CN102236189A - 显示用基板及其制造方法及液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示用基板及其制造方法及液晶显示器，其中显示用基板包括：源漏金属线、第一检测线和第二检测线；源漏金属线与第一检测线垂直，源漏金属线与第二检测线平行；源漏金属线和第一检测线交叉区域形成子像素区域，每个子像素区域形成有一个光电感应器件；光电感应器件的第一电极与源漏金属线连接，第二电极与第一检测线连接，光电感应半导体层与第一电极、第二电极和第二检测线连接；光电感应半导体层在接收到光信号时能够产生载流子使得第一电极和第二电极导通，并使得第一电极与第二检测线导通。本发明能够解决现有技术中触摸显示器不耐用、贴附于显示器表面的ITO薄膜会减小显示器的透过率的问题。

Description

显示用基板及其制造方法及液晶显示器

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种显示用基板及其制造方法及液晶显示器。

背景技术

近年来，触摸显示器越来越多地应用到各种终端设备上面。触摸显示器是一种感测器元件，由触摸检测部件和触摸屏控制器组成，这二者粘附在显示器的表面，利用触摸式显示器上氧化铟锡(ITO)导电玻璃和ITO薄膜的电场的变化来探测接触点的位置，并将接触点的位置信息传送到触摸屏控制器，触摸屏控制器将接收到的位置信息传送给处理器进行处理。

现有的触摸显示器包括电阻式、电容式、红外线式、表面声波式和静电感应式。其中，电阻式的触摸显示器是主流的产品。

现有的触摸显示器的表面均贴附有一层触摸物质，以电阻式的触摸显示器为例，在显示器的表面贴附有一层ITO层。ITO是一种透明导电薄膜，不耐用，并且ITO贴附在触摸显示器的表面，会减小显示器的透过率。

发明内容

本发明提供一种显示用基板及其制造方法及液晶显示器，用以解决现有技术中触摸显示器不耐用、贴附于显示器表面的ITO薄膜会减小显示器的透过率的问题。

本发明提供了一种显示用基板，包括：源漏金属线、第一检测线和第二检测线；所述源漏金属线与所述第一检测线垂直，所述源漏金属线与所述第二检测线平行；所述源漏金属线和第一检测线交叉区域形成子像素区域，每个子像素区域形成有一个光电感应器件；所述光电感应器件的第一电极与所述源漏金属线连接，所述光电感应器件的第二电极与所述第一检测线连接，所述光电感应器件的光电感应半导体层与所述第一电极、第二电极和第二检测线连接；所述光电感应半导体层在接收到光信号时能够产生载流子使得所述第一电极和第二电极导通，并使得所述第一电极与所述第二检测线导通。

本发明还提供了一种液晶显示器，包括阵列基板和如前所述的显示用基板。

本发明还提供了一种显示用基板的制造方法，包括：

步骤1、在基板上形成源漏金属线、第一电极、第二电极、第二检测线和光电感应半导体层的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上，沉积绝缘薄膜，形成包括绝缘层的图形，在第二电极的位置形成过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上，沉积金属薄膜，形成包括第一检测线的图形，第一检测线通过所述过孔与第二电极连接。

本发明提供的显示用基板、液晶显示器及显示用基板的制造方法，由光电感应半导体层接收光信号，并在接收到光信号之后，将第一电极和第二电极导通，将第一电极和第二检测线导通，使得第一检测线和第二检测线中产生电流，通过确定第一检测线和第二检测线的位置即可确定光信号的入射点的位置。这种非接触式的显示用基板，没有采用ITO薄膜来感应外物的接触，可以克服ITO薄膜不耐用的缺陷；并且，能够克服由于ITO薄膜的贴附带来的显示器透过率下降的缺陷。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为本发明显示用基板实施例一的局部俯视结构示意图；

图1b为图1a中沿A6-A6线的侧视剖切结构示意图；

图1c为图1a中沿B6-B6线的侧视剖切结构示意图；

图1d为图1a中沿C6-C6线的侧视剖切结构示意图；

图1e为图1a中沿D6-D6线的侧视剖切结构示意图；

图2a为本发明显示用基板实施例一第一次构图工艺后的局部俯视结构示意图；

图2b为图2a中沿A1-A1线的侧视剖切结构示意图；

图2c为图2a中沿B1-B1线的侧视剖切结构示意图；

图2d为图2a中沿C1-C1线的侧视剖切结构示意图；

图2e为图2a中沿D1-D1线的侧视剖切结构示意图；

图3a为本发明显示用基板实施例一第二次构图工艺后的局部俯视结构示意图；

图3b为图3a中沿A2-A2线的侧视剖切结构示意图；

图3c为图3a中沿B2-B2线的侧视剖切结构示意图；

图3d为图3a中沿C2-C2线的侧视剖切结构示意图；

图3e为图3a中沿D2-D2线的侧视剖切结构示意图；

图4a为本发明显示用基板实施例一第三次构图工艺后的局部俯视结构示意图；

图4b为图4a中沿A3-A3线的侧视剖切结构示意图；

图4c为图4a中沿B3-B3线的侧视剖切结构示意图；

图4d为图4a中沿C3-C3线的侧视剖切结构示意图；

图4e为图4a中沿D3-D3线的侧视剖切结构示意图；

图5a为本发明显示用基板实施例一第四次构图工艺后的局部俯视结构示意图；

图5b为图5a中沿A4-A4线的侧视剖切结构示意图；

图5c为图5a中沿B4-B4线的侧视剖切结构示意图；

图5d为图5a中沿C4-C4线的侧视剖切结构示意图；

图5e为图5a中沿D3-D3线的侧视剖切结构示意图；

图6a为本发明显示用基板实施例一第五次构图工艺后的局部俯视结构示意图；

图6b为图6a中沿A5-A5线的侧视剖切结构示意图；

图6c为图6a中沿B5-B5线的侧视剖切结构示意图；

图6d为图6a中沿C5-C5线的侧视剖切结构示意图；

图6e为图6a中沿D3-D3线的侧视剖切结构示意图；

图7a为本发明显示用基板实施例二的的局部俯视结构示意图；

图7b为图7a中沿E6-E6线的侧视剖切结构示意图；

图7c为图7a中沿F6-F6线的侧视剖切结构示意图；

图7d为图7a中沿G6-G6线的侧视剖切结构示意图；

图7e为图7a中沿H6-H6线的侧视剖切结构示意图；

图8所示为本发明液晶显示器中阵列基板的结构示意图；

图9所示为本发明显示用基板制造方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供一种显示用基板，包括：源漏金属线、第一检测线和第二检测线；源漏金属线与第一检测线垂直，源漏金属线与第二检测线平行；源漏金属线和第一检测线交叉区域形成子像素区域，每个子像素区域形成有一个光电感应器件；光电感应器件的第一电极与源漏金属线连接，光电感应器件的第二电极与第一检测线连接，光电感应器件的光电感应半导体层与第一电极、第二电极和第二检测线连接；光电感应半导体层在接收到光信号时能够产生载流子使得所述第一电极和第二电极导通，并使得第一电极与第二检测线导通。

本发明提供的显示用基板上还可以包括彩膜树脂和公共电极，从而使得该显示用基板形成一个彩膜基板。当然，该显示用基板上也可以不包括彩膜树脂和公共电极，该显示用基板只是用作一个能够感应光信号的位置的非接触式的显示装置。

本发明下面的实施例中，主要以包括彩膜树脂和公共电极的显示用基板为例来说明。

如图1a为本发明显示用基板实施例一的局部俯视结构示意图，图1b为图1a中沿A6-A6线的侧视剖切结构示意图，图1c为图1a中沿B6-B6线的侧视剖切结构示意图，图1d为图1a中沿C6-C6线的侧视剖切结构示意图，图1e为图1a中沿D6-D6线的侧视剖切结构示意图。该显示用基板包括：源漏金属线103、第一检测线104和第二检测线105。源漏金属线103与第一检测线104垂直，源漏金属线103与第二检测线105平行。源漏金属线103和第一检测线交叉区域形成子像素区域，每个子像素区域形成有一个光电感应器件。该光电感应器件包括第一电极106a、第二电极106b和光电感应半导体层106c。第一电极106a与源漏金属线103连接，第二电极106b与第一检测线104连接，光电感应半导体层106c分别与第一电极106a、第二电极106b和第二检测线105连接。光电感应半导体层106c在接收到光信号时能够产生载流子使得第一电极106a和第二电极106b导通，并使得第一电极106a与第二检测线105导通。

图1a中，源漏金属线和第一检测线交叉区域形成的子像素区域与阵列基板上数据线和栅线形成交叉区域形成的子像素区域相对应。光电感应器件是一个能够将光信号转换成电信号的器件，当光电感应器件的光电感应半导体层接收到光信号时，光电感应半导体层中产生载流子，使得第一电极106a和第二电极导通，第一电极和第二检测线导通。

可以在源漏金属线上施加第一电压，第一检测线和第二检测线上施加第二电压，第一电压不等于第二电压，第一电压和第二电压之间存在差值，即，源漏金属线和第一检测线之间存在电压差，源漏金属线和第二检测线之间存在电压差。

本发明提供的显示用基板是一种非触摸式的器件，可以用一个激光照射该显示用基板，显示用基板上的光电感应半导体层接收到光信号之后，产生载流子。由于源漏金属线和第一检测线之间存在电压差，源漏金属线和第二检测线之间存在电压差，那么接收到光信号的某个光电感应半导体层产生载流子之后，就会使得与该光电感应半导体层连接的第一检测线和第二检测线中产生电流。而对于显示用基板来说，各条第一检测线和第二检测线的位置是固定的，确定了产生电流的第一检测线和第二检测线的位置，就能够确定光信号的入射点位置。本发明中光信号的入射点位置，相当于现有技术中触摸显示器中的接触点位置。

本发明提供的显示用基板，由光电感应半导体层接收光信号，并在接收到光信号之后，将第一电极和第二电极导通，将第一电极和第二检测线导通，使得第一检测线和第二检测线中产生电流，通过确定第一检测线和第二检测线的位置即可确定光信号的入射点的位置。这种非接触式的显示用基板，没有采用ITO薄膜来感应外物的接触，可以克服ITO薄膜不耐用的缺陷；并且，能够克服由于ITO薄膜的贴附带来的显示器透过率下降的缺陷。

如图2a-图6e是本发明显示用基板实施例一制备过程的示意图。在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀、光刻胶剥离等工艺，其中光刻胶以正性光刻胶为例。

图2a为本发明显示用基板实施例一第一次构图工艺后的局部俯视结构示意图，图2b为图2a中沿A1-A1线的侧视剖切结构示意图，图2c为图2a中沿B 1-B 1线的侧视剖切结构示意图，图2d为图2a中沿C1-C1线的侧视剖切结构示意图，图2e为图2a中沿D1-D1线的侧视剖切结构示意图。采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板107上沉积一层金属薄膜。金属薄膜的材料可以使用铝、铬、钨、钽、钛、铜、钼及铝镍合金中的任意一个，或者这些材料的任意组合。采用普通掩模板通过构图工艺对金属薄膜进行构图，在基板107上形成包括源漏金属线103、第一电极106a、第二电极106b和第二检测线105的图形。

图3a为本发明显示用基板实施例一第二次构图工艺后的局部俯视结构示意图，图3b为图3a中沿A2-A2线的侧视剖切结构示意图，图3c为图3a中沿B2-B2线的侧视剖切结构示意图，图3d为图3a中沿C2-C2线的侧视剖切结构示意图，图3e为图3a中沿D2-D2线的侧视剖切结构示意图。在完成图2a所示图形的基板上，采用化学气相沉积或其它成膜方法沉积光电感应半导体层薄膜，该光电感应半导体层薄膜的材料可以使用硒化铅(PbSe)、碲化铅(PbTe)或硫化镉(CdS)等。采用普通掩模板通过构图工艺对光电感应半导体层薄膜进行构图，形成光电感应半导体层106c的图形。光电感应半导体层106c分别与第一电极106a、第二电极106b和第二检测线105连接。

如图4a为本发明显示用基板实施例一第三次构图工艺后的局部俯视结构示意图，图4b为图4a中沿A3-A3线的侧视剖切结构示意图，图4c为图4a中沿B3-B3线的侧视剖切结构示意图，图4d为图4a中沿C3-C3线的侧视剖切结构示意图，图4e为图4a中沿D3-D3线的侧视剖切结构示意图。在完成图3a所示图形的基板上，沉积一层绝缘薄膜，采用普通掩模板形成绝缘层108的图形，该绝缘层108的图形包括形成在第二电极106b上方的过孔108a的图形。绝缘薄膜的材料可以是氮化硅、氧化铝或者其他能够起到钝化层作用的有机树脂。本发明中，绝缘层108主要起到保护光电感应半导体层106c的作用。

如图5a为本发明显示用基板实施例一第四次构图工艺后的局部俯视结构示意图，图5b为图5a中沿A4-A4线的侧视剖切结构示意图，图5c为图5a中沿B4-B4线的侧视剖切结构示意图，图5d为图5a中沿C4-C4线的侧视剖切结构示意图，图5e为图5a中沿D3-D3线的侧视剖切结构示意图。在完成图4a所示图形的基板上，沉积一层金属薄膜，金属薄膜的材料可以使用铝、铬、钨、钽、钛、铜、钼及铝镍合金中的任意一个，或者这些材料的任意组合，采用普通掩模板通过构图工艺对金属薄膜进行构图，在基板107上形成包括第一检测线104的图形，第一检测线104通过过孔108a与第二电极106b连接。

如图6a为本发明显示用基板实施例一第五次构图工艺后的局部俯视结构示意图，图6b为图6a中沿A5-A5线的侧视剖切结构示意图，图6c为图6a中沿B5-B5线的侧视剖切结构示意图，图6d为图6a中沿C5-C5线的侧视剖切结构示意图，图6e为图6a中沿D3-D3线的侧视剖切结构示意图。在完成如图5a所示图形的基板上，涂布彩膜树脂层，采用普通掩模板通过构图工艺对彩膜树脂层进行构图，在基板107上形成彩膜树脂101的图形。对应于不同的子像素，彩膜树脂的颜色不同，通常彩膜树脂101的颜色可以是红、绿、蓝。

在完成如图6a所示的图形的基板上，涂布一层保护层109，该保护层109的表面平坦，起到保护基板中其他已形成的结构的作用。然后在保护层109上沉积一层ITO薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺对ITO薄膜进行构图，在基板107上形成公共电极102的图形。在基板与阵列基板对盒后，基板上的公共电极102可以与阵列基板上的像素电极之间形成电压差驱动液晶分子反转。经过第六次构图工艺后形成的图形的俯视结构图和侧视剖切结构图如图1a、1b、1c和1d所示。

如图7a为本发明显示用基板实施例二的局部俯视结构示意图，图7b为图7a中沿E6-E6线的侧视剖切结构示意图，图7c为图7a中沿F6-F6线的侧视剖切结构示意图，图7d为图1a中沿G6-G6线的侧视剖切结构示意图，图7e所示为图7a中沿H6-H6线的侧视剖切结构示意图。该实施例二与实施例一的区别之处在于：实施例二中光电感应半导体层设置在基板上，第一电极106a和第二检测线105形成在光电感应半导体层106c上；实施例一中，第一电极106a和第二检测线105形成在光电感应半导体层106c上，第一电极106a和第一检测线105形成在光电感应半导体层106c上。

实施例二中的显示用基板的制备过程可以是：先沉积光电感应半导体层薄膜，使用普通掩模板通过构图工艺进行构图，形成光电感应半导体层106c的图形。然后在基板上沉积一层金属薄膜，使用普通掩模板通过构图工艺进行构图，形成包括源漏金属线103、第一电极106a、第二电极106b和第二检测线105的图形。后续形成绝缘层108、过孔108a以及彩膜树脂101的过程与实施例一相同。

本发明还提供一种液晶显示器，包括阵列基板和图1a所示的显示用基板，还包括用于检测第一检测线和第二检测线中的电流的检测电路。当某条第一检测线和第二检测线中有电流时，检测电流可以检测到，并确定产生电流的第一检测线和第二检测线的位置，从而确定光信号的入射点的位置。

本发明中，阵列基板可以是采用通常的四次构图工艺或五次构图工艺制成的阵列基板，如图8所示为本发明液晶显示器中阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括数据线201和栅线202，数据线201和栅线202交叉区域形成子像素区域，每个子像素区域中形成一个薄膜晶体管(TFT)和像素电极204，TFT包括源极203a漏极203b和栅极203c，源极203a与数据线201连接，漏极203b通过钝化层过孔206与像素电极204连接，栅极203c与栅线202连接。在子像素区域还形成有公共电极线205，该公共电极线205与像素电极204之间形成存储电容。该公共电极线205区别于显示用基板上的公共电极102。显示用基板上的公共电极102的功能是与像素电极204之间形成电压差驱动液晶分子反转。

将如图1a所示的显示用基板和如图8所示的阵列基板对盒，填充液晶，贴附偏振片，附加液晶显示器驱动电路和用于检测第一检测线和第二检测线中的电流的检测电路，形成液晶显示器。显示用基板上的源漏金属线103可以和阵列基板上的数据线201位置对应，显示用基板上的第一检测线104可以和阵列基板上的栅线202位置对应，显示用基板上的第二检测线105可以和阵列基板上的公共电极线205位置对应，这样，就不会由于显示用基板上形成了源漏金属线103、第一检测线104和第二检测线105而减小液晶显示器的开口率。另外，可以将显示用基板上第一检测线104或源漏金属线103的位置与阵列基板上TFT的位置相对应，使得第一检测线104或源漏金属线103能够覆盖阵列基板上的TFT。第一检测线104或源漏金属线103是金属材料，本身不透光，所以，第一检测线104或源漏金属线103覆盖TFT，那么第一检测线104或源漏金属线103就起到了黑矩阵的作用，在显示用基板上也就无需另外形成黑矩阵。

本发明提供的液晶显示器，显示用基板上虽然形成有源漏金属线、第一检测线和第二检测线，但是由于它们分别与阵列基板上的数据线、栅线和公共电极线位置对应，所以不会对液晶显示器的开口率造成影响。另外，由于没有贴附ITO薄膜作为触摸物质，所以避免了由于ITO的贴附带来的透过率下降和ITO薄膜不耐用的缺陷。

本发明提供的液晶显示器，可以与激光光源配套使用。显示用基板上的光电感应半导体层对某些特定的波长敏感，那么配套使用的激光光源的波长应当是光电感应半导体层敏感的波长。激光光源的光束可以非常细，本发明提供的液晶显示器可以准确识别出入射点的位置，因为具有较高的分辨率。

如图9所示为本发明显示用基板制造方法的流程图，包括：

步骤1、在基板上形成源漏金属线、第一电极、第二电极、第二检测线和光电感应半导体层的图形。

步骤2、在完成步骤1的基板上，沉积绝缘薄膜，形成包括绝缘层的图形，在第二电极的位置形成过孔。

步骤3、在完成步骤2的基板上，沉积金属薄膜，形成包括第一检测线的图形，第一检测线通过过孔与第二电极连接。

在上述步骤的基础上，还可以包括：

步骤4、在完成步骤3的基板上，沉积彩膜树脂，形成彩膜树脂的图形。

步骤5、在完成步骤4的基板上，涂敷保护层，该保护层可以表面平坦，这样能够保证形成的液晶显示器各处的盒厚均匀，并在保护层上沉积一层ITO薄膜，形成公共电极的图形。

步骤1-步骤5的具体实现方式可以参考前述对于显示用基板的制造过程的描述。

其中，步骤1可以包括：

步骤11、在基板上沉积金属薄膜，形成包括源漏金属线、第一电极、第二电极和第二检测线的图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上，沉积光电感应半导体薄膜，形成包括光电感应半导体层的图形。

或者，步骤1可以包括：

步骤21、在基板上，沉积光电感应半导体薄膜，形成包括光电感应半导体层的图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上沉积金属薄膜，形成包括源漏金属线、第一电极、第二电极和第二检测线的图形。

本发明提供的显示用基板制造方法，在基板上形成源漏金属线、第一检测线和第二检测线，第一检测线与第二电极连接，光电感应半导体层与第一电极、第二电极和第二检测线连接。由光电感应半导体层接收光信号，并在接收到光信号之后，将第一电极和第二电极导通，将第一电极和第二检测线导通，使得第一检测线和第二检测线中产生电流，通过确定第一检测线和第二检测线的位置即可确定光信号的入射点的位置。这种非接触式的显示用基板，没有采用ITO薄膜来感应外物的接触，可以克服ITO薄膜不耐用的缺陷；并且，能够克服由于ITO薄膜的贴附带来的显示器透过率下降的缺陷。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (15)

1.一种显示用基板，其特征在于，包括：源漏金属线、第一检测线和第二检测线；所述源漏金属线与所述第一检测线垂直，所述源漏金属线与所述第二检测线平行；所述源漏金属线和第一检测线交叉区域形成子像素区域，每个子像素区域形成有一个光电感应器件；所述光电感应器件的第一电极与所述源漏金属线连接，所述光电感应器件的第二电极与所述第一检测线连接，所述光电感应器件的光电感应半导体层与所述第一电极、第二电极和第二检测线连接；所述光电感应半导体层在接收到光信号时能够产生载流子使得所述第一电极和第二电极导通，并使得所述第一电极与所述第二检测线导通。

2.根据权利要求1所述的显示用基板，其特征在于，还包括彩膜树脂和公共电极。

3.根据权利要求1或2所述的显示用基板，其特征在于，所述光电感应半导体层的材料是硒化铅PbSe、碲化铅PbTe或硫化镉CdS。

4.根据权利要求1或2所述的显示用基板，其特征在于，所述源漏金属线、第一电极、第二电极和第二检测线在同一次构图工艺中形成。

5.根据权利要求1或2所述的显示用基板，其特征在于，所述第二电极和第一检测线之间形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有过孔，所述第一检测线通过所述过孔与所述第二电极连接。

6.根据权利要求1或2所述的显示用基板，其特征在于，所述第二检测线与所述第一检测线绝缘。

7.一种液晶显示器，其特征在于，包括阵列基板和如权利要求1-6中任一权利要求所述的显示用基板。

8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述如权利要求1-6中任一权利要求所述的显示用基板上的源漏金属线与所述阵列基板上的数据线的位置对应；

所述如权利要求1-6中任一权利要求所述的显示用基板上的第一检测线与所述阵列基板上的栅线的位置对应；

所述如权利要求1-6中任一权利要求所述的显示用基板上的第二检测线与所述阵列基板上的公共电极线的位置对应。

9.根据权利要求7或8所述的液晶显示器，其特征在于，所述如权利要求1-6中任一权利要求所述的显示用基板上的源漏金属线或第一检测线的位置与所述阵列基板上的薄膜晶体管的位置对应，使得所述源漏金属线或第一检测线的图形能够覆盖所述薄膜晶体管的图形，起到黑矩阵的作用。

10.一种如权利要求1-6中任一权利要求所述的显示用基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成源漏金属线、第一电极、第二电极、第二检测线和光电感应半导体层的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上，沉积绝缘薄膜，形成包括绝缘层的图形，在的位置形成过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上，沉积金属薄膜，形成包括第一检测线的图形，第一检测线通过所述过孔与第二电极连接。

11.根据权利要求10所述的显示用基板的制造方法，其特征在于，还包括：

步骤4、在完成步骤3的基板上，沉积彩膜树脂，形成彩膜树脂的图形；

步骤5、在完成步骤4的基板上，涂敷保护层，并在保护层上沉积一层氧化铟锡ITO薄膜，形成公共电极的图形。

12.根据权利要求10或11所述的显示用基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1包括：

步骤11、在基板上沉积金属薄膜，形成包括源漏金属线、第一电极、第二电极和第二检测线的图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上，沉积光电感应半导体薄膜，形成包括光电感应半导体层的图形。

13.根据权利要求10或11所述的显示用基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1包括：

步骤21、在基板上沉积光电感应半导体薄膜，形成包括光电感应半导体层的图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上沉积金属薄膜，形成包括源漏金属线、第一电极、第二电极和第二检测线的图形。

14.根据权利要求10或11所述的显示用基板的制造方法，其特征在于，所述光电感应半导体层的材料是硒化铅PbSe、碲化铅PbTe或硫化镉CdS。

15.根据权利要求11所述的显示用基板的制造方法，其特征在于，所述保护层表面平坦。

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