JP2012517103A - 非振動式接触電位差センサーを用いたパターン付きウェハ検査システム - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
実際に適用されたパターンを備える、標準的なシリコンテストウェハ106は、半導体グレードのスターティングウェハ(starting wafer)を機械的に生成する商業的供給源(commercial source)から得られた。このウェハは、化学的機械研磨による平坦化(chemical mechanical planarization)工程を用いて生成された、繰り返しテストパターンダイから構成された。そして、汚染化学物質(chemical contaminant)の粒(drops)は、ジェット印刷工程を用いて、ウェハの半径に沿って堆積された。このウェハ106は、図2に示された画像300を提供するために、システム100によって検査された。この画像300は、非振動式接触電位差センサー101で、パターン付きウェハ106を放射状に走査することから結果として生じた。個々のダイ200を示す図形表示は、画像上に被せられる。ここで留意すべきことは、ダイの外観は、ウェハ表面上のダイ200の位置に依存して変化することである。パターンの縁の両極性(明るい、または、暗い)は、走査プローブ先端の移動方向に依存して変化し、信号の大きさは、プローブ先端102が中央に近づくように移動するにつれて、徐々に減少する。
図3は、ウェハ106の縁に近い、図2における画像の右上のダイ200の拡大画像を示す。そして、走査された画像は、差異のあるデータ、すなわち、フィーチャの端で生成された信号を示す。
図4は、統合ステップ後の図3と同じダイ200を示し、統合された画像は、相対的な仕事関数の領域を示す。
図5は、ウェハ106の中央に近い、図2における画像の右上角のダイ210の拡大画像を示す。
図6は、統合後の図5と同じダイ210を示し、統合された画像は、図4と同様に、相対的な仕事関数の領域を示す。
図7は、ウェハ106の縁に近い、図2における画像の左下角のダイ220の拡大画像を示す。
図8は、統合後の図7と同じダイ220を示し、統合された画像は、図4および6と同様に、相対的な仕事関数の領域を示す。
図9は、統合後の、図2におけるウェハの全体画像を示す。統合された画像は相対的な仕事関数の領域を示す。
図10は、ダイ200とダイ200との引算操作を実行した後の、図9における統合されたウェハ画像を示す。
図11は、しきい値処理後の図10におけるウェハ画像を示す。
図12は、非振動式接触電位差センサー101を用いて、第二のパターン付きテストウェハ106を放射状に走査したことにより結果として生じた画像を示す。このウェハは、チタンの連続的なフィルムの上に、クロムのパターン付きフィルムを用いて製造される。異なるサイズのフィーチャは、製造工程の一部として、繰り返しパターンに埋め込まれた。
図13は、統合後の図12における画像を示す。統合された画像は、相対的な仕事関数の領域を示す。
図14は、ダイ200とダイ200との減算操作を実行した後の、図13における統合されたウェハ画像を示す。
図15は、しきい値処理後の図14におけるウェハ画像を示し、設定されたしきい値以上の値を有する画像の全ては、赤色で示される。
図16は、デカルト座標への変換後の、図13に示される画像の二次元フーリエ変換を示す。
図17は、図13に示される画像に対する典型的な周波数領域フィルタを示す。
図18は、図17に示されるフィルタを適用した後の、逆フーリエ変換を図15に示される周波数領域画像に適用した結果を示す。
図19は、しきい値処理後の図18におけるウェハ画像を示す。
Claims (16)
- 繰り返しパターンにおける不均一性を検出するために、相対的な仕事関数の前記パターンを含む材料の表面を検査する検査方法において、
材料の表面を供給するステップと、
センサープローブ先端を備える非振動式接触電位差センサーを供給するステップと、
センサープローブ先端を、前記材料の表面の上方に、ほぼ一定間隔で配置するステップと、
前記プローブ先端が前記材料の表面と、ほぼ平行に移動するように、前記表面と前記非振動式接触電位差センサーをお互いに対して連続的に移動するステップと、
前記材料の表面に対する前記センサープローブ先端の連続的な移動から生じる非振動式接触電位差センサーデータであって、前記センサープローブ先端と前記材料の表面との間で、接触電位差の変化を表すセンサーデータを生成するステップと、
前記センサーデータを処理するステップによって、改善点が特徴付けられることで、相対的接触電位差の値を供給するステップと、
前記繰り返しパターンの特徴を示す前記相対的接触電位差のデータを識別するステップと、
前記繰り返しパターンの特徴を示す、データの影響を小さくするように、前記相対的接触電位差のデータを処理して、結果データを供給するステップと、
前記繰り返しパターンの一部ではない、仕事関数の不均一性を識別するように、前記結果データを処理するステップと
を含む検査方法。 - 相対的接触電位差値を表すデータを生成するように、前記センサーデータを処理するステップと前記繰り返しパターンの特徴を示す、相対的接触電位差のデータの特徴を識別するステップは、前記センサーデータを統合するステップを含む、請求項1に記載の検査方法。
- 前記繰り返しパターンの特徴を示す電位差データの影響を小さくするように処理するステップは、周波数領域における前記結果データの画像をフィルタリングすることを含む、請求項1に記載の検査方法。
- 前記繰り返しパターンの特徴を示すデータの影響を小さくするように処理するステップは、
結果として生じる差異データを供給するために、前記材料の表面上において、他の箇所の1つ以上の前記繰り返しパターンの事例から、前記繰り返しパターンの各事例を差し引くステップと、
前記繰り返しパターンの一部ではないフィーチャを識別するために、前記結果として生じる差異データを組み合わせるステップと
を含む、請求項1に記載の検査方法。 - 前記繰り返しパターンの一部ではない、仕事関数の不均一性を識別するように、前記結果データを処理するステップは、少なくとも1つの特定値より上あるいは下となる相対的な仕事関数を識別するために、前記結果データにしきい値を適用するステップを含む、請求項1に記載の検査方法。
- 前記センサーデータは、不規則なノイズあるいは体系的なノイズを減らすように処理されることを特徴とする請求項1に記載の検査方法。
- 前記センサーデータは、前記センサープローブ先端の大きさを補正するように処理されることを特徴とする請求項1に記載の検査方法。
- 前記センサーデータは、前記センサーのセンサー電子回路の時定数を補正するように処理されることを特徴とする請求項1に記載の検査方法。
- 前記結果データは、前記材料における近接するデータ軌跡の平均表面電位の変化から生じる人為的な結果を減らすように処理されることを特徴とする請求項2に記載の検査方法。
- 前記センサープローブ先端と前記材料との間での相対的な移動は、前記プローブ先端の下にある前記材料を回転することによって発生させることを特徴する請求項1に記載の検査方法。
- 統合された半径方向のデータは、前記繰り返しパターンから生じる信号を除去することに先立って、デカルト座標に変換されることを特徴とする請求項10に記載の検査方法。
- 前記繰り返しパターンの一部ではない、検出された仕事関数の不均一性は、1つの前記表面上の化学的な不均一性、または、前記材料の表面上の電荷を含む、請求項1に記載の検査方法。
- その上に相対的な仕事関数の繰り返しパターンを伴う表面を備える材料を検査するための検査システムにおいて、
センサープローブ先端を有する非振動式接触電位差センサーと、
接触電位差値の変化を表すセンサーデータを供給するために、前記センサープローブ先端に対して前記材料を、連続的に横に走査するための走査アセンブリと、
前記繰り返しパターンの特徴を示す相対的接触電位データを識別するために、前記センサーデータを分析して、前記繰り返しパターンの特徴を示すデータの影響を小さくするように、前記繰り返しパターンの特徴を示すデータを処理し、前記繰り返しパターンの一部ではない、仕事関数の不均一性を識別するための実行可能なコンピュータソフトウェアプログラムを記憶するメモリーを有する、コンピュータと
を含む検査システム。 - 前記コンピュータソフトウェアは、相対的接触電位差値データを供給するように、前記センターデータを統合するためのプログラムを含む、請求項13に記載の検査システム。
- 前記相対的接触電位差値をデカルト座標のデータに変換するコンピュータソフトウェアをさらに含む、請求項13に記載の検査システム。
- 前記コンピュータソフトウェアは、周波数領域への変換、前記繰り返しパターンに関連する周波数成分の除去、および、前記相対的接触電位差値データを空間領域に戻すための変換によって、前記繰り返しパターンを抑えるプログラムを含む、請求項13に記載の検査システム。
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