JP2011523038A - センサの運動方向に垂直な表面変動を検出するための非振動式接触電位差測定の較正 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
本発明は、2008年5月2日に出願された米国特許出願第12/151,054に関し、かつ、当該米国特許出願に基づき優先権を主張するものであり、当該米国特許出願の内容は、本明細書に参照として組み込まれる。
Q=CV (1)
ここで、Qはプローブ先端の電荷であり、Cはプローブ先端と測定される表面との間の静電容量であり、Vはプローブ先端と表面の間の接触電位差である。
Claims (20)
- 材料の表面の特性を特徴づけるために、当該表面の接触電位差を決定する方法であって、
材料の表面を提供するステップと、
センサプローブ先端を有する接触電位差センサを提供するステップと、
前記表面および接触電位差センサを互いに対して相対的に走査するステップと、
前記センサプローブ先端が、前記材料の前記表面に対して水平に走査する際に、前記センサプローブ先端と前記材料の前記表面の間の接触電位差の変化を表す水平に走査されたセンサデータを発生させるステップと、
相対的な接触電位差値を提供するために、前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップと、
前記水平に走査された表面の絶対的な接触電位差の少なくとも1つの測定を行うために、振動式接触電位差センサを使用するステップと、
前記相対的な接触電位値に加えられるオフセットを算出して、前記センサプローブ先端と前記水平に走査された表面の全ての点の間の前記接触電位差を表す特徴的なデータを発生させ、それにより、前記材料の前記表面の特性を特徴づけるために、前記絶対的な接触電位差データを使用するステップと、を含む方法。 - 前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップが、積分データを生成するために、前記水平に走査されたセンサデータを積分するステップを含む、請求項1に記載される方法。
- 前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップが、前記水平に走査されたセンサデータを前記相対的な接触電位差値に変換するために、前記積分データにスケーリング因子を乗算するステップを含む、請求項2に記載される方法。
- 前記水平方向の走査動作を、前記ウエハを回転させることによって発生させる、請求項1に記載される方法。
- 前記水平に走査されたセンサデータが、同心の円形トラックデータとして提供される、請求項1に記載される方法。
- 振動式接触電位差測定を行うステップが、複数の異なるトラックに関するデータを累積するステップを含む、請求項1に記載される方法。
- 走査中に、前記プローブ先端の移動方向に垂直な表面接触電位差における変動を決定するために、前記特徴的なデータを分析するステップをさらに含む、請求項1に記載される方法。
- 前記材料の前記表面に複数の異なる処理を施すステップと、前記異なる処理のそれぞれに関連付けられる相関データを累積して、前記材料に関する予め定義された表面品質を生成できるようにするために、前記材料の前記表面を特徴づけるステップとをさらに含む、請求項1に記載される方法。
- 前記相関データはさらに、複数のタイプの前記予め定義された表面品質を有する前記材料の生産を予めプログラムするために使用される、請求項8に記載される方法。
- 前記異なる処理が、清浄プロセス、化学処理プロセスおよび物理処理プロセスの群から選択される、請求項8に記載される方法。
- 前記清浄プロセスが、脱イオン洗浄を適用することによって、および、プラズマ処理ステップを適応することによって、清浄するステップの群から選択される、請求項10に記載される方法。
- 材料の表面の特性を特徴づけるために、当該表面の接触電位差を決定する方法であって、
材料の表面を提供するステップと、
センサプローブ先端を有する接触電位差センサを提供するステップと、
前記表面および接触電位差センサを互いに対して相対的に走査するステップと、
前記センサプローブ先端が、前記材料の前記表面に対して水平に走査する際に、前記センサプローブ先端と前記材料の前記表面の間の接触電位差の変化を表す水平に走査されたセンサデータの第1のセットを発生させるステップと、
前記材料の前記表面全体にわたる接触電位差の変化を表す水平に走査されたセンサデータの第2のセットを発生させるステップであって、前記センサデータの第1のセットを水平に走査する方向に垂直に前記接触電位差センサを移動させることによって、前記センサデータの第2のセットを発生させるステップと、
相対的な接触電位差値を決定するために、前記センサデータの第1および第2のセットを処理するステップと、
振動式接触電位差センサを使用して、前記水平に走査された表面の絶対的な接触電位差の少なくとも1つの測定を行うために、振動式接触電位差センサを使用するステップと、
前記積分され、スケーリングされた非振動式相対的な接触電位差データ値に加えられるオフセットを算出して、前記センサプローブ先端と前記水平に走査された表面の全ての点の間の前記接触電位差を表す特徴的なデータを発生させ、それにより、前記材料の前記表面の特性を特徴づけるために、前記絶対的な接触電位差データを使用するステップと、を含む方法。 - 前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップが、積分データを生成するために、前記水平に走査されたセンサデータを積分するステップを含む、請求項12に記載される方法。
- 前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップが、前記水平に走査されたセンサデータを前記相対的な接触電位差値に変換するために、前記積分データにスケーリング因子を乗算するステップを含む、請求項12に記載される方法。
- 電子コンポーネント内で使用するために調整された半導体ウエハであって、前記処理方法のうち少なくとも1つが、
表面を有する半導体ウエハを提供するステップと、
センサプローブ先端を有する接触電位差センサを提供するステップと、
前記半導体ウエハの前記表面および接触電位差センサを互いに対して相対的に走査するステップと、
前記センサプローブ先端が、前記半導体ウエハの前記表面に対して水平に走査する際に、前記センサプローブ先端と前記半導体ウエハの前記表面の間の接触電位差の変化を表す水平に走査されたセンサデータを発生させるステップと、
相対的な接触電位差値を提供するための、前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップと、
前記水平に走査された表面の前記絶対的な接触電位差の少なくとも1つの測定を行うために、振動式接触電位差センサを使用するステップと、
前記相対的な接触電位値に加えられるオフセットを算出して、前記センサプローブ先端と前記水平に走査された表面の全ての点の間の前記接触電位差を表す特徴的なデータを発生させ、それにより、前記半導体ウエハの前記表面の特性を特徴づけるために、前記絶対的な接触電位差データを使用するステップと、を含む方法。 - 前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップが、積分データを生成するために、前記水平に走査されたセンサデータを積分するステップを含む、請求項15に記載される方法。
- 前記水平に走査されたセンサデータを処理するステップが、前記水平に走査されたセンサデータを前記相対的な接触電位差値に変換するために、前記積分データにスケーリング因子を乗算するステップを含む、請求項16に記載される方法。
- 走査中に、前記プローブ先端の移動方向に垂直な表面接触電位差における変動を決定するために、前記特徴的なデータを分析するステップをさらに含む、請求項15に記載される方法。
- 前記半導体ウエハの前記表面に複数の異なる処理を施すステップと、前記異なる処理のそれぞれに関連付けられる相関データを累積して、前記半導体ウエハに関する予め定義された表面品質を生成できるようにするために、前記材料の前記表面を特徴づけるステップとをさらに含む、請求項15に記載される方法。
- 前記相関データはさらに、複数のタイプの前記予め定義された表面品質を有する前記半導体ウエハの生産を予めプログラムするために使用される、請求項19に記載される方法。
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