CN102237495B - 电气光学装置、电气光学装置的制造方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电气光学装置、电气光学装置的制造方法、电子设备，电气光学装置在基板上具备：像素区域，在该像素区域设置有发光元件，该发光元件具有第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；间隔壁部，该间隔壁部设置在所述像素区域的外侧；连接配线，该连接配线设置在所述间隔壁部的外侧；以及连接部，该连接部对所述第二电极和所述连接配线进行电连接，所述第二电极以覆盖所述像素区域和所述间隔壁的方式延伸设置，且该第二电极不与所述连接配线在俯视图中重叠。
Description
技术领域
本发明涉及电气光学装置、电气光学装置的制造方法、电子设备。
背景技术
作为电气光学装置，公知具有有机EL(电致发光，ElectroLuminescence)元件的有机EL装置，该有机EL元件在基板上具备一对电极和设于这一对电极之间的由有机膜构成的包括发光层的功能层。
在上述有机EL装置中，由于上述功能层存在通过吸收水分、气体而发光寿命下降的可能性，因此采用密封构造，以保护有机EL元件不受从外部浸入的水分、气体的影响。
例如，在专利文献1中公开了如下的显示装置，该显示装置具备：基板，该基板具有由阻挡层(bank layer)分离的多个显示元件和配线层；以及密封基板，该密封基板在上述基板的外周的密封区域与上述基板接合以覆盖上述基板，覆盖多个显示元件和阻挡层的电极层的外周部与配线层在该密封区域中连接。该显示装置呈现在沿着密封基板的四边的部分对设置有显示元件的基板进行密封的所谓罐式密封构造，并在该密封区域连接电极层和配线层，因此，与将密封区域、以及电极层与配线层之间的连接区域配置在俯视图中不同的部分的情况相比较，能够缩窄无助于显示的边框区域。
并且，在专利文献2中公开了一种有机EL装置，该有机EL装置具备：第一连接配线，该第一连接配线配置在显示区域的周围，且与夹隔有机发光层的一对电极中的一方电极连接；以及气体阻挡层(gasbarrier layer)，该气体阻挡层覆盖该第一连接配线的端面，并且覆盖该第一连接配线以及设置于显示区域的多个发光元件的表面。根据该有机EL装置，能够利用气体阻挡层防止水分经由第一连接配线侵入，能够实现长发光寿命。
[专利文献1]WO2003/60858号小册子
[专利文献2]日本特开2009-117079号公报
然而，当欲将专利文献2的技术思想反映于专利文献1的密封构造时，存在专利文献1的显示装置中的边框区域的宽度变宽的可能性，存在难以达成预期目的即能够缩窄边框区域的宽度的课题。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或者应用例实现。
[应用例1]本应用例的电气光学装置的特征在于，上述电气光学装置在基板上具备：像素区域，在该像素区域设置有发光元件，该发光元件具有第一电极、第二电极、以及设置在上述第一电极和上述第二电极之间的发光层；间隔壁部，该间隔壁部设置在上述像素区域的外侧；连接配线，该连接配线设置在上述间隔壁部的外侧；以及连接部，该连接部对上述第二电极和上述连接配线进行电连接，上述第二电极以覆盖上述像素区域和上述间隔壁部的方式延伸设置，且在俯视图中该第二电极不与上述连接配线重叠。
根据该结构，连接配线和第二电极经由连接部电连接。因此，与使连接配线与第二电极直接接触而连接的情况相比较，即便第二电极的平面配置精度低，只要考虑该情况而设置连接部即可，因此能够使连接配线和第二电极以稳定的状态电连接。换言之，能够在像素区域的外侧缩窄使连接配线与第二电极电连接的区域。
[应用例2]在上述应用例的电气光学装置中，也可以形成为，上述间隔壁部具有由面向上述基板的外周侧的侧面形成的外侧部，在俯视图中上述第二电极和上述连接部在上述间隔壁部的外侧部重叠。
根据该结构，即便设置有包围像素区域的间隔壁部的区域是在俯视图中窄的区域，也能够利用间隔壁部的壁面稳定地对连接部和第二电极进行连接。
[应用例3]在上述应用例的电气光学装置中，也可以形成为，上述电气光学装置具有外围电路，该外围电路在俯视图中设置在上述连接配线与上述像素区域之间，对上述发光元件进行驱动控制，在俯视图中上述连接部的至少一部分与上述外围电路重叠。
根据该结构，即便在基板上将连接配线和外围电路设置在像素区域的外侧的区域即边框区域，通过以至少一部分与设置有外围电路的区域重叠的方式设置连接部，与在俯视图中独立地配置连接部的情况相比较，能够缩窄边框区域。
[应用例4]在上述应用例的电气光学装置中，优选上述连接配线和上述连接部沿着形成上述基板的外周的第一边和与上述第一边对置的第二边设置。
根据该结构，能够缩小第二电极中的一个方向的电阻，能够降低发光元件之间的发光特性的偏差。另外，所谓一个方向，优选是第二电极中的长度方向。能够抑制第二电极中的长度方向的电阻上升。
[应用例5]在上述应用例的电气光学装置中，也可以形成为，上述连接部和上述第二电极由相互不同的导电性材料构成。
根据该结构，根据以何种方式取出发光层的发光来考虑第二电极的关于各种材料的选择，而连接部只要能够实现电连接即可，因此材料选择的自由度不受第二电极的材料的制约。
[应用例6]在上述应用例的电气光学装置中，优选上述连接部的电阻率比上述第二电极的电阻率小。
根据该结构，能够使连接配线和第二电极经由低电阻的连接部连接。
[应用例7]在上述应用例的电气光学装置中，优选具备气体阻挡层，该气体阻挡层以覆盖上述第二电极和上述连接部的方式设置。
根据该结构，能够利用气体阻挡层防止水分等从设置有连接部的基板上的界面侵入设置于像素区域的发光元件。即，能够提供具有长发光寿命的电气光学装置。
[应用例8]对于本应用例的电气光学装置的制造方法，该电气光学装置在基板上具备发光元件，该发光元件具有第一电极、第二电极、以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层，上述电气光学装置的制造方法具备以下工序：在设置有上述发光元件的像素区域的外侧形成间隔壁部的工序；在上述间隔壁部的外侧形成连接配线的工序；形成用于对上述第二电极和上述连接配线进行电连接的连接部的工序；以及形成上述第二电极的工序，上述第二电极以覆盖上述像素区域和上述间隔壁部、并且不与上述连接配线在俯视图中重叠的方式形成。
根据该方法，连接配线和第二电极经由连接部电连接。因此，与以使连接配线与第二电极直接接触而连接的方式形成第二电极的情况相比较，即便第二电极的平面配置精度低，只要考虑该情况而设置连接部即可，因此能够使连接配线和第二电极以稳定的状态电连接。换言之，能够提供一种能够缩窄在像素区域的外侧使连接配线与第二电极电连接的区域的电气光学装置的制造方法。
[应用例9]在上述应用例的电气光学装置的制造方法中，其特征在于，形成上述连接部的方法是光刻法，形成上述第二电极的方法是掩模蒸镀法。
根据该方法，即便利用形成位置精度比光刻法差的掩模蒸镀法形成第二电极，由于利用光刻法形成有与第二电极重合的连接部，因此能够实现电气光学装置中的像素区域的外围区域即边框区域的位置精度高的状态。
[应用例10]在上述应用例的电气光学装置的制造方法中，也可以形成为，上述间隔壁部具有由面向上述基板的外周侧的侧面形成的外侧部，在形成上述连接部的工序中，在俯视图中，遍及从上述连接配线直到上述间隔壁部的外侧部的区域形成上述连接部，在形成上述第二电极的工序中，以在俯视图中在上述间隔壁部的外侧部与上述连接部重叠的方式形成上述第二电极。
根据该方法，即便形成有包围像素区域的间隔壁部的区域是在俯视图中窄的区域，也能够利用间隔壁部的壁面稳定地对连接部和第二电极进行连接。
[应用例11]在上述应用例的电气光学装置的制造方法中，也可以形成为，利用相互不同的导电性材料形成上述连接部和上述第二电极。
根据该方法，能够扩宽第二电极和连接部的材料选择的幅度，能够与顶部发光和底部发光的电气光学装置中的任一种对应。
[应用例12]在上述应用例的电气光学装置的制造方法中，也可以形成为，上述连接部使用电阻率比上述第二电极的电阻率小的导电性材料形成。
根据该方法，与使连接配线和第二电极直接连接的情况相比较，能够提高连接区域的形成精度，并且能够以电阻更低的状态进行电连接。
[应用例13]在上述应用例的电气光学装置的制造方法中，也可以形成为，具有在俯视图中的上述连接配线与上述像素区域之间形成外围电路的工序，该外围电路用于对上述发光元件进行驱动控制，在形成上述连接部的工序中，以至少一部分与上述外围电路在俯视图中重叠的方式形成上述连接部。上述电气光学装置的制造方法具有形成外围电路的工序，该外围电路在俯视图中设置在上述连接配线与上述像素区域之间，对上述发光元件进行驱动控制，在形成上述连接部的工序中，以至少一部分与上述外围电路在俯视图中重叠的方式形成上述连接部。
根据该方法，即便在基板上将连接配线和外围电路设置在像素区域的外侧的区域即边框区域，通过以至少一部分与形成有外围电路的区域重叠的方式形成连接部，与在在俯视图中独立地形成连接部的情况相比较，能够缩窄边框区域。
[应用例14]在上述应用例的电气光学装置的制造方法中，也可以形成为，还具备以覆盖上述第二电极和上述连接部的方式形成气体阻挡层的工序。
根据该方法，能够利用气体阻挡层防止水分等从形成有连接部的基板上的界面侵入配置于像素区域的发光元件。即，能够提供具有长发光寿命的电气光学装置。
[应用例15]本应用例的电子设备的特征在于，该电子设备具备上述应用例的电气光学装置或者是利用上述应用例的电气光学装置的制造方法制造的电气光学装置。
根据该结构，能够使包围像素区域的边框区域比以往窄，能够提供小型且外观性好的电子设备。
附图说明
图1是示出电气光学装置的结构的概要俯视图。
图2是示出电气光学装置的电气结构的等效电路图。
图3是示出在图1的A-A’线处切断后的电气光学装置的构造的概要剖视图。
图4是电气光学装置的主要部分放大剖视图。
图5是示出电气光学装置的制造方法的流程图。
图6中，(a)～(d)是示出电气光学装置的制造方法的概要剖视图。
图7中，(e)～(h)是示出电气光学装置的制造方法的概要剖视图。
图8是示出具备保护层的电气光学装置的一例的概要剖视图。
图9中，(a)～(c)是示出电子设备的实施例的立体图。
图10是示出变形例1的电气光学装置的概要俯视图。
图11是示出变形例2的电气光学装置的概要剖视图。
标号说明
10...作为基板的元件基板；21...一对电极中的像素电极；23...发光层；25...功能层；27...作为一对电极中的一方电极的阴极；30...发光元件；31...间隔壁部；31a...间隔壁部的壁面；40...气体阻挡层；100、200...电气光学装置；101...作为外围电路的扫描线驱动电路；103...作为外围电路的检查电路；105...连接部；105a...连接部的一方端部；105b...连接部的另一方端部；106...连接配线；107...像素区域；1000...作为电子设备的移动电话机；1100...作为电子设备的腕表式信息终端；1200...作为电子设备的便携式信息处理装置。
具体实施方式
以下，根据附图对将本发明具体化了的实施方式进行说明。另外，所使用的附图适当地放大或者缩小显示，以便使欲说明的部分成为能够识别的状态。
(第一实施方式)<电气光学装置>
首先，参照图1～图4对本实施方式的电气光学装置进行说明。
图1是示出电气光学装置的结构的概要俯视图，图2是示出电气光学装置的电气结构的等效电路图，图3是示出在图1的A-A’线处切断后的电气光学装置的构造的概要剖视图，图4是电气光学装置的主要部分放大剖视图。
如图1所示，本实施方式的电气光学装置100是利用作为开关元件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor)对具备发光元件的子像素SG进行驱动控制的有源驱动型的发光装置。在设置有上述薄膜晶体管(TFT)的元件基板10上具有：与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的3种颜色对应的子像素SG；以及多个子像素SG呈矩阵状配置而成的像素区域107。
以像素区域107中的子像素SG的配置为基准，以行方向作为X方向、以列方向作为Y方向进行说明。
在X方向上的图像区域107的外侧的区域，沿着Y方向配置有一对扫描线驱动电路101。
并且，以与一对扫描线驱动电路101分别在俯视图中重叠的方式沿着Y方向设置有同样一对连接部105。连接部105是为了实现设置于元件基板10的连接配线106与子像素SG的发光元件的一对电极中的一方电极之间的电连接而设置的导电体，详细情况后述。
在Y方向上的图像区域107的外侧的区域，在附图上的上方的区域中沿着该上方的边部配置有检查电路103和连结一对扫描线驱动电路101的配线104。并且，在相对于设置有检查电路103的该上方区域位于相反侧的区域具有用于实现与外部驱动电路之间的连接的端子部，在该端子部设置有柔性的中继基板110。
中继基板110是所谓的FPC，且平面贴装有驱动IC 102。驱动IC 102含有数据线驱动电路。在中继基板110设置有：多条输入配线112，这些输入配线112将来自外部驱动电路的信号传递至驱动IC 102；以及多条输出配线111，这些输出配线111输出来自驱动IC 102的控制信号。多条输出配线111在元件基板10的上述端子部中连接于与上述连接部105相连的连接配线106、以及与扫描线驱动电路101、子像素SG的发光元件连接的配线108。
在本实施方式中，将对设置于子像素SG的发光元件进行驱动控制的外围电路中的扫描线驱动电路101和检查电路103设置在元件基板10上，但是，也可以形成为将驱动IC 102所含有的数据线驱动电路等也设置在元件基板10上的结构。
如图2所示，电气光学装置100具有：多条扫描线101a；以及以相对于多条扫描线101a绝缘的状态与扫描线101a交叉(正交)的多条数据线102a和多条电源线102b。
多条扫描线101a与具备移位寄存器和电平转换器的扫描线驱动电路101连接。多条数据线102a与具备移位寄存器、电平转换器、视频线、以及模拟开关的驱动IC 102的数据线驱动电路连接。
子像素SG设置在由多条扫描线101a和多条数据线102a、多条电源线102b划分成矩阵状的区域中。
子像素SG具有：扫描信号经由扫描线101a被供给至栅电极的开关用的TFT121；保持电容123，该保持电容123保持经由该开关用的TFT121从数据线102a供给的像素信号；以及由该保持电容123保持的像素信号被供给至栅电极的驱动用的TFT 122。并且，还具有：像素电极(阳极)21，当其经由驱动用的TFT 122与电源线102b电连接时，从该电源线102b流入驱动电流，该像素电极21被作为一对电极中的另一方电极；作为一对电极中的一方电极的阴极27；以及被夹入在像素电极21与阴极27之间的含有发光层的功能层25。利用像素电极21、功能层25、以及阴极27构成发光元件(有机EL元件)30。
其中，在图2中省略了检查电路103，检查电路103是用于检查电气光学装置100的工作状况的电路，例如具备将检查结果输出至外部的检查信息输出单元，构成为能够进行制造中途或出厂时的显示品质、缺陷的检查。
从进行电气光学装置100的工作控制的驱动IC 102等送出对扫描线驱动电路101和检查电路103施加的驱动控制信号和驱动电压。该情况下的驱动控制信号是指，与扫描线驱动电路101和检查电路103输出信号时的控制相关联的指令信号。
根据这种电气光学装置100，当扫描线101a被驱动而开关用的TFT121成为接通状态时，此时的数据线102a的电位(像素信号)被保持于保持电容123，并根据该保持电容123的状态决定驱动用的TFF 122的接通/截止状态。进而，电流经由驱动用的TFT 122的沟道从电源线102b流动至像素电极21，进一步，电流经由功能层25流动至阴极27。功能层25根据流过该功能层的电流量而发光，进行基于图像信号的显示。
如图3所示，在元件基板10上设置有含有驱动用的TFT 122、电源线102b等的配线类的电路部17，在该电路部17上设置有与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)对应地形成的发光元件30R、30G、30B。进一步，以覆盖这些发光元件30R、30G、30B的方式设置有气体阻挡层40。
各发光元件30R、30G、30B在电路部17上由间隔壁部32划分。将这些间隔壁部32中的设置在设有多个发光元件30(发光元件30R、30G、30B)的像素区域107的外周部分的间隔壁部作为间隔壁部31进行区分说明。并且，将像素区域107的外侧与元件基板10的端部之间的区域作为边框区域109进行说明。
在边框区域109中设置有扫描线驱动电路101等外围电路、连接配线106、连接部105。
各发光元件30R、30G、30B分别具有像素电极21和形成在像素电极21上的功能层25，作为夹隔功能层25的一对电极中的一方电极的阴极27以覆盖功能层25和间隔壁部32的方式设置。
连接配线106在电路部17中沿厚度方向导通，且以在电路部17的表面露出的方式设置，连接部105以与露出的连接配线106重叠的方式配置。并且，连接部105在电路部17上被设置在跨及下述区域，即：从连接配线106侧越过设置有扫描线驱动电路101的区域直到间隔壁部31的壁面的区域。即，连接部105与连接配线106连接，并且与扫描线驱动电路101在俯视图中重叠，并朝像素区域107延伸。将覆盖在间隔壁部31的壁面上的部分称作连接部105的一方端部105a，将与连接配线106重合的部分称作另一方端部105b。
另外，如图1所示，连接配线106在在俯视图中沿着扫描线驱动电路101在Y方向延伸。连接配线106和连接部105在俯视图中在连接配线106的延伸方向(Y方向)连续地连接，但是并不局限于此。也可以形成为在连接配线106的延伸方向上例如经由接触孔使连接配线106和连接部105局部地连接的构造。由此，能够考虑扫描线驱动电路101等外围电路、与该外围电路相连的配线等的平面配置对连接配线106和连接部105进行电连接。
阴极27在像素区域107内以覆盖功能层25和间隔壁部32的方式设置，且在边框区域109以覆盖沿着间隔壁部31的壁面的上述一方端部105a的方式设置。由此，连接配线106和阴极27经由连接部105电连接。即便在俯视图中间隔壁部31的宽度比其他的间隔壁部32的宽度窄，由于设置于壁面的上述一方端部105a与阴极27重叠，因此能够在壁面上确保连接面积而实现稳定的导通电阻。
气体阻挡层40在像素区域107中以覆盖阴极27的方式设置，并且在边框区域109中以覆盖连接部105的另一方端部105b的方式设置。由此，能够防止氧、水分等从阴极27和连接部105与电路部17(连接配线106)之间的界面侵入像素区域107。
本实施方式的发光元件30(发光元件30R、30G、30B)采用顶部发光(top emission)构造，在功能层25发出的光在阴极27侧被取出，对此将在后边详细叙述。因此，阴极27需要由具有透光性的材料构成，使用透明导电材料。作为透明导电材料优选为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)，但除此以外，例如能够使用氧化铟/氧化锌类非晶态透明导电膜(氧化铟锌：IZO/アイ·ゼツト·オ一)(注册商标)(出光兴产株式会社制)等。另外，在本实施方式中使用ITO。
由于连结阴极27和连接配线106的连接部105设置在边框区域109，因此无需具有透光性，能够使用电阻率比阴极27的电阻率低的Al等金属材料或其合金等。
连接配线106优选在形成构成电路部17的薄膜晶体管、配线类的工序同时形成。接着，对与连接配线106的结构相关联的电路部17和发光元件30进行说明。
如图4所示，电路部17设置在元件基板10上，进一步，发光元件30设置在电路部17上。从电路部17侧开始依次进行说明。
在元件基板10上，首先，以覆盖该元件基板10的表面的方式设置例如由氧化硅等无机绝缘材料形成的底绝缘膜11。在底绝缘膜11上设置TFT 122。TFT 122具有：呈岛状地设置在底绝缘膜11上的例如由多晶硅形成的半导体层122h；覆盖半导体层122h的例如由氧化硅或氮化硅等无机绝缘材料形成的栅极绝缘膜12；以及设置在栅极绝缘膜12上的栅电极122g。
在半导体层122h中，将夹隔栅极绝缘膜12而与栅电极122g重叠的区域作为沟道区域122a。其中，虽然并未图示，但该栅电极122g是扫描线101a的一部分。另一方面，对于覆盖半导体层122h、并设置有栅电极122g的栅极绝缘膜12，设置例如以氧化硅为主体的第一层间绝缘膜13来覆盖栅极绝缘膜12。
并且，在半导体层122h中的沟道区域122a的源极侧，设置有低浓度源极区域122b和高浓度源极区域122s，而在沟道区域122a的漏极侧设置有低浓度漏极区域122c和高浓度漏极区域122d，形成所谓的LDD(Light Doped Drain，轻掺杂漏区)构成。其中，高浓度源极区域122s经由遍及栅极绝缘膜12和第一层间绝缘膜13开孔的接触孔13a与源电极122e连接。该源电极122e构成前面所述的电源线102b(参照图2，在图4中在栅电极122e的位置沿纸面垂直方向延伸)的一部分。另一方面，高浓度漏极区域122d经由遍及栅极绝缘膜12和第一层间绝缘膜13开孔的接触孔13b与由和源电极122e相同的材料形成的漏电极122f连接。
设置有源电极122e和漏电极122f的第一层间绝缘膜13的上层例如由以丙烯类的树脂成分为主体的第二层间绝缘膜14覆盖。该第二层间绝缘膜14也可以使用丙烯类的有机绝缘材料以外的材料、例如能够使用氧化硅或氮化硅等无机绝缘材料。进而，例如由ITO形成的像素电极21设置在该第二层间绝缘膜14的表面上，并且经由设置于该第二层间绝缘膜14的接触孔14a与漏电极122f连接。即，像素电极21经由漏电极122f与半导体层122h的高浓度漏极区域122d连接。
源电极122e、漏电极122f、以及栅电极122g能够使用例如Al等低电阻配线材料构成。
另外，对于构成扫描线驱动电路101和扫描电路103所含有的例如移位寄存器的反相器(inverter)的N沟道型或者P沟道型的TFT，除了不与像素电极21连接以外形成为与上述驱动用的TFT 122同样的构造。
如前面所述，设置在电路部17上的发光元件30构成为含有像素电极21、阴极27、以及配置在两个电极之间的功能层25。并且，各发光元件30由间隔壁部32划分。具体地说，间隔壁部32由下层间隔壁部32a和上层间隔壁部32b构成，下层间隔壁部32a覆盖像素电极21的外缘部，且在像素电极21上具有开口32c，上层间隔壁部32b设置在下层间隔壁部32a上，并从实质上划分功能层25所被设置的膜形成区域。下层间隔壁部32a例如由氧化硅等无机绝缘材料形成。上层间隔壁部32b例如由环氧类或者聚酰亚胺类等有机绝缘材料形成。
功能层25具有：设置在像素电极21侧的空穴注入输送层22；以及与空穴注入输送层22重叠设置的发光层23。在本实施方式中，通过将含有功能层形成材料的液状体涂覆于上述膜形成区域并使其干燥来形成功能层25(空穴注入输送层22、发光层23)。
作为空穴注入输送层22的形成材料，可以使用例如聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物等，或这些的掺杂物等。具体来说，可以使用聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)[商品名：Bytron-p：Bayer公司制]的分散液，即，在作为分散剂的聚(苯乙烯磺酸)中分散聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)，进一步将其分散于水中的分散液等。
作为发光层23的形成材料，可以使用能够发出荧光或磷光的公知的发光材料。具体来说，适合使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对亚苯基亚乙烯基衍生物(PPV)、聚亚苯基衍生物(PP)、聚对亚苯基衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷类等。
另外，还可以在这些高分子材料中掺杂苝系色素、香豆素系色素、罗丹明系色素等高分子系材料，红荧烯、苝、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料而使用。
其中，还可以代替上述高分子材料使用以往公知的低分子材料。
功能层25的结构并不局限于此，也可以以发光层23为主体，含有空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层等载流子注入层或者载流子输送层。进一步，也可以含有空穴阻止层(空穴阻挡层)、电子阻止层(电子阻挡层)。
如前面所述，由于形成为顶部发光构造，因此，以覆盖功能层25的方式设置的阴极27使用ITO等透明导电材料构成。
以覆盖阴极27的方式设置的气体阻挡层40例如是由无机化合物形成的层，优选由硅化合物即硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物等构成。其中，除了硅化合物以外，例如也可以由氧化铝、氧化钽、氧化钛、以及其他的陶瓷等构成。这样，如果利用无机化合物形成气体阻挡层40的话，则与由ITO等无机透明导电膜材料形成的阴极27之间的密接性好，气体阻挡层40形成为无缺陷的致密层，从而相对于氧、水分的阻挡性更好。
并且，作为该气体阻挡层40，也可以形成为层叠上述硅化合物中的不同的材料层而成的构造，例如，从阴极27侧开始依次形成硅氮化物、硅氮氧化物，或者从阴极27侧开始依次形成硅氮氧化物、硅氧化物，从而构成气体阻挡层40，这种情况也是优选的。并且，除了这种组合以外，在层叠2层以上的组成比不同的硅氮氧化物的情况下，优选以位于阴极27侧的层的氧浓度比位于靠外侧的层的氧浓度低的方式构成。
这样一来，由于阴极27侧的氧浓度比其相反侧的氧浓度低，因此能够防止气体阻挡层40中的氧通过阴极27到达阴极27内侧的发光层23从而使发光层23劣化，由此能够实现发光层23的长寿命化。
另外，作为气体阻挡层40，也可以不形成为层叠构造，而形成为使其组成不均匀且特别是其氧浓度连续或者非连续地变化的结构，在该情况下，由于前面所述的原因，也为构成阴极27侧的氧浓度比外侧的氧浓度低所优选。
另外，作为该气体阻挡层40的厚度，优选为10nm以上500nm以下。这是因为：不足10nm会导致由于膜的缺陷或膜厚的偏差等而在局部形成穿孔，担心损害气体阻挡性，而超过500nm则担心因应力而出现破裂。
另外，由于在本实施方式中形成为顶部发光式，因此气体阻挡层40需要具有透光性，因此通过对其材质、膜厚进行适当地调整而使本实施方式中的可见光区域中的光线透过率例如在80％以上。
<电气光学装置的制造方法>
接着，参照图5～图8对本实施方式的电气光学装置100的制造方法进行说明。图5是示出电气光学装置的制造方法的流程图，图6(a)～(d)以及图7(e)～(h)是示出电气光学装置的制造方法的概要剖视图，图8是示出具备保护层的电气光学装置的一例的概要剖视图。另外，在图6和图7中，省略了详细的构造(结构)的图示，以便以能够理解电路部17的主要的结构的方式进行表示。
如图5所示，本实施方式的电气光学装置100的制造方法具备：电路部形成工序(步骤S1)、像素电极形成工序(步骤S2)、间隔壁部形成工序(步骤S3)、连接部形成工序(步骤S4)、功能层形成工序(步骤S5)、阴极形成工序(步骤S6)、以及气体阻挡层形成工序(步骤S7)。
如图6(a)所示，在步骤S1的电路部形成工序中，在元件基板10上形成电路部17。电路部17的结构如前面所述，能够使用公知的方法形成。例如，对于驱动用的TFT 122中的半导体层122h(参照图4)，使用ICVD法、等离子CVD法等在底绝缘膜11上形成非晶硅层，然后，通过激光退火法或者急速加热法使晶粒成长而形成多晶硅层。进而，能够举出对该多晶硅层进行图形化(patterning)而将其形成为岛状，并通过注入硼等杂质而形成杂质浓度不同的各个区域的方法。在该电路部形成工序中，也同时形成扫描线驱动电路101、随后构成连接配线106的部位的配线部106a。
作为配线部106a的形成方法，例如能够举出对上述多晶硅层进行图形化后注入杂质并对其赋予导电性的方法。进一步，也可以在形成栅电极、源电极、漏电极的工序中，相对于所形成的配线部106a重叠形成导电层。
并且，对于构成电路部17的最表面的第二层间绝缘膜14，例如能够举出使用旋转涂覆(spin coat)法等涂覆丙烯类的高分子有机绝缘材料并使其干燥而形成的方法。通过对第二层间绝缘膜14进行蚀刻来形成用于连接随后形成的像素电极21与TFT 122的接触孔14a、配线部106a上的接触孔14b。对于这些接触孔14a、14b，也可以使用感光性树脂材料作为第二层间绝缘膜14，通过对所涂覆的该感光性树脂膜进行曝光/显影来形成。进而，前进至步骤S2。
如图6(b)所示，在步骤S2的像素电极形成工序中，以填埋接触孔14a、14b并覆盖第二层间绝缘膜14的方式成膜例如ITO膜，通过对该ITO膜进行图形化而形成像素电极21和配线部106b。配线部106b被形成在配线部106a上而构成连接配线106。进而，前进至步骤S3。
如图6(c)所示，在步骤S3的间隔壁部形成工序中，首先，形成覆盖像素电极21的外缘部的下层间隔壁部32a。作为下层间隔壁部32a的形成方法，能够举出掩蔽(masking)像素电极21上的与开口32c相当的部分，再通过减压CVD法等成膜氧化硅等无机绝缘膜的方法。膜厚约为100nm～200nm。接着，例如将丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等抗蚀剂溶解于溶剂而形成溶解物，并以覆盖像素电极21、下层间隔壁部32a的方式利用旋转涂覆法、浸渍涂覆(dip coat)法等涂覆法涂覆上述溶解物而形成有机质层。另外，对于有机质层的构成材料，只要是不溶解于在随后的功能层形成工序中使用的液状体的溶剂、容易图形化、且呈现绝缘性的材料即可，可以是任意的。
接着，使用光刻技术、刻蚀技术对有机质层进行图形化而在有机质层形成开口部32d，由此在下层间隔壁部32a上形成在开口部32d具有壁面的上层间隔壁部32b。在本工序中，也同时形成位于像素区域107的外周部分的间隔壁部31。当形成该间隔壁部31时，优选形成为形成像素区域107的外侧的壁面31a相对于电路部17的表面平缓地倾斜。能够确保随后相对于壁面31a形成的各种导电膜、覆盖导电膜的气体阻挡层40的覆盖性。在本实施方式中，使壁面31a的倾斜角度θ约为110度。并且，电路部17上的间隔壁部31、32的高度约为1μm～2μm。进而，前进至步骤S4。
如图6(d)所示，在步骤S4的连接部形成工序中，掩蔽像素区域107内部而利用Al等低电阻配线材料形成导电膜。进而，使用光刻法对该导电膜进行图形化，从而形成位于像素区域107侧的一方端部105a覆盖间隔壁部31的壁面31a、另一方端部105b与连接配线106重叠的连接部105。如图1所示，在俯视图中，在像素区域107的外侧以与形成有扫描线驱动电路101的区域重叠的方式形成大致矩形状的一对连接部105。连接部105的厚度约为100nm～200nm。进而，前进至步骤S5。
在步骤S5的功能层形成工序中，首先，对由间隔壁部32划分的膜形成区域实施表面处理。具体而言，实施以氧作为处理气体的等离子处理，以便对含有上层间隔壁部32b的壁面在内的表面、像素电极21的表面、以及覆盖像素电极21的外缘部并在膜形成区域内露出的下层间隔壁部32a的表面分别赋予亲液性。接着，在大气氛围中实施例如以CF4(四氟化碳)作为处理气体的等离子处理，以便对由有机绝缘材料构成的含有上层间隔壁部32b的壁面在内的表面赋予疏液性。
另外，在该基于CF4的等离子处理中，被赋予了亲液性的像素电极21的表面、下层间隔壁部32a的一部分也会受到一定程度的影响，但是，由于构成这些部分的无机材料即ITO、氧化硅等缺乏相对于氟的亲和性，因此能够维持亲液性。
接着，如图7(e)所示，通过在由间隔壁部32划分的膜形成区域中涂覆含有空穴注入输送层形成材料的液状体并进行干燥而形成空穴注入输送层22。作为该液状体的涂覆方法，例如能够举出从喷射头的喷嘴将液状体作为液滴喷出的液滴喷出法、旋转涂覆法等。从能够在上述膜形成区域选择性且无浪费地涂覆规定量的液状体的观点出发，优选采用上述液滴喷出法。
从上述喷嘴喷出的液滴在具有亲液性的像素电极21的表面浸润并扩展，充满上述膜形成区域内。另一方面，被弹射于具有疏液性的上层间隔壁部32b的表面的液滴被弹开而被收纳在上述膜形成区域内。使填充在上述膜形成区域内的液状体干燥而形成的空穴注入输送层22的膜厚约为50nm～100nm。
另外，在形成空穴注入输送层22之后，优选在氮、氩等惰性气体氛围下进行成膜，以防止空穴注入输送层22以及随后形成的发光层23的氧化。
接着，如图7(f)所示，将含有发光层形成材料的液状体涂覆于由间隔壁部32划分的膜形成区域并使其干燥，由此形成发光层23。为了防止因该液状体的涂覆导致的空穴注入输送层22的再溶解，作为该液状体的溶剂使用不溶解空穴注入输送层22的无极性溶剂。
另外，发光层23通过涂覆含有能够得到红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的发光的发光层形成材料的液状体而形成。即，通过在规定的膜形成区域内涂覆含有红色(R)的发光层形成材料的液状体而形成红色的发光层23R。对于其他的发光颜色的发光层23G、23B也同样。通过使填充在上述膜形成区域内的液状体干燥而形成的各发光层23R、23G、23B的膜厚约为100nm～300nm。
另外，在本实施方式中，通过在膜形成区域涂覆含有功能层形成材料的液状体而形成功能层25，但是并不局限于此。例如，也可以使用液滴喷出法形成空穴注入输送层22，使用掩模蒸镀法(mask depositionmethod)形成发光层23。或者，也可以进行掩模蒸镀而仅形成能够得到不同的发光颜色的发光层23R、23G、23B中的例如发光层23B。进而，前进至步骤S6。
如图7(g)所示，在步骤S6的阴极形成工序中，使用具有至少比像素区域107的平面大小稍大的开口50a的掩模50进行掩模蒸镀而形成阴极27。此时，利用掩模蒸镀成膜作为阴极形成材料的ITO。阴极27以覆盖发光层23和间隔壁部32的方式成膜。虽然通过掩模蒸镀成膜的阴极27的外形位置精度比使用光刻法进行图形化的情况下的外形位置精度低，却形成了在像素区域107的外侧覆盖形成于间隔壁部31的壁面31a的连接部105的一方端部105a的阴极27。由于连接部105已经在另一方端部105b与连接配线106电连接，因此只要以覆盖连接部105的一方端部105a的方式形成阴极27，结果就能够使连接配线106和阴极27经由连接部105电连接。像素区域107中的阴极27的厚度约为100nm～200nm。进而，前进至步骤S7。
如图7(h)所示，在步骤S7的气体阻挡层形成工序中，以在像素区域107内覆盖阴极27、在像素区域107的外侧的边框区域109覆盖连接部105的另一方端部105b的方式形成气体阻挡层40。作为气体阻挡层40的形成方法，优选以溅射法、离子镀膜法等物理气相蒸镀法或者等离子CVD法等化学气相蒸镀法成膜。溅射法、离子镀膜法等物理气相蒸镀法存在下述缺点：虽然通常能够获得相对于不同性质的基板表面亦具有较好的密接性的膜，但所得到的膜容易产生粒块状缺陷、或者容易成为应力大的覆膜等。另一方面，在化学气相蒸镀法中，存在下述缺点：虽然能够得到应力少、台阶覆盖性优异的缺陷少且致密的良好的膜质，但通常难以得到相对于不同性质的基板表面的密接性、成膜性。因此，如果在初期的成膜中采用物理气相蒸镀法，形成例如所需要的膜厚的一半或者一半以上，并在后期的成膜中使用化学气相蒸镀法弥补先前形成的膜的缺陷的话，则能够在比较短的时间形成整体的气体阻挡性(对氧、水分的阻挡性)优异的气体阻挡层40。
对于气体阻挡层40的形成，可以像前面所述那样利用同一材料形成为单层，或者也可以利用不同的材料层叠形成为多层，进一步，也可以是虽然以单层形成、但使其组成在膜厚方向连续或者非连续地变化。
在利用不同的材料层叠形成多层的情况下，例如如前面所述，优选选用硅氮化物或者硅氮氧化物等作为用物理气相蒸镀法形成的内侧的层(阴极27侧的层)，选用硅氮氧化物或者硅氧化物等作为用化学气相蒸镀法形成的外侧的层。
并且，当利用物理气相蒸镀法形成内侧的层时，亦可通过使对成膜装置内供给的氧量最初较少、随后连续或者非连续地增加，而使形成的气体阻挡层40中的氧浓度在阴极27侧(内侧)偏低，在外侧变得比内侧高。
另外，当然也可以利用单一的成膜法进行气体阻挡层40的形成，在该情况下，如前面所述，优选形成为使氧浓度在阴极27侧(内侧)偏低。该情况下的气体阻挡层40的总厚度约为400nm。
根据该电气光学装置100的制造方法，即便使用形成位置精度比基于光刻法的图形化差的掩模蒸镀法形成阴极27，也会在边框区域109中以与连接部105的一方的端部105a重叠的方式形成阴极27，结果，能够使设置于电路部107的连接配线106和阴极27经由连接部105稳定地连接。
并且，在以使形成于电路部17的连接配线106和阴极27直接连接的方式对阴极27进行掩模蒸镀的情况下，考虑基于掩模蒸镀的阴极27的形成位置精度的偏差，需要预先加大与连接配线106之间的接触面积。换言之，需要考虑上述接触面积来确保形成有连接配线106的边框区域109。与此相对，对于本实施方式，由于利用光刻法高精度地形成使连接配线106和阴极27连接的连接部105、并以与像素区域107侧的一方端部105a重叠的方式对阴极27进行掩模蒸镀，因此能够缩窄实质上的边框区域109的宽度。
进一步，由于连接部105的一方端部105a沿着设置于像素区域107的外周部的间隔壁部31的壁面31a形成，因此即便缩窄边框区域109也能够立体地确保与阴极27之间的接触面积，从而能够实现稳定的连接。
另外，在本实施方式中，对电气光学装置100作为采用顶部发光构造的装置进行了说明，但是并不局限于此，也能够应用于采用从元件基板10侧将功能层25的发光取出的底部发光构造的装置。在形成为底部发光构造的情况下，阴极27无需使用透明电极，但需要使元件基板10自身具有透光性。
并且，为了将发光从元件基板10侧高效地取出，优选形成于元件基板10的开关用的TFT 121、驱动用的TFT 122、以及与它们连接的配线类形成于间隔壁部32的正下方，而不形成于发光元件30的正下方，以提高开口率。
电气光学装置100也可以在利用气体阻挡层40覆盖发光元件30的状态下直接使用，但尤其在顶部发光构造中，存在例如人体等反复与获得发光的气体阻挡层40侧接触从而发光元件30损伤的可能性。因此，如图8所示，优选经由至少覆盖气体阻挡层40的透明的缓冲层131设置同样透明的保护层132。
缓冲层131与气体阻挡层40密接、且相对于来自外部的机械冲击具有缓冲功能，缓冲层131例如为聚氨酯类、丙烯类、环氧类、聚烯烃类等树脂，比后述的保护层132更柔软且由粘接剂形成，该粘接剂由玻化温度低的材料形成。另外，优选预先在这种粘接剂中添加有硅烷偶联剂(silane coupling agent)或者硅氧烷化合物(alkoxysilane)，这样，所形成的缓冲层131与气体阻挡层40之间的密接性变得更好，相对于机械冲击的缓冲功能提高。并且，在利用硅化合物形成气体阻挡层40的情况等中，能够利用硅烷偶联剂、硅氧烷化合物提高与该气体阻挡层40之间的密接性，能够提高气体阻挡性。
保护层132设置在缓冲层131上，是具有耐压性、耐磨损性、外部光反射防止性、气体阻挡性、紫外线隔断性等功能中的至少一个的层。具体而言，由高分子层(塑料薄膜)、DLC(类金刚石碳)层、玻璃等形成。
另外，在顶部发光构造的电气光学装置100中，需要使保护层132、缓冲层131都具有透光性，但是，在形成为底部发光构造的情况下无此需要。
如果以这种方式在气体阻挡层40上设置保护层132的话，由于保护层132具有耐压性、耐磨损性、光反射防止性、气体阻挡性、紫外线隔断性等功能，因此能够利用该保护层132保护功能层25、阴极27、甚至气体阻挡层40，能够实现发光元件30的长寿命化。
并且，由于缓冲层131相对于机械冲击发挥缓冲功能，因此，在从外部施加机械冲击的情况下，能够缓和对气体阻挡层40或该气体阻挡层40的内侧的发光元件30的机械冲击，能够防止由机械冲击导致的发光元件30的功能劣化。
(第二实施方式)<电子设备>
接着，参照图9的(a)～(c)对本实施方式的电子设备进行说明。
图9(a)是示出作为电子设备的移动电话机的立体图。如图9(a)所示，作为电子设备的一例的移动电话机1000在折叠式的主体的一方设置有显示部1001。在显示部1001搭载有上述实施方式的电气光学装置100。
图9(b)是示出作为电子设备的腕表式信息终端的立体图。如图9(b)所示，作为电子设备的一例的腕表式信息终端1100在装配有带的主体设置有显示部1101。在显示部1101搭载有上述实施方式的电气光学装置100。
图9(c)是示出作为电子设备的便携式信息处理装置的立体图。如图9(c)所示，作为电子设备的一例的便携式信息处理装置1200具有：主体1204，该主体1204具有键盘1202；以及显示部1206，该显示部1206能够重合折叠于主体1204。在显示部1206搭载有上述实施方式的电气光学装置100。
图9中，(a)～(c)所示的各个电子设备在显示部搭载有能够缩窄边框区域109的电气光学装置100，因此能够使各个电子设备整体更加小型化。即，能够提供具有优异的便携性的电子设备。
除了上述实施方式以外，还考虑各种各样的变形例。以下举出变形例进行说明。
(变形例1)在上述第一实施方式的电气光学装置100中，连接部105的平面配置并不局限于此。例如，如图1所示，在第一实施方式中，在X方向夹隔像素区域107设置有一对连接部105，但是，也能够以与至少一方的连接配线106在俯视图中重叠的方式设置连接部105。由此，虽然俯视观察时电气光学装置100的中心线与像素区域107的中心线在X方向错开，但也能够缩小像素区域107的外侧的边框区域。
图10是示出变形例1的电气光学装置的概要俯视图。并且，例如，如图10所示，相对于上述实施方式的电气光学装置100，变形例1的电气光学装置200具有连接部205，俯视观察时该连接部205与设置在像素区域107的外侧的检查电路103重合，并且架设于一对连接部105。由此，如果以与连接部205重叠的方式形成阴极27的话，能够进一步降低覆盖像素区域107的阴极27的电阻，并且能够利用阴极27的电阻降低发光元件30中的发光斑点。
(变形例2)上述第一实施方式的电气光学装置100中的像素区域107的结构并不局限于此。图11是示出变形例2的电气光学装置的概要剖视图。例如，如图11所示，变形例2的电气光学装置300在像素区域107的周缘部具有无助于实际的显示的虚拟像素。虚拟像素与子像素SG同样具有像素电极21、阴极27、以及设置在这些电极之间的功能层25，但是，像素电极21并不与驱动用的TFT 122电连接。连接部105以一方端部105a覆盖在位于虚拟像素的外侧的间隔壁部31上的方式设置。通过设置这种虚拟像素，能够降低使用液滴喷出法、掩模蒸镀法形成功能层25的情况下的上述周缘部处的成膜偏差对用于进行实际的显示的子像素SG造成影响，能够实现亮度斑点少的显示质量。
(变形例3)上述第一实施方式中的具备保护层132的电气光学装置100的结构并不局限于此。例如，也可以在边框区域109内配置接合保护层132和元件基板10的密封部件，以形成对缓冲层131进行密封并支承保护层132的结构。由此，能够形成为可进一步降低来自外部的氧、水分等侵入电气光学装置100。
(变形例4)上述第一实施方式的电气光学装置100的结构并不局限于此。例如，从发光元件30得到的发光并不限定于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)三种颜色，也可以是白色等单色光。由此，不仅能够应用于基于单色的发光的信息显示，而且能够转用做照明装置。并且，也可以将发光元件30形成为能够得到白色发光的结构，使用透明的玻璃等作为保护层132，并与发光元件30的平面配置对应地在保护层132与发光元件30之间设置红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的彩色滤光器的结构，由此能够进行全彩色显示。
(变形例5)可搭载上述第一实施方式的电气光学装置100的电子设备并不限定于上述第二实施方式的移动电话机1000、腕表式信息终端1100、便携式信息处理装置1200。例如能够举出数码照相机、数码摄像机、DVD播放机、导航装置等车载用显示器、掌上电脑、POS终端、以及被称作数字标牌的电子广告媒体等。
Claims (15)
1.一种电气光学装置，其特征在于，
所述电气光学装置在基板上具备：
像素区域，在该像素区域设置有发光元件，该发光元件具有第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；
间隔壁部，该间隔壁部设置在所述像素区域的外侧；
连接配线，该连接配线设置在所述间隔壁部的外侧；以及
连接部，该连接部对所述第二电极和所述连接配线进行电连接，其中，
所述连接部沿着所述间隔壁部的与所述像素区域侧相反侧的壁面设置，
所述第二电极以覆盖所述像素区域和所述间隔壁部的方式延伸设置，所述第二电极在所述像素区域的外侧和所述连接部的沿着所述间隔壁部的与所述像素区域侧相反侧的壁面的部分重叠设置，并且在俯视图中该第二电极不与所述连接配线重叠。
2.根据权利要求1所述的电气光学装置，其特征在于，
所述间隔壁部具有由面向所述基板的外周侧的侧面形成的外侧部，
在俯视图中，所述第二电极和所述连接部在所述间隔壁部的外侧部重叠。
3.根据权利要求1或2所述的电气光学装置，其特征在于，
所述电气光学装置具有外围电路，该外围电路在俯视图中设置在所述连接配线与所述像素区域之间，对所述发光元件进行驱动控制，
在俯视图中，所述连接部的至少一部分与所述外围电路重叠。
4.根据权利要求1或2所述电气光学装置，其特征在于，
所述连接配线和所述连接部沿着形成所述基板的外周的第一边和与所述第一边对置的第二边设置。
5.根据权利要求1或2所述的电气光学装置，其特征在于，
所述连接部和所述第二电极由相互不同的导电性材料构成。
6.根据权利要求5所述的电气光学装置，其特征在于，
所述连接部的电阻率比所述第二电极的电阻率小。
7.根据权利要求1或2所述的电气光学装置，其特征在于，
具备气体阻挡层，该气体阻挡层以覆盖所述第二电极和所述连接部的方式设置。
8.一种电气光学装置的制造方法，其特征在于，
该电气光学装置在基板上具备发光元件，该发光元件具有第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，
所述电气光学装置的制造方法具备以下工序：
在设置有所述发光元件的像素区域的外侧形成间隔壁部的工序；
在所述间隔壁部的外侧形成连接配线的工序；
以沿着所述间隔壁部的与所述像素区域侧相反侧的壁面的方式，形成用于对所述第二电极和所述连接配线进行电连接的连接部的工序；以及
形成所述第二电极的工序，所述第二电极形成为：覆盖所述像素区域和所述间隔壁部，在所述像素区域的外侧和所述连接部的沿着所述间隔壁部的与所述像素区域侧相反侧的壁面的部分重叠，并且在俯视图中不与所述连接配线重叠。
9.根据权利要求8所述的电气光学装置的制造方法，其特征在于，
形成所述连接部的方法是光刻法，
形成所述第二电极的方法是掩模蒸镀法。
10.根据权利要求8或9所述的电气光学装置的制造方法，其特征在于，
所述间隔壁部具有由面向所述基板的外周侧的侧面形成的外侧部，
在形成所述连接部的工序中，遍及俯视图中从所述连接配线直到所述间隔壁部的外侧部的区域形成所述连接部，
在形成所述第二电极的工序中，以在俯视图中在所述间隔壁部的外侧部与所述连接部重叠的方式形成所述第二电极。
11.根据权利要求8或9所述电气光学装置的制造方法，其特征在于，
利用相互不同的导电性材料形成所述连接部和所述第二电极。
12.根据权利要求11所述的电气光学装置的制造方法，其特征在于，
所述连接部使用电阻率比所述第二电极的电阻率小的导电性材料形成。
13.根据权利要求8或9所述的电气光学装置的制造方法，其特征在于，
具有在俯视图中的所述连接配线与所述像素区域之间形成外围电路的工序，该外围电路用于对所述发光元件进行驱动控制，
在形成所述连接部的工序中，以在俯视图中至少一部分与所述外围电路重叠的方式形成所述连接部。
14.根据权利要求8或9所述的电气光学装置的制造方法，其特征在于，
还具备以覆盖所述第二电极和所述连接部的方式形成气体阻挡层的工序。
15.一种电子设备，其特征在于，
所述电子设备具备权利要求1至7中的任一项所述的电气光学装置或者利用权利要求8至14中的任一项所述的电气光学装置的制造方法制造而成的电气光学装置。
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