CN102277616B - 生产包括硅的半导体晶圆的方法 - Google Patents

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Abstract

一种生产包括硅的半导体晶圆的方法，包括：从在坩埚中加热的熔融物拉出籽晶的单晶体；向坩埚底部的中心供应热量，其中加热功率在被拉出的单晶体的圆柱体状区段的进程中增加至少一次达到不小于2kW并接着再次下降；以及从拉出的单晶体切片半导体晶圆。

Description

生产包括硅的半导体晶圆的方法
技术领域
本发明涉及一种生产包括硅的半导体晶圆的方法，包括：从在坩埚中加热的熔融物拉出籽晶的单晶体；向坩埚底部的中心供应热量；以及从拉出的单晶体切片半导体晶圆。
背景技术
坩埚通常包括含有二氧化硅(例如，石英)的材料。其通常填充有由多晶硅构成的块体和/或微粒，所述多晶硅借助于围绕坩埚设置的侧面加热器而熔化。在熔融物(melt)的热稳定阶段之后，多晶硅籽晶浸入到熔融物中并且升高。在该情形中，硅在籽晶被熔融物湿化的那端结晶。结晶率大致受籽晶升高的速度(晶体提升速度)以及熔融硅结晶的界面处的温度影响。通过合适控制这些参数，首先称为细颈部的区段被拉出，以便消除变位，接着是单晶体的圆锥形区段，且最后是单晶体的圆柱体状区段，半导体晶圆从该圆柱体状区段大致切片。
坩埚材料中的释放气态内含物、围绕块体和/或微粒的气体、在熔融物中出现的二氧化硅以及扩散到熔融物中的气体被认为是在单晶体中出现空隙(称为针孔缺陷)的可能原因。在小气泡传送到生长的单晶体与熔融物之间的界面时以及在单晶体围绕气泡结晶时可能出现空隙。如果在切片半导体晶圆的工艺期间分离平面与针孔缺陷相交，那么得到的半导体晶圆具有圆形凹陷或孔，该圆形凹陷或孔的直径通常在从数个微米至高达数个毫米。在其中出现这种针孔缺陷的半导体晶圆不能被用作用于生产电子部件的基底晶圆。
因此，已经公布了针对可能抑制这种针孔缺陷形成的许多建议。这些建议中的许多聚焦于改进坩埚材料的属性。然而，在该方面改进的坩埚是更为昂贵的或者带来其它缺陷，例如坩埚释放物质，该物质导致在单晶体中形成变位。
其它建议集中在块体和/或微粒熔融阶段期间抑制或消除小气泡。例如，因而US 2008/0011222 A1提出将侧面加热器的加热功率首先集中在坩埚的侧表面、并随后集中到坩埚的底表面上。这些措施的缺点在于，它们不再影响小气泡的出现并且小气泡到界面的运动只要生长单晶体就开始。
发明内容
本发明的目的在于提出一种方法，所述方法包括应对在单晶体中形成针孔缺陷的至少一种措施，所述方法在拉出单晶体的工艺期间是有效的。
该目的是通过一种用于生产包括硅的半导体晶圆的方法来实现的，所述方法包括：
从在坩埚中加热的熔融物拉出籽晶的单晶体；
向坩埚底部的中心供应热量，其中加热功率在被拉出的单晶体的圆柱体状区段的进程中增加至少一次达到不小于2kW并接着再次下降；以及
从拉出的单晶体切条半导体晶圆。
发明人确定，当在拉出单晶体的圆柱体状区段的工艺期间在坩埚底部的区域中的温度场变化至少一次时，由硅构成的半导体晶圆的针孔缺陷的频率明显降低，所述温度场变化使得坩埚底部中的最高温度从在坩埚底部的边缘处的位置迁移远至坩埚底部的中心。被认为的是在该进程中，附连到坩埚底部内壁的小气泡由对流驱动的熔融物流遣走，所述熔融物流将其运输远至熔融物的自由表面，所述自由表面不被坩埚和生长单晶体覆盖。由此，小气泡可离开熔融物而不会传送到生长单晶体和熔融物之间的界面。
温度场的变化优选地受加热装置(坩埚底部加热器)影响，所述加热装置邻近于坩埚底部并且可与坩埚被提升和下降。为此目的，坩埚底部加热器的加热功率增加至少一次至不小于2kW、优选地在2-5kW，并接着再次下降。加热功率优选地从0kW增加至少一次至2-5kW，并接着再次下降至0kW。加热功率小于2kW的增加对于避免针孔缺陷具有小量影响，且增加至大于5kW使得坩埚经受热应力到不恰当的程度，并且可触发在单晶体中形成变位。
坩埚底部加热器的加热功率优选地在一定时间段内以斜坡的方式增加，所述一定时间段不短于90分钟且不长于900分钟。在该情形中，单晶体从熔融物被拉离的速率优选地在0.3至0.8mm/分、尤其优选地在0.45-0.65mm/分。斜坡包括具有优选线性升高坩埚底部加热器的加热功率的区段；合适的话，具有坩埚底部加热器的恒定加热功率的区段；以及具有坩埚底部加热器的下降加热功率的区段。具有恒定加热功率的区段优选地在0-90分的时间段内延伸。包括1-10个这种斜坡的加热功率曲线是尤其优选的。
此外，通过一系列其它措施的支持，优选的是将小气泡运输到熔融物的自由表面。优选措施包括将熔融物暴露于水平磁场或CUSP磁场的作用下，其中在坩埚底部的边缘处磁通量密度不小于50mT。坩埚底部的边缘是从坩埚的圆柱体状侧壁过渡至坩埚底部的部位。尤其优选的是，将熔融物暴露于CUSP磁场的作用下，所述CUSP磁场的中间表面在距熔融物的自由表面平面不小于90mm的距离处与单晶体的中心纵向轴线相交。
优选措施还包括以不大于3转每分、优选地以1-2转每分的速度旋转坩埚，以及以不小于6转每分、优选地以6-12转每分的速度旋转单晶体。坩埚和单晶体以相同方向或相反方向旋转。相反方向的旋转是优选的。因此，旋转速度被规定为绝对值。
最后，优选措施还包括将惰性气体(例如，氩)引导到熔融物的自由表面，以便从熔融物和单晶体的区域移除从熔融物逸出的气体。在优选地11至80毫巴(1100-8000Pa)的压力下，惰性气体的按体积计流率优选地为600-12000l/h、尤其优选地为1500-3000l/h。
附图说明
将在下文参考附图来更详细地解释本发明。
图1示出了尤其适用于实施该方法的配置。
图2示出了尤其适用于实施该方法的坩埚底部加热器的配置。
图3示出了根据一个优选实施例的坩埚底部加热器的加热功率的时间变化曲线。
图4示出了坩埚内壁上最高温度的空间运动，其取决于坩埚底部加热器的加热功率的时间变化。
具体实施方式
根据图1的配置包括坩埚4，所述坩埚安装到支承坩埚5上并且包含具有硅的熔融物。坩埚优选地包括石英，且坩埚的直径优选地对应于单晶体8的直径的2至4倍。坩埚4和支承坩埚5安置在可提升和降低的坩埚轴上，并且可由实施为电阻加热器的侧面加热器6围绕。借由侧面加热器，热量大致从侧面被传递到熔融物。磁性装置位于邻近侧面加热器6的外部，借由该磁性装置，熔融物暴露于水平磁场或CUSP磁场的作用下。说明描述了适于加强CUSP磁场作用于熔融物的线圈。
另一静止底部加热器7实施为电阻加热器，其围绕坩埚轴设置在支承坩埚下面。借由该静止底部加热器，热量大致从下方传递至熔融物。
单晶体8以籽晶从熔融物拉出、通过热屏蔽件2被屏蔽免受外界的热辐照以及通过冷却器1冷却，冷却剂流动通过该冷却器1。包括硅的单晶体的额定直径优选地是300mm或450mm。熔融物的自由表面与热屏蔽件2的下边界3之间的距离优选地在20-30mm。熔融物的自由表面与冷却器1的下边界之间的距离优选地在160-200mm。
坩埚底部加热器13实施为电阻加热器，其集成到坩埚轴的头部中，所述坩埚底部加热器的加热功率根据本发明变化以便使得附连到坩埚4内壁的小气泡11被相应导向的熔融物流10和12遣走并且运输到熔融物的自由表面。从这里，小气泡连同从熔融物逸出的二氧化硅被惰性气流9夹带并且从熔融物的区域以及生长的单晶体移除，所述惰性气流9导向到熔融物的自由表面。
在图2中描述了尤其适合于实施该方法的坩埚底部加热器的配置细节。所述坩埚底部加热器包括由石墨构成的加热螺旋件14，其经由导向通过坩埚轴的内和外电流馈线15和16供应有AC电流。加热螺旋件在底部由板17隔热且在侧面由环部18隔热，所述环部18包括碳纤维增强碳(CFC)。环部的内壁装衬有金属反射器19。除了所描述的特征以外，加热螺旋件可实施为迂回方式或者被磁屏蔽，以便保护其不受施加到熔融物上的磁场的影响。
图3示出了根据本发明一个优选实施例的坩埚底部加热器13的加热功率如何根据时间进程而变化。所述加热功率以斜坡的方式变化，所述斜坡包括线性区段和恒定区段。时间轴规定以生长单晶体的长度L为单位。假定具有300mm额定直径的单晶体的典型晶体提升速度是0.55mm/分，长度L＝5cm对应于大约90分钟的时间段。具有坩埚底部加热器的线性升高加热功率的区段在一定时间段内延伸，所述一定时间段稍微短于拉出100mm长度的单晶体所需的时间。具有坩埚底部加热器的恒定加热功率的区段在一定时间段内延伸，所述一定时间段长于拉出50mm长度的单晶体所需的时间。
在图4中示出了以斜坡方式的坩埚底部加热器的加热功率变化的影响，在于坩埚底部的最高温度(Tmax)从在坩埚底部边缘处的位置P1经由中间位置P2到达远至坩埚底部的中心P3。在这个进程中，附连到坩埚底部内壁的小气泡由对流驱动的熔融物流遣走并且运输到熔融物的自由表面，所述自由表面不被坩埚和生长的单晶体覆盖。
示例：
根据本发明的该方法，借由如图1所示的配置，包括具有300mm额定直径的硅的一系列单晶体从具有28英寸(711.2mm)直径的坩埚被拉出。在拉出单晶体的圆柱体区段的工艺期间，平均晶体提升速度是0.55mm/分。在拉出单晶体的圆柱体区段的工艺的开始时，坩埚底部加热器的加热功率根据如图3所示的斜坡改变一次。用于比较目的，在相同状况下拉出其它单晶体，但是不改变坩埚底部加热器的加热功率。针孔缺陷的出现频率的统计估计揭示，平均而言，在从用于比较目的拉出的单晶体切片的半导体晶圆的情形中，针对这种缺陷的故障频率是大约30倍更高。

Claims (5)

1.一种生产包括硅的半导体晶圆的方法，包括：
从坩埚中的由电阻加热器形式的侧面加热器加热的熔融物拉出籽晶的单晶体；
在拉出单晶体的圆柱体状区段的进程中，利用加热装置向坩埚底部的中心供应热量，所述加热装置邻近于坩埚底部并且可与坩埚一起被提升和下降，其中热量以下述方式供应，即加热功率在一定时间段内以斜坡的形式增加至少一次达到不小于2kW，所述一定时间段不短于90分钟且不长于900分钟，使得坩埚底部中的最高温度从在坩埚底部的边缘处的位置迁移远至坩埚底部的中心，并接着加热功率再次下降；以及
从拉出的单晶体切片成半导体晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将熔融物暴露于水平磁场或CUSP磁场的作用下，其中在坩埚底部的边缘处的磁通量强度不小于50mT。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，包括将熔融物暴露于CUSP磁场的作用下，所述CUSP磁场的中间表面在距熔融物的自由表面平面不小于90mm的距离处与单晶体的中心纵向轴线相交。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，包括：以不大于2转每分的速度旋转坩埚以及以不小于6转每分的速度旋转单晶体。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，包括在1100-8000Pa的压力下将惰性气体以600-12000l/h的按体积计流率引导到熔融物的自由表面。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104245579A (zh) * 2012-02-06 2014-12-24 菲罗索拉硅太阳能公司 金属或半导体熔融液的精制方法和真空精制装置
WO2014190165A2 (en) * 2013-05-24 2014-11-27 Sunedison Semiconductor Limited Methods for producing low oxygen silicon ingots
CN110129890B (zh) * 2018-03-30 2021-02-02 杭州慧翔电液技术开发有限公司 一种用于磁控直拉单晶的线圈结构及磁控直拉单晶的方法
DE102019208670A1 (de) 2019-06-14 2020-12-17 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silizium
EP3940124B1 (de) 2020-07-14 2024-01-03 Siltronic AG Kristallstück aus monokristallinem silizium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101240444A (zh) * 2006-12-20 2008-08-13 硅电子股份公司 用于制造硅半导体晶片的方法及装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2681115B2 (ja) * 1989-02-14 1997-11-26 住友シチックス株式会社 単結晶製造方法
US6458202B1 (en) * 1999-09-02 2002-10-01 Memc Electronic Materials, Inc. Process for preparing single crystal silicon having uniform thermal history
DE10339792B4 (de) * 2003-03-27 2014-02-27 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium
KR100588425B1 (ko) * 2003-03-27 2006-06-12 실트로닉 아게 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법
KR100840751B1 (ko) 2005-07-26 2008-06-24 주식회사 실트론 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법, 성장 장치 및그로부터 제조된 잉곳 , 웨이퍼
JP4753308B2 (ja) * 2006-07-13 2011-08-24 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体ウェーハ素材の溶解方法及び半導体ウェーハの結晶育成方法
DE102007023040A1 (de) * 2007-05-16 2008-11-20 Siltronic Ag Verfahren zur Züchtung eines Einkristalls aus einer in einem Tiegel enthaltenen Schmelze
JP4382856B2 (ja) 2008-04-08 2009-12-16 株式会社谷黒組 有機性廃棄物の処理方法及び熱エネルギー利用方法
JP5083001B2 (ja) 2008-04-08 2012-11-28 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の引上げ方法
JP2009249250A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Sumco Corp シリコン単結晶の引上げ装置およびそれを用いた引上げ方法
JP5067301B2 (ja) 2008-07-28 2012-11-07 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101240444A (zh) * 2006-12-20 2008-08-13 硅电子股份公司 用于制造硅半导体晶片的方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102010023101A1 (de) 2011-12-15
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US8628613B2 (en) 2014-01-14
KR20110134827A (ko) 2011-12-15
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TWI453308B (zh) 2014-09-21
JP5309190B2 (ja) 2013-10-09
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KR101381326B1 (ko) 2014-04-04
US20110304081A1 (en) 2011-12-15

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