CN202976915U - 单面薄膜少胶云母带平包铜扁线 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体和包覆在铜扁导体上的绝缘层，绝缘层包括平包在铜扁导体上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体上无重叠地绕包一层。绝缘层中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层。本实用新型的铜扁线表面平整，不需要涂敷绝缘漆和烧结处理，具有耐高压，高温，制作成本低，节能环保等优良性能。

Description

单面薄膜少胶云母带平包铜扁线

技术领域

本实用新型涉及一种电磁线，更特别涉及一种可用于高压电机等的单面薄膜云母带平包铜扁线。

背景技术

目前，国内外生产的各种型号规格薄膜绕包电磁线，是在无氧铜导体或低氧铜导体上采用叠包技术，包绕各种绝缘薄膜，如聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、云母带、复合薄膜等，所谓薄膜叠包工艺就是薄膜重叠绕包，其按国家规定标准叠包率不低于35%（绕包薄膜宽度的35%）。但是这种绕包工艺使得绝缘层的厚度不均匀，且制作过程中一般需要绝缘漆和烧结工艺，成本较高，且性能还需要进一步改善。

发明内容

为克服现有技术中的上述问题，本实用新型提供了一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，该铜扁线成本较低，且节能环保，性能可靠。

本实用新型采用的技术方案是：一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体和包覆在铜扁导体上的绝缘层，其中，绝缘层包括平包在铜扁导体上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体上无重叠地绕包一层。

优选地，绝缘层中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层。

更优选地，绝缘层的厚度A-a为0.36±0.04 mm或0.54±0.06 mm或0.72±0.08 mm。

进一步地，绝缘层的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为0~0.6mm，在理想状态下，该间隙为零，即相邻云母带之间无重叠且刚好接触最好。

更进一步地，绝缘层的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离d为d=e/2±1 mm,或d=e/3±1 mm，或d=0.4e±1 mm，其中，e为云母带的宽度。本实用新型的铜扁线要求上下两层云母带的任意两个间隙不在同一位置，且相邻两个间隙f之间的距离d符合上述标准，这样才能确保铜扁线的优良性能。

再进一步地，铜扁导体纵截面的宽度a为1.00～5.60 mm，长度b为3.55～16.00mm。

进一步地，铜扁线可耐受的温度可达F级以上标准，为180～220℃。

与现有技术相比,本实用新型具有下列优点：本实用新型提供了一种采用平包技术的单面薄膜少胶云母平包铜扁线，该种铜扁线与传统的采用叠包技术制作的铜扁线具有以下优点：

（1）在同等绝缘强度下，采用平包工艺技术的电磁线绝缘层更薄，可缩小所制造的电机体积，可节约大量用材，减少电机制造成本，且其制作方法简便，制作成本低。

（2）由于采用平包技术，在电磁线制作过程中不涂绝缘漆，也不需要烧结，可有效地减少环境污染，包括减少废气和固定废物的排放，改善了生产环境。

（3）本实用新型的采用平包技术的铜扁线的绝缘层中含有云母粉，云母具有较好的绝缘性、较低的电介质损耗和较好的抗电弧、耐电晕等优点，耐高温及耐酸碱等良好的物化性能，所以增强了本产品的防电晕性能，提高了产品的使用寿命。

（4）通过采用平包技术，本实用新型所提供的铜扁线的外观更加平整、服帖，利用该种电磁线制造的电机在浸漆过程中绝缘漆更易浸透到电磁线的绝缘层内部，绝缘的整体性更佳。

（5）本实用新型提供的该种铜扁线性能佳，机械性能，电性能良好。

附图说明

图1为本实用新型的平包铜扁线的铜扁导体的纵截面示意图；

图2为本实用新型的平包铜扁线的纵截面示意图；

图3为本实用新型的平包铜扁线的立体示意图，其中，云母带平包层为两层；

图4为本实用新型的平包铜扁线的立体示意图，其中，云母带平包层为三层；

图5为本实用新型的平包铜扁线的立体示意图，其中，云母带平包层为四层。

图中：1、铜扁导体；2、绝缘层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围作出更为清除明确的界定。

参阅附图，如图1-图2所示，一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体1和包覆在铜扁导体1上的绝缘层2，绝缘层2包括平包在铜扁导体1上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体1上无重叠地绕包一层。

绝缘层2中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层，参阅图3至图5，这三幅图分别图示了绝缘层包括两层、三层和四层的云母带，相对应的绝缘层2的厚度A-a为0.36±0.04 mm或0.54±0.06 mm或0.72±0.08 mm。绝缘层2的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为0~0.6mm，这里的间隙在保证相邻云母带不重合的情况下，越小越好，绝缘层2的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离为d，在绝缘层中的云母带分别为两层、三层或四层的情况下，d值分别为d=e/2±1 mm,或d=e/3±1 mm，或d=0.4e±1 mm，其中，e为云母带的宽度。本实用新型所提供的云母带能够保证铜扁线表面平整，无皱折，各云母带平包的缝隙在上述规定值内，且同一层的各个缝隙大小均匀，上、下层间缝隙的相对位置在制作过程中不发生位移，这些特征使得本实用新型的铜扁线与绕包形成的铜扁线具有更优良的性能，耐高压，最小击穿电压高。铜扁导体1纵截面的宽度a为1.00～5.60 mm，长度b为3.55～16.00mm，铜扁线可耐受的温度为180～220℃。

以上对本实用新型的特定实施例进行了说明，但本实用新型的保护内容不仅仅限定于以上实施例，在本实用新型的所属技术领域中，只要掌握通常知识，就可以在其技术要旨范围内进行多种多样的变更。

Claims (7)

1.一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体（1）和包覆在所述铜扁导体（1）上的绝缘层（2），其特征在于：所述绝缘层（2）包括平包在所述铜扁导体（1）上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体（1）上无重叠地绕包一层。

2.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层。

3.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的厚度A-a为0.36±0.04 mm或0.54±0.06 mm或0.72±0.08 mm。

4.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为0 ~0.6mm。

5.根据权利要求4所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述绝缘层（2）的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离d为d=e/2±1 mm,或d=e/3±1 mm，或d=0.4e±1 mm，其中，e为云母带的宽度。

6.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述铜扁导体（1）纵截面的宽度a为1.00～5.60 mm，长度b为3.55～16.00 mm。

7.根据权利要求1所述的单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，其特征在于：所述铜扁线可耐受的温度为180～220℃。

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