CN102292804B - 利用非振动接触势差传感器的图案化晶片检查系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于检查具有相对功函数的重复图案的材料表面的方法和系统。所述方法和系统处理传感器数据以识别表征重复图案的数据，然后传感器数据被进一步处理以去除表征重复数据的数据，从而表征材料表面的不均匀性。

Description

利用非振动接触势差传感器的图案化晶片检查系统

相关申请的交叉引用

本申请要求提交于2009年2月3日的美国临时申请No.61/149,605的优先权。该临时申请的内容以引用方式全文并入本文。

技术领域

本发明涉及用于检查包括半导体表面和半导体材料在内的表面和材料的方法和系统。更具体地讲，本发明涉及在包含功函数变化的重复图案的表面上利用非振动接触势差传感器检测和测量表面或表面下不均匀性和/或电荷的方法。

背景技术

半导体器件的功能、可靠性和性能依赖于使用清洁且均匀的半导体材料和表面。已经花费了大量金钱和无数工时来开发、表征和优化用于加工和处理半导体材料的系统和工艺。这样做的主要目的是加工出极其清洁并且具有预定的所需性质的材料和表面，所述性质在整个晶片上是均匀的、均匀地变化或者以可程式化的方式变化。为了表征和优化这些工艺和所得材料，需要能够检查和测量表面或体清洁度和均匀性或者整个表面上的性质的精确变化。为了实时的工艺控制，需要能够高速地在整个表面上进行许多测量，并且这样做不会损坏或污染半导体表面。

可用于检查图案化晶片的技术非常有限。最常见的方法和系统使用光学技术或基于光的技术来检查颗粒、刮痕或其他类型的物理缺陷。其工作方式如下：用宽带光、窄带光或激光来照射表面，利用光学器件收集散射或反射的光，并利用诸如电荷耦合器件(CCD)、时间延迟积分(TDI)传感器或光电倍增管(PMT)的光传感器获取图像。然后，这些系统处理这些图像以检测诸如颗粒和刮痕的物理缺陷。作为另外一种选择，可使用电子束技术，即，使晶片经受高真空，使电子加速到晶片表面上，从表面收集散射的电子，并利用闪烁体和PMT获取图像。然而，这些类型的系统无法检测晶片表面中或上的亚单层化学不均匀性；并且无法检测整个晶片上预先存在的电荷变化。能够检测小的化学变化的技术不适用于检查图案化晶片，因为这些技术缺少检查整个晶片所需的速度或分辨率，是破坏性的，或者不适用于在包括显著的材料和几何形状变化的复杂表面上使用。例如，飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)常常用于表征表面的化学组成，但是这种技术太慢，无法对晶片大面积成像，因此主要用于分析一个或多个点。这种技术由于这些缺点而不适于商业应用。全反射X射线荧光光谱仪(TXRF)常常用于在裸露或无图形晶片表面上的选定点处检测金属，但是缺少对图案化晶片表面成像所需的速度和分辨率。另外，结果会因图案化晶片上发生的表面化学变化而混乱。总而言之，这些类型的非光学工具用于表征测试结构或复查光学工具所检测到的缺陷。然而，没有切实可行的技术来检查整个图案化晶片以检测可显著影响半导体器件性能或产量的化学或电荷不均匀性。因此，长期需要一种快速且精确地分析诸如半导体晶片的表面上存在的不均匀性或缺陷的方法。

发明内容

在本发明的方法中，利用了非振动接触势差传感器。非振动接触势差传感器由导电探针构成，该导电探针靠近表面设置，并电连接至所述表面。探针和表面形成电容器。由于两种材料的功函数或表面电势的差异，在探头与表面之间形成电势。该电势称作两个表面之间的接触势差或表面势差。探头平行于表面平移，或者表面在探针下方平移。探头的功函数不会变化，但是表面上不同点处的功函数或表面电势的改变导致表面与探头之间的接触势差的改变。电势的这些改变引起电流流入或流出传感器探头。该电流被放大、转换为电压、并采样，以形成连续的数据流，该数据流表示整个测量表面上的电势改变。非振动接触势差传感器可以每秒100,000样本以上的速率提供连续数据流。高数据获取速率允许仅用几分钟就获得整个半导体晶片的高分辨率图像。

本发明所描述的系统和方法提供了一种非振动接触势差检查系统的增强应用，其允许对表面快速成像，并检测包含相对功函数值的重复或其他预程式化图案的表面上的功函数不均匀性。这种能力尤其可用于在制造工艺过程中检测图案化半导体晶片上的化学或电荷相关的缺陷，或者晶片上的其他预程式化图案排列。

在优选实施例中，晶片和传感器彼此相对移动，以生成表征被扫描的晶片表面的接触势差信号。然后，该测得的信号被积分，以提供对相对功函数而非功函数变化的度量。这种转换的优点包括：积分图像中的信号水平不会随传感器探头相对于晶片表面的速度而变化；其次，所关注的任何特定特征的外观不再随晶片各处的位置而变化。对于径向扫描方法，一旦积分完成，所得数据优选地从径向坐标转换为线性垂直或笛卡尔坐标。这样，该变换允许更容易地执行数据分析。

在优选实施例的其他方面，可使用各种抑制技术来去除基本重复图案，以允许分析所需晶片表面的不均匀性或偏差。

通过下面结合下述附图对优选实施例的描述，本发明的其他特征和优点将变得清楚。

附图说明

图1示出用于执行本发明的方法的系统；

图2示出用非振动接触势差传感器径向扫描图案化晶片而获得的图像；

图3示出在图2图像的右上角接近晶片边缘处的晶粒200的放大图像；扫描图像示出差分数据，即，在特征边缘处产生的信号；

图4示出在积分步骤之后与图3相同的晶粒200，积分图像示出相对功函数的多个区域；

图5示出在图2图像的右上角接近晶片中心处的晶粒200的放大图像；

图6示出在积分之后与图5相同的晶粒200；积分图像示出与图4类似的相对功函数的多个区域；

图7示出在图2图像的左下角接近晶片边缘处的晶粒200的放大图像；

图8示出在积分之后与图7相同的晶粒200；积分图像示出与图4和图6类似的相对功函数的多个区域；

图9示出在积分之后图2的整个晶片图像；积分图像示出相对功函数的多个区域；

图10示出在执行晶粒200-晶粒200减法运算之后图9的积分晶片图像；

图11示出在阈值运算之后图10的晶片图像；

图12示出用非振动接触势差传感器径向扫描第二图案化晶片而获得的图像；

图13示出在积分之后图12的图像；积分图像示出相对功函数的多个区域；

图14示出在执行晶粒200-晶粒200减法运算之后图13的积分晶片图像；

图15示出在阈值运算之后图14的晶片图像；所有高于设定阈值的图像值均以红色示出；

图16示出在转换至笛卡尔坐标之后图13所示图像的二维傅里叶变换；

图17示出用于图13所示图像的典型频域滤波器；

图18示出在施加图17所示的滤波器之后对图16所示的频域图像施加逆傅里叶变换的结果；

图19示出在阈值运算之后图18的晶片图像。

具体实施方式

图1示出了用于执行本发明的各种方法的系统100。该系统100用于检查晶片106。下文中，能经受本文所述的系统100检查的材料将通称为“晶片”。本发明包括(一个或多个)传感器101，该传感器101附接到定位组件107并耦接到探头102。定位组件107允许对能够非振动接触势差测量的传感器101进行定位。系统100用固定装置103来机械固定晶片106，同时系统100将传感器探头102电连接至晶片106。系统还将传感器探头102定位在晶片表面上方固定距离处，并且能够在探头102与晶片表面之间产生相对横向运动(以及可选地连续运动)，使得传感器探头102基本上平行于晶片表面移动。系统100利用计算机/显示系统110并控制传感器101的扫描，并且获取及处理传感器102的输出信号以对晶片不均匀性进行识别和分类。如下文详细描述的，系统100执行用于处理所得数据以消除由重复图案(或其他预程式化的图案)产生的信号的方法，并检测并非该重复图案(或其他预程式化图案)一部分的功函数不均匀性。下文中，晶片106上的重复图案(或其他预程式化的图案)将称作“晶粒200”(参见图2-18)，但是这样的图案还可表示诸如测试图案、晶粒、十字线场或这些测试图案、晶粒、十字线内的子结构的结构。

非振动接触势差传感器的一个重要特性在于其生成差分数据。这意味着传感器101产生表示整个测量表面上表面电势或功函数的差或改变的数据。传感器的输出表示仅在传感器探头相对于表面行进的方向上的表面电势的改变，传感器输出的大小与探头102相对于测量表面的速度成比例。结果，扫描图像中的不均匀性的外观取决于传感器探头102在跨过晶片106的测量表面上的特征时的行进方向和速度。

非振动接触势差传感器101依赖于探头102与测量表面之间的相对运动来产生信号。传感器探头102平行于晶片表面移动以产生信号的动作称作扫描。如图1所示，产生扫描运动的一种选择是使晶片106在传感器探头102下方旋转，并使传感器101或晶片106沿着晶片106的半径移动，以获得距晶片中心不同半径处的一系列同心圆轨道112。然后，这些同心轨道112可组合成扫描表面的图像。这种类型的扫描操作常常称为径向扫描，因为探头102沿着晶片106的半径移动。

在径向扫描的情况下，晶片106的自转提供了探头102与测量表面之间的相对运动，而没有光栅或来回扫描操作所需的高加速度和减速度。通过径向扫描，晶片106可按照固定或缓慢变化的速度自转，而传感器101可以低加速度从一条径向轨道向下一条径向轨道移动小距离。结果，与光栅扫描相比，晶片表面可在缩短许多的时间内被扫描，并且振动小许多，功耗降低。

在集成电路制造工艺过程中，在单个圆形晶片106上制造许多相同的器件。这些器件按照行和列排列，在整个晶片表面上形成重复图案。每一器件称为晶粒200(参见例如图2以及下文描述的所有例子)。在制造过程中，各种材料沉积在该重复图案上，从该重复图案上移除，或者在该重复图案中以其他方式修改，以生成晶片106上存在的多个晶粒200。不同的材料和工艺产生具有不同功函数的表面。在用非振动接触势差传感器101扫描时，这些功函数差异产生信号。为了检查这些表面获知表示潜在制造缺陷的功函数不均匀性，需要减少或消除由于晶粒200的这种重复图案或其他这样的晶片图案引起的信号。

从通过径向扫描非振动接触势差传感器101产生的图像中去除重复图案提出了若干挑战。这些挑战源于这样的事实：所述数据是差分数据，并且传感器探头102在不同的方向上，和/或以不同的相对速度，在晶片表面上的不同点处移动。结果，晶片106上一个位置处的晶粒200图案可能看起来与晶片106上另一位置处的相同晶粒200图案非常不同。此外，径向扫描操作产生的数据实质上是径向的，即，数据点位于固定的半径和角度，因此每单位面积的数据点的数量随着半径变化。半导体晶片106上的晶粒200在水平和垂直方向上按照固定的间距排成行和列。结果，数据样本的数量和位置随不同的晶粒200位置而不同。

重复图案的外观可随着该图案在晶片表面上的位置而变化，这一事实给处理图案化晶片图像以识别并非该图案一部分的不均匀性带来显著挑战。对利用径向扫描方法获取的图像尤其如此，在径向扫描方法中，探头102的方向和速度随着晶片106上的位置而变化。除了在整个晶片上检查上述重复图案之外，在一些应用中，晶片106可能具有不对称图案排列，在知道图案的预程式化排列方式的情况下，也可检查这些不对称图案排列以获知准确的均匀性。

在优选实施例中，系统100如下操作。晶片106被机械固定至固定装置103，探头102被定位于晶片表面上方固定距离处。可利用许多种不同手段中的一种来将晶片106固定到固定装置103，包括真空、静电吸引以及夹住晶片106的边缘。在探头102与晶片表面之间产生相对运动，使得探头102平行于晶片表面移动。沿着晶片表面的表面电势或功函数变化导致探头102与晶片表面之间的电势改变，这导致电流流入或流出传感器探头102。该电流被转换为电压并被采样，以产生代表在传感器探头102行进方向上的功函数变化的数字数据。通过使传感器101在晶片表面的不同区域上方移动，可产生数据并利用计算机/显示器110将其组合成晶片106的图像。另外，计算机/显示器110的计算机存储器中的嵌入式计算机软件允许运行采用常规分析方法的各种计算机程序，以实现本发明的方法。

存在各种方法来使传感器101和晶片106移动以产生覆盖一些或全部晶片表面的数据。这常常涉及获取多组连续的数据点，其中每组连续的点称为轨道。如上所述，扫描晶片表面的一种可能的方法涉及使晶片106自转，并使传感器101或晶片106移动，以使传感器101沿着晶片106的半径移动。这产生与晶片表面的同心圆形区域对应的多条数据轨道，或者与从晶片106的边缘到中心的螺旋线对应的单条数据轨道。在任一种情况下，如果晶片106按照固定的速度自转，则探头102相对于晶片表面的速度将随着探头102与旋转中心之间的距离减小而减小。这导致晶片表面上不同点处的信号强度的变化。此外，由于探头102按照圆形图案行进，所以探头102的行进方向随着探头102相对于晶片表面的位置而变化。结果，特征的外观将取决于其在晶片表面上的位置。

在利用非振动接触势差传感器101扫描晶片表面之后，各轨道被积分。这通过将轨道中的每一数据点用该数据点与轨道中先前所有数据点之和取代来实现。例如，轨道中的第一数据点不变，第二数据点用第一数据点与第二数据点之和取代，轨道中的第一百个数据点用第一至第一百个数据点之和取代。然后，使积分后的轨道中的每一点与一常数相加，以建立该轨道的平均水平。这有时通过从轨道中的每一数据点减去轨道中所有数据点的平均值来实现，但是还可利用更复杂的算法来实现，以建立适当水平。

积分产生表示相对功函数而非功函数变化的数据。该积分数据提供至少两个显著的益处。首先，只要数据采样率固定，积分图像中的信号水平就不会随探头102相对于晶片表面的速度变化。这是因为数据点之间的距离随着探针速度线性变化，从而数据点密度随信号强度的倒数变化。结果，无论探头102与晶片106之间的相对速度如何，在积分之后，每一数据点表示该特定轨道112内的正确相对功函数值。其次，特征的外观不再随着晶片106各处的位置而变化。由于数据现在表示相对功函数，所以具有相同功函数值的特征在积分图像中将具有相同或近似相同的值，而与特征在晶片表面上的位置无关。

在积分之后，将数据从径向坐标转换为垂直线性坐标(常常称为笛卡尔坐标)。这对于产生平行线性数据轨道的扫描操作而言不是必要的。然而，如果使用径向扫描方法，则在水平和垂直方向上，数据点的数量和位置不是不变的。这使得后续的减少或抑制重复图案的图像处理变得非常困难，因为晶粒200排列成均匀间隔的水平行和垂直列。抑制信号中的重复图案的一种方法是滤除与图案相关联的频率。这如下实现：将空间数据变换到频域，去除与图案相关联的频率，然后将数据变换回空间域。从频域中识别并去除与图案相关联的峰值要求空间数据关于图案的重复性质均匀地分布，即，数据在水平和垂直方向上均匀分布。抑制重复图案的另一方法是从每一晶粒200中减去相邻晶粒200的统计平均值或者晶片106上的所有晶粒200的统计平均值。如果对于晶片106上的每一晶粒200而言数据的密度和位置相同，则这一操作变得非常容易。如果使用径向扫描来获取具有径向坐标的数据，则对于每一个晶粒200而言，数据的密度和位置不同。将径向数据变换到沿水平轴和垂直轴均匀间隔的笛卡尔坐标非常有利于此类型的图案抑制。

在数据被积分并转换至笛卡尔坐标之后，使用各种算法中的一种来抑制晶片图像内的重复图案。这一处理可采取许多形式，这里描述其中的三种。

第一种图案抑制选择需要产生没有缺陷的“黄金”晶片图像标准。待检查的每一晶片106的图像对齐并从“黄金”晶片图像相减。晶片图像所共有的特征被去除，从而极大地减少了来自共有图案的信号。可选地，如果晶片106之间存在显著的图案信号水平变化，则在相减之前，每一晶片图像的信号水平可与“黄金”晶片图像的信号水平匹配。这种图案抑制技术可用于径向数据，并且不需要将图像转换至笛卡尔坐标。

第二种图案减少处理选择是利用二维傅里叶变换将笛卡尔图像转换至频域。利用使用者指定的滤波器或基于使用者指定的参数计算的滤波器对该频域图像进行滤波。该滤波器被设计用于去除与重复图案相关联的频率。然后，滤波后的图像被转换回空间域以进行后续处理。

用于减少与重复图案相关联的信号的第三种选择是从一个或多个相邻晶粒减去每一晶粒200的图像，然后分析得到的差，以识别缺陷。这种分析可采取许多形式。例如，可计算所得差的统计平均值，或者可计算这些差的中值。在每一种情况下，通过将晶粒图像与晶片上的一个或多个其他晶粒的统计合成相比较来计算每一晶粒的图案抑制版本。这一运算使重复图案最小化，同时对非重复的不均匀性的影响最小。

包括用非振动接触势差传感器101扫描、积分、转换至笛卡尔坐标和图案抑制在内的前述步骤的结果为主要由并非重复图案一部分的晶片不均匀性构成的图像。然后，该图像被处理以识别图像中表示不想要的不均匀性(即，缺陷)的特征。这通常这样实现：选择表示缺陷的一定范围的信号水平，然后通过对图像进行阈值运算来识别这些区域。

下列例子非限制性地举例说明本发明的各个方面。尽管这些例子限于半导体晶片，但是本发明的方法同样可应用于其中表面均匀性分析和背景图案消除非常重要的任何材料。

例子1

从常规生产半导体级初始晶片的商业来源获得施加有图案的标准硅测试晶片106。该晶片由重复性的测试图案晶粒组成，所述晶粒利用化学机械平坦化工艺形成。图案由铜和介电材料构成。然后，利用喷射印刷工艺沿着晶片的半径沉积化学污染物滴剂。通过系统100检测该晶片106以提供如图2所示的图像300。该图像300通过用非振动接触势差传感器101径向扫描图案化晶片106而获得。显示各个晶粒200的图形显示被叠加于图像上。需要指出的是，晶粒的外观取决于晶粒200在晶片表面上的位置而变化。图案边缘的极性(亮或暗)取决于扫描探头的行进方向而变化，并且信号大小随着探头102移动得越接近中心而减小。

例子2

图3示出在图2图像的右上角接近晶片106边缘处的晶粒200的放大图像；扫描图像示出差分数据，即，在特征边缘处产生的信号。

例子3

图4示出在积分步骤之后与图3相同的晶粒200，积分图像示出相对功函数的多个区域。

例子4

图5示出在图2图像的右上角接近晶片106中心处的晶粒210的放大图像。

例子5

图6示出在积分之后与图5相同的晶粒210；积分图像示出与图4类似的相对功函数的多个区域。

例子6

图7示出在图2图像的左下角接近晶片106边缘处的晶粒220的放大图像。

例子7

图8示出在积分之后与图7相同的晶粒220；积分图像示出与图4和图6类似的相对功函数的多个区域。

例子8

图9示出在积分之后图2的整个晶片图像；积分图像示出相对功函数的多个区域。

例子9

图10示出在执行晶粒200-晶粒200减法运算之后图9的积分晶片图像。

例子10

图11示出在阈值运算之后图10的晶片图像。

例子11

图12示出用非振动接触势差传感器101径向扫描第二图案化测试晶片106而获得的图像。该晶片利用在连续钛膜上面的图案化铬膜加工而成。作为加工工艺的一部分，不同尺寸的特征被嵌入重复图案中。

例子12

图13示出在积分之后图12的图像；积分图像示出相对功函数的多个区域。

例子13

图14示出在执行晶粒200-晶粒200减法运算之后图13的积分晶片图像。

例子14

图15示出在阈值运算之后图14的晶片图像；所有高于设定阈值的图像值均以红色示出。

例子15

图16示出在转换至笛卡尔坐标之后图13所示图像的二维傅里叶变换。

例子16

图17示出用于图13所示图像的典型频域滤波器。

例子17

图18示出在施加图17所示的滤波器之后对图15所示的频域图像施加逆傅里叶变换的结果。

例子18

图19示出在阈值运算之后图18的晶片图像。

尽管已经说明和描述了优选实施例，但是应该理解，在其较宽方面不脱离本发明的情况下，本领域普通技术人员可以对其进行改变和修改。

Claims (19)

1.一种检查包含相对功函数的重复图案的材料的表面以检测重复图案中的不均匀性的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有表面的材料；提供具有传感器探头的非振动接触势差传感器；将所述传感器探头定位在所述材料的表面上方的大致固定距离处；使所述表面和非振动接触势差传感器相对于彼此移动，使得探头基本上平行于所述材料的表面移动；产生非振动接触电势传感器数据，该传感器数据源于所述传感器探头相对于所述材料的表面的移动，该传感器数据代表所述传感器探头与所述材料的表面之间的接触势差的变化；其特征在于下列步骤：处理所述非振动接触电势传感器数据以提供相对接触势差值；识别表征所述重复图案的相对接触势差数据；处理所述相对接触势差数据以减小表征所述重复图案的相对接触势差数据的影响，并提供所得数据；以及处理该所得数据以识别并非所述重复图案一部分的功函数不均匀性，从而检测所述材料的表面上的不均匀性的存在。

2.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述非振动接触电势传感器数据以提供相对接触势差值的步骤包括下列步骤：对所述非振动接触电势传感器数据积分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述相对接触势差数据以减小表征所述重复图案的相对接触势差数据的影响的步骤包括：在频域中对所得数据进行滤波。

4.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述相对接触势差数据以减小表征所述重复图案的相对接触势差数据的影响的步骤包括下列步骤：从所述材料的表面上其他位置处的图案的一个或多个实例减去重复图案的每一实例，以提供所得差数据，并且将所得差数据组合，以识别并非所述重复图案一部分的特征。

5.根据权利要求1所述的方法，其中处理所得数据以识别并非所述重复图案一部分的功函数不均匀性的步骤包括下列步骤：对所得数据应用阈值，以识别满足高于或低于特定值其中至少之一的相对功函数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述传感器数据被处理以减少随机或系统噪声。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述传感器数据被处理以针对所述传感器探头的尺寸进行校正。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述传感器数据被处理以针对所述传感器的传感器电子器件的时间常数进行校正。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所得数据被处理以减小由材料上的相邻数据轨道的平均表面电势的变化引起的伪像。

10.根据权利要求1所述的方法，其中传感器探头与材料之间的相对运动通过使材料在传感器探头下方旋转，将传感器探头沿着旋转的材料移动到不同半径处，并从材料表面的不同半径处的一系列同心圆区域获取径向数据来产生，其中所述一系列同心圆区域相对于材料表面的旋转中心的半径连续增加或减小。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在去除由重复图案引起的信号之前，在距材料的中心不同半径处获得的径向数据被转换为笛卡尔形式，从而有助于空间数据的垂直和水平方向上的均匀间隔。

12.根据权利要求1所述的方法，其中检测到的并非所述重复图案一部分的功函数不均匀性包括所述表面上的化学不均匀性或材料的表面上的电荷中的一者。

13.一种用于检查具有表面的材料的系统，所述表面上具有相对功函数的重复图案，所述系统包括：

非振动接触势差传感器，其具有传感器探头；

扫描组件，用于发起对所述材料的扫描，所述扫描组件连续扫描直到对所述材料的扫描完成，并且还相对于所述传感器探头横向地扫描所述材料，以提供代表接触势差值变化的传感器数据；

计算机，其被配置为分析所述传感器数据，以识别表征所述重复图案的相对接触电势数据，并处理表征所述重复图案的数据，以减小表征所述重复图案的数据的影响并识别并非所述重复图案一部分的功函数不均匀性。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述计算机被进一步配置为对所述传感器数据进行积分以提供相对接触势差CPD值数据。

15.根据权利要求13所述的系统，其中所述计算机被配置为将相对接触势差值转换为笛卡尔坐标数据，从而有助于空间数据的垂直和水平方向上的均匀间隔。

16.根据权利要求14所述的系统，其中所述计算机被进一步配置为通过将相对接触势差CPD值数据变换至频域变换，以由此移除与所述重复图案相关联的频率，并将所述CPD值数据变换回空间域，来抑制所述重复图案。

17.根据权利要求13所述的系统，其中所述计算机被进一步配置为在频域中对所得数据执行滤波步骤，以通过在频域中对所得数据执行滤波步骤来减小表征重复图案的势差数据的影响。

18.根据权利要求13所述的系统，其中所述计算机被进一步配置为减小表征重复图案的数据的影响，并且被配置为执行从材料表面上其他位置处的图案的一个或多个实例减去重复图案的每一实例，以提供所得差数据，并且将该所得差分数据组合以识别并非所述重复图案一部分的特征的步骤，由此减小表征重复图案的数据的影响。

19.根据权利要求13所述的系统，其中所述计算机被进一步配置为识别并非所述重复图案一部分的功函数不均匀性，并且被配置为执行对所得数据应用阈值以识别满足高于或低于特定值其中至少之一的相对功函数的步骤。

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