CN102308018B - 细微结构物的蒸镀装置以及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及细微结构物的蒸镀装置以及方法。具有：表面弹性波元件（10），具有隔开间隔而位于压电体（11）的表面的至少一对电极（12、13）；真空蒸镀装置（20），能够在表面弹性波元件的表面真空蒸镀两种以上的物质A、B；以及高频施加装置（30），在表面弹性波元件的电极间施加高频电压，在利用所述高频电压的施加而表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波的状态下构成多个薄膜层，在驻波的特定位置蒸镀细微结构物。

Description

细微结构物的蒸镀装置以及方法
技术领域
本发明涉及将细微结构物形成在预定的位置上的细微结构物的蒸镀装置以及方法。
背景技术
富勒烯（C60）是碳的同位素之一，构成其分子的碳原子的骨架是由正五边形和正六边形的组合构成的封闭多面体结构。公知这样的富勒烯或碳纳米管等的功能性分子具有各种功能。
但是，功能性分子等的分子尺寸非常小（在富勒烯的情况下，直径约为1nm），正确地控制其位置是非常困难的。因此，作为将这样的细微结构物形成在预定的位置上的位置控制手段，本发明的申请人先前发明且申请了专利文献1。
并且，作为其他的细微结构物的位置控制手段，公开了专利文献2、3。
专利文献1的目的在于高精度地控制细微结构物的位置或形成细微结构物的结构要素间的相对位置，如在图1中示意性地所示的那样，在基板1的表面产生表面弹性波的驻波2，利用该驻波来设定细微结构物的材料（量子点3）所附着的位置即细微结构物的位置。并且，在该图中，4是电极。
[专利文献1]：日本特开2006-332227号公报，“微細構造物作製方法及び装置”。
[专利文献2]：日本特开2008-260073号公报，“微細構造体の配列方法及び微細構造体を配列した基板、並びに集積回路装置及び表示素子”。
[专利文献3]：日本特许第4192237号公报，“ナノ構造の形状制御方法”。
但是，在专利文献1所公开的方法以及装置中存在以下的问题。
（1）所形成的细微结构物的位置在很大程度上被基板的表面状态左右。
（2）高频向电源的反射多，在真空中高频向基板的传输效率低。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的。即，本发明的目的在于提供一种细微结构物的蒸镀装置以及方法，能够降低基板的表面状态的影响，将细微结构形成在预定的位置，并且，能够效率良好地将高频传输到基板。
根据本发明，提供一种细微结构物的蒸镀装置，其特征在于，具有：表面弹性波元件，具有隔开间隔地位于压电体的表面的至少一对电极；真空蒸镀装置，能够在该表面弹性波元件的表面真空蒸镀两种以上的物质；以及高频施加装置，在表面弹性波元件的所述电极间施加高频电压，在利用所述高频电压的施加而在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波的状态下，构成多个薄膜层，将细微结构物蒸镀在所述驻波的特定位置。
根据本发明的优选的实施方式，所述多个薄膜层在表面弹性波元件的整个表面利用蒸镀形成富勒烯的层，接着在所述驻波的特定位置蒸镀细微结构物。
另外，所述真空蒸镀装置具有：真空室，容纳表面弹性波元件且能够将内部真空减压到预定的真空度；真空连接器，将高频电流导入到该真空室内，所述高频施加装置具有：高频发生装置，产生预定频率的高频电压；元件支架，具有阻抗匹配了的输入导电膜和接地导电膜，将高频电压输入到表面弹性波元件；同轴电缆，具有阻抗匹配了的中心导体和屏蔽金属，将高频电压从高频发生装置经由真空连接器输送到元件支架。
另外，所述输入导电膜和接地导电膜优选是隔着NiCr薄膜和Au薄膜电镀在绝缘基板上并且与所述高频从其表面向内部浸透的集肤深度（skin depth）厚的Cu膜。
另外，根据本发明，提供一种细微结构物的蒸镀方法，其特征在于：将具有隔开间隔地位于压电体的表面的至少一对电极的表面弹性波元件容纳在真空室内，并且真空减压到预定的真空度；在所述电极间施加高频电压，在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波；在该状态下，在表面弹性波元件上构成多个薄膜层，将细微结构物蒸镀在所述驻波的特定位置。
根据本发明的优选的实施方式，所述多个薄膜层在整个表面蒸镀富勒烯的层，接着将细微结构物蒸镀在所述驻波的特定位置。
另外，所述富勒烯的层以如下条件蒸镀：基板温度是室温～200℃、蒸镀速率是0.6～1.7Å/min、蒸镀厚度是30Å～10nm。
另外，所述表面弹性波元件优选是相邻的电极间的距离为500～900nm、中心频率为850～900MHz的SAW器件。
另外，在所述细微结构物的蒸镀中优选依次提高高频电压的频率，使表面弹性波的所述驻波依次变化为高次模式，将细微结构物蒸镀在与该驻波的节点相当的位置。
根据所述本发明的装置以及方法，具有表面弹性波元件、真空蒸镀装置以及高频施加装置，将具有隔开间隔地位于压电体的表面的至少一对电极的表面弹性波元件容纳在真空室内且真空减压到预定的真空度，在所述电极间施加高频电压，在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波，在该状态下，构成多个薄膜层，由此，能够在整个表面形成均质的薄膜层。
特别是，在该状态下，在表面弹性波元件的整个表面蒸镀富勒烯，由此，增大富勒烯的扩散距离，使富勒烯团簇均匀地分散，能够在整个表面形成均质的富勒烯层。
富勒烯（C60）是功能性分子，对于富勒烯分子来说，由于分子彼此进行范德华结合，所以，在压电基板上吸附数层富勒烯，由此，得到较大的扩散距离。
因此，接着在所述电极间施加高频电压，在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波，在该状态下，在富勒烯层之上蒸镀细微结构物（例如，Ag），由此，能够在高频电压引起的驻波的特定位置（例如，节点部）蒸镀细微结构物。
因此，能够降低基板（表面弹性波元件）的表面状态的影响，在预定的位置形成细微结构物。
另外，具有元件支架和同轴电缆，该元件支架具有阻抗匹配了的输入导电膜和接地导电膜，将高频电压输入到表面弹性波元件，该同轴电缆具有阻抗匹配了的中心导体和屏蔽金属，将高频电压从高频发生装置经由真空连接器输送到元件支架，所以，在元件支架以及同轴电缆中，能够使向电源的高频的反射为极小，能够将高频效率良好地传送到基板（表面弹性波元件）。
附图说明
图1是表示专利文献1的细微结构物制作方法的示意图。
图2是克拉尼图形（Chladni figure）的说明图。
图3是梳型电极的示意图。
图4是本发明的细微结构物的蒸镀装置的整体结构图。
图5是表示实验中使用的表面弹性波元件的电路结构的图。
图6是元件支架的平面图。
图7是元件支架和表面弹性波元件的连线图（connecting diagram）。
图8是实验得到的基板表面的SEM图像。
图9A是施加高频电压且在基板上蒸镀了富勒烯的情况下的基板表面的SEM图像。
图9B是施加高频电压且在基板上蒸镀了富勒烯的情况下的基板表面的SEM图像，但是，是与图9A不同的基板表面的区域的SEM图像。
图10A是使用图9A、图9B所示的基板且在电极间施加高频电压而在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波，并且，在该状态下在富勒烯层之上蒸镀了Ag的情况下的基板表面的SEM图像。
图10B是使用图9A、图9B所示的基板且在电极间施加高频电压而在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波，并且，在该状态下在富勒烯层之上蒸镀了Ag的情况下的基板表面的SEM图像，但是，是与图10A不同的基板表面的区域的SEM图像。
具体实施方式
以下，基于附图详细地对本发明的优选的实施方式进行说明。并且，对在各图中通用的部分标注相同的附图标记，省略重复的说明。
本发明的发明人着眼于使用表面弹性波（surface acoustic wave:SAW）作为纳米尺度物质（nanoscale substance）这样的细微结构物的位置控制手段。
图2是克拉尼图形的说明图。克拉尼图形是指如下现象：将粉状体5撒在金属板6等上，当在此产生驻波2时，粉状体5聚集在驻波的节点的位置而描绘出图形。
虽然克拉尼图形是宏观尺度的现象，但是，即使在纳米尺度物质中，如果驻波2的腹点（antinode）和节点（node）的位置上的物质的扩散长度不同，则产生使用了表面弹性波的驻波，由此，存在位置分布变化的可能性，能够作为物质的位置控制的技术来利用。
作为预备实验，本发明的发明人在作为压电元件的铌酸锂（LiNbO3）基板上制作相邻的电极间的距离为100μm的梳型电极（Inter Digital Transducer：IDT），使粒子尺寸为2～3μm或者20～30μm的硅粉分散后，在基板表面产生表面弹性波的驻波，用光学显微镜观察对散布的影响。
另外，此时使高频的频率或输入信号的强度发生变化，由此，确认硅粉的行为发生变化，明确了存在表面弹性波引起的对基板上的物质的影响。
但是，对于这样的预备实验的结果来说，考虑了微粒子的形状的偏差或硅粉的带电等各种不确定因素。另外，存在向梳型电极的高频导入路径中的传输损失的问题等不明确之处，需要使这些问题明确。
以下，在本申请中，“压电基板”是指具有当施加电压时产生变形（deformation）的压电性的基板。另外，“表面弹性波”是指能量仅在弹性体的表面附近进行集中而传播的弹性波。
图3是梳型电极的示意图。
如该图所示，在压电基板1之上制作梳型电极7并利用高频交流电源8施加电场时，由于进入压电基板1的内部的电场而引起压电效应，所以，表面附近发生变形，产生表面弹性波。
利用压电基板1传播的表面弹性波的声速v由下式（1）决定，为了产生表面弹性波所需要的频率f依赖于电极7间的距离λ。在图2中，λ为：
。
梳型电极7的各部分以同相进行振动，所以，产生电极部分为腹点、电极间为节点的驻波2。在该情况下，如图2所示，距离λ为利用压电效应所产生的上述的表面弹性波的波长，λ/2为驻波2的腹点与腹点的距离。并且，在图2中，附图标记A表示驻波2的振幅。
“机电耦合系数K”表示压电物质的静电能Ui和弹性能Ua之间的转换性能。关于静电能Ui和弹性能Ua，下式(2)成立。
此处，对于瑞利波，K2在水晶的情况下约为0.1[%]、在钽酸锂的情况下约为0.75[%]，对于水平剪切（SH）波，K2在钽酸锂的情况下约为7.6[%]。
在本发明中，以细微结构物（纳米尺度物质）的位置控制为目的，制作与为了使现象（phenomenon）减小所需要的高频对应的蒸镀装置，选择具有适于位置控制的尺度的扩散距离的物质进行了实验。
图4是本发明的细微结构物的蒸镀装置的整体结构图。
在该图中，本发明的蒸镀装置具有表面弹性波元件10、真空蒸镀装置20以及高频施加装置30。
表面弹性波元件10具有隔开间隔而位于压电体11的表面的至少一对电极12、13。
压电体11是由水晶、LiNbO3、LiTaO3等的压电体形成的平板。另外，电极12、13优选是间隔被设定为恒定的梳型的对置电极。该表面弹性波元件10具有与作为高频电子器件之一的SAW器件类似的结构。
因此，作为表面弹性波元件10，能够使用相邻的电极间的距离为500～900nm、中心频率为850～900MHz的SAW器件。
真空蒸镀装置20能够在表面弹性波元件10的表面真空蒸镀两种以上的物质A、B。物质A、B在后述的例子中是富勒烯（C60）和银（Ag），但也可以是其他金属或者半导体。
真空蒸镀装置20具有：真空室22，容纳表面弹性波元件10，并且，能够将内部真空减压到预定的真空度；真空连接器24，将高频电流导入到真空室22内。
该真空蒸镀装置20中的蒸镀也可以是加热蒸镀、溅射、各种CVD（Chemical Vapor Deposition）或者MBE（Molecular Beam Epitaxy）中的任意一种。另外，该真空蒸镀装置20也可以兼有用于清洗表面弹性波元件10的表面的离子溅射功能。
另外，在该例子中，真空蒸镀装置20还具有基板加热器26，能够将基板（表面弹性波元件10）加热到所希望的温度。
高频施加装置30对表面弹性波元件10的一对电极12、13施加高频电压。
高频施加装置30具有高频发生装置32、放大器33、元件支架34以及同轴电缆36。
高频发生装置32产生预定频率（例如，100MHz～30GHz之间的频率）的高频电压。
放大器33将所产生的高频电压放大。并且，也能够省略放大器33。
元件支架34具有阻抗匹配了的输入导电膜（未图示）和接地导电膜（未图示），将高频电压输入到表面弹性波元件10。
同轴电缆36具有阻抗匹配了的中心导体（未图示）和屏蔽金属（未图示），将高频电压从高频发生装置32经由真空连接器24输送到元件支架34。
使用上述的装置，在本发明的细微结构物的蒸镀方法中：
（A）将具有隔开间隔而位于压电体11的表面的至少一对电极12、13的表面弹性波元件10容纳在真空室22内并且真空减压到预定的真空度。表面弹性波元件10可以是相邻的电极间的距离为500～900nm、中心频率为850～900MHz的SAW器件。
（B）然后，在电极12、13间施加高频电压，在表面弹性波元件10的表面产生表面弹性波的驻波。
（C）在该状态下，在表面弹性波元件10的整个表面蒸镀富勒烯。在该富勒烯的蒸镀中，基板温度为室温～200℃、蒸镀速率是0.6～1.7Å/min、蒸镀厚度是30Å～10nm。
（D）接着，在富勒烯层的高频电压引起的驻波的特定位置，蒸镀细微结构物。
当从高频发生装置32将预定频率的高频电压施加到上述的电极12、13间时，在电极12、13间产生与该频率对应的表面弹性波的驻波2。
该驻波2不限于1次模式，驻波2的次数由高频电压的频率、电极12、13间的距离以及基板（表面弹性波元件10）的表面（形成面）的表面弹性波的传播速度决定。
因此，例如对可变设定容易的高频电压的频率进行调节，由此，能够任意地设定驻波2的次数。
例如，使高频电压的频率依次提高，使表面弹性波的驻波2依次变化为高次模式，能够在相当于驻波2的节点的位置蒸镀细微结构物。
在电极12、13的表面弹性波的波的相位相差π（180°）的情况下，电极12、13间的驻波的腹点和节点的位置成为固定位置。另外，形成面在节点处在垂直方向不进行位移，但是，随着从该节点离开，形成面的位移变大。
即，形成面起因于驻波2，垂直方向的空间状态根据其部位而不同。垂直方向的位移最小的部位（相当于驻波的节点的部位）与其他的部位相比，空间状态稳定，所以，蒸汽化了的材料容易附着。与此相对，空间状态不稳定的部位具有蒸汽化了的材料难以附着的特征。
根据上述的本发明的装置以及方法，具有表面弹性波元件10、真空蒸镀装置20以及高频施加装置30，将具有隔开间隔而位于压电体11的表面的至少一对电极12、13的表面弹性波元件10容纳在真空室22内并且真空减压到预定的真空度，在电极12、13间施加高频电压，在表面弹性波元件10的表面产生表面弹性波的驻波2，在该状态下，构成多个薄膜层（例如，富勒烯的薄膜层或者与富勒烯同等程度以上的大小的分子的薄膜层），由此，能够在整个表面形成均质的薄膜层。
特别是，在该状态下，在表面弹性波元件10的整个表面蒸镀富勒烯，由此，增大富勒烯的扩散距离，使富勒烯团簇均匀地分散，能够在整个表面形成均质的富勒烯层。
富勒烯（C60）是功能性分子，对于富勒烯分子来说，分子彼此进行范德华结合，所以，在压电基板上吸附数层富勒烯，由此，得到较大的扩散距离。
因此，接着在电极12、13间施加高频电压，在表面弹性波元件10的表面产生表面弹性波的驻波2，在该状态下，在富勒烯层之上蒸镀细微结构物（例如Ag），由此，能够在高频电压引起的驻波的特定位置（例如，节点部）蒸镀细微结构物。
因此，能够降低基板（表面弹性波元件10）的表面状态的影响，能够将细微结构形成在预定的位置。
另外，具有元件支架34和同轴电缆36，该元件支架34具有阻抗匹配了的输入导电膜和接地导电膜并且将高频电压输入到表面弹性波元件，该同轴电缆36具有阻抗匹配了的中心导体和屏蔽金属并且将高频电压从高频发生装置经由真空连接器输送到元件支架，所以，在元件支架34以及同轴电缆36中，能够使高频向电源的反射为极小并且效率良好地将高频传输到基板（表面弹性波元件10）。
以下，说明本发明的实施例。
实施例1
（实验方法）
（1）蒸镀装置的高频对应
本发明中的实验全部在高真空度的真空室22内进行。为了在纳米尺度的表面弹性波的振荡时进行蒸镀，需要从外部向真空室22内导入预定频率（最大3GHz左右）的高频。因此，使用了高频对应的真空连接器24、以及以与高频对应的方式设计并加工而成的元件支架34。
图5是表示在实验中使用的表面弹性波元件10的电路结构的图。在该图中，表面弹性波元件10具有压电体11、电极12、13以及反射器14（reflector）。电极12、13是梳型电极（IDT），在电极12、13之间产生表面弹性波。反射器14具有将表面弹性波引起的振动提高的功能。
在该例中，上下设置一组表面弹性波元件10，使一方（例如，下侧）所产生的表面弹性波传播到另一方（例如，上侧），并且，使得它们共振。
并且，所述的表面弹性波元件10作为SAW器件在市场上销售。
图6是元件支架34的平面图。在该图中，34a是输入导电膜、34b是接地导电膜、34c是绝缘基板（玻璃）。输入导电膜34a和接地导电膜34b是与所使用的高频从其表面向内部实质性浸透的集肤深度相比充分厚的Cu膜，隔着NiCr薄膜（未图示）和Au薄膜（未图示）电镀在绝缘基板34c上。并且，Cu膜也可以是Au膜。
一般地，某物质的集肤深度d（高频的强度成为1/e的深度）在下式（3）中给出。
此处，f是频率[Hz]、μ是导磁率、σ是电导率。
在铜的情况下，μ=4π×10-7[H/m]、σ=5.82×107[S/m]，在振荡频率为f=880MHz的情况下，集肤深度d为约2.2μm。因此，作为上述“充分厚的Cu膜”，使膜的厚度为约20μm左右以上，由此，几乎能够消除高频的泄漏。
在本发明的实施例中，使Cu膜的厚度为约80μm，隔着NiCr薄膜（约10nm厚）和Au薄膜（约100nm厚）电镀了Cu膜。隔着NiCr薄膜和Au薄膜的理由是：即使将Cu膜直接电镀在绝缘基板（玻璃）上也容易剥离，所以，将能够电镀在绝缘基板（玻璃）上的NiCr薄膜和能够进行铜电镀的Au薄膜作为中间层。
另外，元件支架34的大小（宽度约20mm、长度约25mm）和Cu膜的厚度（约80μm）以输入导电膜34a和接地导电膜34b的阻抗与电源侧以及基板侧匹配的方式设定。
图7是元件支架34和表面弹性波元件10的连线图。在该图中，12a是电极12的输入端子、13a是电极13的输入端子、15是接地端子、17（粗线）是接合线（Au线）。
在该例中，利用接合线17将输入端子12a和输入导电膜34a、输入端子13a和接地导电膜34b、以及接地端子15和接地导电膜34b电连接。
另外，上述的同轴电缆36的中心导体与输入导电膜34a的一方（例如，右侧）电连接，并且，同轴电缆36的屏蔽金属与接地导电膜34b电连接。
利用该结构，在元件支架34以及同轴电缆36中能够大幅度地降低高频的泄漏和向电源的反射，能够效率良好地向基板（表面弹性波元件10）传输高频。
进而，在本发明中具有频谱分析仪（未图示），利用同轴电缆将频谱分析仪电连接到输入导电膜34a的另一方（例如，左侧）和接地导电膜34b，改良检测手段，使得能够检测出在表面弹性波元件10产生了表面弹性波。
（2）扩散距离的估计
为了使用梳型电极产生表面弹性波并且进行细微结构物（纳米尺度物质）的位置变化的观察，压电基板上的吸附物质的扩散距离需要是梳型电极的间隔的1/3左右。对于富勒烯分子来说，公知分子彼此进行范德华结合，被认为通过在压电基板上吸附1～3层富勒烯，由此，得到较大的扩散距离。因此，将富勒烯蒸镀在作为压电基板的LiNbO3基板上，估计表面上的扩散距离。此时，将基板温度和蒸镀速率作为参数进行变化。
实施方式2
（3）使SAW器件振荡的实验
使用表面弹性波器件（以下，称为“SAW器件”）进行了实验，该表面弹性波器件是作为具有间隔1μm左右的梳型电极的使用了表面弹性波的滤波器而在市场上销售的器件。SAW器件使梳型电极以固有频率共振，被用作频率滤波器，所以，能够在电极间产生稳定的表面弹性波的驻波。用水晶基板的SAW器件（村田製作所制造）以及机电耦合系数比水晶基板的机电耦合系数大的钽酸锂基板的SAW器件（日立メディアエレクトロニクス制造）进行了实验。SAW器件的加热利用钨丝（tungsten wire）的通电加热来进行，其温度测定通过将镍镉镍铝合金热电偶安装在元件支架34上来进行。
（实验结果）
<扩散距离的估计>
从蒸镀后观察到的SEM图像求出团簇间的平均的距离。将该结果表示在表1中。根据该实验结果，表观的扩散距离是100～200nm左右，对于与基板的吸附能量来说，根据团簇间隔的温度变化，估计为约0.06eV。因此，可知如果相邻的电极的间隔是扩散距离的两倍左右，则能够观察到表面弹性波带来的影响。
[表1]
。
实施方式3
<利用水晶基板的SAW器件进行的实验>
对相邻的电极间的距离为900nm左右、中心频率为868MHz的水晶基板的SAW器件进行激励，真空蒸镀富勒烯。
高频从高频发生装置32（RF振荡器）以17dBm输出，利用放大器33（功率放大器）放大到30dBm（101.3倍），施加到梳型电极12、13。
因为富勒烯的直径约1nm，所以，为了进行与吸附能量的比较，使用来自RF振荡器的输出值，对针对梳型电极部分的单位面积（1平方纳米）的每1秒的弹性波的能量进行计算的结果是2.52×104[eV/nm2]。因此，如果基板上的富勒烯分子的平均停留时间是10-6[sec]左右，则与吸附能量大致相等，能够预想利用基板的振动而使吸附物质容易扩散。
富勒烯的蒸镀条件如下：估计了200nm以上的扩散距离的基板温度是200℃、蒸镀速率是0.6～0.8Å/min、蒸镀厚度是30Å。另外，在表面弹性波振荡的确认中，用蒸镀室内设置的天线进行接收，用频谱分析仪进行检测。
图8是该实验所得到的基板表面的SEM图像。
可知在图8的基板上富勒烯的团簇大致均匀分布，团簇间的距离也远比在LiNbO3基板上所观察到的短。作为其原因，被认为是由于水晶基板的最终的表面处理不明确，所以，引起了污垢等所导致的不均匀核形成。因此，考虑到难以根据该SEM图像对表面弹性波的影响进行判断，而将使用机电耦合系数更大的Li类基板的SAW器件用作基板。另外，考虑到在蒸镀室内存在高频的传输损失，所以，对导入路径进行了再度的改良。
上述的图6的元件支架34和图7的连线是该改良后的结构。
实施方式4
<利用钽酸锂（LiTaO3）基板的SAW器件进行的实验>
对相邻的电极间的距离为500nm左右、中心频率为881MHz的LiTaO3基板的SAW器件进行激励，进行了富勒烯的蒸镀实验。
起初，尝试了高频的输出是17dBm、基板温度是200℃的条件下的实验，但由于产生了梳型电极的破损等的问题，所以，使高频的输出为7dBm（1/10）、使基板温度为室温进行了实验。
与水晶器件时同样地算出每单位面积的弹性波的能量的结果是每1秒为1.34×105[eV/nm2]，比用水晶的实验时稍差，但是，由于高频导入路径的改良，能够用同轴电缆传送至样本附近，所以，能够预想提供更大的振幅。
以前富勒烯的蒸镀速率为1.7Å/min左右，改变蒸镀量进行了观测，但是，在蒸镀量为50Å的情况下，对团簇的分布的明确的影响没有被观察到，对提高了蒸镀量和高频的输入功率的情况进行了实验。另外，关于表面弹性波振荡的确认，如上所述，为了增加检测的可靠性，从SAW器件的输出侧使用同轴电缆传输，用频谱分析仪进行检测。
图9A和图9B是在施加高频电压并且在基板上蒸镀有富勒烯的情况下的基板表面的SEM图像。并且，图9A和图9B是基板上的不同区域的SEM图像。
该蒸镀条件如下：基板温度是室温、蒸镀速率是1.7Å/min、富勒烯膜的蒸镀量是5nm、高频施加是7dBm。
在图9A和图9B中，富勒烯的团簇在基板以及电极的整个面大致均匀地分散，在整个表面形成有均质的富勒烯层。
图10A和图10B是使用图9A和图9B所示的基板并在电极间施加高频电压而在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波，在该状态下，在富勒烯层之上蒸镀了Ag的情况下的基板表面的SEM图像。并且，图10A和图10B是基板上的不同区域的SEM图像。
细微结构物的蒸镀条件如下：基板温度是室温、蒸镀速率是1.7Å/min、富勒烯的膜厚是5nm、Ag的膜厚是2nm、高频施加是7dBm。
在图10A和图10B中，可知Ag的细微结构仅被蒸镀在高频电压引起的驻波的特定位置（输入电极12的节点部），能够降低与基板（表面弹性波元件10）表面以及电极表面的相互作用，能够将细微结构形成在预定的位置。
根据上述的本发明，在高频发生装置32中所产生的高频经由传输电缆36和真空连接器24进入真空室22内，进而，经由波导（元件支架34）到达SAW器件10，因此，产生表面弹性波的驻波2。驻波2的发生利用频谱分析仪进行检测。
在产生了驻波2的状态下，进行两层的真空蒸镀。此时，第一层使用富勒烯等的较大的分子，第二层使用所希望的材料。
利用驻波在基板上形成有表面能量高的点（spot），蒸镀微粒子聚集于此，能够形成纳米结构。
并且，对于本发明来说，并不限于上述的实施方式，而由技术方案的记载示出，进而包括与技术方案的记载等同的含义以及范围内的所有变更。

Claims (9)

1.一种细微结构物的蒸镀装置，其特征在于，具有：
表面弹性波元件，具有隔开间隔而位于压电体的表面的至少一对电极；
真空蒸镀装置，能够在该表面弹性波元件的表面真空蒸镀两种以上的物质；以及
高频施加装置，在所述表面弹性波元件的所述电极间施加高频电压，
所述表面弹性波元件是具有当施加电压时产生变形的压电性的压电基板，
在通过所述高频电压的施加而在所述表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波的状态下，通过蒸镀在所述表面弹性波元件的整个表面上形成富勒烯或者富勒烯的大小以上的大小的分子的一个或多个薄膜层，接着，在所述驻波的节点部蒸镀纳米尺度的细微结构物。
2.如权利要求1所述的细微结构物的蒸镀装置，其特征在于，
所述一个或多个薄膜层通过在表面弹性波元件的整个表面上蒸镀富勒烯的层而形成。
3.如权利要求1所述的细微结构物的蒸镀装置，其特征在于，
所述真空蒸镀装置具有：
真空室，容纳表面弹性波元件，并且，能够将内部真空减压到预定的真空度；以及
真空连接器，将高频电流导入到该真空室内，
所述高频施加装置具有：
高频发生装置，产生预定频率的高频电压；
元件支架，具有阻抗匹配了的输入导电膜和接地导电膜，将高频电压输入到表面弹性波元件；以及
同轴电缆，具有阻抗匹配了的中心导体和屏蔽金属，将高频电压从高频发生装置经由真空连接器传播到元件支架。
4.一种细微结构物的蒸镀装置，其特征在于，具有：
表面弹性波元件，具有隔开间隔而位于压电体的表面的至少一对电极；
真空蒸镀装置，能够在该表面弹性波元件的表面真空蒸镀两种以上的物质；以及
高频施加装置，在表面弹性波元件的所述电极间施加高频电压，
在通过所述高频电压的施加而在表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波的状态下，构成多个薄膜层，在所述驻波的特定位置蒸镀细微结构物，
所述真空蒸镀装置具有：
真空室，容纳表面弹性波元件，并且，能够将内部真空减压到预定的真空度；以及
真空连接器，将高频电流导入到该真空室内，
所述高频施加装置具有：
高频发生装置，产生预定频率的高频电压；
元件支架，具有阻抗匹配了的输入导电膜和接地导电膜，将高频电压输入到表面弹性波元件；以及
同轴电缆，具有阻抗匹配了的中心导体和屏蔽金属，将高频电压从高频发生装置经由真空连接器传播到元件支架，
所述输入导电膜和接地导电膜是隔着NiCr薄膜和Au薄膜电镀在绝缘基板上并且与所述高频从其表面向内部浸透的集肤深度相比充分厚的Cu膜。
5.一种细微结构物的蒸镀方法，其特征在于，
使得表面弹性波元件是具有当施加电压时产生变形的压电性的压电基板，
将具有隔开间隔而位于压电体的表面的至少一对电极的所述表面弹性波元件容纳在真空室内并且真空减压到预定的真空度，
在所述电极间施加高频电压，在所述表面弹性波元件的表面产生表面弹性波的驻波，
在该状态下，在所述表面弹性波元件的整个表面上蒸镀富勒烯或者富勒烯的大小以上的大小的分子的一个或多个薄膜层，接着，在所述驻波的节点部蒸镀纳米尺度的细微结构物。
6.如权利要求5所述的细微结构物的蒸镀方法，其特征在于，
所述一个或多个薄膜层通过蒸镀富勒烯的层而形成。
7.如权利要求6所述的细微结构物的蒸镀方法，其特征在于，
所述富勒烯的层以如下条件蒸镀：基板温度是室温～200℃，蒸镀速率是0.6～1.7Å/min，蒸镀厚度是30Å～10nm。
8.如权利要求5所述的细微结构物的蒸镀方法，其特征在于，
所述表面弹性波元件是相邻的电极间的距离为500～900nm、中心频率为850～900MHz的SAW器件。
9.如权利要求5所述的细微结构物的蒸镀方法，其特征在于，
在所述细微结构物的蒸镀中，依次使高频电压的频率提高，使表面弹性波的所述驻波依次变化为高次模式，在相当于该驻波的节点的位置蒸镀细微结构物。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109957762B (zh) * 2017-12-14 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法以及蒸镀装置

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3520721A (en) * 1967-08-30 1970-07-14 Hermsdorf Keramik Veb Thin-layered electrical printed circuits and method of manufacturing
JPS5485389A (en) * 1977-12-21 1979-07-06 Kouenerugii Butsurigaku Kenkiy Insulated coaxial vacuum terminal
US4199737A (en) * 1978-10-18 1980-04-22 Westinghouse Electric Corp. Magnetostatic wave device
JPS5694815A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
USH675H (en) * 1984-11-29 1989-09-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for chemical reaction control using a surface acoustic wave device
US4668331A (en) * 1985-04-26 1987-05-26 Ostriker Jeremiah P Method for forming single crystals of silicon by use of a standing hypersonic wave
JPH01101718A (ja) * 1987-10-14 1989-04-19 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置
EP0367181B1 (en) * 1988-10-31 1994-04-20 Hitachi, Ltd. Surface acoustic wave filter device
JPH02199910A (ja) * 1989-01-27 1990-08-08 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置
JP3257807B2 (ja) * 1991-05-17 2002-02-18 理化学研究所 固体表面の周期的微細構造の形成方法
EP0635938B1 (de) * 1993-07-20 1998-04-15 AVL List GmbH Piezoelektrisches Kristallelement
JPH0786613A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Toshiba Corp 量子効果素子の製造方法
JP2000516708A (ja) * 1996-08-08 2000-12-12 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置
US6683783B1 (en) * 1997-03-07 2004-01-27 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
JP2000219600A (ja) * 1999-01-27 2000-08-08 Nippon Steel Corp 微結晶粒および微結晶細線及びそれらの作成方法
KR100429474B1 (ko) * 1999-10-18 2004-05-03 가부시끼가이샤 도시바 탄성 표면파 장치
US6777245B2 (en) * 2000-06-09 2004-08-17 Advalytix Ag Process for manipulation of small quantities of matter
USH2193H1 (en) * 2001-01-30 2007-07-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of growing homoepitaxial silicon carbide
JP2002261189A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Murata Mfg Co Ltd 高周波用回路チップ及びその製造方法
US7288293B2 (en) * 2001-03-27 2007-10-30 Apit Corp. S.A. Process for plasma surface treatment and device for realizing the process
US20030124717A1 (en) * 2001-11-26 2003-07-03 Yuji Awano Method of manufacturing carbon cylindrical structures and biopolymer detection device
US20030152700A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 Board Of Trustees Operating Michigan State University Process for synthesizing uniform nanocrystalline films
US6774333B2 (en) * 2002-03-26 2004-08-10 Intel Corporation Method and system for optically sorting and/or manipulating carbon nanotubes
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6776118B2 (en) * 2002-04-16 2004-08-17 The Mitre Corporation Robotic manipulation system utilizing fluidic patterning
US6777315B1 (en) * 2002-06-04 2004-08-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of controlling the resistivity of Gallium Nitride
WO2004079716A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-16 Oberti, Stefano Method for positioning small particles in a fluid
US6969690B2 (en) * 2003-03-21 2005-11-29 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles
JP2004297359A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器
JP4192237B2 (ja) * 2003-05-09 2008-12-10 独立行政法人物質・材料研究機構 ナノ構造の形状制御方法
US6784083B1 (en) * 2003-06-03 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method for reducing physisorption during atomic layer deposition
EP1649076B1 (en) * 2003-06-27 2010-05-19 Sundew Technologies, LLC Apparatus and method for chemical source vapor pressure control
JP4228204B2 (ja) * 2003-07-07 2009-02-25 セイコーエプソン株式会社 有機トランジスタの製造方法
US7339304B2 (en) * 2003-10-03 2008-03-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
US7385463B2 (en) * 2003-12-24 2008-06-10 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and electronic circuit device
JP4661065B2 (ja) * 2004-03-22 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 相補型有機半導体装置
US6958565B1 (en) * 2004-04-05 2005-10-25 Honeywell International Inc. Passive wireless piezoelectric smart tire sensor with reduced size
US7399280B2 (en) * 2004-04-21 2008-07-15 Honeywell International Inc. Passive and wireless in-vivo acoustic wave flow sensor
JPWO2006027863A1 (ja) * 2004-09-03 2008-05-08 独立行政法人科学技術振興機構 ナノ物質の操作方法およびその利用
US7165298B2 (en) * 2004-09-14 2007-01-23 Honeywell International Inc. Method of making a surface acoustic wave device
US7814776B2 (en) * 2004-11-11 2010-10-19 The Penn State Research Foundation Carbon nanotube-quartz resonator with femtogram resolution
EP1870998A4 (en) * 2005-03-28 2010-11-24 Tokyo Inst Tech SUPERFICIAL ACOUSTIC WAVE MOTOR
GB2425882A (en) * 2005-04-29 2006-11-08 Univ Northumbria Newcastle Positioning apparatus
JP4936301B2 (ja) * 2005-05-25 2012-05-23 公立大学法人横浜市立大学 微細構造物作製方法及び装置
US20070028692A1 (en) * 2005-08-05 2007-02-08 Honeywell International Inc. Acoustic wave sensor packaging for reduced hysteresis and creep
WO2008004408A1 (fr) * 2006-07-05 2008-01-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dispositif d'onde de surface élastique
UA95486C2 (uk) * 2006-07-07 2011-08-10 Форс Текнолоджи Спосіб та система для поліпшеного застосування високоінтенсивних акустичних хвиль
US7474456B2 (en) * 2007-01-30 2009-01-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Controllable composite material
JP4381428B2 (ja) * 2007-04-10 2009-12-09 シャープ株式会社 微細構造体の配列方法及び微細構造体を配列した基板、並びに集積回路装置及び表示素子
EP2153704B1 (en) * 2007-05-11 2018-02-14 Force Technology Enhancing plasma surface modification using high intensity and high power ultrasonic acoustic waves
US7579759B2 (en) * 2007-06-11 2009-08-25 City University Of Hong Kong Surface acoustic wave (SAW) devices based on cubic boron nitride/diamond composite structures
ITTO20070554A1 (it) * 2007-07-26 2009-01-27 Fond Istituto Italiano Di Tec Dispositivo per il controllo del moto di fluidi in micro o nanocanali tramite onde acustiche superficiali.
US7695993B2 (en) * 2008-05-07 2010-04-13 Honeywell International Inc. Matrix nanocomposite sensing film for SAW/BAW based hydrogen sulphide sensor and method for making same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2006-332227A 2006.12.07

Also Published As

Publication number Publication date
CN102308018A (zh) 2012-01-04
JP5458300B2 (ja) 2014-04-02
JP2010180465A (ja) 2010-08-19
KR20110098829A (ko) 2011-09-01
US20110311737A1 (en) 2011-12-22
WO2010090254A1 (ja) 2010-08-12
KR101304326B1 (ko) 2013-09-11

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