CN202030639U - 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉 - Google Patents

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濮晓明
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陶明顿
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Abstract

本实用新型是一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉,包括炉体、炉盖和芯杆,炉体内设有坩埚,芯杆的底部设有成型器;其特征在于:所述的坩埚由母坩埚和子坩埚组成,所述的子坩埚设在母坩埚内;它还设有分别用于给母坩埚和子坩埚投料的2台投料器。本实用新型由于设有子母2个坩埚,在进行石英玻璃管拉管时,可以通过所设的2套加料器分别向子、母坩埚中加入不同纯度、区别掺杂的高纯石英砂,处于母坩埚中的高纯石英砂熔融后处于外层,处于子坩埚中的高纯石英砂熔融后处于内层,经拉制成型于是得到区别的内外层材料的一体式石英玻璃管,该石英玻璃管可以用于要求区别内外层的石英玻璃管的应用需求,特别适合用于制作砷化镓晶体生长用石英坩埚。

Description

双料壁石英玻璃管生产用连熔炉
技术领域
 本实用新型涉及一种连熔炉,特别是一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉。
背景技术
石英玻璃管是用二氧化硅制造的特种工业技术玻璃,是一种非常优良的基础材料,它具有一系列优良的物理、化学性能。石英玻璃工业多是采用连熔法生产石英玻璃管产品。现有技术中,连熔法生产石英玻璃管使用的连熔炉的主要结构是,它包括炉体、炉盖和芯杆,炉体内设有坩锅,芯杆的底部设有成型器。其中坩锅仅设有一个,并设有一套与之配套的投料器。用现有技术中的连熔炉生产的石英玻璃管的整体内、外壁材料均相同,因此不能适应一些特殊的应用要求。
砷化镓(GaAs)材料是目前生产量最大、应用最广泛,因而也是最重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构,使砷化镓(GaAs)材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。是一种直接带隙半导体材料,禁带宽度1.424eV,远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV ,可以制作出 870nm 波长近红外光发光管。直接带隙、消耗功率低等特性,电子迁移率约为硅材料的5.7倍,介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作磊晶片。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件多用於光电元件和高频通讯用元件。如WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT等微波通讯上。
现有技术中的普通连熔炉生产的内外壁材料完本相同的石英玻璃管用于制造砷化镓晶体生长用器具材料时,存在使用寿命短、长晶良率低、器具强度低,并存在高温软化现象。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种结构设计简单合理、能拉制出区别材料的管壁的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉。
本实用新型所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本实用新型是一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉,包括炉体、炉盖和芯杆,炉体内设有坩锅,芯杆的底部设有成型器;其特点是:所述的坩锅由母坩锅和子坩锅组成,所述的子坩锅设在母坩锅内;它还设有分别用于给母坩锅和子坩锅投料的2台投料器。
本实用新型双料壁石英玻璃管生产用连熔炉技术方案中,优选的技术方案是:
1、所述的子坩锅的长度优选为母坩锅长度的1/3-2/3,进一步优选为母坩锅长度的1/2。
2、子坩锅的水平截面积优选为母坩锅的水平截面积的1/3-1/2。
3、所述的子坩锅、母坩锅可以为钨坩锅或钼坩锅。其进一步的优选方案是:所述的母坩锅为钨坩锅,所述的子坩锅为经高温镀钨铼处理的钼坩埚。
与现有技术相比,本实用新型由于设有子母2个坩锅,在进行石英玻璃管拉管时,可以通过所设的2套加料器分别向子、母坩锅中加入不同纯度、区别掺杂的高纯石英砂(一般纯度大于95%),处于母坩锅中的高纯石英砂熔融后处于外层,处于子坩锅中的高纯石英砂熔融后处于内层,经拉制成型于是得到区别的内外层材料的一体式石英玻璃管,该石英玻璃管可以用于要求区别内外层的石英玻璃管的应用需求,特别适合用于制作砷化镓晶体生长用石英坩埚。
附图说明
图1为本实用新型的一种结构示意图。
具体实施方式
以下参照附图,进一步描述本实用新型的具体技术方案,以便于本领域的技术人员进一步地理解本实用新型,而不构成对其权利的限制。
实施例1。参照图1。一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉,包括炉体1、炉盖和芯杆2,炉体1内设有坩锅,芯杆2的底部设有成型器;所述的坩锅由母坩锅3和子坩锅4组成,所述的子坩锅4设在母坩锅3内;它还设有分别用于给母坩锅3和子坩锅4投料的2台投料器5。
实施例2。实施例1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中:子坩锅4的长度为母坩锅3长度的1/3。
实施例3。实施例1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中:子坩锅4的长度为母坩锅3长度的2/3。
实施例4。实施例1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中:子坩锅4的长度为母坩锅3长度的1/2。
实施例5。实施例1-4任何一项所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中:子坩锅4的水平截面积为母坩锅3的水平截面积的1/3。所述的母坩锅3为钨坩锅,所述的子坩锅4为经高温镀钨铼处理(采用常规工艺)的钼坩埚。
实施例6。实施例1-4任何一项所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉中:子坩锅4的水平截面积为母坩锅3的水平截面积的1/2;所述的子坩锅4、母坩锅3为钨坩锅或钼坩锅。

Claims (4)

1.一种双料壁石英玻璃管生产用连熔炉,包括炉体、炉盖和芯杆,炉体内设有坩锅,芯杆的底部设有成型器;其特征在于:所述的坩锅由母坩锅和子坩锅组成,所述的子坩锅设在母坩锅内;它还设有分别用于给母坩锅和子坩锅投料的2台投料器。
2.根据权利要求1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉,其特征在于:子坩锅的长度为母坩锅长度的1/3-2/3。
3.根据权利要求1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉,其特征在于:子坩锅的长度为母坩锅长度的1/2。
4.根据权利要求1所述的双料壁石英玻璃管生产用连熔炉,其特征在于:子坩锅的水平截面积为母坩锅的水平截面积的1/3-1/2。
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CN102219348A (zh) * 2011-03-30 2011-10-19 连云港福东正佑照明电器有限公司 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉
CN110171921A (zh) * 2019-06-24 2019-08-27 连云港福东正佑照明电器有限公司 制备半导体及光伏用石英管的均匀加料连熔炉及其方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102219348A (zh) * 2011-03-30 2011-10-19 连云港福东正佑照明电器有限公司 双料壁石英玻璃管生产用连熔炉
CN110171921A (zh) * 2019-06-24 2019-08-27 连云港福东正佑照明电器有限公司 制备半导体及光伏用石英管的均匀加料连熔炉及其方法
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