金属图形；

步骤706，寻找收到电磁干扰的敏感器件和敏感线网；

步骤708，在收到电磁干扰的敏感器件和敏感线网的邻近区域(以敏感器件物理版图最小外接矩形或敏感线网物理图形和外围障碍图形之间的空白区域为邻近区域)，在符合金属图形间距和金属图形尺寸有关的设计规则前提条件下插入接地金属图形。

本领域的技术人员在不脱离权利要求书确定的本发明的精神和范围的条件下，还可以对以上内容进行各种各样的修改。因此本发明的范围并不仅限于以上的说明，而是由权利要求书的范围来确定的。

Claims (12)

1.一种优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，包括：

步骤1，输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则；

步骤2，根据所述电路网表、电路仿真结果以及电路的物理版图进行电路分析，确定该电路中的高频器件和高频线网、敏感器件和敏感线网，以及关键器件和关键线网；

步骤3，根据所述电路的物理设计规则，在所述电路的物理版图上设定填充障碍；

步骤4，根据所述电路仿真结果进行电磁分析，确定所述电路的物理版图上的电磁热点；

步骤5，根据所述电磁热点在金属层上填充接地金属图形，直至不能通过新的接地金属填充优化电路的物理版图电磁分布；

步骤6，输出填充的金属图形到物理版图数据库。

2.如权利要求1所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，在所述步骤2中，确定该电路中的高频器件和高频线网的步骤具体包括：

步骤21，根据所述电路网表进行信号流分析，确定高频器件和高频线网；

步骤22，根据所述电路仿真结果中的信号频率，确定高频器件和高频线网；

步骤23，所述电路网表与电路的物理版图得到的电路网表进行一致性比较，确定高频器件和高频线网物理连线的几何位置。

3.如权利要求1所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，在所述步骤2中，确定该电路中的敏感器件和敏感线网的步骤具体包括：

步骤31，根据所述电路网表进行信号流分析，确定敏感器件和敏感线网；

步骤32，根据所述电路仿真结果中的信号变化的幅度和信号频率，确定敏感器件和敏感线网；

步骤33，所述电路网表与电路的物理版图得到的电路网表进行一致性比较，确定敏感器件和敏感线网物理连线的几何位置。

4.如权利要求1所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，在所述步骤2中，确定该电路中的关键器件和关键线网的步骤具体包括：

步骤41，根据所述电路网表进行信号流分析，确定关键器件和关键线网；

步骤42，根据所述电路仿真结果中的信号变化的幅度和信号频率，确定关键器件和关键线网；

步骤43，所述电路网表与根据电路的物理版图得到的电路网表进行一致性比较，确定关键器件和关键线网物理连线的几何位置。

5.如权利要求2、3或4所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

步骤51，根据一般器件的版图信息和电路的物理设计规则，计算一般器件的保护距离；

步骤52，根据一般线网物理连线的金属层次和几何信息，以及所述电路的物理设计规则，计算一般线网的保护距离；

步骤53，根据所述关键器件的版图信息和电路性能随所述关键器件变化的敏感程度，以及所述电路的物理设计规则，计算所述关键器件的保护距离；

步骤54，根据所述关键线网物理连线的金属层次、几何信息和电路性能对所述关键线网的敏感程度，以及所述电路的物理设计规则，计算所述关键线网的保护距离；

步骤55，在所述一般器件和关键器件的保护距离之内，以及一般线网和关键线网的保护距离之内，分别设置填充金属图形的障碍。

6.如权利要求5所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：

步骤61，根据所述电路仿真结果，确定所述电路的物理版图上的电磁源；

步骤62，对所述电磁源进行三维电磁仿真，确定所述电路的物理版图上的电磁热点。

7.如权利要求6所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，所述步骤5具体包括：

步骤71，根据所述电磁热点寻找对其它器件和线网存在干扰的高频器件和高频线网；

步骤72，在所述高频器件和高频线网的邻近区域，依据所述电路的物理设计规则插入接地金属图形；

步骤73，寻找收到电磁干扰的敏感器件和敏感线网；

步骤74，在所述敏感器件和敏感线网的邻近区域，依据所述电路的物理设计规则插入接地金属图形。

8.如权利要求2所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，所述步骤21具体为：从高频信号输入端口出发，按高频信号的流向遍历以所述电路网表构成的有向图，直至不能再前进为止；高频信号流经的线网为高频线网，高频信号流经的器件为高频器件。

9.如权利要求2所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，所述步骤22具体为：用户预设高频信号的频率标准，线网信号频率达到所述频率标准的为高频线网，与所述高频线网相连的非保护性器件为高频器件。

10.如权利要求3所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，所述步骤31具体为：从信号输入端口出发，按信号的流向遍历以所述电路网表构成的有向图，直至不能再前进为止；信号流经的信号放大器件为敏感器件，所述信号放大器件的输入线网为敏感线网。

11.如权利要求4所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，所述步骤42具体为：根据所述电路仿真结果中的信号变化幅度确定线网和器件是工作在大信号状态还是工作在小信号状态，工作在大信号状态的线网和器件为关键线网和关键器件；或者，工作信号频率高的器件和线网为关键线网和关键器件。

12.如权利要求5所述的优化集成电路版图电磁分布的方法，其特征在于，

所述步骤51具体为：根据一般器件内金属图形所在的金属层选取所述金属层对应的金属图形之间的最小间距值作为保护距离；或者，根据一般器件允许的最大寄生电容值计算后续填充引入的最大电容值，再根据连线之间的寄生电容光模型计算后续出填充图形与器件金属图形之间的最小距离作为一般器件的保护距离；

所述步骤52具体为：根据一般线网内金属图形所在的金属层选取所述金属层对应的金属图形之间的最小间距值作为保护距离；或者，根据一般线网允许的最大寄生电容值计算后续填充引入的最大电容值，再根据连线之间的寄生电容光模型计算后续出填充图形与器件金属图形之间的最小距离作为一般线网的保护距离；

所述步骤53具体为：根据电路性能对关键器件的敏感程度确定所述关键器件上最大允许寄生电容，进一步确定后续金属填充允许引入的最大寄生电容，再利用平版电容模型确定后续填充金属与所述关键器件最小外接矩形之间的最小距离，选取所述最小距离与电路的物理设计规则中允许的金属图形之间的最小间距中较大的值为所述关键器件的保护距离；

所述步骤54具体为：根据电路性能对关键线网的敏感程度确定所述关键线网上最大允许寄生电容，进一步确定后续金属填充允许引入的最大寄生电容，再利用平版电容模型确定后续填充金属与所述关键线网物理连线之间的最小距离，选取所述最小距离与电路的物理设计规则中允许的金属图形之间的最小间距中较大的值为所述关键线网的保护距离。

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