CN102308269B - 传感器、包括传感器的显示器以及使用传感器的方法 - Google Patents

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Abstract

一种传感器,该传感器包括:绝缘支撑体,其限定了正面;布置在所述支撑体的所述正面上的膜,该膜包括至少一层,该至少一层包括导电材料的图案;至少一个电容测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的至少一部分与其周围环境之间的电容;以及至少一个电阻测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的一对点之间的电阻。还公开了包括所述传感器的显示器以及利用所述传感器的方法。

Description

传感器、包括传感器的显示器以及使用传感器的方法
技术领域
本发明涉及传感器、包括传感器的显示器以及使用传感器的方法。该传感器可以用在用户接口和人机接口中,用来控制各种设备。
背景技术
在通过用户接口或人机接口来对设备进行控制的领域中,触摸传感器是公知的。触摸传感器通过对由用户的手指引起的电容作出反应,或者对由用户的手指的出现而导致的电容的变化作出反应而进行工作。
图6示意性地例示了示例性电容触摸板的前视图。它包括两种层:标记为“1”的层和标记为“2”的层。层“1”的电容性组件彼此垂直地连接。层“2”的电容性组件彼此水平地连接。标记为“3”的层是绝缘面。这提供了能够获得用户触摸显示器的位置的X坐标和Y坐标的矩阵结构。它也能够进行所谓的多点触控(multitouch)应用,即,用户可以利用不止一个手指来控制图形应用的应用。
示例性触摸板的上述层可以包括铟锡氧化物(ITO)。
目前业内希望提供改进的传感器、显示器和方法,以在用户接口的操作中显著地允许更大的灵活性。
发明内容
在独立权利要求中限定了这种传感器、显示器和方法。在从属权利要求中限定了有利的实施方式。
在本发明的一个实施方式中,传感器包括:绝缘支撑体,其限定了正面;布置在所述支撑体的正面的膜,该膜包括至少一层,该至少一层包括导电材料的图案;至少一个电容测量单元,其被设置为用于测量所述至少一层中的一个的图案的至少一部分与其周围环境之间的电容;以及至少一个电阻测量单元,其被设置为用于测量所述至少一层中的一个的图案的一对点之间的电阻。
在一个实施方式中,导电材料是铟锡氧化物(ITO)。因为ITO薄膜结构已经出现在某些显示板中用于实现电容触摸,所以ITO是有利的。因此这种ITO结构可以重复使用,不需或不需大量的设计变更。然而,本发明不限于ITO的图案。可以使用其它具有相似特征的导电材料。虽然在以下描述中将它称为ITO,但是应理解的是,总是可以用其它具有相似特征的导电材料来代替ITO。
ITO可以用于显示器。它是可以以薄的涂层形式来使用的透明导电材料。作为涂层,可以通过例如电子束蒸发或一系列溅射技术的方法来沉积ITO。
ITO是导电的,并且具有压阻特性。因此,可以检测到由用户的手指、手或其它物体所施加的力,并且通过监视层中的ITO图案的电阻的改变来进行测量。对于压阻材料而言,由于收缩所导致的电阻改变是通常金属的电阻改变的大约一百倍。这种效果不依赖于长度和面积的改变。因此利用简单的配置就可以实现触摸和释放或者拖放应用。
这里,将铟锡氧化物(ITO)定义为包括氧化铟(III)(In2O3)和氧化锡(IV)(SnO2)的固溶体。在一个实施方式中,按重量计算,ITO包括85%到95%之间的In2O3,以及7%到13%之间的SnO2。在一个实施方式中,按重量计算,ITO包括88%到92%之间的In2O3,以及8%到12%之间的SnO2
在一个实施方式中,膜由弹性材料制成。因而,可以重复地使用传感器,其中,在每次相互作用之间恢复相同的形状或基本上相同的形状。
在一个实施方式中,所述传感器是这样的:所述至少一个电阻测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否出现了手指、手或其它物体;并且至少一个电阻测量单元被设置为检测是否通过手指、手或其它物体在传感器上施加了力。
因此,可以使用更多的参量来通过用户接口对设备进行控制。因此,手指、手或其它物体是仅仅出现在传感器上或在传感器附近,还是在传感器上或在传感器附近施加了力可以用作用户接口的输入参量。在一个实施方式中,检测是否通过手指、手或其它物体在传感器上施加了力意味着检测是否通过手指、手或其它物体在传感器上施加了大于阈值的力。
在一个实施方式中,所述传感器是这样的:所述至少一个电容测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否出现了手指、手或其它物体;并且所述至少一个电阻测量单元被设置为估计由手指、手或其它物体施加在所述传感器上的力。
因此,可以使用更多的参量通过用户接口来控制设备。即,由手指、手或其它物体施加在传感器上的力的值也可以用作用户接口的输入参量。在一个实施方式中,用牛顿来表示力的值。在一个实施方式中,以相比较于参考值的百分比变化来表示力的值。
在一个实施方式中,所述传感器是这样的:所述至少一个电容测量单元包括:第一电容测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的图案的第一部分与其周围环境之间的电容;以及第二电容测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的图案的第二部分与其周围环境之间的电容。在该实施方式中,所述至少一个电阻测量单元包括:第一电阻测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的图案的第一部分的一对点之间的电阻;以及第二电阻测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的图案的第二部分的一对点之间的电阻。
因而,利用该实施方式的配置,手指、手或其它物体的出现、其位置以及所施加的力可以用作用户接口的控制参量。
在一个实施方式中,所述传感器是这样的:所述至少一个电容测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否出现了手指、手或其它物体,并且估计手指、手或其它物体在所述传感器上的位置;并且所述至少一个电阻测量单元被设置为检测是否通过手指、手或其它物体在所述传感器上施加了力。
如果没有将手指、手或其它物体放置在传感器上而仅仅是放置在其附近,则在一个实施方式中,手指、手或其它物体在传感器上的位置可以表示传感器上最接近于手指、手或其它物体的点的估计。
在一个实施方式中,所述传感器是这样的:所述至少一个电容测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否出现了手指、手或其它物体,并且估计手指、手或其它物体在所述传感器上的位置;并且所述至少一个电阻测量单元被设置为估计通过手指、手或其它物体在所述传感器上施加的力。
在一个实施方式中,所述传感器被设置为,当一个电容测量单元指示电容的变化超过阈值时,激活一个电阻测量单元。通过不永久地激活电阻测量单元,这表现出省电的优势。直到来自电容测量单元的中断指示了用户的手指、手或其它物体的出现,才需启动电阻测量单元。
在一个实施方式中,所述传感器被设置为,电容测量和电阻测量一个接一个地依次执行。即,当电容测量单元和电阻测量单元被同时激活时,在时刻t=0进行电容测量,在时刻t=1进行电阻测量,在时刻t=2进行新的电容测量,以此类推。换言之,电阻测量和电容测量是复用的。这防止了干扰的发生。在另一实施方式中,膜的单独区域被分别用于电容测量和电阻测量。
本发明还涉及包括上述传感器的显示器。在一个实施方式中,将传感器膜布置在实际激活的显示表面与外部显示表面之间。在一个实施方式中,传感器膜与外部显示表面之间没有气隙。在该实施方式中,显示器(堆叠结构)中的一连串的层可以包括例如:(1)实际激活的显示表面、(2)气隙、(3)传感器膜、(4)胶或带以及(5)外部显示表面(或所谓的外部窗口);或者(1)实际激活的显示表面、(2)胶或带、(3)传感器膜、(4)胶或带以及(5)外部显示表面。传感器膜与外部显示表面之间没有气隙,这改善了电容测量的灵敏度。此外,手指与传感器膜之间的距离越小,外部显示表面上存在手指时所获得的绝对电容就越大,并且“delta手指”就越大,即,存在手指时和没有手指时所获得的电容值之间的差异就越大。
在一个实施方式中,将传感器膜布置在实际激活的显示表面与外部显示表面之间,而不是布置在可能直接接触手指的外部显示表面上。这种构造防止或减少了磨损传感器膜的风险。
在一个实施方式中,所述传感器是透明的。因而,可以检测到手指、手或其它物体是否出现在显示器上;可以估计手指、手或其它物体在显示器上的位置(如果设置了多于一个电容测量单元),可以检测手指、手或其它物体是否在显示器上施加了力;还可以估计手指、手或其它物体在显示器上所施加的力。
本发明还涉及一种利用上述传感器的方法,该方法包括以下步骤:输出指示在传感器上或其附近存在手指、手或其它物体的信号;以及输出指示手指、手或其它物体是否在传感器上施加了力的信号。
本发明还涉及一种利用上述传感器的方法,该方法包括以下步骤:输出指示在传感器上或其附近存在手指、手或其它物体的信号;以及输出指示手指、手或其它物体在传感器上施加的力的信号。
本发明还涉及一种利用上述传感器的方法,该方法包括以下步骤:输出指示在所述传感器上或其附近存在手指、手或其它物体的信号;输出指示手指、手或其它物体是否在所述传感器上施加了力的信号;以及输出指示手指、手或其它物体在所述传感器上的二维位置的估计的信号。
本发明还涉及一种利用上述传感器的方法,该方法包括以下步骤:输出指示在传感器上或其附近存在手指、手或其它物体的信号;输出指示手指、手或其它物体在所述传感器上施加的力的信号;以及输出指示手指、手或其它物体在传感器上的二维位置的估计的信号。
在一个实施方式中,该方法还包括以下步骤:基于指示手指、手或其它物体在所述传感器上的二维位置的估计的信号(其提供了坐标x和y)以及指示手指、手或其它物体在所述传感器上施加的力的估计的信号(其提供了坐标z),输出指示手指、手或其它物体在所述传感器上的三维位置的估计的信号,其中,坐标x和y对应于沿着所述传感器的表面的两个不同的方向,而坐标z对应于与所述传感器的表面垂直的方向。
在一个实施方式中,膜是平的或者基本上是平的。在另一实施方式中,膜不是平的,而是弯的。在该实施方式中,坐标x、y可以沿着与膜局部相切的方向。坐标z可以沿着在一点与对应于坐标x、y的方向相垂直的方向。因此,坐标x、y、z可以是局部坐标。
如上所述,在本发明中,可以用其它具有相似特征的导电材料来代替ITO。在一个实施方式中,具有与ITO相似的特征的导电材料表示具有负的室温应变因子(gagefactor)的导电材料(应变因子的定义在例如S.E.Dyer,O.J.Gregory,P.S.Amons and A.Bruins Slot,Preparation and piezoresistive properties of reactively sputtered indium tinoxide thin films,Presented at the 22nd International Conference on MetallurgicalCoatings and Thin Films(ICMCTF 1995),San Diego,CA,April 24-28,1995,section″1.Introduction″,equation(2)中)。在另选实施方式中,具有与ITO相似特征的导电材料表示室温应变因子包括在-2和-1000;-4和-1000;以及-6和-1000之间的一个的导电材料。
具体来讲,透明导电氧化物(TCO:transparent conductive oxide)、导电聚合物和导电碳纳米管是代替ITO的备选。可以形成为薄膜形式(例如,通过沉积)并且压缩电阻响应大的材料是优选的。
附图说明
现在将结合附图描述本发明的实施方式,在附图中:
图1示意性地例示了本发明一个实施方式中的传感器;
图2示意性地例示了本发明一个实施方式中的传感器,其中,该传感器包括多于一个电容测量单元和多于一个电阻测量单元;
图3示意性地例示了本发明一个实施方式中的传感器,其中,ITO图案布置在多于一层上;
图4示意性地例示了本发明一个实施方式中的传感器的正面;
图5是在一个实施方式中使用的以实现电阻测量单元的惠斯顿(Wheatstone)桥的电路图;
图6示意性地例示了电容触摸板。
具体实施方式
现在将结合具体的实施方式来描述本发明。可以注意到,这些具体的实施方式用于提供给本领域技术人员更好的理解,而不旨在以任何方式限制由所附权利要求限定的本发明的范围。
图1示意性地例示了本发明一个实施方式中的传感器。传感器100包括限定了正面104的绝缘支撑体102。膜106布置在绝缘支撑体102的正面104上。膜106包括包含铟锡氧化物(ITO)图案108的至少一层。
传感器100还包括电容测量单元110,其被设置为用于测量图案108与其周围环境之间的电容。电容测量单元110通过接触点112连接至ITO图案108。周围环境可以包括手指114、手或其它物体,当其活动时可以改变由电容测量单元测得的电容。
例如,由Analog Devices,Norwood,Massachusetts,U.S.A.所制造的单电极电容传感器AD7147的所谓的CapTouch可编程控制器(见数据表,CapTouchTM ProgrammableController for Single Electrode Capacitance Sensors,AD7147,Preliminary Technical Data,06/07-Preliminary version F,2007 published Analog Devices,Inc)可以用作电容测量单元110。具体地,数据表的第11页说明了电容测量单元110可能的操作模式。
电容测量单元110不限于上述示例性的AD7147电容测量单元。也可以使用其它电容测量单元。
传感器100还包括电阻测量单元116,其被设置为测量ITO图案108的一对点118、120之间的电阻。
ITO具有好的压阻特性,如在S.E.Dyer,O.J.Gregory,P.S.Amons and A.BruinsSlot,Preparation and piezoresistive properties of reactively sputtered indium tin oxide thinfilms,Presented at the 22nd International Conference on Metallurgical Coatings and ThinFilms(ICMCTF 1995),San Diego,CA,April 24-28,1995:″Room-temperature gagefactors R/R0 as large as-77.71 were measured on patterned ITO films″中所说明的。这些应变因子比难熔的金属合金所报告的应变因子大得多。针对所有的ITO薄膜所观察到的大的、负的压阻响应(负的应变因子)与针对n型硅所观察到的响应相似。压阻响应是可再生的并且线性的,在高达700μin in -1的应力下具有很小的滞后或者没有滞后。
在图1例示的实施方式中,电容测量单元110被设置为检测手指114、手或其它物体在传感器100的表面处或传感器100的表面附近的出现。塑料的或玻璃的盖板(未示出)可以布置在传感器110的表面的膜106的上面。塑料的或玻璃的盖板可以充当保护元件。将电阻测量单元116设置为检测当手指114、手或其它物体放置在传感器100的表面时,是否通过手指114、手或其它物体施加了力。膜106(是一个有弹性的实施方式)由于通过手指114、手或其它物体所施加的力而弯曲,并且改变了接触点118与120之间的ITO图案的长度。由于ITO导电图案的压阻特性,电阻发生改变,并且可以通过电阻测量单元115进行测量,所以可以检测所施加的力,并且还可以估计所施加的力。
电阻测量单元116的表示电阻的信号输出(未示出)可以被转换为表示力的信号。根据是否在传感器100中施加了力并且根据在传感器110上所施加的力,在用户接口的控制逻辑中可以触发不同的动作。例如,如果所测得的力超过了预定阈值,则进行第一动作。如果所测得的力没有超过预定阈值,则进行第二动作。
在图1所例示的传感器100中,力测量是一个通道的测量。即,通过电阻测量单元116针对整个面板获得一个力测量,同时通过电容测量单元110提供手指位置。在一个实施方式中,在膜的不同位置进行几个力测量。
电阻测量单元116被设置为测量ITO图案108的一对点118、120之间的电阻,可以通过利用使用惠斯顿桥来实现电阻测量单元116。图5示出了这种电路的一种示例性电路图。参照图5,ITO图案108、要测量的电阻可以连接为R1。放大器可以是任何类型的适合的运算放大器。然而,电阻测量单元116不限于该基于惠斯顿桥的示例性实现。也可以使用其它电阻测量单元。
在一个实施方式中,可以用ITO层来覆盖显示器正面的玻璃的或塑料的窗口,然后充当膜106。来自用户的手指、手或其它物体的力导致该膜106中的应力,可以通过压阻电阻器结构来测量该应力。这使得它可以测量来自用户的手指114、手或其它物体的力。
灵敏度会根据施加力的位置而变化。但是这是可以预测的,并且可以利用X和Y坐标作为输入参数的查找表来进行补偿。
在许多应用中,仅需要力的相对测量。这表示不需要进行校准,并且可以顺利地处理取决于在显示器不同位置上的不同硬度(例如,由于温度变化)的灵敏度改变。
还可以提供控制单元(未示出)来控制电容测量单元110和电阻测量单元116的激活。
在一个实施方式中,将控制单元设置为仅当电容测量单元110输出指示在传感器100的表面上检测到手指114、手或其它物体的信号时才激活(即,启动)电阻测量单元116。如上所述,该配置通过不永久地激活电阻测量单元116来节省电力。直到来自电阻测量单元116的中断指示手指、手或其它物体出现在传感器100上时,才启动电阻测量单元116。当测得的电容改变超过预定阈值时,电容测量单元110可以输出指示在传感器100的表面上检测到手指114、手或其它物体的信号。
图2示例性地例示了本发明另一个实施方式中的传感器100。在绝缘支撑体102的正面104上,膜106包括ITO的图案108a、108b。图案108a、108b包括第一部分108a和第二部分108b。第一电容测量单元110a电连接至ITO部分108a以测量部分108a与其周围环境之间的电容,周围环境在某个时间点可以包括手指114、手(未示出)或其它物体(未示出)。通过接触点118a、120a来连接第一电阻测量单元116a,以测量图案部分108a的一对接触点118a、120a之间的电阻。因而,可以通过第一电容测量单元110a在部分108a的附近检测手指114、手或其它物体,并且通过第一电阻测量单元116a来估计由手指114、手或其它物体所施加的力。
第二电容测量单元110b电连接至第二ITO图案108b,以检测手指114在部分108b附近的出现。此外,第二电阻测量单元116b连接在两个接触点118b、120b之间,以测量第二部分108b的一对接触点118b、120b之间的电阻。因而,不仅可以检测手指114出现在传感器100上、或者出现在传感器100的附近,而且可以估计由手指114施加在传感器100上的力,也可以估计手指114在传感器100上的位置。
换言之,可以在膜106的多个不同位置进行多个出现检测和多个力量检测或测量。
另选地(图2中未例示),仅通过一个电阻测量单元106来获得一个力测量,而通过多个电容测量单元110来提供手指114的位置。
图3示意性地例示了本发明一个实施方式中的传感器100。膜106由两层组成。每个层都包括ITO图案108。第一层包括第一ITO图案部分108a和第二ITO图案部分108b。第二层包括第三ITO图案部分108c和第四ITO图案部分108d。提供电容测量单元(图3中未例示)来测量各个ITO图案部分108a、108b、108c、108d与其各自的周围环境之间的电容。提供电阻测量单元(图3中未例示)来测量各个ITO图案的接触点之间的电阻,以对由手指114对膜106上的对应ITO图案部分108a、108b、108c、108d所施加的力进行测量和/或估计。
电连接至各个ITO图案部分108a、108b的电容测量单元提供手指114沿着x方向在膜上的位置的指示(如图3所例示的)。电连接至各个ITO图案部分108c、108d的电容测量单元提供手指114沿着y方向在膜116上的位置的指示。
膜106可以包括不止两层。ITO图案部分可以是蛇形的形式(如图3所例示的)或者是任何其它形式。ITO图案部分在每一层上的数量可以是不同的。
图4是本发明一个实施方式中的传感器100的膜106的层的示意性前视图。标记为“L1”的三行ITO图案部分各自与一个电容测量单元以及一个电阻测量单元相连接。标记为“L2”的各列ITO图案部分与一个电容测量单元以及一个电阻测量单元相连接。根据各行和各列的电阻测量值和电容测量值,可以估计手指在膜上的位置以及由手指施加在膜上的力。因而,一个实施方式中的传感器具有与在ITO层中与电容感应相结合地利用压阻效果的应力计相似的结构。
根据本发明和/或其实施方式的、包括电容测量单元、电阻测量单元和控制单元的物理实体,可以包含或存储包括指令的计算机程序,当在物理实体上执行计算机程序时,根据本发明的实施方式实现这些单元的步骤、过程和功能。本发明也涉及这种用于实现单元的功能的计算机程序,并且涉及任何存储用于实现根据本发明的方法的计算机程序的计算机可读介质。
在本文中使用术语“电容测量单元”、“电阻测量单元”和“控制单元”的地方,关于这些部件可以有多分散以及这些部件可以有多集中并不进行限制。即,上述电容测量单元、电阻测量单元和控制单元的组成部件可以分布在用于实现预期的功能的不同的软件或硬件部件或装置中。也可以收集多个不同的部件以提供预期的功能。
可以以硬件、软件、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、固件等来实现传感器100的任何一个上述的单元。
在本发明的进一步的实施方式中,任何一个上述的和/或所要保护的电容测量单元、电阻测量单元和控制单元可以被分别替代为电容测量装置、电阻测量装置和控制装置,或者被分别替代为电容测量器、电阻测量器以及控制器,以执行电容测量单元、电阻测量单元和控制单元的功能。
在本发明的进一步的实施方式中,可以利用计算机可读指令(例如,以计算机可以理解的程序、方法等的形式)、以任何计算机语言、并且/或者以在固件、集成电路等上的嵌入式软件的形式来实现上述的步骤。
尽管基于具体的示例描述了本发明,具体的示例仅提供给本领域技术人员更好的理解,并不旨在限制本发明的范围。通过所附权利要求来限定本发明的范围。

Claims (15)

1.一种传感器,该传感器包括:
绝缘支撑体,其限定了正面;
布置在所述支撑体的所述正面上的膜,该膜包括至少一层,该至少一层包括导电材料的图案;
至少一个电容测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的至少一部分与其周围环境之间的电容;以及
至少一个电阻测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的连续部分的一对点之间的电阻。
2.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述导电材料是铟锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的传感器,其中
所述至少一个电容测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否存在手指或其它物体;并且
所述至少一个电阻测量单元被设置为检测是否通过所述手指或其它物体在所述传感器上施加了力。
4.根据权利要求1所述的传感器,其中
所述至少一个电容测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否存在手指或其它物体;并且
所述至少一个电阻测量单元被设置为估计由所述手指或其它物体施加在所述传感器上的力。
5.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述至少一个电容测量单元包括:
第一电容测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的第一部分与其周围环境之间的电容;以及
第二电容测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的第二部分与其周围环境之间的电容,并且,所述至少一个电阻测量单元包括:
第一电阻测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的第一部分的一对点之间的电阻;以及
第二电阻测量单元,其被设置为测量所述至少一层中的一个的所述图案的第二部分的一对点之间的电阻。
6.根据权利要求5所述的传感器,其中
所述至少一个电容测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否存在手指或其它物体,并且估计所述手指或其它物体在所述传感器上的二维位置;并且
所述至少一个电阻测量单元被设置为检测是否通过所述手指或其它物体在所述传感器上施加了力。
7.根据权利要求5所述的传感器,其中
所述至少一个电容测量单元被设置为检测所述传感器上或所述传感器附近是否存在手指或其它物体,并且估计所述手指或其它物体在所述传感器上的二维位置;并且
所述至少一个电阻测量单元被设置为估计通过所述手指或其它物体在所述传感器上施加的力。
8.根据权利要求1所述的传感器,该传感器被设置为,当一个电容测量单元指示电容的变化超过阈值时,激活一个电阻测量单元。
9.根据权利要求1所述的传感器,该传感器被设置为,电容测量和电阻测量一个接着一个地依次执行。
10.一种包括根据任一前述权利要求所述的传感器的显示器,其中,所述传感器布置在所述显示器的实际激活的显示表面与外部显示表面之间。
11.一种利用根据权利要求3或6所述的传感器的方法,该方法包括以下步骤:
输出指示在传感器上或其附近存在手指或其它物体的信号;以及
输出指示所述手指或其它物体是否在所述传感器上施加了力的信号。
12.一种利用根据权利要求4或7所述的传感器的方法,该方法包括以下步骤:
输出指示在所述传感器上或所述传感器附近存在手指或其它物体的信号;以及
输出指示所述手指或其它物体在所述传感器上施加的力的信号。
13.一种利用根据权利要求6所述的传感器的方法,该方法包括以下步骤:
输出指示在所述传感器上或所述传感器附近存在手指或其它物体的信号;
输出指示所述手指或其它物体是否在所述传感器上施加了力的信号;以及
输出指示所述手指或其它物体在所述传感器上的二维位置的估计的信号。
14.一种利用根据权利要求7所述的传感器的方法,该方法包括以下步骤:
输出指示在所述传感器上或所述传感器附近存在手指或其它物体的信号;
输出指示所述手指手或其它物体在所述传感器上施加的力的信号;以及
输出指示所述手指或其它物体在所述传感器上的二维位置的估计的信号。
15.根据权利要求14所述的方法,该方法还包括以下步骤:
基于以下信号来输出指示所述手指或其它物体在所述传感器上的三维位置的估计的信号:
指示所述手指或其它物体在所述传感器上的二维位置的估计的信号,该信号提供了坐标x和y;以及
指示所述手指或其它物体在所述传感器上施加的力的估计的信号,该信号提供了坐标z;
其中,坐标x和y对应于沿着所述传感器表面的两个不同的方向,而坐标z对应于与所述传感器的表面垂直的方向。
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