CN102265475B - 负载电路保护装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种用于负载电路的保护装置,该负载电路保护装置能够将负载处产生的过电流以及在半导体开关或设置在该半导体开关的下游侧上的开关接通的时候所产生的涌流相互区分开,并且能够仅当产生过电流时关断半导体开关以从而保护负载电路。利用比较器(CMP1)相互比较由电流计(15)检测到的检测电流(I1)与提前设定的阈值电流,并且在检测电流(I1)达到阈值电流(Iref)时,半导体开关(11)关断从而保护电路。此外,测量连接在电池(VB)与半导体开关(11)之间的电线上的电压(Vd),并且在产生反电动势并且电压(Vd)降低的情况下,阈值电流(Iref)减小。从而,在发生完全短路时,检测电流(I1)立即达到阈值电流(Iref)从而关断半导体开关(11),并且在产生涌流时,由于检测电流(I1)没有达到阈值电流(Iref),所以能够防止产生错误的关断。
Description
技术领域
本发明涉及一种负载电路保护装置,其保护利用设置在直流电源与负载之间的半导体开关来控制负载的驱动和停止的负载电路免受过电流。
背景技术
例如,通过由诸如MOSFET的半导体开关的导通和关断操作来调节来自电池的直流电压,控制诸如要安装在车辆上的电动窗驱动电机或灯这样的负载的驱动和停止。
在这种负载电路中,为了在发生过电流时保护负载电路,提前设定阈值电流并且设置当电流超过该阈值电流时关断半导体开关的保护装置。此外,当半导体开关导通之后即刻产生的涌流达到阈值电流时,半导体开关可能会错误地关断。从而,例如像JP-A-11-51983(专利文献1)中所描述的,已经提出了通过将阈值电流设定为高的电流值来防止在半导体开关导通之后该半导体开关的错误关断。
根据专利文献1,在负载电路中设置分流电阻器,然后将该分流电阻器处的电压与提前设定的阈值电压(与阈值电流对应的电压)相比较,并且判定当分流电阻器处产生的电压高于阈值电压时的电流是过电流,从而关断半导体开关。此外,专利文献1公开了在导通半导体开关后即刻,将电容器中积蓄的电荷施加到阈值电压以将阈值电压设定为比通常值更高,从而防止半导体开关由于涌流而错误关断。即,即使当产生涌流而使分流电阻器处的电压升高时,由于将半导体开关导通后即刻的阈值电压设定为高,所以也能够防止分流电阻处的电压超过阈值电压,从而能够防止半导体开关的错误关断。
根据专利文献1所描述的技术,尽管能够防止由于半导体开关导通之后即刻产生的涌流而引起的半导体开关的错误关断,但是,存在当半导体开关导通之后发生完全短路并且过电流流动时,半导体开关不能立即关断的问题。即,由于在半导体开关导通后即刻,阈值电压(阈值电流)被设定为比通常的阈值高,所以花费长时间判定出过电流。从而,引起了诸如电线和半导体开关的电路元件在直到判断出过电流为止的期间内过热的问题。
此外,由于存在多个负载设置在半导体开关的下游侧,并且为多个负载分别设置独立的开关的情况。在这种情况下,即使在半导体开关导通并且在一定时间经过之后电流变得稳定的情况下,当设置在下游侧的开关接通时,涌流也会再次流动。从而,引起了当涌流超过阈值电流时半导体开关错误关断的问题。
引用列表
专利文献
专利文献1JP-A-11-51983
发明内容
技术问题
如上所述,专利文献1中公开的现有技术的实例设置成通过将在半导体开关导通后即刻的阈值电流设定为高的来防止由于涌流而引起的半导体开关的错误关断。从而,存在当半导体开关导通后即刻由于完全短路等而产生过电流的时候花费长时间判定出过电流的问题。
此外,当多个负载设置在半导体开关的下游侧上并且对多个负载分别设置独立的开关的时候,在开关接通时涌流流入半导体开关中。从而,引起了半导体开关由于涌流而错误关断的问题。
为了解决现有技术的这种问题而进行了本发明,并且本发明的目的是提供一种用于负载电路的保护装置,其能够区分负载处产生的过电流以及在半导体开关导通或用于驱动设置在该半导体开关的下游侧上的负载的开关接通的时候所产生的涌流,并且能够在仅仅产生过电流时立即关断半导体开关以从而保护负载电路。
问题的解决方案
为了实现上述目的,根据本发明,提供一种用于保护包含直流电源、半导体开关和负载的负载电路的负载电路保护装置,该负载电路保护装置包括:
电流检测部,该电流检测部检测流经所述半导体开关的电流;
电压检测部,该电压检测部检测在连接于所述直流电源与所述半导体开关之间的电线处产生的电压;
阈值电流调节部,该阈值电流调节部根据由所述电压检测部检测出的电压来调节用于判定过电流是否流经所述负载电路的阈值电流;
关断控制部,该关断控制部判定由所述电流检测部检测到的电流是否达到所述阈值电流,并且当判定所述检测到的电流达到所述阈值电流的时候输出关断信号;以及
驱动控制部,该驱动控制部基于外部输入信号来切换所述半导体开关的导通/关断状态,并且当向该驱动控制部提供关断信号的时候关断所述半导体开关。
优选,当由所述电压检测部检测到的电压降低的时候,所述阈值电流调节部根据由所述电压检测部检测出的电压的降低来使阈值电流减小。
优选,所述阈值电流调节部针对由所述电压检测部检测到的电压来设定上限电压和下限电压,并且在所述上限电压与所述下限电压之间的电压区域中,所述阈值电流调节部以线性函数的方式来调节阈值电流,并且在低于等于所述下限电压的电压区域中以及在高于等于所述上限电压的区域中,所述阈值电流调节部使阈值电流维持在恒定值。
发明的有益效果
在根据本发明的负载电路保护装置中,电流检测装置检测流经半导体开关的电流,并且在检测电流达到提前设定的阈值电流的情况下,该半导体开关关断,从而保护负载电路以免过热。此外,检测连接在直流电源与半导体开关之间的电线上的电压,并且根据该电压来调节阈值电流。例如,当检测电压降低时,使阈值电流减小。从而,在负载电路中发生完全短路的情况下,检测电流突然增大,并且在连接于直流电源与半导体开关之间的电线处产生反电动势,从而阈值电流减小。因此,检测电流在较早的时间点处达到阈值电流,因而能够使半导体开关关断。
此外,在由于半导体开关导通或者设置在该半导体开关下游侧上的开关接通而产生涌流的情况下,尽管阈值电流减小,但是由于电流减小的量小,所以检测电流不会达到阈值电流。从而,能够防止因开关偶然的接通/断开操作引起的涌流而导致的半导体开关的错误关断。
附图说明
图1是示出了具有根据本发明的实施例的负载电路保护装置的负载电路的构造的框图。
图2是示出了根据本发明的实施例的负载电路保护装置中的阈值电流调节部的构造的电路图。
图3是示出了在根据本发明的实施例的负载电路保护装置中的阈值电流调节部中所设定的电压与阈值电流之间关系的特性图。
图4是示出了根据本发明的实施例的负载电路保护装置中的检测电流和阈值电流的特性图。
图5是示出了根据本发明的实施例的负载电路保护装置中的检测电流和阈值电流的特性图。
参考标记列表
1负载电路
11半导体开关
12a至12c负载
13a、13b开关
14电压计
15电流计
16驱动电路
17控制电路
21阈值电流调节部
AND1逻辑电路
CMP1比较器
具体实施方式
下文中,将基于附图来详细说明本发明的实施例。图1是示出了具有根据本发明的实施例的负载电路保护装置的负载电路的构造的电路图。如图1所示,负载电路1例如是用于控制诸如安装在车辆上的灯、电机这样的负载12a至12c的驱动的电路。在负载电路1中,诸如MOSFET这样的半导体开关11设置在安装于车辆上的电池(直流电源)VB与各负载12a至12c之间,从而通过控制半导体开关11的导通/关断操作来控制每个负载12a至12c的驱动和停止。此外,由于开关13a、13b分别设置在负载12a、12b的上游侧,所以能够独立地操作各个负载12a和12b的驱动和停止。
用于检测电线上一点处的电压的电压计14(电压检测部)设置在该连接于电池VB与半导体开关11之间的电线上。此外,用于检测流经半导体开关11的电流的一电流计15(电流检测部)设置在连接于半导体开关11与各个负载12a至12c之间的电线上。由电压计14检测出的电压信号和由电流计15检测出的电流信号都被输出到控制电路17。
控制电路17包括:决定阈值电流(后文中称为Iref)的阈值电流调节部21,该阈值电流用于基于从电压计14输出的电压信号来判定是否产生过电流;比较器CMP1(关断控制部),用于将由阈值电流调节部21决定的阈值电流Iref与由电流计15检测出的检测电流(后文中称为I1)相比较;以及逻辑电路AND1,用于切换半导体开关11的导通/关断状态的外部信号输入到该逻辑电路AND1。
电流计15利用电流传感器或分流电阻器来检测流经半导体开关11的电流。此外,在采用具有电流传感功能的半导体开关的情况下,可以直接从半导体开关提取电流信号。
逻辑电路AND1的输出信号被输出到用于控制半导体开关11的导通/关断操作的驱动电路(驱动控制部)16。
比较器CMP1在其正极侧输入端子处被提供有阈值电流Iref,而且在其负极侧输入端子处被提供有检测电流I1。当检测电流I1超过阈值电流Iref时,比较器CMP1的输出信号从高电平改变为低电平。
阈值电流调节部21基于由电压计14检测出的电压(该电压称为Vd)来调节阈值电流Iref。图2是示出了阈值电流调节部21的构造的电路图。如图2所示,阈值电流调节部21包括具有电阻器R1、二极管D2和电阻器R2、R3的串联电路,其中电压Vd被提供到作为电阻器R1的一端的点p1,并且电阻器R3的一端接地。作为二极管D2与电阻器R2之间的连接点的点p4经由二极管D2而连接于下限电压Vmin所输出到的点p2。此外,点p4经由稳压二极管ZD1接地。此外,电阻器R2与R3之间的连接点形成为用于阈值电流信号的输出点p3。
根据上述构造,如图2所示,当电压Vd提供到点p1并且用于判定下限电压的下限电压Vmin(例如,5[V])提供到点p2的时候,在点p3处产生电压作为阈值电流信号。该阈值电流信号如图1所示输出到比较器CMP1。将参考图3所示的特性图来详细说明该操作。
在电压Vd小于等于下限电压Vmin的情况下,由于通过下限电压Vmin来控制点p4处的电压,所以点p4处的电压成为恒定值Vmin。结果,点p3处的电压例如成为4[V]的恒定值。由于使得电压4[V]与阈值电流30[A]对应,所以最小阈值电流成为30[A](图3中的g1区域)。
当电压Vd变得高于下限电压Vmin时,点p3处产生的电压升高。即,点p3处产生的电压以线性函数的方式随着电压Vd的升高而升高(图3中的g2区域)。然后,当电压Vd达到作为稳压二极管ZD1的设定电压的上限电压Vmax(例如,20[V])时,点p4处的电压变为上限电压Vmax的恒定值。结果,点p3处的电压变为例如16[V]的恒定值。由于使得电压16[V]与阈值电流90[A]对应,所以最大阈值电流为90[A](图3中的g3区域)。
如上所述,阈值电流调节部21能够基于由电压计14检测出的电压而在从30至90[A]的范围内调节阈值电流。在电压Vd为小于等于下限电压Vmin的情况下,通过将阈值电流Iref设定为恒定值,能够防止半导体开关11由于通常时候的电压波动或噪声引起的错误关断。此外,通过将上限电压Vmax设定为小于等于半导体开关11的耐电压的电压,在发生完全短路的时候能够保护半导体开关11。
尽管针对阈值电流调节部21具有如图2所示的构造的实例进行了说明,但是本发明不限于此,而是该阈值电流调节部21可以通过利用微机或IC(集成电路)以软件构造。
接下来,将参考图4所示的特性图针对根据本实施例的负载电路保护装置的操作进行说明。在图4中,曲线S1是示出了流经半导体开关11的电流的变化的特性图,即,由电流计15检测出的电流的变化的特性图;曲线S2是示出了由电压计14检测出的电压Vd的变化的特性图;并且曲线S3是示出了在阈值电流调节部21处设定的阈值电流的变化的特性图。此外,曲线S4是示出了采用现有技术时的阈值电流的变化的特性图。
当图1所示的各个开关13a、13b处于断开状态下ON信号输入到控制电路17的时候,比较器CMP1的输出变为高电平,所以逻辑电路AND1的输出变为高电平。响应于该高电平信号,驱动电路16导通半导体开关11。然后,当在图4所示的时间点t0时导通半导体开关11时,电流流入负载12c。此时,由于产生涌流,所以检测电流I1(曲线S1)如图4中的符号q1所示突然增大。随着该电流增大,由于在半导体开关11与电池VB之间的电线中存在电感元件,而在半导体开关11与电池VB之间的电线处产生了反电动势,所以电压Vd(曲线S2)降低。阈值电流Iref(曲线S3)根据该电压降低而减小。在该情况下,由于阈值电流Iref的减小量不变大,所以检测电流I1不会超过阈值电流Iref,从而比较器CMP1的输出信号维持高电平。即,维持半导体开关的导通状态。而后,由曲线S1所示的检测电流I1减小至正常电流。随着该电流减小,由于电压Vd也升高至正常电压,所以阈值电流Iref返回到正常值。
而后,当在时间点t1时在负载电路1中发生完全短路(例如电池VB与地之间的直接短路的故障)的时候,检测电流I1(曲线S1)突然增大,进而随着该电流增大而产生过大的反电动势。从而,电压Vd(曲线S2)突然减小,而且阈值电流Iref(曲线S3)以同样的方式突然减小。结果,由于检测电流I1在时间点t3时超过了阈值电流Iref,所以向比较器CMP1的负极侧输入端子提供的信号超过向其正极侧输入端子提供的信号,从而比较器CMP1的输出信号改变为低电平。
结果,由于逻辑电路AND1的输出信号改变为低电平,所以驱动电路16使半导体开关11关断。从而,当在负载电路1中发生完全短路时,由于半导体开关11能够在时间点t3时关断,所以能够防止构成负载电路1的半导体开关11和诸如电线这样的各种构成元件过热。
此外,当与由现有技术的实例所示的曲线S4所表示的阈值电流相比的时候,在现有技术实例的情况下,检测电流I1在时间点t4时超过阈值电流。然而,当采用根据本实施例的负载电路保护装置的时候,可以理解的是,在发生完全短路时,半导体开关11能够在更早的时间点时关断。
接下来,将参考图5所示的特性图,对于在半导体开关11导通并且涌流减小而成为正常电流之后使开关13a或13b接通的情况进行说明。在图5中,曲线S11是示出了流经半导体开关11的电流的变化的特性图,即,由电流计15检测出的电流的变化的特性图;曲线S12是示出了由电压计14检测出的电压Vd的变化的特性图;并且曲线S13是示出了在阈值电流调节部21处设定的阈值电流Iref的变化的特性图。此外,曲线S14是示出了采用现有技术时的阈值电流的变化的特性图。
如图5所示,当半导体开关11在时间点t10时导通并且电流减小至正常电流之后使开关13a在时间点t11时接通的时候,如符号q11所示再次产生涌流,并且检测电流I1(曲线S11)增大。然而,像前述的半导体开关11导通的情况那样,尽管阈值电流Iref(曲线S13)减小,但是检测电流I1不会超过阈值电流Iref,从而能够维持半导体开关11的导通状态。即,当在半导体开关11处于导通状态的情况下设置在该半导体开关11的下游侧上的开关13a接通的时候,能够防止半导体开关11的错误关断。
将针对由作为现有技术实例的曲线S14所示的阈值电流进行比较。在现有技术实例的情况下,如曲线S14所示,阈值电流从半导体开关11导通的时间点t10逐渐减小,并且在由符号q11所示的时间点时变成低于检测电流I1。从而,当设置在半导体开关11的下游侧上的开关13a接通时,半导体开关11由于涌流将会错误关断。换言之,通过采用根据本实施例的保护装置,能够确定地防止半导体开关11由于设置在该半导体开关11的下游侧上的开关的操作而错误关断。
以这种方式,在根据本实施例的负载电路保护装置中,检测电池VB与半导体开关11之间的电线上任意点处产生的电压Vd,然后根据该电压Vd来调节阈值电流Iref,并且当检测电流I1超过阈值电流Iref时半导体开关11关断。当发生完全短路时,由于产生了过大的反电动势,所以电压Vd很大程度地降低,因而阈值电流Iref也很大程度地减小。从而,半导体开关11能够在更早的时间点时关断。
此外,尽管在半导体开关11的导通之后即刻由于涌流而产生反电动势,但是由于阈值电流Iref的减小量不很大,所以检测电流I1不会超过阈值电流Iref。从而,能够防止半导体开关11由于涌流而错误关断。此外,在半导体开关11导通之后立即发生完全短路的情况下,半导体开关11能够立即关断。
此外,即使在半导体开关11导通之后设置在下游侧的上的各个开关13a、13b接通并且电流变得稳定的情况下,由于此时产生的涌流不超过阈值电流Iref,所以能够避免半导体开关11的错误关断。
尽管基于附图所示的实施例说明了根据本发明的负载电路保护装置,但是本发明不限于此,并且各个部分的构造可以分别由具有同样功能的任意构造来代替。
例如,尽管针对用于保护安装在车辆上的负载电路的保护装置说明了实施例,但是本发明不限于此。此外,尽管针对在半导体开关11的下游侧上设置三个负载12a至12c的情况说明了实施例,但是本发明不限于此,并且负载的数量可以是1、2或4个以上。
尽管参考特定实施例详细说明了本发明,但是对于本领域技术人员来说显而易见的是,在不脱离本发明的精神、范围和意图的情况下,可以进行各种改变和修改。
本发明基于2008年12月26日提交的日本专利申请(日本专利申请No.2008-334807),其内容通过引用结合于此。
工业实用性
为了在负载电路中发生完全短路时立即关断半导体开关从而保护电路以免过热,本发明是相当有用的。
Claims (1)
1.一种用于保护包含直流电源、半导体开关和负载的负载电路的负载电路保护装置,该负载电路保护装置包括:
电流检测部,该电流检测部检测流入所述半导体开关的电流;
电压检测部,该电压检测部检测在连接于所述直流电源与所述半导体开关之间的电线处产生的电压;
阈值电流调节部,该阈值电流调节部根据由所述电压检测部检测到的电压来调节用于判定过电流是否流入所述负载电路的阈值电流;
关断控制部,该关断控制部判定由所述电流检测部检测到的电流是否达到所述阈值电流,并且当判定所述检测到的电流达到所述阈值电流的时候输出关断信号;以及
驱动控制部,该驱动控制部基于外部输入信号来切换所述半导体开关的导通/关断状态,并且当关断信号被提供到该驱动控制部的时候关断所述半导体开关,其中,当由所述电压检测部检测到的电压降低的时候,所述阈值电流调节部根据由所述电压检测部检测出的该电压的降低来使阈值电流减小;并且
其中,所述阈值电流调节部针对由所述电压检测部检测到的电压来设定上限电压和下限电压,并且在所述上限电压与所述下限电压之间的电压区域中,所述阈值电流调节部以线性函数的方式来调节阈值电流,并且在低于等于所述下限电压的电压区域中以及在高于等于所述上限电压的区域中,所述阈值电流调节部使阈值电流维持在不同的恒定值。
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