CN102281983A - 电路修复的方法和系统 - Google Patents

电路修复的方法和系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102281983A
CN102281983A CN2010800049592A CN201080004959A CN102281983A CN 102281983 A CN102281983 A CN 102281983A CN 2010800049592 A CN2010800049592 A CN 2010800049592A CN 201080004959 A CN201080004959 A CN 201080004959A CN 102281983 A CN102281983 A CN 102281983A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductor
circuit
restoring area
laser
base board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010800049592A
Other languages
English (en)
Inventor
乌里·戈尔德
兹维·科特拉尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OVBOTECH Ltd
Original Assignee
OVBOTECH Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by OVBOTECH Ltd filed Critical OVBOTECH Ltd
Publication of CN102281983A publication Critical patent/CN102281983A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/34—Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
    • B23K2101/35—Surface treated articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0338—Transferring metal or conductive material other than a circuit pattern, e.g. bump, solder, printed component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0528—Patterning during transfer, i.e. without preformed pattern, e.g. by using a die, a programmed tool or a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明提供一种修复电路的系统和方法，包括：利用激光器和至少一个激光束传输路径，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理；以及利用激光器和至少一个激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。

Description

电路修复的方法和系统
技术领域
本发明通常涉及电路修复。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2009年3月2日提交的题为“A Method and Systemfor Electrical Circuit Repair(电路修复的方法和系统)”的第197349号以色列专利申请的优先权，上述被要求优先权的申请通过引用并入本文。
背景技术
以下出版物被认为代表该项技术的现状：
第4,752,455号、第4,970,196号、第4,987,006号、第5,173,441号以及第5,292,559号美国专利；
“Metal deposition from a supported metal film(来自支撑的金属膜的金属沉积)”，Bohandy，B.F.Kim以及F.J.Adrian，应用物理杂志(J.Appl.Phys.)60(1986)1538；以及
“A study of the mechanism of metal deposition by the laser-inducedforward transfer process(对由激光诱致的前向转递过程的金属沉积机制的研究)”，F.J.Adrian，J.Bohandy，B.F.Kim以及A.N.Jette，真空科学技术杂志(Journal ofVacuum Science and Technology)B 5，1490(1989)，第1490-1494页。
发明内容
本发明寻求提供一种改良的电路修复的系统和方法。
因此，根据本发明的优选实施例提供一种修复电路的方法，包括：利用激光器和至少一个激光束传输路径，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理；以及利用激光器和至少一个激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。
根据本发明的优选实施例，预处理包括激光剥蚀。优选地，在激光预处理与应用至施体基板的过程中，激光器工作在不同的功率等级。
根据本发明的优选实施例，预处理包括基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处理。另外，激光剥蚀引起基板修复区域和导体修复区域的表面粗糙化。再者，基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。
优选地，通过自动光学检查来选择至少一个导体修复区域。
根据本发明的优选实施例，修复电路的方法还包括：利用激光器和至少一个激光束传输路径对过量导体材料进行激光剥蚀。另外，过量导体材料是由从施体基板分离的材料形成的。另外或另一选择为，对过量导体材料进行的激光剥蚀是在将至少一个激光束应用至施体基板之后执行的，将至少一个激光束应用至施体基板又是在激光预处理之后执行的。
根据本发明另一优选实施例还提供一种修复电路的方法，包括：利用激光器和至少一个激光束传输路径，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀；以及利用激光器和至少一个激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。
根据本发明的优选实施例，对过量导体材料进行的激光剥蚀产生对短路的修复。优选地，在激光剥蚀与应用至施体基板的过程中，激光器工作在不同的功率等级。
根据本发明的优选实施例，修复电路的方法还包括：对至少一个导体修复区域进行表面粗糙化。优选地，通过自动光学检查来选择至少一个导体修复区域。
根据本发明的又一优选实施例还提供一种修复电路的方法，包括：预处理电路基板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域，其中导体形成于电路基板上并与至少一个电路基板修复区域邻接；以及将至少一个激光束应用至施体基板，使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个电路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板位置和至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置，由此在至少一个导体修复区域处至少部分地与导体的一部分重叠，并在至少一个电路基板修复区域中形成导体的至少一个延伸部。
根据本发明的优选实施例，预处理包括激光剥蚀。另外，激光剥蚀形成表面粗糙化。
优选地，预处理和应用是由同一激光器实施的。另外，预处理和应用是由同一激光器以不同的功率等级实施的。
根据本发明的优选实施例，基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处理是由同一激光器以不同的功率等级实施。另外，基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。
优选地，通过自动学检查来选择至少一个基板修复区域中的至少一个预定的基板位置和至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置。
根据本发明的再一优选实施例还提供一种用于修复电路的系统，包括：激光器和激光束传输路径；激光预处理功能组件，利用激光器和激光束传输路径的至少一部分，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理；以及导体沉积功能组件，利用激光器和激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得施体基板的至少一部分从施体基板分离，并转移至至少一个预定的导体位置。
根据本发明的另一优选实施例还提供一种用于修复电路的系统，包括：激光器和激光束传输路径；过量导体剥蚀功能组件，利用激光器和激光束传输路径的至少一部分，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀；以及导体沉积功能组件，利用激光器和激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得施体基板的至少一部分从施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。
优选地，对过量导体材料进行的激光剥蚀产生对短路的修复。
根据本发明的又一优选实施例还提供一种用于修复电路的系统，包括：激光器和激光束传输路径；预处理功能组件，利用激光器和激光束传输路径的至少一部分来处理电路基板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域，其中导体形成于电路基板上并与至少一个电路基板修复区域邻接；以及导体沉积功能组件，利用激光器和激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得施体基板的至少一部分从施体基板分离，并转移至至少一个电路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板位置和至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置，由此在至少一个导体修复区域处至少部分地与导体的一部分重叠，并在至少一个电路基板修复区域中形成导体的至少一个延伸部。
附图说明
通过下文的详细描述并结合附图将能更好地理解本发明，其中：
图1是根据本发明的优选实施例构造和工作的修复电路的系统的简化图示；
图2是图1的系统的光学子系统的实施例的简化图示；
图3A-3H是示出图1的系统的运作的简化剖视图；
图4是图1的系统的附加功能的简化图示；以及
图5A-5C是示出图4的功能的运作的简化剖视图。
具体实施方式
现在参见图1和图2，图1是根据本发明的优选实施例构造和工作的用于修复电路的系统的简化图示，图2是图1的系统的光学子系统的实施例的简化图示。
如图1所示，该系统优选地包括底架100，底架100优选地安装在传统的光学平台102上。底架100限定电路检查位置104，将被检查的电路例如印刷电路板(PCB)106可被放置在电路检查位置104上。PCB 106通常具有一个或多个不同类型的缺陷，例如过量导体缺陷和导体缺失缺陷(例如断口110)。
桥112被设置为沿相对于底架100限定的第一检查轴线114、相对于检查位置104进行线性运动。光学头组件(optical head assembly)116被设置为沿垂直于第一检查轴线114的第二检查轴线118、相对于桥112进行线性运动。
根据本发明的优选实施例，如图2详细所示，光学头组件116优选地包括检查子组件120和修复子组件122。检查子组件120与修复子组件122共享至少一些光学部件是本发明的特定特征。
该系统优选地还包括控制组件124，控制组件124优选地包括计算机126，计算机126具有用户接口128且包括软件模块，这些软件模块可操作以操作检查子组件120和修复子组件122。控制组件124优选地从自动光学检查系统(未示出)接收缺陷位置输入，该自动光学检查系统例如为Discovery 8000系统，其可从位于以色列Yavne(亚夫内)的Orbotech有限公司购得。
如图2所示，光学头组件116包括检查子组件120和修复子组件122。检查子组件120是定焦(parafocal)成像系统，其包括照相机150(例如可从Exton PA的Basler公司购得的Basler CMOS照相机)，沿光轴154在PCB 106上的位置152处成像。照相机150通过具有典型的100毫米至150毫米焦距的聚焦物镜160、局部反射镜162以及物镜模块164(例如5x/0.14物镜模块，可从日本Mitutoyo有限公司购得)观察位置152。
根据本发明的实施例，检查子组件120和修复子组件122被设置为沿光轴154至少部分地共享同一光路。修复子组件122包括脉冲式激光源170(例如可从位于法国Grenoble(格勒诺布尔)的TeemPhotonoics公司购得的被动式Q-开关微激光器)，可操作为产生脉冲式激光束174。根据应用，可从例如操作为输出波长为532奈米或1064奈米的光束的激光头选择适合的微激光器。脉冲式光束174穿过包括焦距分别为80毫米与-150毫米的两个透镜180和182的准直光学部件178，可操作以将激光束174准直至优选的0.5毫米至3.0毫米的光点大小。激光束174接着被镜面184反射，并随后由扩束器185调整至特定直径，扩束器185包括针对准直后的输出光束所需的尺寸进行放置和调整的多个透镜186。透镜186可包括例如分别为28毫米平凸透镜、-10毫米双凹透镜和129毫米平凸透镜的透镜。激光束174接着被透镜188引导至撞击在双轴快速导向镜(fast steering mirror，FSM)190(可从Newport公司购得)上，接着经过透镜192(例如108毫米凹凸透镜)、镜面194和透镜196(例如平凸338毫米透镜)。透镜188、192和196维持光束在位于透镜188后的FSM 190上的位置以及维持物镜模块164的输入孔径。光束174然后撞击在分光镜198上，由分光镜198引导光束174沿光轴154穿过物镜模块164。根据本发明的优选实施例，透镜和光学部件如图所示排列，并经适当涂覆以结合激光束174的所选波长操作。
现在参照图3A-3H，其是图1的系统的运作的剖面图。图3A显示典型的导体缺失缺陷，例如断口110(图1)。首先，如上文所述，控制组件124通常从自动光学检查系统接收标识缺陷的类型和位置的输入。
在图3A所示的阶段中，控制组件124使光学头组件116位移，以使物镜模块164位于缺陷上方并聚焦在该缺陷上。在优选地以约600奈米和500奈米为中心的两个波段获得该缺陷的图像，且优选地以约400奈米为中心获得荧光图像。
图像经控制组件124分析并优选地与基准(例如CAM数据)相比较，由此确认缺陷的存在及其类型，并提供缺陷的详细轮廓，该详细轮廓优选地包括至少一个导体修复区域250和至少一个基板修复区域252的限定。
现在参见图3B、3C和3D，从图可知，执行导体修复区域250和基板修复区域252的激光预处理。因激光器与检查子组件共享同一焦点，故物镜模块164在此阶段无需移离其相对于缺陷的方向，这是本发明的特定特征。
可理解的是，对导体修复区域250的预处理与对基板修复区域252的预处理通常不同。导体修复区域250与基板修复区域252的预处理的一般目的是通过激光剥蚀将其表面粗糙化，进而提供将要沉积的导体材料与现有导体和基板之间的增强的黏合。举个例子，若采用产生亚奈秒脉冲的30毫瓦532奈米调Q微片(Q-switched microchip)激光器，则可通过使用直径通常为10微米的光点大小产生深度通常为4-6微米的沟槽的X-Y网格，从而实现基板和导体表面的粗糙化。可理解的是，根据基板的成分和导体的成分，改变撞击在表面的单位面积上的激光能量，例如通过改变激光束在表面上的扫描速度或通过调整所撞击的激光束的功率来改变撞击在表面的单位面积上的激光能量。
现在参见图3E、3F和3G，图3E图示了在施体(donor)基板270上进行初始激光束撞击(impingement)，并导致构成施体基板270一部份的导体材料272沉积到基板修复区域252上，图3F和3G图示了在施体基板270上进行进一步的激光束撞击，并导致导体材料272沉积到基板修复区域252上。如图3E、3F和3G所示，施体基板270优选地位于导体修复区域250的表面之上通常约50微米至300微米的距离(由标号H1标出)处，且通过物镜模块164的适当位移，使激光束聚焦在施体基板270上。
施体基板270通常由激光波长可穿透的材料制成，该材料可以是刚性的(例如玻璃)或挠性的(例如塑料)，且在一侧上涂覆有一薄层导体材料272。
如图3E、3F和3G所示，导体的高度(标记为H2)通常约为5微米至50微米，施体基板270的厚度(标记为H3)通常在500微米至3000微米的范围内，且导体材料272的厚度(标记为H4)通常在0.5微米至3微米的范围内。
优选地，在沉积之前与沉积的过程中，使用检查子组件监测施体基板270的X-Y位置，以确保在覆盖所有预料的激光束撞击位置的区域中在所有相关时刻都存在导体材料272。此功能是通过使激光器与检查子组件共享同一焦点而实现的。
用于表面粗糙化的同一激光器还用于沉积，这是本发明的特定特征。举个例子，若采用产生亚奈秒脉冲的30毫瓦532奈米调Q微片激光器，则可通过利用直径通常为10微米的大小的光点实现沉积，以填充导体修复区域250和基板修复区域252。
图3H图示了在导体修复区域250与基板修复区域252上完成沉积之后的导体修复区域250与基板修复区域252。可理解的是，尽管在图3E、3F、3G和3H所示的实施例中，所沉积的材料以单独沉积点(deposits)显现，但是由此形成的导体呈现大体均匀的外观。
通常，在完成沉积之后，执行对导体修复区域250与基板修复区域252的下一检查，此检查类似于参照图3A所描述的检查。
现在参见图4和图5A-5C，图4是图1的修复电路的系统的附加功能的简化图示，图5A-5C是示出了图4的功能的运作的简化的剖视图。
如图4所示，包括控制组件124、计算机126和用户接口128的图1的修复电路的系统已在PCB 106中识别出过量导体缺陷300。
在图4所示的实例中，且如图5A所具体显示的，过量导体缺陷300包括第一过量导体材料区302和第二过量导体材料区304。第一过量导体材料区302位于导体310与312之间，而第二过量导体材料区304位于导体312与314之间。可理解的是，过量导体缺陷300可形成于PCB 106(图1)的制造期间，或可由在图3E-3H的过程中因溅射而沉积的残留导体材料所导致的。
在图5A所示的阶段中，控制组件124使光学头组件116(图1和图2)位移，以使物镜模块164(图2)位于缺陷上方并聚焦在该缺陷上。优选地在以约600奈米和500奈米为中心的两个波段处获得该缺陷的图像，且以约400奈米为中心获得荧光图像。
图像经控制组件124分析并优选地与基准(例如CAM数据)相比较，由此确认缺陷的存在和类型并提供缺陷的详细轮廓，该详细轮廓优选地包括至少一个导体移除区域(在所示实例中，为第一过量导体材料区302和第二过量导体材料区304)的限定。
现在参见图5B和图5C，从图可知，在第一过量导体材料区302和第二过量导体材料区304实施过量导体材料的激光剥蚀。因激光器与检查子组件共享同一焦点，故物镜模块164在此阶段中无需移离其相对于缺陷的方向，这是本发明的特定特征。
应理解，通常，若采用产生亚奈秒脉冲的30毫瓦532奈米调Q微片激光器，则可通过利用直径通常为5微米至20微米的光点大小实现对第一过量导体材料区302和第二过量导体材料区304的激光剥蚀。应理解，根据过量导体材料的成分，改变撞击在表面的单位面积上的激光能量，例如通过改变激光束在表面上的扫描速度或通过调整所撞击的激光束的功率来改变撞击在表面的单位面积上的激光能量。
优选地，在激光剥蚀之前与激光剥蚀的过程中，使用检查子组件监测PCB 106的X-Y位置，以确保激光束撞击在第一过量导体材料区302和第二过量导体材料区304上，而不撞击在导体310、312和314上。此功能是通过激光器与检查子组件共享同一焦点实现的。
参照图1-3H描述的表面粗糙化和沉积所使用的同一激光器还用于激光剥蚀，这是本发明的特定特征。
通常，在完成激光剥蚀之后，执行对PCB 106的下一检查，此检查类似于参照图5A所描述的检查。
应理解，若在PCB 106上发现多个缺陷，或移除在沉积过程中所沉积的过量导体材料，则上文参照图4和图5A-5C描述的用于对过量导体材料区302和304执行激光剥蚀的激光剥蚀功能，还可与上文参照图3A-3H描述的表面粗糙化功能与沉积功能一起用于同一PCB106。
应理解，上文参照图3A-3H描述的表面粗糙化功能与沉积功能，以及上文参照图4和图5A-5C描述的激光剥蚀功能，均可根据所需在PCB 106上的多个位置或同一位置上以任意适当的顺序实现一次或多次。
本领域技术人员应理解，本发明并非仅限于上文具体显示和描述的内容。而是，本发明包括本文所描述的各种特征的组合和子组合以及本领域技术人员在阅读上文说明后所得到的不属于现有技术的各种改进和修改。

Claims (27)

1.一种修复电路的方法，包括：
利用激光器和至少一个激光束传输路径，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理；以及
利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。
2.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，所述预处理包括激光剥蚀。
3.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，在所述激光预处理和应用至所述施体基板的过程中，所述激光器工作在不同的功率等级。
4.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，所述预处理包括基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处理。
5.如权利要求4所述的修复电路的方法，其中，所述激光剥蚀引起所述基板修复区域和所述导体修复区域的表面粗糙化。
6.如权利要求5所述的修复电路的方法，其中，所述基板修复区域的预处理和所述导体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。
7.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，通过自动光学检查来选择所述至少一个导体修复区域。
8.如权利要求1所述的修复电路的方法，还包括：利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径对过量导体材料进行激光剥蚀。
9.如权利要求8所述的修复电路的方法，其中，所述过量导体材料是由从所述施体基板分离的材料形成的。
10.如权利要求8所述的修复电路的方法，其中，对过量导体材料进行的激光剥蚀是在将至少一个激光束应用至施体基板之后执行的，而将至少一个激光束应用至施体基板又是在所述激光预处理之后执行的。
11.一种修复电路的方法，包括：
利用激光器和至少一个激光束传输路径，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀；以及
利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。
12.如权利要求11所述的修复电路的方法，其中，对过量导体材料进行的激光剥蚀产生对短路的修复。
13.如权利要求11所述的修复电路的方法，其中，在所述激光剥蚀和应用至所述施体基板的过程中，所述激光器工作在不同的功率等级。
14.如权利要求11所述的修复电路的方法，还包括：对所述至少一个导体修复区域进行表面粗糙化。
15.如权利要求11所述的修复电路的方法，其中，通过自动光学检查来选择所述至少一个导体修复区域。
16.一种修复电路的方法，包括：
预处理电路基板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域，所述导体形成于所述电路基板上并与所述至少一个电路基板修复区域邻接；以及
将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离，并转移至所述至少一个电路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板位置和所述至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置，由此在所述至少一个导体修复区域处至少部分地与所述导体的一部分重叠，并在所述至少一个电路基板修复区域中形成所述导体的至少一个延伸部。
17.如权利要求16所述的修复电路的方法，其中，所述预处理包括激光剥蚀。
18.如权利要求16所述的修复电路的方法，其中，所述预处理和所述应用是由同一激光器实施的。
19.如权利要求18所述的修复电路的方法，其中，所述预处理和所述应用是由同一激光器以不同的功率等级实施的。
20.如权利要求18所述的修复电路的方法，其中，所述基板修复区域的预处理和所述导体修复区域的预处理是由同一激光器以不同的功率等级实施的。
21.如权利要求20所述的修复电路的方法，其中，所述基板修复区域的预处理和所述导体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。
22.如权利要求17所述的修复电路的方法，其中，所述激光剥蚀引起表面粗糙化。
23.如权利要求16所述的修复电路的方法，其中，通过自动光学检查来选择所述至少一个基板修复区域中的至少一个预定的基板位置和所述至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置。
24.一种用于修复电路的系统，包括：
激光器和激光束传输路径；
激光预处理功能组件，利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理；以及
导体沉积功能组件，利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。
25.一种用于修复电路的系统，包括：
激光器和激光束传输路径；
过量导体剥蚀功能组件，利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀；以及
导体沉积功能组件，利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。
26.如权利要求25所述的用于修复电路的系统，其中，对过量导体材料进行的激光剥蚀产生对短路的修复。
27.一种用于修复电路的系统，包括：
激光器和激光束传输路径；
预处理功能组件，利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分来处理电路基板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域，所述导体形成于所述电路基板上并与所述至少一个电路基板修复区域邻接；以及
导体沉积功能组件，利用所述激光器和所述激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至所述至少一个电路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板位置和所述至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置，由此在所述至少一个导体修复区域处至少部分地与所述导体的一部分重叠，并在所述至少一个电路基板修复区域中形成所述导体的至少一个延伸部。
CN2010800049592A 2009-03-02 2010-02-07 电路修复的方法和系统 Pending CN102281983A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IL197349A IL197349A0 (en) 2009-03-02 2009-03-02 A method and system for electrical circuit repair
IL197349 2009-03-02
PCT/IL2010/000106 WO2010100635A1 (en) 2009-03-02 2010-02-07 A method and system for electrical circuit repair

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102281983A true CN102281983A (zh) 2011-12-14

Family

ID=42113577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800049592A Pending CN102281983A (zh) 2009-03-02 2010-02-07 电路修复的方法和系统

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110278269A1 (zh)
JP (1) JP2012519390A (zh)
KR (1) KR20110133555A (zh)
CN (1) CN102281983A (zh)
IL (1) IL197349A0 (zh)
TW (1) TW201105194A (zh)
WO (1) WO2010100635A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103517572A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 揖斐电株式会社 布线板及其断开修复方法、布线形成方法和制造方法
CN104797087A (zh) * 2013-12-15 2015-07-22 奥宝科技有限公司 修复印刷电路迹线的方法和设备
CN105665919A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 昆山国显光电有限公司 在线自动修复基板缺陷的系统及其方法
CN106414791A (zh) * 2014-05-27 2017-02-15 奥博泰克有限公司 藉由激光诱发正向转印以印刷三维结构
CN107849687A (zh) * 2015-07-09 2018-03-27 奥博泰克有限公司 对激光诱导正向转移喷射角度的控制
US10451953B2 (en) 2014-11-12 2019-10-22 Orbotech Ltd. Acousto-optic deflector with multiple output beams
CN114521061A (zh) * 2022-01-21 2022-05-20 广东工业大学 一种印刷线路板短路激光修复方法及设备

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5863264B2 (ja) * 2011-04-07 2016-02-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
TW201716167A (zh) * 2011-08-18 2017-05-16 奧寶科技有限公司 用於電路之檢測/維修/再檢測系統及雷射寫入系統
US8859935B2 (en) * 2012-05-22 2014-10-14 General Electric Company Method of preparing material for welding
US10537027B2 (en) 2013-08-02 2020-01-14 Orbotech Ltd. Method producing a conductive path on a substrate
WO2015015484A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Orbotech Ltd. A system and method for producing a conductive path on a substrate
US10629442B2 (en) 2013-10-14 2020-04-21 Orbotech Ltd. Lift printing of multi-composition material structures
KR102353254B1 (ko) 2014-08-07 2022-01-18 오르보테크 엘티디. 리프트 인쇄 시스템
WO2016063270A1 (en) 2014-10-19 2016-04-28 Orbotech Ltd. Llift printing of conductive traces onto a semiconductor substrate
KR102282860B1 (ko) 2015-01-19 2021-07-28 오르보테크 엘티디. 희생 지지부를 가진 3차원 금속 구조물의 프린팅
US10220471B2 (en) 2015-10-14 2019-03-05 Lawrence Livermore National Security, Llc Spatter reduction laser scanning strategy in selective laser melting
WO2017075277A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Seurat Technologies, Inc. Part manipulation using printed manipulation points
KR102546450B1 (ko) 2015-11-22 2023-06-21 오르보테크 엘티디. 프린팅된 3-차원 구조들의 표면 특성들의 제어
WO2017132664A1 (en) 2016-01-28 2017-08-03 Seurat Technologies, Inc. Additive manufacturing, spatial heat treating system and method
US11148319B2 (en) 2016-01-29 2021-10-19 Seurat Technologies, Inc. Additive manufacturing, bond modifying system and method
CN107309554A (zh) * 2017-03-16 2017-11-03 融之航信息科技（苏州）有限公司 一种复合材料损伤区域的激光去除装置及其方法
CN106825915B (zh) * 2017-03-28 2019-12-03 北京印刷学院 脉冲激光诱导向前转移制备图案化金属薄层的系统和方法
US11014302B2 (en) 2017-05-11 2021-05-25 Seurat Technologies, Inc. Switchyard beam routing of patterned light for additive manufacturing
TW201901887A (zh) 2017-05-24 2019-01-01 以色列商奧寶科技股份有限公司 於未事先圖樣化基板上電器互連電路元件
EP3894108A4 (en) 2018-12-14 2022-08-17 Seurat Technologies, Inc. ADDITIVE MANUFACTURING SYSTEM FOR CREATING OBJECTS FROM POWDER USING A HIGH FLUX LASER FOR TWO-DIMENSIONAL PRINTING
WO2020132215A1 (en) 2018-12-19 2020-06-25 Seurat Technologies, Inc. Additive manufacturing system using a pulse modulated laser for two-dimensional printing
CN110972406B (zh) * 2019-12-04 2020-07-28 广东工业大学 一种用于精细线路的修复方法
CN111526670A (zh) * 2020-04-15 2020-08-11 武汉博联特科技有限公司 一种基于振镜的bga激光返修系统
TWI819583B (zh) * 2022-04-27 2023-10-21 東捷科技股份有限公司 電路基板的修補方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5175504A (en) * 1991-06-17 1992-12-29 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for automatically inspecting and repairing a simple matrix circuit panel
CN1395462A (zh) * 2002-06-06 2003-02-05 华中科技大学 一种电路板制作和修复方法
US20030178395A1 (en) * 2000-05-24 2003-09-25 Duignan Michael T. Method and apparatus for fabrication of miniature structures
US20060220167A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Intel Corporation IC package with prefabricated film capacitor
US20070218630A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microstructure, semiconductor device, and manufacturing method of the microstructure
WO2007134300A2 (en) * 2006-05-12 2007-11-22 Photon Dynamics, Inc. Deposition repair apparatus and methods
CN101203091A (zh) * 2006-12-12 2008-06-18 华通电脑股份有限公司 电路板修复方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5171709A (en) * 1988-07-25 1992-12-15 International Business Machines Corporation Laser methods for circuit repair on integrated circuits and substrates
US5384953A (en) * 1993-07-21 1995-01-31 International Business Machines Corporation Structure and a method for repairing electrical lines
US5616524A (en) * 1995-12-22 1997-04-01 General Electric Company Repair method for low noise metal lines in thin film imager devices

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5175504A (en) * 1991-06-17 1992-12-29 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for automatically inspecting and repairing a simple matrix circuit panel
US20030178395A1 (en) * 2000-05-24 2003-09-25 Duignan Michael T. Method and apparatus for fabrication of miniature structures
CN1395462A (zh) * 2002-06-06 2003-02-05 华中科技大学 一种电路板制作和修复方法
US20060220167A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Intel Corporation IC package with prefabricated film capacitor
US20070218630A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microstructure, semiconductor device, and manufacturing method of the microstructure
WO2007134300A2 (en) * 2006-05-12 2007-11-22 Photon Dynamics, Inc. Deposition repair apparatus and methods
CN101203091A (zh) * 2006-12-12 2008-06-18 华通电脑股份有限公司 电路板修复方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103517572A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 揖斐电株式会社 布线板及其断开修复方法、布线形成方法和制造方法
CN104797087A (zh) * 2013-12-15 2015-07-22 奥宝科技有限公司 修复印刷电路迹线的方法和设备
CN104797087B (zh) * 2013-12-15 2019-10-01 奥宝科技有限公司 修复印刷电路迹线的方法和设备
CN106414791A (zh) * 2014-05-27 2017-02-15 奥博泰克有限公司 藉由激光诱发正向转印以印刷三维结构
US10451953B2 (en) 2014-11-12 2019-10-22 Orbotech Ltd. Acousto-optic deflector with multiple output beams
US11409184B2 (en) 2014-11-12 2022-08-09 Orbotech Ltd. Acousto-optic deflector with multiple output beams
CN105665919A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 昆山国显光电有限公司 在线自动修复基板缺陷的系统及其方法
CN105665919B (zh) * 2014-11-19 2018-12-11 昆山国显光电有限公司 在线自动修复基板缺陷的系统及其方法
CN107849687A (zh) * 2015-07-09 2018-03-27 奥博泰克有限公司 对激光诱导正向转移喷射角度的控制
CN107849687B (zh) * 2015-07-09 2020-01-14 奥博泰克有限公司 对激光诱导正向转移喷射角度的控制
CN114521061A (zh) * 2022-01-21 2022-05-20 广东工业大学 一种印刷线路板短路激光修复方法及设备
CN114521061B (zh) * 2022-01-21 2022-08-02 广东工业大学 一种印刷线路板短路激光修复方法及设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201105194A (en) 2011-02-01
IL197349A0 (en) 2009-12-24
US20110278269A1 (en) 2011-11-17
WO2010100635A1 (en) 2010-09-10
KR20110133555A (ko) 2011-12-13
JP2012519390A (ja) 2012-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102281983A (zh) 电路修复的方法和系统
US20030138203A1 (en) Laser processing device
JP6380069B2 (ja) 光送信モジュール
WO2006090248A3 (en) Method and apparatus for laser processing
WO2009102002A1 (ja) レーザによる透明基板の加工方法および装置
CN105364302A (zh) 激光光线的光点形状检测方法
KR20080087709A (ko) 레이저 가공 장치
CN102615425A (zh) 一种基于折射式扫描系统的激光异形微孔的加工系统
JP2013043204A (ja) レーザ加工方法
KR20140029168A (ko) 광섬유, 광섬유 장치 및, 레이저 가공 장치
JP2014188518A (ja) レーザ加工装置
JP2016131997A (ja) レーザ切断光学ユニット及びレーザ切断装置
CN101576594B (zh) 自动光学检查设备及其光源模块
US7945087B2 (en) Alignment of printed circuit board targets
JP6415948B2 (ja) 形状等測定装置
US10228531B2 (en) Lens device
WO2015041087A1 (ja) 導光体及びレーザ光源装置
KR101659497B1 (ko) 레이저 절단 장치
US7800013B2 (en) Laser device and laser system using same
JP2019005802A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置及びレーザ出射ユニット
KR100862522B1 (ko) 레이저가공 장치 및 기판 절단 방법
CN102056702B (zh) 用于超声波的激光产生的分线盒光纤
JP2012115897A (ja) レーザ加工装置及び光軸調整方法
JP2006339266A (ja) レーザ加工方法
JP4791973B2 (ja) 相互に離れて配置されたオブジェクトを観察するためのカメラデバイスを有する光学システム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20111214