CN102219348A - 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 - Google Patents
双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102219348A CN102219348A CN 201110078495 CN201110078495A CN102219348A CN 102219348 A CN102219348 A CN 102219348A CN 201110078495 CN201110078495 CN 201110078495 CN 201110078495 A CN201110078495 A CN 201110078495A CN 102219348 A CN102219348 A CN 102219348A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- glass tube
- sub
- quartz glass
- female
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明是一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，包括炉体、炉盖和芯杆，炉体内设有坩锅，芯杆的底部设有成型器；其特征在于：所述的坩锅由母坩锅和子坩锅组成，所述的子坩锅设在母坩锅内；它还设有分别用于给母坩锅和子坩锅投料的2台投料器。本发明由于设有子母2个坩锅，在进行石英玻璃管拉管时，可以通过所设的2套加料器分别向子、母坩锅中加入不同纯度、区别掺杂的高纯石英砂，处于母坩锅中的高纯石英砂熔融后处于外层，处于子坩锅中的高纯石英砂熔融后处于内层，经拉制成型于是得到区别的内外层材料的一体式石英玻璃管，该石英玻璃管可以用于要求区别内外层的石英玻璃管的应用需求，特别适合用于制作砷化镓晶体生长用石英坩埚。
Description
技术领域
本发明涉及一种连熔炉，特别是一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉。
背景技术
石英玻璃管是用二氧化硅制造的特种工业技术玻璃，是一种非常优良的基础材料，它具有一系列优良的物理、化学性能。石英玻璃工业多是采用连熔法生产石英玻璃管产品。现有技术中，连熔法生产石英玻璃管使用的连熔炉的主要结构是，它包括炉体、炉盖和芯杆，炉体内设有坩锅，芯杆的底部设有成型器。其中坩锅仅设有一个，并设有一套与之配套的投料器。用现有技术中的连熔炉生产的石英玻璃管的整体内、外壁材料均相同，因此不能适应一些特殊的应用要求。
砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓（GaAs）材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。是一种直接带隙半导体材料，禁带宽度1.424eV，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV ，可以制作出 870nm 波长近红外光发光管。直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍，介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件多用於光电元件和高频通讯用元件。如WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT等微波通讯上。
现有技术中的普通连熔炉生产的内外壁材料完本相同的石英玻璃管用于制造砷化镓晶体生长用器具材料时，存在使用寿命短、长晶良率低、器具强度低，并存在高温软化现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种结构设计简单合理、能拉制出区别材料的管壁的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉。
本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，包括炉体、炉盖和芯杆，炉体内设有坩锅，芯杆的底部设有成型器；其特点是：所述的坩锅由母坩锅和子坩锅组成，所述的子坩锅设在母坩锅内；它还设有分别用于给母坩锅和子坩锅投料的2台投料器。
本发明双料壁石英玻璃管生产用连熔炉技术方案中，优选的技术方案是：
1、所述的子坩锅的长度优选为母坩锅长度的1/3-2/3，进一步优选为母坩锅长度的1/2。
2、子坩锅的水平截面积优选为母坩锅的水平截面积的1/3-1/2。
3、所述的子坩锅、母坩锅可以为钨坩锅或钼坩锅。其进一步的优选方案是：所述的母坩锅为钨坩锅，所述的子坩锅为经高温镀钨铼处理的钼坩埚。
与现有技术相比，本发明由于设有子母2个坩锅，在进行石英玻璃管拉管时，可以通过所设的2套加料器分别向子、母坩锅中加入不同纯度、区别掺杂的高纯石英砂（一般纯度大于95%），处于母坩锅中的高纯石英砂熔融后处于外层，处于子坩锅中的高纯石英砂熔融后处于内层，经拉制成型于是得到区别的内外层材料的一体式石英玻璃管，该石英玻璃管可以用于要求区别内外层的石英玻璃管的应用需求，特别适合用于制作砷化镓晶体生长用石英坩埚。
附图说明
图1为本发明的一种结构示意图。
具体实施方式
以下参照附图，进一步描述本发明的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进一步地理解本发明，而不构成对其权利的限制。
实施例1。参照图1。一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，包括炉体1、炉盖和芯杆2，炉体1内设有坩锅，芯杆2的底部设有成型器；所述的坩锅由母坩锅3和子坩锅4组成，所述的子坩锅4设在母坩锅5内；它还设有分别用于给母坩锅3和子坩锅4投料的2台投料器5。
实施例2。实施例1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中：子坩锅4的长度为母坩锅3长度的1/3。
实施例3。实施例1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中：子坩锅4的长度为母坩锅3长度的2/3。
实施例4。实施例1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中：子坩锅4的长度为母坩锅3长度的1/2。
实施例5。实施例1-4任何一项所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中：子坩锅4的水平截面积为母坩锅3的水平截面积的1/3。所述的母坩锅3为钨坩锅，所述的子坩锅4为经高温镀钨铼处理（采用常规工艺）的钼坩埚。
实施例6。实施例1-4任何一项所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中：子坩锅4的水平截面积为母坩锅3的水平截面积的1/2；所述的子坩锅3、母坩锅4为钨坩锅或钼坩锅。
Claims (6)
1.一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，包括炉体、炉盖和芯杆，炉体内设有坩锅，芯杆的底部设有成型器；其特征在于：所述的坩锅由母坩锅和子坩锅组成，所述的子坩锅设在母坩锅内；它还设有分别用于给母坩锅和子坩锅投料的2台投料器。
2.根据权利要求1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，其特征在于：子坩锅的长度为母坩锅长度的1/3-2/3。
3.根据权利要求1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，其特征在于：子坩锅的长度为母坩锅长度的1/2。
4.根据权利要求1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，其特征在于：子坩锅的水平截面积为母坩锅的水平截面积的1/3-1/2。
5.根据权利要求1-4任何一项所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，其特征在于：所述的子坩锅、母坩锅为钨坩锅或钼坩锅。
6.根据权利要求1-4任何一项所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉，其特征在于：所述的母坩锅为钨坩锅，所述的子坩锅为经高温镀钨铼处理的钼坩埚。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110078495 CN102219348A (zh) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110078495 CN102219348A (zh) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102219348A true CN102219348A (zh) | 2011-10-19 |
Family
ID=44776100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110078495 Pending CN102219348A (zh) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102219348A (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN200992517Y (zh) * | 2007-01-19 | 2007-12-19 | 王绪东 | 拉制有色石英玻璃管的连熔炉 |
| CN202030639U (zh) * | 2011-03-30 | 2011-11-09 | 连云港福东正佑照明电器有限公司 | 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 |
-
2011
- 2011-03-30 CN CN 201110078495 patent/CN102219348A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN200992517Y (zh) * | 2007-01-19 | 2007-12-19 | 王绪东 | 拉制有色石英玻璃管的连熔炉 |
| CN202030639U (zh) * | 2011-03-30 | 2011-11-09 | 连云港福东正佑照明电器有限公司 | 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103541008B (zh) | 一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置 | |
| CN103556223B (zh) | 一种生长大尺寸和方形蓝宝石单晶的方法 | |
| CN202390579U (zh) | 一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚 | |
| CN202030861U (zh) | 一种多晶硅晶体生长炉加热装置 | |
| CN103510157A (zh) | 一种高效铸锭的诱导长晶工艺 | |
| CN106868584B (zh) | 一种单晶炉用电阻加热器及使用该电阻加热器制备硅单晶的方法 | |
| CN102758249A (zh) | 一种无色刚玉单晶的制备方法 | |
| MY192429A (en) | Method for efficiently preparing doped optical fibre preform and doped optical fibre preform | |
| CN103215633A (zh) | 一种多晶硅的铸锭方法 | |
| CN202030639U (zh) | 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 | |
| CN103159215A (zh) | 一种空心硅芯的拉制方法 | |
| CN106283180A (zh) | 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法 | |
| CN109930200A (zh) | 热屏及单晶硅生长炉结构 | |
| CN102758244A (zh) | 复合加热式直拉多晶硅或单晶硅制备工艺 | |
| CN109207957A (zh) | 一种MoS2/MoO2异质结的制备方法 | |
| CN109930197A (zh) | 热屏及单晶硅生长炉结构 | |
| CN102219348A (zh) | 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 | |
| CN103343385A (zh) | 一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法 | |
| CN203295664U (zh) | 一种用于蓝宝石晶体动态温度法生长的独立加热双坩埚连续供料装置 | |
| WO2018076139A1 (zh) | 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法 | |
| CN103014867B (zh) | 一种氮化铝晶体生长制备炉 | |
| CN2884103Y (zh) | 直拉法单晶硅生产用石英坩埚 | |
| TW201816202A (zh) | 單晶生長爐熱屏及其製造方法 | |
| CN102817071A (zh) | 防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺 | |
| CN102161564B (zh) | 砷化镓晶体生长用双料壁石英坩埚及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20111019 |