CN102222540A - 单面薄膜云母带绕包铜扁线 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体和包覆铜扁导体的绝缘层，绝缘层由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体上形成；本发明还提供了上述单面薄膜云母带绕包铜扁线的制作方法，其将云母带包饶在铜扁导体上而形成本发明的铜扁线。本发明的铜扁线不仅具有耐高温、耐电晕、绝缘性能好等优点，而且机械强度更高，其制作方法中不需要涂绝缘漆，节约了成本，减少了制作过程中的污染。本发明的铜扁线可广泛地应用于高压电机、升降电机及其他电器的绕组中。
Description
技术领域
本发明涉及一种电磁线，更特别涉及一种可用于高压电机、特种电机等的单面薄膜云母带绕包铜扁线。
背景技术
电磁线主要用于变压器、电动机以及各种电气设备的绕组中，现有技术中的电磁线是在导体上包覆绝缘层，绝缘层一般为玻璃纤维丝层和/或其他薄膜层等，产品通常需要涂绝缘漆、烘干等步骤，成本较高，且制作过程中污染较大；也存在着单面聚酯薄膜补强少胶粉云母带进行绕包导体形成的电磁线，但该种产品存在耐受温度不够高、机械强度不高等缺点。
发明内容
为克服现有技术中的上述问题，本发明提供了一种可耐受高温、耐电晕的适用于高压电机、特种电机及电器绕组线圈的单面薄膜云母带绕包铜扁线。
本发明采用的技术方案是：本发明提供了一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体和包覆该铜扁导体的绝缘层，其中绝缘层由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体上而形成。
进一步地，铜扁导体纵截面的宽度a为1.00～5.60 mm，长度b为3.55～16.0 mm。
进一步地，绝缘层的厚度A-a为
mm，优选为0.50 mm。
更进一步地，绝缘层的厚度A-a为0.40±0.02 mm，优选为0.40 mm。
再进一步地，绝缘层的厚度A-a为0.43±0.02 mm，优选为0.43 mm。
其中，绝缘层的厚度A-a为绝缘层在高度方向上的厚度。
更进一步地，该铜扁线可耐受的温度为180～200℃。
本发明还提供了一种上述单面薄膜云母带绕包铜扁线的制作方法，该方法中将聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带包饶在铜扁导体上，形成包覆在铜扁导体外侧的绝缘层。
优选地，绝缘层的厚度规格为以下之一：
mm、0.40±0.02 mm或0.43±0.02 mm。
与现有技术相比,本发明具有下列优点：本发明所提供的铜扁线采用聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体上而形成，该种铜扁线具有耐高温、耐电晕及机械强度高等优点，本发明所提供的该种铜扁线及其制作方法不需要在铜导体上涂绝缘漆，可节约成本，减少制作过程中的污染，本发明的单面薄膜云母带绕包铜扁线可适用于高压电机、特种电机及其他电器等的绕组中。
附图说明
图1为本发明的铜扁线的铜扁导体的纵截面示意图；
图2为本发明的铜扁线的纵截面示意图；
图中：1、铜扁导体；2、绝缘层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围作出更为清除明确的界定。
参阅图1至图2，本发明的一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体1和包覆铜扁导体1的绝缘层2，绝缘层2由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体1上形成。铜扁导体1纵截面的宽度a为2.24 mm，长度b为7.10 mm，绝缘层2的高度方向上的厚度A-a为0.43 mm。本发明的单面薄膜云母带绕包铜扁线可耐受的温度为180～200℃，而以往的单面聚酯薄膜补强少胶粉云母带绕包铜导体可耐受的温度在150℃左右，显然本发明的铜扁线可耐受更高的温度，同时也具有更高的机械强度，更适用于高压电机、升降机及电器绕组线圈等。
本发明还提供了一种制作上述单面薄膜云母带绕包铜扁线的方法，即将聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带包饶在铜扁导体1上，形成包覆在铜扁导体1外侧的绝缘层2，绝缘层2的高度方向上的厚度A-a为0.43 mm，该种铜扁线的制作方法不需要在导体上涂绝缘漆，不仅可大大地节约成本，而且能够减少制作过程中的污染。
以上对本发明的特定实施例进行了说明，但本发明的保护内容不仅仅限定于以上实施例，在本发明的所属技术领域中，只要掌握通常知识，就可以在其技术要旨范围内进行多种多样的变更。
Claims (8)
1.一种单面薄膜云母带绕包铜扁线，包括铜扁导体（1）和包覆所述铜扁导体（1）的绝缘层（2），其特征在于：所述绝缘层（2）由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在所述铜扁导体（1）上形成。
2.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线，其特征在于：所述铜扁导体（1）纵截面的宽度a为1.00～5.60 mm，长度b为3.55～16.00 mm。
3.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的厚度A-a为 
mm。
4.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的厚度A-a为0.40±0.02 mm。
5.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的厚度A-a为0.43±0.02 mm。
6.根据权利要求1至5之一所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线，其特征在于：所述铜扁线可耐受的温度为180～200℃。
7.一种权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线的制作方法，其特征在于：将聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带包饶在所述铜扁导体（1）上，形成包覆在所述铜扁导体（1）外侧的绝缘层（2）。
8.根据权利要求7所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线的制作方法，其特征在于：所述绝缘层（2）的厚度规格为以下之一：
mm、0.40±0.02 mm或0.43±0.02 mm。
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