CN102290453A - 太阳能电池 - Google Patents

太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN102290453A
CN102290453A CN201110168794A CN201110168794A CN102290453A CN 102290453 A CN102290453 A CN 102290453A CN 201110168794 A CN201110168794 A CN 201110168794A CN 201110168794 A CN201110168794 A CN 201110168794A CN 102290453 A CN102290453 A CN 102290453A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
electrode layer
pattern
lotion
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201110168794A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102290453B (zh
Inventor
金圣辰
郭桂荣
都荣九
李满
李圣恩
梁荣成
权泰瑛
曺海宗
崔珉浩
郑柱和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020100058659A external-priority patent/KR101135585B1/ko
Priority claimed from KR1020100058658A external-priority patent/KR101209074B1/ko
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN102290453A publication Critical patent/CN102290453A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102290453B publication Critical patent/CN102290453B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。

Description

太阳能电池
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来，随着诸如石油和煤的现有能源被预期耗尽，对用于代替现有能源的另选能源的兴趣正日益增加。在另选能源当中，从太阳能生成电能的太阳能电池已经受到特别关注。
太阳能电池通常包括具有不同导电类型(如p型和n型)并且形成p-n结的多个半导体部分，和分别连接至具有所述不同导电类型的这些半导体部分的多个电极。
当光入在太阳能电池上时，在半导体部分中生成多个电子空穴对。这些电子空穴对根据光电效应而分离为电子和空穴。由此，所分离的电子向n型半导体部分移动，而所分离的空穴向p型半导体部分移动，并且随后这些电子和空穴分别被电连接至n型半导体部分的电极和电连接至p型半导体部分的电极收集。这些电极利用电线彼此连接，由此获取电力。
发明内容
在一个方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第二导电类型的发射极层，该第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述发射极层被设置成与所述基板一起形成p-n结；多个第一电极，所述多个第一电极连接至所述发射极层，所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构；至少一个第一集电器，所述至少一个第一集电器连接至所述多个第一电极并且具有单层结构，以及第二电极，该第二电极连接至所述基板。
所述多个第一电极中的每一个第一电极都可以包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层。所述第一电极层和所述第二电极层可以由不同材料或相同材料形成。
所述至少一个第一集电器可以由与所述第一电极层相同的材料形成。所述至少一个第一集电器可以由与所述第二电极层相同的材料形成。
例如，所述第一电极层可以包含银(Ag)，而所述第二电极层可以包含从由镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种。
所述多个第一电极和所述至少一个第一集电器可以包含银(Ag)。所述第一电极层的银含量可以不同于所述第二电极层的银含量。所述至少一个第一集电器的银含量可以基本等于所述第一电极的银含量。在这种情况下，所述第一电极层的银含量和所述至少一个第一集电器的银含量可以大于所述第二电极层的银含量。
另选的是，所述第一电极层的银含量可以不同于所述第二电极层的银含量，而所述至少一个第一集电器的银含量可以基本等于所述第二电极的银含量。在这种情况下，所述第一电极层的银含量可以大于所述第二电极层的银含量和所述至少一个第一集电器的银含量。
所述第一电极层的宽度可以为大约30μm至100μm。所述第一电极层的厚度可以为大约10μm至35μm。
所述第二电极层可以仅位于所述第一电极层上，或者可以位于所述第一电极层和所述至少一个第一集电器上。
所述第一电极层可以仅位于所述第二电极层下面，或者可以位于所述第二电极层和所述至少一个第一集电器下面。
在另一方面，提供了一种用于制造太阳能电池的电极的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板的第一区上印刷第一膏体，以形成沿第一方向的第一电极层图案；以及在所述半导体基板的、其中形成有所述第一电极层图案的所述第一区上印刷第二膏体，以同时形成直接位于所述第一电极层图案上(right on)的第二电极层图案和沿垂直于所述第一方向的第二方向的第一集电器图案。
所述第一方向的所述第一电极层图案可以不形成在与所述第二方向的所述第一集电器图案交叠的位置处。
在又一方面，提供了一种用于制造太阳能电池的电极的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板的第一区上印刷第一膏体，以同时形成沿第一方向的第一电极层图案和沿垂直于所述第一方向的第二方向的第一集电器图案；以及在所述第一电极层图案上印刷第二膏体，以形成第二电极层图案。
所述第二电极层图案可以不形成在与所述第一集电器图案交叠的位置处。
所述第一膏体和所述第二膏体可以由相同材料形成。在这种情况下，所述第一膏体和所述第二膏体可以包含银(Ag)，并且所述第一膏体的银含量大于所述第二膏体的银含量。
所述第一膏体和所述第二膏体可以由不同材料形成。在这种情况下，所述第一膏体可以包含银(Ag)，而所述第二膏体可以包含从由镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种。
所述方法还可以包括以下步骤：在所述半导体基板的第二区中形成第二电极图案和第二集电器图案。
所述形成所述第二电极图案和所述第二集电器图案的步骤可以包括以下步骤：在所述半导体基板的所述第二区上丝网印刷与所述第二膏体基本相同材料的膏体。
根据上述特征，因为所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有包括所述第一电极层和所述第二电极层的双层结构，所以具有双层结构的第一电极的厚度大于具有单层结构的第一电极的厚度。因而，减小了所述第一电极的串联电阻，从而提高了从发射极层至第一电极的载流子传输效率。结果，提高了太阳能电池的效率。
而且，因为所述第一电极的接触所述发射极层的部分包含银，所以减小了所述发射极层与所述第一电极之间的接触电阻。因此，提高了从所述发射极层至所述第一电极的载流子传输效率。结果，提高了太阳能电池的效率。
而且，因为所述第二电极层利用比银更便宜的导电材料形成，所以减少了所使用银膏的量。因而，降低了太阳能电池的制造成本。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并与文字说明一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的局部立体图；
图2是沿图1的II-II线截取的截面图；
图3涉及制造根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的电极的第一示例方法；
图4涉及制造根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的电极的第二示例方法；
图5涉及制造根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的电极的第三示例方法；以及
图6涉及制造根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的电极的第四示例方法。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行更全面的描述，其中，示出了本发明的示例实施方式。然而，本发明可以按许多不同形式来具体实施，而不应视为仅限于在此阐述的实施方式。
在附图中，为清楚起见，将层、膜、板、区域等的厚度夸大了。贯穿本说明书，相同标号指代相同部件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的部件被称为“位于另一部件上(on)”时，其可以直接位于另一部件上，或者还可以存在介于其间的部件。与此相反，当一部件被称为“直接位于另一部件上(directly on)”时，不存在介于其间的部件。而且，应当理解，当诸如层、膜、区域，或基板的部件被称为“全部(entirely)位于另一部件上”时，其可以位于该另一部件的整个表面上，而不能位于该另一部件的边缘的一部分上。
下面，对本发明的实施方式进行详细说明，附图中例示了其示例。
下面，参照图1和2，对根据本发明的示例实施方式的太阳能电池进行描述。
图1是根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的局部立体图。图2是沿图1的II-H线截取的截面图。
如图1和2所示，据本发明的示例实施方式的太阳能电池1包括：基板110；位于基板110的光所投射到的光接收表面处的发射极层120；位于发射极层120上的多个第一电极141；沿与所述多个第一电极141交叉的方向、位于发射极层120上的至少一个第一集电器142；位于没有设置所述多个第一电极141和所述至少一个第一集电器142的发射极层120上的防反射层130；以及位于与基板110的光接收表面相反的表面上并且连接至基板110的第二电极151。
基板110是半导体基板，并且尽管不要求，但可以由第一导电类型(例如，p型)的硅形成。基板110中使用的硅可以是单晶硅、多晶硅，或非晶硅。如果基板110是p型，则基板110可以包含诸如硼(B)、镓(Ga)以及铟(In)的III族元素的杂质。
基板110的表面可以纹理化，以形成与不平坦表面相对应或者具有不平坦特征的纹理化表面。如果基板110的表面为纹理化表面，则可以减小基板110的光接收表面处的光反射系数。而且，因为可以在基板110的纹理化表面上执行光入射操作和光反射操作两者，所以光可以被限制在太阳能电池1中。因此，光吸收可以增加，并且可以提高太阳能电池1的效率。另外，因为入射在基板110上的光的反射损失可以减小，所以入射在基板110上的光的量可以进一步增加。
发射极层120是掺杂有与基板110的第一导电类型(例如，p型)相反的第二导电类型(例如，n型)的杂质的区域。发射极层120与基板110一起形成p-n结。如果发射极层120是n型，则发射极层120可以通过向基板110掺杂诸如磷(P)、砷(As)以及锑(Sb)的V族元素的杂质来形成。
当入射在基板110上的光的能量被施加至基板110内部的原子时，由此生成多个电子空穴对。电子接着向n型半导体移动，而空穴接着向p型半导体移动。因而，如果基板110是p型而发射极层120是n型，则空穴向p型基板110移动而电子向n型发射极层120移动。
不同于本发明的该实施方式，基板110可以是n型并且可以由除了硅以外的半导体材料形成。如果基板110是n型，则基板110可以包含诸如磷(P)、砷(As)以及锑(Sb)的V族元素的杂质。
因为发射极层120和基板110一起形成p-n结，所以如果基板110是n型，则发射极层120是p型。在这种情况下，电子向基板110移动，而空穴向发射极层120移动。如果发射极层120是p型，则发射极层120可以通过向基板110掺杂诸如硼(B)、镓(Ga)以及铟(In)的III族元素的杂质来形成。
位于发射极层120上的防反射层130可以由硅氮化物(SiNx)和/或二氧化硅(SiO2)形成。防反射层130减小了入射到太阳能电池1上的光的反射率并且增加了入射光的预定波长频带的选择性，由此，增加了太阳能电池1的效率。
图1和2示出了具有单层结构的防反射层130。然而，防反射层130可以具有多层结构，例如双层结构和三层结构。如果需要，可以省略防反射层130。
所述多个第一电极141中的每一个第一电极都包括连接至发射极层120并且由导电材料形成的第一电极层141a、以及设置在该第一电极层141a上的第二电极层141b。第一电极层141a和位于第一电极层141a上的第二电极层141b具有相同平面形状。例如，第一电极层141a和位于第一电极层141a上的第二电极层141b在从上方观看时具有相同形状。
因此，通过所述多个第一电极层141a收集向发射极层120移动的大部分的载流子(例如，电子)，并且所收集的载流子的至少一部分向连接至第一电极层141a的第二电极层141b移动。
第一电极层141a和第二电极层141b可以由相同导电材料形成。另选的是，第一电极层141a和第二电极层141b可以由不同导电材料形成。
在本发明的该示例实施方式中，第一电极141可以由从由银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种来形成。可以使用其它材料。
第一电极层141a可以包含具有良好导电性的银(Ag)，而第二电极层141b可以包含镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)等。由此，因为可以减小发射极层120与所述多个第一电极层141a之间的接触电阻，所以提高了从发射极层120至第一电极层141a的载流子传输效率。
在本发明的该示例实施方式中，因为所述多个第一电极141中的每一个第一电极都具有包括第一电极层141a和第二电极层141b的双层结构，所以具有双层结构的第一电极141的厚度可以大于具有单层结构的第一电极的厚度。因此，减小了太阳能电池1的串联电阻，并且提高了从发射极层120至第一电极141的载流子传输效率。而且，减小了电流损耗。
在本发明的该示例实施方式中，每一个第一电极141可以具有大约30μm至100μm的宽度W1。而且，每一个第一电极层141a可以具有大约15μm至30μm的厚度T1，并且每一个第二电极层141b可以具有大约40μm至50μm的厚度T2。
如果第一电极141的宽度W1小于大约30μm，则可能在第一电极141中产生断开。如果第一电极141的宽度W1大于大约100μm，则太阳能电池1的光接收面积可能减小。因此，可能降低太阳能电池1的效率。
发射极层120上的所述至少一个第一集电器142可以被称为汇流条。所述至少一个第一集电器142沿与所述多个第一电极141交叉的方向延伸。而且，所述至少一个第一集电器142连接至第一电极层141a和第二电极层141b。
所述至少一个第一集电器142可以由与第一电极层141a和第二电极层141b不同的材料形成。图2例示了具有上述结构的太阳能电池1的截面图。图1和2所示的第一集电器142的厚度T3可以基本等于或不同于第一电极141的厚度(T1+T2)(即，第一电极层141的厚度T1和第二电极层141b的厚度之和)。如果第一集电器142的厚度T3不同于第一电极141的厚度(T1+T2)，则第一电极141与第二集电器142之间的接触部分可能倾斜。在这种情况下，第一集电器142可以通过该第一集电器142的侧部而部分地连接至所述多个第一电极层141a和所述多个第二电极层141b。在其它实施方式中，第一集电器142的厚度T3可以基本等于第一电极层141a的厚度T1和第二电极层141b的厚度T2中的一个或两者。例如，第一集电器142的厚度T3可以基本等于第一电极层141a的厚度T1。
如上所述，所述多个第一电极141中的每一个都具有包括第一电极层141a和第二电极层141b的双层结构，而所述至少一个第一集电器142具有单层结构。
所述多个第一电极层141a彼此隔开并且沿与第一集电器142交叉的方向延伸。因为沿与所述多个第一电极层141a交叉的方向延伸的第一集电器142直接位于发射极层120上(right on)，所以所述多个第一电极层141a没有设置在设置有第一集电器142的发射极层120上。
如上所述，因为第一集电器142连接至发射极层120的一部分和所述多个第一电极141，所以第一集电器142向外部装置输出从发射极层120和所述多个第一电极141传输来的载流子(例如，电子)。在这种情况下，第一集电器142收集来自第一电极层141a以及第二电极层141b的载流子。在具有上述结构的太阳能电池1中，第一电极141和第一集电器142可以通过例如在防反射层130上顺序地形成第一电极层141a和第二电极层142b，并接着形成第一集电器142来制造。另选的是，第一电极141和第一集电器142可以通过例如在防反射层130上形成第一集电器142，并接着顺序地形成第一电极层141a和第二电极层141b来执行。
第一电极层141a、第二电极层141b以及第一集电器142可以由相同导电材料形成。在这种情况下，用作第一集电器142的主要成分的导电材料的量可以不同于第一电极层141a或第二电极层141b。更具体地说，第一电极层141a的导电材料的量可以不同于第二电极层141b的导电材料的量和第一集电器142的导电材料的量。
例如，第一电极层141a的银含量可以大于第二电极层141b的银含量和第一集电器142的银含量。换句话说，第一电极层141a的银含量可以为大约80wt％至90wt％，而第二电极层141b的银含量和第一集电器142的银含量可以为大约70wt％至75wt％。
太阳能电池1还包括位于第二电极151与基板110之间的背表面场(BSF)层171。背表面场层171是利用具有与基板110相同的导电类型的杂质比基板110更重地掺杂的区域(例如，p+型区)。背表面场层171用作基板110的势垒。由此，背表面场层171防止或减少与基板110的光接收表面相反的后表面周围的电子和空穴的重组和/或消失，由此，提高太阳能电池1的效率。
基板110的后表面上的第二电极151收集移动至基板110的载流子(例如，空穴)。第二电极151可以由至少一种导电材料形成。该导电材料可以为从由镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种。可以使用其它导电材料。
太阳能电池1还包括位于基板110的后表面上的至少一个第二集电器152。所述至少一个第二集电器152连接至第二电极151。
在本发明的该示例实施方式中，所述至少一个第二集电器152直接位于基板11的后表面上(right on)，并且连接至与所述至少一个第二集电器152相邻的第二电极151。即，所述至少一个第二集电器152不与第二电极151交叠。然而，可以使用其它构造。例如，所述至少一个第二集电器152可以部分交叠地第二电极151。另选的是，所述至少一个第二集电器152可以覆盖(lay over)基板110的后表面上的第二电极151，并且可以连接至下面的第二电极151。
在本发明的该示例实施方式中，第二集电器152与第一集电器142相对定位(或对准)，其间插入了基板110，并且沿与第一集电器142相同的方向延伸。可以使用其它构造。
尽管图1作为太阳能电池1的局部立体图示出了一个第二集电器152，但太阳能电池1可以包括多个第二集电器152。
与第一集电器142类似，连接至第二电极151的第二集电器152收集从第二电极151传输来的载流子(例如，空穴)，并且通过导电带等向外部装置输出这些载流子。
第二集电器152可以由从由镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种来形成。可以使用其它导电材料。
下面，参照图3至6，对制造根据本发明的该示例实施方式的太阳能电池的电极的各种方法进行描述。
图3至6分别例示了制造根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的电极的四个示例方法。更具体地说，各个图3、4、5以及6中的(a)是在各个示例方法中通过第一印刷工序形成的第一前电极部分图案的平面图。各个图3、4、5以及6中的(b)是在各个示例方法中通过第二印刷工序形成的第二前电极部分图案的平面图。各个图3、4、5以及6中的(c)是在各个示例方法中沿第一电极层图案的纵向截取的第一和第二前电极部分图案的截面图。
在图3至6所示的电极制造方法中，在形成电极之前，在基板110的一个表面上形成发射极层120和防反射层130。
下面，对用于制造发射极层120的方法进行简要描述。可以在p型基板110上执行例如包含诸如磷(P)、砷(As)以及锑(Sb)的V族元素杂质的材料(例如，POCl3或H3PO4)的高温热处理，以将V族元素杂质分布到基板110中。因此，n型发射极层120可以形成在基板110的包括该基板110的前表面、后表面以及侧表面的整个表面上。
另选的是，如果基板110是与本发明上述实施方式不同的n型，则可以在基板110上执行例如包含III族元素杂质的材料(例如，B2H6)的高温热处理，以在基板110的整个表面上形成p型发射极层120。
随后，通过蚀刻工序去除在将p型杂质或n型杂质分布到基板110中时所生成的包含磷(P)的磷硅酸盐玻璃(PSG)或包含硼(B)的硼硅酸盐玻璃(BSG)。
接下来，下面对用于制造防反射层130的方法进行简要描述。防反射层130可以例如通过利用各种淀积方法(例如，等离子体增强化学汽相淀积(PEVCD)方法)在基板110的光接收表面(例如，前表面)上淀积硅氮化物(SiNx)来形成。
防反射层130的折射率可以具有空气折射率(大约为1)与硅基板110的折射率(大约3.5)之间的值。例如，防反射层130可以具有大约1.9至2.3的折射率。因此，因为从空气经由防反射层130至基板110的折射率顺序改变，所以提高了防反射层130的防反射效果。
如上所述，在形成发射极层120和防反射层130之后，利用图3至6所示的各种方法制造所述电极。
在第一示例方法中，如图3的(a)中所示，利用丝网印刷方法将用于第一前电极部分图案的膏体印刷在基板110上，并接着在预定温度(例如，大约120℃至200℃)下干燥，以形成第一前电极部分图案40a。第一前电极部分图案40a包括第一电极层图案41a和第一集电器图案42。第一集电器图案42沿与第一电极层图案41a交叉的方向延伸。
当利用银膏形成第一前电极部分图案40a时，第一前电极部分图案40a与基板110之间的接触电阻减小。因此，可以改善太阳能电池1的光电转换特性。
接下来，如图3的(b)中所示，形成第二前电极部分图案40b。第二前电极部分图案40b包括第二电极层图案41b。第二电极层图案41b具有与第一电极层图案41a相同的平面形状。即，第二电极层图案41b没有形成在与第一集电器图案42交叠的区域中。
第二前电极部分图案40b可以通过在第一电极层图案41a上印刷包含与第一前电极部分图案40a的形成材料不同的材料的膏体并接着在大约120℃至200℃干燥该膏体来形成。
用于第二前电极部分图案40b的膏体可以包含与用于第一前电极部分图案40a的膏体不同的导电材料，例如，从由铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种。
由此形成的电极具有图3的(c)中所示的截面形状。
在第二示例方法中，如图4的(b)中所示，第二前电极部分图案40b甚至可以连续印刷在第一集电器图案42的形成区上。在这种情况下，因为第一集电器142的一部分可以与具有高导电率的第一电极层141a交叠，所以硅基板110与第一集电器142之间的接触电阻可以减小。因此，从第一电极141向第一集电器142流动的电流的损耗可以减小，从而可以改善太阳能电池1的光电转换特性。
由此形成的电极具有图4的(c)中所示的截面形状。
在第三示例方法中，如图5的(a)中所示，利用丝网印刷方法将用于第一前电极部分图案的膏体印刷在基板110上，并接着在例如大约120℃至200℃的预定温度下干燥，以形成第一前电极部分图案40a。第一前电极部分图案40a包括第一电极层图案41a，但不包括第一集电器图案42。第一电极层图案41a甚至形成在要形成有第一集电器图案42的区域上。即，第一电极层图案41a甚至连续印刷在第一集电器图案42的指定形成区域上。
接下来，如图5的(b)中所示，形成第二前电极部分图案40b。第二前电极部分图案40b包括第二电极层图案41b和第一集电器图案42。第一集电器图案42沿与第一电极层图案41a交叉的方向延伸。因而，第一电极层图案41a的一部分与第一集电器图案42的一部分交叠。
由此形成的电极具有图5的(c)中所示的截面形状。
在第四示例方法中，可以按图6的(a)中所示的不连续图案印刷第一电极层图案41a。接下来，如图6的(b)中所示，形成第二前电极部分图案40b。第二前电极部分图案40b包括第二电极层图案41b和第一集电器图案42。第一集电器图案42沿与第一电极层图案41a交叉的方向延伸。由此形成的电极具有图6的(c)中所示的截面形状。然而，在这个实施方式中，第一电极层图案41a的一部分不与第一集电器图案42的一部分交叠。而是，第二电极层图案41b与第一电极层图案41a交叠。
在图3至6所示的示例方法中，因为用于形成前电极部分图案40的印刷工序在两个印刷工序或步骤中执行，所以与通过一个印刷工序或步骤形成的电极相比，由前电极部分图案40所形成的第一电极141的厚度可以增加。在本发明的其它实施方式中，用于形成前电极部分图案40的印刷工序在三个或更多个印刷工序中执行，例如，用于形成第一电极层图案41a、第一集电器图案42以及第二电极层图案41b的工序。在具有三个或更多个印刷工序的实施方式中，形成第一电极层图案41a应当在形成第二电极层图案41b之前执行，而形成第一集电器图案42可以作为可顺序地执行的所述三个或更多个印刷工序中的任一步骤来执行。
在图3至6所示的示例方法中，第一电极层图案41a和第二电极层图案41b由不同材料形成。然而，用于第一前电极图案部分40a的膏体和用于第二前电极层部分图案40b的膏体可以包含相同的导电材料作为主要成分。
在这种情况下，作为主要成分包含在用于第一电极层图案41a和第一集电器图案42的膏体中的导电材料的量可以不同于作为主要成分包含在用于第二导电层图案41b的膏体中的导电材料的量。即，作为主要成分包含在用于第一前电极部分图案40a的膏体中的导电材料的量可以不同于作为主要成分包含在用于第二前电极部分图案40b的膏体中的导电材料的量。
例如，可以将其中银粉的量相对于总重量相对较高的第一膏体印刷在防反射层130上，以形成第一前电极部分图案40a。接着，可以将其中银粉的量相对于总重量小于第一膏体中的银粉的量的第二膏体印刷在第一前电极部分图案40a上，以形成第二前电极部分图案40b。在这种情况下，第一膏体中的银粉的量可以为相对于总重量的大约80wt％至90wt％，而第二膏体中的银粉的量可以为相对于总重量的大约70wt％至75wt％。
在通过上述方法形成第一电极141之后，利用丝网印刷方法将包含铝(Al)的后电极膏体施加至与前电极部分图案40的印刷区电分离的区域(即，本发明的该实施方式中的基板110的后表面的对应部分)，并接着进行干燥，以形成后电极图案。利用该后电极图案形成第二电极151。
后电极膏体可以包含从由银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种，而不包含铝(Al)。
接下来，在利用丝网印刷方法将例如包含铝(Al)的第二集电器膏体施加在基板110的后表面的对应部分并接着进行干燥以形成第二集电器图案之后，利用该第二集电器图案形成第二集电器152。
在本发明的该实施方式中，将至少一个第二集电器图案设置为直接位于基板110的后表面上(right on)，并且连接至后电极图案。换句话说，至少一个第二集电器图案不与后电极图案交叠。然而，可以使用其它构造。例如，至少一个第二集电器图案可以与后电极图案部分交叠。至少一个第二集电器图案可以覆盖后电极图案，并且可以连接至下面的后电极图案。
第二集电器图案与第一集电器图案42相对定位，其间插入了基板110。第二集电器图案沿与第一集电器图案42相同的方向延伸。可以使用其它构造。
第二集电器膏体可以包含从由银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合所组成的组中选择的至少一种，而不包含铝(Al)。可以使用其它材料。
在本发明的该实施方式中，前电极部分图案40和后电极部分图案(包括后电极图案和第二集电器图案)的形成顺序可以改变，而且，后电极图案和第二集电器图案的形成顺序可以改变。
随后，可以将包括前电极部分图案40和后电极部分图案的基板110在大约750℃至800℃下烧制，以形成多个第一电极141、至少一个第一集电器142、第二电极151、至少一个第二集电器152，以及背表面场层171。
更具体地说，当执行热处理时，由于前电极部分图案40的一个或更多个成分的玻璃粉(glass frit)中包含的诸如铅(Pb)的元素，而使得前电极部分图案40穿过位于该前电极部分图案40下面的防反射层130。因而，第一电极层图案41a、第一集电器图案42以及第二电极层图案41b中的一个或更多个可以包含玻璃粉中包含的铅(Pb)。在其它实施方式中，如果第二电极层图案41b不需要通过形成在第一电极层图案41a和/或第一集电器图案42上而穿过防反射层130，则第二电极层图案41b不需要包含玻璃粉中包含的铅(Pb)。因此，形成接触发射极层120的所述多个第一电极141和所述至少一个第一集电器142，以完成前电极部分140。在这种情况下，前电极部分图案40的第一和第二电极层图案41a和41b变为所述多个前电极141，而前电极部分图案40的第一集电器图案42变为所述至少一个第一集电器142。
而且，后电极图案和第二集电器图案分别是热处理中的第二电极151和第二集电器152。第二电极151和第二集电器152中包含的铝(Al)分布到接触第二电极151的基板110中，以形成第二电极151与基板110之间的背表面场层171。换句话说，背表面场层171通过将铝(Al)分布到基板110的后表面中来形成。
与本发明的一实施方式不同，在本发明的另一实施方式中，可以将第二集电器152形成在第二电极151下面，以连接至第二电极151的下部。
接下来，例如通过利用激光束来执行用于去除形成在基板110的侧部或边缘处的发射极层120的边缘隔离工序。最后，完成图1和2所示太阳能电池1。
尽管已经参照本发明的多个例示性实施方式，对本发明的实施方式进行了描述，但应当明白，本领域技术人员可以设想落入本发明的原理的范围内的许多其它修改例和实施方式。更具体地说，在本公开、附图以及所附权利要求书的范围内可以对主体组合结构的组件部分和/或结构进行各种变型和修改。除了在组件部分和/或结构方面的变型和修改以外，另选用途也是本领域技术人员所清楚的。

Claims (33)

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
第一导电类型的基板；
第二导电类型的发射极层，该第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述发射极层被设置成与所述基板一起形成p-n结；
多个第一电极，所述多个第一电极连接至所述发射极层，所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构；
至少一个第一集电器，所述至少一个第一集电器连接至所述多个第一电极并且具有单层结构；以及
第二电极，该第二电极连接至所述基板。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第一电极层和所述第二电极层由不同材料形成。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第一电极层和所述第二电极层由相同材料形成。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述至少一个第一集电器由与所述第一电极层相同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述至少一个第一集电器由与所述第二电极层相同的材料形成。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第一电极层包含银Ag。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第二电极层包含从由镍Ni、铜Cu、铝Al、锡Sn、锌Zn、铟In、钛Ti、金Au及其组合所组成的组中选择的至少一种。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极和所述至少一个第一集电器包含银Ag，
所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且所述第一电极层的银含量不同于所述第二电极层的银含量，并且
所述至少一个第一集电器的银含量基本等于所述第一电极的银含量。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述第一电极层的银含量和所述至少一个第一集电器的银含量大于所述第二电极层的银含量。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极和所述至少一个第一集电器包含银Ag，
所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且所述第一电极层的银含量不同于所述第二电极层的银含量，并且
所述至少一个第一集电器的银含量基本等于所述第二电极的银含量。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述第一电极层的银含量大于所述第二电极层的银含量和所述至少一个第一集电器的银含量。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第一电极层的宽度为大约30μm至100μm。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第一电极层的厚度为大约10μm至35μm。
14.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第二电极层仅位于所述第一电极层上。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第二电极层位于所述第一电极层和所述至少一个第一集电器上。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第一电极层仅位于所述第二电极层下面。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一电极中的每一个第一电极都包括第一电极层和位于该第一电极层上的第二电极层，并且
所述第一电极层位于所述第二电极层和所述至少一个第一集电器下面。
18.一种用于制造太阳能电池的电极的方法，该方法包括以下步骤：
在半导体基板的第一区上印刷第一膏体，以形成沿第一方向的第一电极层图案；以及
在所述半导体基板的、形成有所述第一电极层图案的所述第一区上印刷第二膏体，以同时形成位于所述第一电极层图案上的第二电极层图案和沿基本垂直于所述第一方向的第二方向的第一集电器图案。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一膏体和所述第二膏体由相同材料形成。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一膏体和所述第二膏体包含银Ag，并且所述第一膏体的银含量大于所述第二膏体的银含量。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一膏体和所述第二膏体由不同材料形成。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一膏体包含银Ag，并且所述第二膏体包含从由镍Ni、铜Cu、铝Al、锡Sn、锌Zn、铟In、钛Ti、金Au及其组合所组成的组中选择的至少一种。
23.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述半导体基板的第二区中形成第二电极图案和第二集电器图案。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述形成所述第二电极图案和所述第二集电器图案的步骤包括：在所述半导体基板的所述第二区上丝网印刷与所述第二膏体基本相同的材料的膏体。
25.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一方向的所述第一电极层图案未形成在与沿所述第二方向的所述第一集电器图案交叠的位置处。
26.一种用于制造太阳能电池的电极的方法，该方法包括以下步骤：
在半导体基板的第一区上印刷第一膏体，以同时形成沿第一方向的第一电极层图案和沿基本垂直于所述第一方向的第二方向的第一集电器图案；以及
在所述第一电极层图案上印刷第二膏体，以形成第二电极层图案。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一膏体和所述第二膏体由相同材料形成。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述第一膏体和所述第二膏体包含银Ag，并且所述第一膏体的银含量大于所述第二膏体的银含量。
29.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一膏体和所述第二膏体由不同材料形成。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述第一膏体包含银Ag，并且所述第二膏体包含从由镍Ni、铜Cu、铝Al、锡Sn、锌Zn、铟In、钛Ti、金Au及其组合所组成的组中选择的至少一种。
31.根据权利要求26所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述半导体基板的第二区中形成第二电极图案和第二集电器图案。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述形成所述第二电极图案和所述第二集电器图案的步骤包括以下步骤：在所述半导体基板的所述第二区上丝网印刷与所述第二膏体基本相同的材料的膏体。
33.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第二电极层图案未形成在与所述第一集电器图案交叠的位置处。
CN201110168794.9A 2010-06-21 2011-06-21 太阳能电池 Active CN102290453B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100058659A KR101135585B1 (ko) 2010-06-21 2010-06-21 태양 전지 및 그 제조 방법
KR10-2010-0058658 2010-06-21
KR1020100058658A KR101209074B1 (ko) 2010-06-21 2010-06-21 태양 전지 및 그 제조 방법
KR10-2010-0058659 2010-06-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102290453A true CN102290453A (zh) 2011-12-21
CN102290453B CN102290453B (zh) 2015-09-23

Family

ID=44745236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110168794.9A Active CN102290453B (zh) 2010-06-21 2011-06-21 太阳能电池

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8981208B2 (zh)
EP (1) EP2398061B1 (zh)
JP (1) JP5833350B2 (zh)
CN (1) CN102290453B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104247049A (zh) * 2012-04-18 2014-12-24 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 印刷太阳能电池触点的方法
CN106575537A (zh) * 2014-08-28 2017-04-19 E.I.内穆尔杜邦公司 具有铜电极的太阳能电池
TWI585989B (zh) * 2015-01-21 2017-06-01 三菱電機股份有限公司 太陽電池單元、太陽電池模組、太陽電池單元之製造方法及太陽電池模組之製造方法
US9951231B2 (en) 2014-08-28 2018-04-24 E I Du Pont De Nemours And Company Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom
CN108074993A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 三星Sdi株式会社 用于太阳能电池的前电极和包括其的太阳能电池
US10325693B2 (en) 2014-08-28 2019-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5820278B2 (ja) * 2012-01-10 2015-11-24 シャープ株式会社 太陽電池及び太陽電池の製造方法
KR101909143B1 (ko) 2012-01-20 2018-10-17 엘지전자 주식회사 양면 수광형 태양전지
CN103252984A (zh) * 2012-02-17 2013-08-21 无锡尚德太阳能电力有限公司 丝网印刷设备
WO2013162024A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法
KR102053138B1 (ko) * 2013-09-27 2019-12-06 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP6219913B2 (ja) * 2014-11-28 2017-10-25 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
JP5944081B1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-05 三菱電機株式会社 太陽電池セル、太陽電池モジュール、太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法
KR101859017B1 (ko) 2015-12-02 2018-05-17 삼성에스디아이 주식회사 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지
KR101953786B1 (ko) * 2017-04-12 2019-03-05 엘지전자 주식회사 화합물 반도체 태양전지 및 이의 제조 방법
US10763378B2 (en) 2017-05-31 2020-09-01 Tongwei Solar Energy (Hefei) Co., Ltd. Double printing method and screen stencil for improving the tensile force of the electrode of solar panel
US20210257505A1 (en) * 2020-02-18 2021-08-19 Dupont Electronics, Inc. Solar cell and method for manufacturing the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0563218A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Canon Inc 太陽電池及びその製造方法
US20100018577A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method thereof
US20100132792A1 (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Sunho Kim Solar cell and method of manufacturing the same

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152824A (en) 1977-12-30 1979-05-08 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Manufacture of solar cells
US5181968A (en) * 1991-06-24 1993-01-26 United Solar Systems Corporation Photovoltaic device having an improved collector grid
JPH06318724A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Canon Inc 電極及び光起電力素子
JP3050064B2 (ja) * 1994-11-24 2000-06-05 株式会社村田製作所 導電性ペースト、この導電性ペーストからなるグリッド電極が形成された太陽電池及びその製造方法
JP2004235276A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp 太陽電池素子およびその形成方法
JP2005072388A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
DE112004002853B4 (de) 2004-05-07 2010-08-26 Mitsubishi Denki K.K. Verfahren zum Herstellen einer Solarbatterie
JP2005353691A (ja) 2004-06-08 2005-12-22 Sharp Corp 電極、太陽電池、これらの製造方法
JP5091392B2 (ja) * 2005-08-09 2012-12-05 住友ゴム工業株式会社 電極線の形成方法および該電極線を備えた電極板
JP4975338B2 (ja) 2006-03-01 2012-07-11 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP5528653B2 (ja) * 2006-08-09 2014-06-25 信越半導体株式会社 半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法
JP2008135654A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2008205137A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池モジュール
TW200926210A (en) * 2007-09-27 2009-06-16 Murata Manufacturing Co Ag electrode paste, solar battery cell, and process for producing the solar battery cell
US7833808B2 (en) 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
JP5318478B2 (ja) 2008-06-25 2013-10-16 信越化学工業株式会社 太陽電池の電極形成方法、これを利用した太陽電池の製造方法
CN102077358B (zh) 2008-07-03 2015-09-09 三菱电机株式会社 光电动势装置及其制造方法
JP5368022B2 (ja) 2008-07-17 2013-12-18 信越化学工業株式会社 太陽電池
JP5113710B2 (ja) * 2008-10-08 2013-01-09 京都エレックス株式会社 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
JP5515367B2 (ja) * 2009-03-31 2014-06-11 三洋電機株式会社 太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0563218A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Canon Inc 太陽電池及びその製造方法
US20100018577A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method thereof
US20100132792A1 (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Sunho Kim Solar cell and method of manufacturing the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104247049A (zh) * 2012-04-18 2014-12-24 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 印刷太阳能电池触点的方法
US9343591B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC Methods of printing solar cell contacts
CN104247049B (zh) * 2012-04-18 2018-03-16 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 印刷太阳能电池触点的方法
CN106575537A (zh) * 2014-08-28 2017-04-19 E.I.内穆尔杜邦公司 具有铜电极的太阳能电池
US9951231B2 (en) 2014-08-28 2018-04-24 E I Du Pont De Nemours And Company Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom
US10325693B2 (en) 2014-08-28 2019-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom
US10672922B2 (en) 2014-08-28 2020-06-02 Dupont Electronics, Inc. Solar cells with copper electrodes
TWI585989B (zh) * 2015-01-21 2017-06-01 三菱電機股份有限公司 太陽電池單元、太陽電池模組、太陽電池單元之製造方法及太陽電池模組之製造方法
CN108074993A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 三星Sdi株式会社 用于太阳能电池的前电极和包括其的太阳能电池
CN108074993B (zh) * 2016-11-11 2020-06-16 三星Sdi株式会社 用于太阳能电池的前电极和包括其的太阳能电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN102290453B (zh) 2015-09-23
EP2398061A3 (en) 2013-09-18
EP2398061A2 (en) 2011-12-21
EP2398061B1 (en) 2020-04-29
JP2012004571A (ja) 2012-01-05
US20110308601A1 (en) 2011-12-22
JP5833350B2 (ja) 2015-12-16
US8981208B2 (en) 2015-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102290453B (zh) 太阳能电池
EP2443662B1 (en) Solar cell
US8012531B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same, and method for forming impurity region
KR101135591B1 (ko) 태양 전지 및 태양 전지 모듈
EP2458649B1 (en) Solar cell
US9825190B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US9000291B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20120048365A1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
JP2014007382A (ja) 太陽電池
KR101135584B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20160149067A (ko) 태양 전지 모듈
KR101875742B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101135585B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20100130931A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101045859B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR102087156B1 (ko) 태양전지 모듈
KR101444957B1 (ko) 태양 전지
KR101135590B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101209074B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101579321B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
KR20110064985A (ko) 태양 전지, 태양 전지의 패턴 형성용 전사 필름 및 이 필름을 이용한 태양 전지의 제조 방법
KR101839564B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
KR101588456B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20130080662A (ko) 태양전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant