CN102217421A - 有机el元件、有机el显示装置以及有机el元件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
有机EL元件(10)具备:在基板(11)上层叠的光反射层(12)、透明电极层(13)、绝缘层(14)和感光性树脂层(16);和由感光性树脂层(16)隔离开的发光功能层(19),在透明电极层(13)的厚度为d1、空穴输送层(15)的厚度为d2、绝缘层(14)的厚度为d3、感光性树脂层(16)的厚度为d4;透明电极层(13)的折射率为n1、空穴输送层(15)的折射率为n2、绝缘层(14)的折射率为n3、感光性树脂层(16)的折射率为n4;并将预定的常数设为a时,关于特定波长λ,满足:d1=1/n1×4.0a×λ/4,d2=1/n2×1.0a×λ/4,d3=1/n3×7.0a×λ/4,d4=1/n4×5.0a×λ/4。
Description
技术领域
本发明涉及有机EL(Electro-Luminescence,电致发光)元件、使用了该有机EL元件的有机EL显示装置以及有机EL元件的制造方法。
背景技术
使用了有机EL元件的发光设备,作为能够以薄型轻量而实现的自发光型的发光设备,作为替代CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)、LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)、PDP(Plasma Display Panel,等离子显示面板)的下一代显示器,其应用备受期待。
有机EL元件,根据其制造工艺可以分为涂敷型和蒸镀型。在制造涂敷型的有机EL元件时,喷墨工艺现在为主流。在通过该喷墨工艺涂敷发光材料时,必须将发光材料仅涂敷于像素的特定部位,但仅就喷墨工艺的喷出精度而言,难以进行所必需的分离涂敷精度下的涂敷。
因此,在当前情况下,在像素电极上形成被称为堤(bank)的堤台状的形状,并在该堤的中央处存在的凹部进行发光材料的喷出以及涂敷(专利文献1)。
作为堤的制造方法,绝大多数情况下使用感光性树脂。也就是说,多数情况为:在涂敷了正型感光性树脂或负型感光性树脂的基板上,使来自包括i谱线、g谱线或h谱线的光源或者包括全部这些谱线的光源的光经由描绘有预定的图形的掩模进行曝光,经过显像及其他处理,制造出堤。如此使用短波长的光源制造堤的方法为主流。
专利文献1:日本特开2004-127551号公报
发明内容
在将成为堤的感光性树脂成膜于实际基板上时,多数情况下为在基板上已层叠有透明电极和/或反射电极、或空穴输送层(Hole TransportLayer,下面记为HTL)等的构造。在此,对于在将反射率相对高的金属用于反射电极的所谓顶部发射型的有机电致发光元件(下面记为有机EL元件)中所产生的课题进行论述。
就顶部发射型有机EL元件而言,例如有时在作为反射电极形成厚度100nm的钼铬电极(下面记为MoCr电极)、进而层叠有厚度40nm的铟锡氧化物电极(下面记为ITO电极)的基板上形成堤。
在该情况下,由于基于MoCr电极、ITO电极和堤层的所谓空腔谐振(cavity)效应,产生反射率的波长依存性。反射率的波长依存性基于如下的光学共振效应:在各个层之间的光路长度与某一波长的整数倍相等的情况下,该波长的光在MoCr电极处的反射光强势地出射。
例如ITO电极的厚度变化时,光路长度与该变化量相应地发生变化,因此反射光的强度大幅变化。尤其是,曝光所使用的紫外线区域等波长短的光的反射强度,对厚度的变化敏感地发生变化。
堤所使用的感光性树脂在曝光时受到来自基底的反射光的影响。例如就正型感光性树脂而言,如果来自基底的反射光的强度变化,则由曝光引起的酸的产生状况变化,显像后的堤的形状变化。另外,就负型感光性树脂而言也一样,如果来自基底的反射光的强度变化,则聚合度和/或交联度变化,其结果是,显像后的堤的形状变化。
尤其是,就在面内配置有多个有机EL元件而成的有机EL显示装置而言,由于ITO电极的厚度在面内不均,使得来自基底的反射光强度在面内变得不同。由此,堤的完成形状(厚度和/或锥角)在面内的均一性受损,其结果是,被喷墨涂敷的发光材料层的形状在面内的均一性受损。
如此,由于堤的完成形状受ITO电极的厚度的影响,因此,不仅制造具有所意图的堤形状的有机EL元件变得困难,而且在有机EL显示装置中产生了发光特性在面内不均一(所谓灰度不均)这样的本非所期望的问 题。
本发明是鉴于以往的问题而完成的,其目的在于,提供一种可以使堤的完成形状的误差降低的有机EL元件、以及使用了这样的有机EL元件的在面内的发光特性的均一性优异的有机EL显示装置。
为了解决所述课题,本发明涉及的有机EL元件的1个方式,具备:在基板上层叠的光反射层、透明电极层、空穴输送层、绝缘层和感光性树脂层;和由所述感光性树脂层隔离开的发光功能层,包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层、所述绝缘层和所述感光性树脂层的光学多层膜的各层的厚度,被设定为使得反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述绝缘层的厚度为d3、所述感光性树脂层的厚度为d4;所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述绝缘层的折射率为n3、所述感光性树脂层的折射率为n4;并将预定的常数设为a时,关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
在本方式中,控制所述的光学多层膜的各层的膜厚,以使射向所述光反射层的特定波长λ的即入射光的反射率变为极小值或所述极小值的附近值的方式进行控制。在所述反射率为极小值或所述极小值的附近值的情况下,即使所述光学多层膜的各层的膜厚发生变动,也可以抑制所述反射率的变动。
由此,可以使得从曝光机向感光性树脂层直接照射的光和从光反射层反射而照射到感光性树脂层的光的合计的光量大致一定。
其结果,由于可以降低由感光性树脂层形成的有机EL元件的堤的完 成形状的误差,因此可以使得在由堤隔离开的区域通过喷墨法等墨涂敷方法所形成的发光功能层的膜厚一定。从而,可以提供发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
另外,为了将入射光的反射率控制为极小值或所述极小值的附近值所使用的是,构成有机EL元件的所述的光学多层膜自身。即,根据本方式,为了将所述入射光的反射率控制为极小值或所述极小值的附近值,可以不使用构成有机EL元件的所述的光学多层膜以外的部件。
因此,控制构成有机EL元件的所述的光学多层膜的各层的膜厚,使所述入射光的反射率为极小值或所述极小值的附近值,因此无需附加对于作为完成品的有机EL元件而言不需要的部件,也无需用于形成该不需要的部件的附加的工艺,就可以降低有机EL元件的堤的完成形状的误差。即,可以通过简便的构成和制造方法来提供发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
根据本发明中的有机EL元件,基于光学干涉现象,针对特定波长(g谱线、h谱线或i谱线)的光来抑制在所述的光学多层膜的各层的厚度发生了变动时反射率的变动,因此无需附加对于作为完成品的有机EL元件而言不需要的部件,也无需用于形成该不需要的部件的附加的工艺,就可以降低有机EL元件的堤的完成形状的误差,其结果,可以提供发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的有机EL元件的堤形成前的构成的一例的剖视图。
图2(A)以及图2(B)是表示本发明的实施方式所涉及的有机EL元件的堤形成后的构成的一例的剖视图以及俯视图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的有机EL元件的发光功能层形成后的构成的一例的剖视图。
图4是表示本发明的实施例1所涉及的光反射率的模拟结果的图。
图5是表示本发明的实施例2所涉及的光反射率的模拟结果的图。
图6是表示本发明的实施例3所涉及的光反射率的模拟结果的图。
图7是表示与光学多层膜的反射率相应的堤的完成形状的一例的图。
图8(A)以及图8(B)是说明上部构造由于堤的形状不同所受的影响的图。
图9(A)以及图9(B)是表示本发明的实施方式所涉及的有机EL元件的堤形成后的构成的另一例的剖视图以及俯视图。
图10是表示本发明所涉及的光反射率的模拟结果的图。
图11是表示本发明所涉及的光反射率的模拟结果的图。
图12是表示本发明所涉及的光反射率的模拟结果的图。
标号的说明
1、2 有机EL显示装置
10、23 有机EL元件
11 基板
12 光反射层
13 透明电极层
14 绝缘层
15 空穴输送层
16 感光性树脂层(堤)
17 光
18 光学多层膜
19 发光功能层
20 电子输送层
21 透明电极层
22 接触孔
具体实施方式
本发明的一个方式中的有机EL元件,具备:在基板上层叠的光反射 层、透明电极层、空穴输送层、绝缘层和感光性树脂层;由所述感光性树脂层隔离开的发光功能层;和在所述发光功能层的上方层叠的第二透明电极层,包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层、所述绝缘层和所述感光性树脂层的光学多层膜的各层的厚度,被设定为使得反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述绝缘层的厚度为d3、所述感光性树脂层的厚度为d4;所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述绝缘层的折射率为n3、所述感光性树脂层的折射率为n4;并将预定的常数设为a时,关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
在本方式中,控制所述的光学多层膜的各层的膜厚,以使射向所述光反射层的特定波长λ的入射光的反射率变为极小值或所述极小值的附近值的方式进行控制。在所述反射率为极小值或所述极小值的附近值的情况下,即使所述光学多层膜的各层的膜厚发生变动,也可以抑制所述反射率的变动。
由此,可以使得从曝光机向感光性树脂层直接照射的光和从光反射层反射而照射到感光性树脂层的光的合计的光量大致一定。
其结果是,可以降低由感光性树脂层形成的有机EL元件的堤的完成形状的误差,因此可以使得在由感光性树脂层隔离开的区域通过喷墨法等墨涂敷方法所形成的发光功能层的膜厚一定。从而,可以提供发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
另外,为了将入射光的反射率控制为极小值或所述极小值的附近值所 使用的是,构成有机EL元件的所述的光学多层膜自身。即,根据本方式,为了将所述入射光的反射率控制为极小值或所述极小值的附近值,可以不使用构成有机EL元件的所述的光学多层膜以外的部件。
因此,控制构成有机EL元件的所述的光学多层膜的各层的膜厚,使所述入射光的反射率为极小值或所述极小值的附近值,因此无需附加对于作为完成品的有机EL元件而言不需要的部件,也无需用于形成该不需要的部件的附加的工艺,就可以降低有机EL元件的堤的完成形状的误差。即,可以通过简便的构成和制造方法来提供发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
另外,所述特定波长λ可以为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
在本方式中,将所述特定波长λ设为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
如此,通过将所述特定波长λ相对于在曝光工艺中使用的光的波长而设定在±5%的波长范围内,可以使在曝光工艺中使用的光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的反射光的比率即反射率为极小值的附近值。在所述极小值附近,因为可以减小所述反射光的强度的变化,所以其结果是,可以极大地减少在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光的强度的变动。
因此,可以提供降低有机EL元件的堤的完成形状的误差并且发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
另外,所述特定波长λ的入射光,可以在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
根据本方式,所述特定波长λ的入射光,在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
另外,所述感光性树脂层,可以为在使用所述特定波长λ的入射光对 所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质。在此,所述感光性树脂层,可以吸收所述特定波长λ的入射光而固化,或者吸收所述特定波长λ的入射光而对于预定的溶剂呈溶解性。
根据本方式,所述感光性树脂层至少在形成所述堤的工艺中,由吸收所述特定波长λ的材质构成。因为所述感光性树脂层有效地吸收用于曝光的光,所以由所述感光性树脂形成所述堤变得容易而优选。
本发明所涉及的有机EL显示装置的一个方式为配置有多个所述的有机EL元件而成的显示装置。
在本方式的有机EL显示装置中,堤的形状均一,配置了有机EL元件。因此,即使配置多个有机EL发光元件而构成有机EL显示装置,也可以使发光功能层的膜厚一定。因此,可以提供发光特性在显示装置的面内均一的有机EL显示装置。这尤其在实现大画面的有机EL显示装置方面优选。
本发明所涉及的有机EL元件的一个方式,具备:在基板上层叠的光反射层、透明电极层、空穴输送层和感光性树脂层;由所述感光性树脂层隔离开的发光功能层;和在所述发光功能层的上方层叠的第二透明电极层,包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层和所述感光性树脂层的光学多层膜的各层的厚度,被设定为使得反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述感光性树脂层的厚度为d4;所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述感光性树脂层的折射率为n4;并将预定的常数设为a时,关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×
d4=1/n4×0.2a×λ/4。
根据本方式,为省略了绝缘层而变为简单的有机EL元件的构造。因此,在本方式中,成为简单的有机EL元件,并且可以得到与所述的一个方式同样的效果。
另外,所述特定波长λ可以为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
在本方式中,将所述特定波长λ设为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
如此,通过将所述特定波长λ相对于在曝光工艺中使用的光的波长而设定在±5%的波长范围内,可以使在曝光工艺中使用的光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的反射光的比率即反射率为极小值的附近值。在所述极小值附近,因为可以减小所述反射光的强度的变化,所以其结果是,可以极大地减少在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光的强度的变动。
因此,可以提供降低有机EL元件的堤的完成形状的误差并且发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
另外,所述特定波长λ的入射光,可以在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
根据本方式,所述特定波长λ的入射光,在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
另外,所述感光性树脂层,可以为在使用所述特定波长λ的入射光对所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质。在此,所述感光性树脂层,可以吸收所述特定波长λ的入射光而固化,或者吸收所述特定波长λ的入射光而对于预定的溶剂呈溶解性。
根据本方式,所述感光性树脂层至少在形成所述堤的工艺中,由吸收 所述特定波长λ的材质构成。因为所述感光性树脂层有效地吸收用于曝光的光,所以由所述感光性树脂形成所述堤变得容易而优选。
本发明所涉及的有机EL显示装置的一个方式为配置有多个所述的有机EL元件而成的显示装置。
在本方式的有机EL显示装置中,堤的形状均一,配置了有机EL元件。因此,即使配置多个有机EL发光元件而构成有机EL显示装置,也可以使发光功能层的膜厚一定。因此,可以提供发光特性在显示装置的面内均一的有机EL显示装置。这尤其在实现大画面的有机EL显示装置方面优选。
本发明所涉及的有机EL元件的制造方法,包括:在基板上层叠光反射层、透明电极层、空穴输送层、绝缘层和感光性树脂层的工序;通过对所述感光性树脂层照射波长λ的光从而除去所述感光性树脂层的一部分的工序;在除去所述感光性树脂层而出现的凹处形成发光功能层的工序;和在所述发光功能层的上方层叠第二透明电极层的工序,为了使反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层反射而射向所述感光性树脂层的光,在包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层、所述绝缘层和所述感光性树脂层的光学多层膜中,在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述绝缘层的厚度为d3、所述感光性树脂层的厚度为d4;所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述绝缘层的折射率为n3、所述感光性树脂层的折射率为n4;并将预定的常数设为a时,关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
在本方式中,为了使射向所述光反射层的特定波长λ的入射光的反射 率变为极小值或所述极小值的附近值,控制所述的光学多层膜的各层的膜厚,制造有机EL元件。因此,即使所述光学多层膜的各层的膜厚在制造工艺中发生变动,也可以抑制所述反射率的变动。
其结果,可以降低有机EL元件的感光性树脂层的完成形状的误差,因此可以使得在由感光性树脂层隔离开的区域通过喷墨法等的墨涂敷方法所形成的发光功能层的膜度一定。从而,可以提供发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
另外,为了将入射光的反射率控制为极小值或所述极小值的附近值所使用的是,构成有机EL元件的所述的光学多层膜自身。即,根据本方式,为了将所述入射光的反射率控制为极小值或所述极小值的附近值,可以不使用构成有机EL元件的所述的光学多层膜以外的部件。
因此,控制构成有机EL元件的所述的光学多层膜的各层的膜厚,以使所述入射光的反射率为极小值或所述极小值的附近值的方式进行控制,因此无需附加的工艺,就可以降低有机EL元件的感光性树脂层的完成形状的误差。即,可以通过简便的构成和制造方法来提供发光特性在面内的均一性优异的有机EL显示装置。
本发明所涉及的一种有机EL元件的制造方法,包括:在基板上层叠光反射层、透明电极层、空穴输送层和感光性树脂层的工序;通过对所述感光性树脂层照射波长λ的光从而除去所述感光性树脂层的一部分的工序;在除去所述感光性树脂层而出现的凹处形成发光功能层的工序;和在所述发光功能层的上方层叠第二透明电极层的工序,为了使反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层反射而射向所述感光性树脂层的光,在包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层和所述感光性树脂层的光学多层膜中,在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述感光性树脂层的厚度为d4;所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述感光性树脂层的折射率为n4;并将预 定的常数设为a时,关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4。
本方式为省略了绝缘层的简单的有机EL元件的制造方法。因此,本方式可以使制造方法更加简单且可以得到与所述的方式同样的效果。
下面,参照附图对本发明的实施方式所涉及的有机EL元件以及有机EL显示装置进行详细说明。需要注意到如下一点:附图上的各构成要素的宽度以及厚度,为了说明而进行了夸张表示。
(有机EL元件的构成的一例)
图1是表示本发明的实施方式所涉及的有机EL元件10的堤形成前的构成的一例的剖视图。
如图1所示,堤形成前的有机EL元件10具备:透明的基板11、在基板11的上部形成的光反射层12、在光反射层12的上面形成的透明电极层13、在透明电极层13的上面形成的绝缘层14、在绝缘层14的上面形成的空穴输送层15和在空穴输送层15的上面形成的感光性树脂层16。
在此,光反射层12,在作为像素电极使用的情况下,按每个有机EL元件10分离地形成。另外,可以在基板11形成驱动电路,所述驱动电路包括用于介由作为像素电极的光反射层12向有机EL元件10供给发光驱动电流的薄膜晶体管。
从图1所示的状态除去部分感光性树脂层16,形成用于按每个有机EL元件10设置发光功能层的凹部。没有被除去而留下的感光性树脂层16成为堤16。
为了形成堤,图外的光源对感光性树脂层16照射曝光用的光17。照射到感光性树脂层16的曝光用的光17,穿过空穴输送层15、绝缘层14、透明电极层13而向光反射层12照射。并且,照射到光反射层12的光,由于包括全反射金属膜的光反射层12而向感光性树脂层16全反射。返回到感光性树脂层16的光17的反射光中的一部分透射感光性树脂层16向外部 出射,一部分再次向光发射层12反射。
即,在包括光反射层12、透明电极层13、绝缘层14、空穴输送层15和感光性树脂层16的4层构造的光学多层膜18中,光反复透射以及反射而发生干涉。
可以认为,通过基于这样的干涉现象,根据光17的波长,将处于光反射层12和感光性树脂层16之间的各层的厚度调节为光学上最适当的距离,从而能够使光学多层膜18相对于用于对感光性树脂层16进行曝光的特定波长的光的反射率极小化。
相对于光学多层膜18的各层的厚度的变动,反射率为极小的波长附近的光的反射率的变动量,比其他波长的光的反射率的变动量小。因此,通过将光学多层膜18的各层设定为对于进入光17的波长的±5%的范围内的特定波长λ而反射率表现为极小值的厚度,并使用光17对感光性树脂层16进行曝光,从而抑制了由于光学多层膜18的各层厚度的不均所导致的反射光的强度的变动,可期待能够降低堤的完成形状的误差。
尤其是,就在面内配置有多个有机EL元件而成的有机EL显示装置而言,发光特性在面内的均一性提高,可期待灰度不均的降低。
发明者们通过模拟搜索出可得到这样的效果的光学多层膜18的各层的厚度。
模拟的条件为光反射层12和感光性树脂层16之间的各层的光学距离。
具体而言,将透明电极层13的几何学厚度设为d1、将空穴输送层15的几何学厚度设为d2、将绝缘层14的几何学厚度设为d3、将感光性树脂层16的几何学厚度设为d4;将透明电极层13的折射率设为n1、将空穴输送层15的折射率设为n2、将绝缘层14的折射率设为n3、将感光性树脂层16的折射率设为n4;将系数设为c1、c2、c3和c4;并将波长设为λ,设定了如下的第一条件:
d1=1/n1×c1×λ/4
d2=1/n2×c2×λ/4
d3=1/n3×c3×λ/4
d4=1/n4×c4×λ/4。
在此,折射率n1~n4使用了对于各层所使用的材料而言为一般所知的值。考虑到折射率为波长λ的函数,将用于感光性树脂层16的曝光的波长确定为一个波长,使用与该波长对应的折射率。稍后对各层的折射率的具体值进行详细论述。
在如此设定出的第一条件下,关于将系数c1~c4各自从1.0到8.0以0.2为间隔变化时的所有的值的组合,求出光学多层膜18的反射率相对于波长λ的特性。
并且,作为在g谱线、h谱线和i谱线的波长附近反射率出现极小值的系数c1~c4的值,确定了c1=4.0、c2=1.0、c3=7.0、c4=5.0这样的系数值。
而且,在对各层导入共同的常数a而成的第二条件下对常数a的范围进行了搜索,得知在常数为1、2、3中的任一值时反射率出现希望的极小值。所述第二条件如下:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
稍后对各层的厚度的具体值进行详细论述。
进而继续对有机EL元件10的构成进行说明。
图1所示的有机EL元件10,通过以满足所述第二条件的几何学厚度作为设计值而在基板11上层叠光反射层12、透明电极层13、绝缘层14和空穴输送层15来形成。这些各层通过公知的工艺来形成。
绝缘层14,通过图形化来形成开口。图形化通常使用的方法,使用例如干式蚀刻法。
在经图形化的绝缘层14之上,整个面上形成空穴输送层15以及感光性树脂层16。
通过以满足所述第二条件的波长λ的光(例如g谱线、h谱线、i谱线) 对感光性树脂层16进行曝光,除去感光性树脂层16的一部分,从而形成堤。
图2(A)以及图2(B)分别是表示配置有多个有机EL元件而成的有机EL显示装置1的堤形成后的构成的一例的剖视图以及俯视图。图2(A)的剖视图对应于图2(B)的A-A’剖面。在图2(B)的俯视图中表示出主要的构成要素的平面上的配置。另外,为了方便起见以同一标号来参照堤16和感光性树脂层16。
有机EL显示装置1中的堤16,沿着有机EL元件10的边界在图中的纵向上形成为直线状。绝缘层14设置在覆盖相邻的有机EL元件10的光反射层12的间隙以及接触孔22的区域,限制在发光容易变得不稳定的区域内的有机EL元件10的发光。
在图2(A)以及图2(B)中,没有被除去而留下的感光性树脂层16成为堤16。感光性树脂层16的曝光以及除去通过公知的工艺进行。
此时,因为透明电极层13、绝缘层14、空穴输送层15和感光性树脂层16以满足所述第二条件的厚度进行了层叠,所以光学多层膜18的反射率相对于曝光用的光的波长变得极小。其结果,抑制了由于光学多层膜18的各层的厚度不均所导致的反射光的强度的变动,减轻了堤16的完成形状的误差,并制造出形状均一性、再现性高的堤16。
图3是表示有机EL显示装置1的发光功能层形成后的构成的一例的剖视图,示出了在除去感光性树脂层16而出现的凹处形成发光功能层19、进而在发光功能层19上层叠了电子输送层20和第二透明电极层21的状态。这些各层通过公知的工艺形成。另外,电子输送层20的设置是任意的。
通过使电流从图3所示的有机EL元件10的光反射层12介由发光功能层19流向第二透明电极层21,发光功能层19发光,光射向透明电极层21侧。
(有机EL元件的各层的材料的一例)
本发明的有机EL元件10,在透明电极层13、绝缘层14、空穴输送层15以及感光性树脂层16的厚度方面具有特征点,对于构成有机EL元 件10的材料不作限定,但若列举一例的话,可以使用下面这样的材料。
基板11,使用钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃等的玻璃板、石英、丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、聚碳酸酯系树脂、环氧系树脂、聚乙烯、聚酯、硅系树脂等的塑料板以及塑料薄膜、铝等的金属板以及金属薄片等。
光反射层12使用银(Ag)、铝(Al)等金属,起到使特定波长的光全反射的作用。为了耐久性,可以使用ACA(Ag-Copper-Au)或者APC(Ag-Paradium-Copper)这样的合金。
透明电极层13以及透明电极层21由具有充分透光性的导电性材料构成。作为构成透明电极层13以及透明电极层21的材料,优选氧化铟锡(Indium Tin Oxide:ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide:IZO)等。因为即使在室温下成膜也能够得到良好的导电性。
空穴输送层15,可以由例如WO3等的无机材料构成,另外也可以使用有机材料来构成。作为有机材料,使用例如日本特开平5-163488号公报(专利文献2)中记载的、卟啉化合物、芳香族叔胺化合物以及苯乙烯基胺化合物等。另外,日本特开平5-163488号公报(专利文献2)所记载的空穴注入层与本发明的空穴输送层对应。
绝缘层14由例如SiO2、SiNx等构成。
发光功能层19由例如日本特开平5-163488号公报(专利文献2)所记载的、以8-羟基喹啉酮化合物为代表的各种有机化合物构成。发光功能层19可以通过蒸镀法、旋涂法、铸造法等来形成。
电子输送层20由例如日本特开平5-163488号公报(专利文献2)所记载的、以硝基取代化芴酮衍生物为代表的各种有机化合物构成。
另外,所述的材料是为了说明而作为一例举出的。当然也可以使用这些材料以外的已知适用性的材料来构成有机EL元件10的各层。
(实施例)
接下来,对如下的实施例进行说明,该实施例中,通过模拟求出各层的厚度,将求出的各层的厚度作为设计值,实际在基板11上制造图1所示 的4层构造的光学多层膜18,通过该光学多层膜18制造出图2(A)、图2(B)所示的堤16。在与g谱线、h谱线和i谱线各自的光17对应的不同的实施例中制造出堤16。
在实施例1中,假设使用波长405nm的h谱线对感光性树脂层16进行曝光。
首先,通过使用与波长405nm的h谱线对应的各层的折射率进行所述的模拟,找出了如下的优选值,即:作为光反射层12使APC的膜厚为200nm;作为透明电极层13使ITO的膜厚为199.5nm、并使其折射率为2.03;作为空穴输送层15使WO3的膜厚为43.8nm、并使其折射率为2.31;作为绝缘层14使SiO2的膜厚为475.7nm、并使其折射率为1.49;使感光性树脂层16的膜厚为316.4nm、并使其折射率为1.60。
将通过由该模拟求出的优选值实现的光学多层膜的反射率相对于波长的特性示出于图4中。根据图4,得知在波长λ=405nm(h谱线)附近,光反射率取极小值。
接下来,将所述的优选值作为设计值,将日本瑞翁(zeon)制负型感光性树脂材料即ZPN1168用于感光性树脂层16来制造光学多层膜18,由该光学多层膜18制造出堤16。此时,设为一个有机EL元件10的尺寸的长边方向为300μm、短边方向为100μm这样的设计。
在全波长曝光时以i谱线换算得到的照度为8.6mW/cm2。使用对波长从400nm到425nm的光的平均透射率为90%的滤光器(cut filter),进行了以h谱线为中心的曝光。此时的曝光量,等于不使用滤光器时照射3秒即全波长曝光时以i谱线换算得到的曝光量25.8mJ/cm2。
曝光后在110℃的热板上进行130秒的加热,然后使用2.38%的TMAH显像液进行了180秒的搅拌显像。在搅拌后使用纯水充分进行了冲洗。冲洗后,在洁净烘箱(clean oven)中以200℃进行了一个小时的烧成。
在这样的条件下在300×300mm的基板上制造出多个有机EL元件10,对堤16的形状的面内均一性进行了评价,就堤膜厚而言被控制在±5%以内。另外,在10片基板上以同一条件制造出堤16,基板之间的堤16的 膜厚不均被控制在±5%以内。
在实施例2中,假设使用波长436nm的g谱线对感光性树脂层16进行曝光。
首先,通过使用与波长436nm的g谱线对应的各层的折射率进行所述的模拟,找出了如下的优选值,即:作为光反射层12使APC的膜厚为200nm;作为透明电极层13使ITO的膜厚为277.1nm、并使其折射率为1.92;作为空穴输送层15使WO3的膜厚为50.2nm、并使其折射率为2.17;作为绝缘层14使SiO2的膜厚为522.6nm、并使其折射率为1.46;使感光性树脂层的膜厚为340.6nm、并使其折射率为1.60。
将通过由该模拟求出的优选值实现的光学多层膜的反射率相对于波长的特性示出于图5中。根据图5,可知在波长λ=436nm(g谱线)附近,光反射率取极小值。
接下来,将所述的优选值作为设计值,将日本瑞翁(zeon)制负型感光性树脂材料即ZPN1168用于感光性树脂层16来制造光学多层膜18,由该光学多层膜18制造出堤16。此时,设为一个有机EL元件10的尺寸的长边方向为300μm、短边方向为100μm这样的设计。
在全波长曝光时以i谱线换算得到的照度为8.6mW/cm2。使用对波长为430nm以上的光的平均透射率为90%的滤光器,进行了以g谱线为中心的曝光。此时的曝光量,等于不使用滤光器时照射6秒即全波长曝光时以i谱线换算得到的曝光量51.6mJ/cm2。
曝光后在110℃的热板上进行130秒的加热,然后使用2.38%的TMAH显像液进行了180秒的搅拌显像。在搅拌后使用纯水充分进行了冲洗。冲洗后,在洁净烘箱中以200℃进行了一个小时的烧成。
在这样的条件下在300×300mm的基板上制造出多个有机EL元件10,对堤16的形状的面内均一性进行了评价,就堤膜厚而言被控制在±5%以内。另外,在10片基板上以同一条件制造出堤16,基板之间的堤16的膜厚不均被控制在±5%以内。
在实施例3中,假设使用波长365nm的i谱线对感光性树脂层16进 行曝光。
首先,通过使用与波长365nm的i谱线对应的各层的折射率进行所述的模拟,找到了如下的优选值,即:作为光反射层12使APC的膜厚为200nm;作为透明电极层13使ITO的膜厚为178.9nm、并使其折射率为2.04;作为空穴输送层15使WO3的膜厚为38.7nm、并使其折射率为2.36;作为绝缘层14使SiO2的膜厚为434.5nm、并使其折射率为1.47;使感光性树脂层的膜厚为228.1nm、并使其折射率为1.60。
将通过由该模拟求出的优选值实现的光学多层膜的反射率相对于波长的特性示出于图6中。根据图6,可知在波长λ=365nm(i谱线)附近,光反射率取极小值。
接下来,将所述条件下得到的所述的优选值作为设计值,将日本瑞翁(zeon)制负型感光性树脂材料即ZPN1168用于感光性树脂层16来制造4层构造的光学多层膜,由该光学多层膜18制造出堤16。此时,一个有机EL元件10的尺寸是长边方向为300μm、短边方向为100μm这样的设计。
在全波长曝光时以i谱线换算得到的照度为8.6mW/cm2。使用对波长为360nm以上的光的平均透射率为90%的滤光器,进行了以i谱线为中心的曝光。此时的曝光量,等于不使用滤光器时照射1秒即全波长曝光时以i谱线换算得到的曝光量8.6mJ/cm2。
曝光后在110℃的热板上进行130秒的加热,然后使用2.38%的TMAH显像液进行了180秒的搅拌显像。在搅拌后使用纯水充分进行了冲洗。冲洗后,在洁净烘箱中以200℃进行了一个小时的烧成。
在这样的条件下在300×300mm的基板上制造出多个有机EL元件10,对堤16的形状的面内均一性进行了评价,就堤膜厚而言被控制在±5%以内。另外,在10片基板上以同一条件制造出堤16,基板之间的堤16的膜厚不均被控制在±5%以内。
另外,在所述的实施例中使用了日本瑞翁(zeon)的感光性聚酰亚胺,但即使是其他的感光性材料通过满足基于模拟的条件也可以同样地实施。
列举堤16的完成形状的具体例,进一步对在使光学多层膜18的反射 率相对于曝光用的特定波长的光而极小化时得到的效果进行继续说明。
图7是表示与光学多层膜18的反射率相应的堤16的完成形状的一例的图。
图7的上部所示的曲线图表示相对于透明电极层13、绝缘层14、空穴输送层15以及感光性树脂层16各自的膜厚的光学多层膜18的反射率。
如果将使光学多层膜18的反射率极小化时的、透明电极层13、绝缘层14、空穴输送层15以及感光性树脂层16的各层的膜厚设为最优膜厚,则即使在透明电极层13、绝缘层14、空穴输送层15以及感光性树脂层16的任一层的膜厚偏离最优膜厚的情况下,也得不到减小光学多层膜18的反射率的所期待的干涉状态,因此光学多层膜18的反射率上升,感光性树脂层16所承受的反射光的强度上升。
在各层的最优膜厚的附近,比较广泛地存在光学多层膜18的反射率基本不变化而保持在极小值附近那样的膜厚的优选范围,但是如果任一层的膜厚超过优选范围而过厚或过薄,则反射率会急剧上升。
考虑将负型感光性材料用于感光性树脂层16的情况。如果反射光弱,则感光性树脂层16的底部附近处的固化难以进行,因此出现例如图7下部右侧的剖面照片所示那样的、具有向外伸出部分(overhang)的所期望的形状的堤16。如果反射光强,则感光性树脂层16整体很快固化,出现例如图7下部左侧的剖面照片所示那样的、具有平缓斜面的非期望的形状的堤16。
图8(A)以及图8(B)是说明与堤16的完成形状相应地上部构造所受的影响的图。
在图8(A)所示那样的期望的形状的堤16中,在向外伸出部分的上下设置第二透明电极层21和空穴输送层15、并在因向外伸出部分而变得狭窄的位置设置发光功能层19,从而能够构成第二透明电极层21和空穴输送层15不容易短路的优选构造的有机EL元件。
另外,在图8(B)所示那样的非期望的形状的堤16中,在空穴输送层15上的部分(X所示的部分)发光功能层19可能会变得非常薄,第二 透明电极层21和空穴输送层15变得容易短路。
另外,请注意,图8(A)所示的期望的形状只是用于说明的一例。期望的形状可以是不仅改善上部结构的特性还可以是根据各种要求而确定的形状,也可以是还适用于使用正型感光性材料时的形状。
如上所述,通过将光学多层膜18的各层的最优膜厚(即反射率的极小点)时的堤16的完成形状设计为期望的形状,从而在光学多层膜18的各层的最优膜厚的附近反射率相对于膜厚的变化小,因此可以将堤16的完成形状偏离期望的形状的误差抑制得较小。
(有机EL元件的构成的另一例)
接下来,对本发明的实施方式所涉及的有机EL元件的另一例进行说明。
图9(A)、图9(B)分别是表示配置多个有机EL元件23而成的有机EL显示装置2的堤形成后的构成的一例的剖视图以及俯视图。
有机EL显示装置2,与有机EL显示装置1相比,省略了绝缘层14,配置堤16的区域也不同。图9(A)的剖视图对应于图9(B)的B-B’剖面。在图9(B)的俯视图中表示出主要的构成要素的平面的配置。下面,对于与有机EL显示装置1的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记并适当省略说明。
有机EL显示装置2中的堤16,设置在覆盖相邻的有机EL元件23的光反射层12的间隙以及接触孔22的区域,限制发光容易变得不稳定的区域中的有机EL元件23的发光。
有机EL显示装置2中的堤16,是通过对包括透明电极层13、空穴输送层15和感光性树脂层16的3层构造的光学多层膜中的感光性树脂层16进行图形化而形成的。
在图9(A)、图9(B)中,没有除去而留下的感光性树脂层16成为堤16。感光性树脂层16的曝光以及除去通过公知的工艺进行。
发明者们通过模拟确认了在这样的3层构造的光学多层膜中也能够使感光性树脂层16的反射率相对于进行曝光的光的波长λ而极小化。
在该模拟中,具体而言,将透明电极层13的几何学厚度设为d1、将空穴输送层15的几何学厚度设为d2、将感光性树脂层16的几何学厚度设为d4;将透明电极层13的折射率设为n1、将空穴输送层15的折射率设为n2、将感光性树脂层16的折射率设为n4;将系数设为c1、c2、c4;并将波长设为λ,设定了如下的第三条件:
d1=1/n1×c1×λ/4
d2=1/n2×c2×λ/4
d4=1/n4×c4×λ/4。
在此,折射率n1、n2、n4使用了对于各层所使用的材料而言一般所知的值。考虑到折射率是波长λ的函数,将用于感光性树脂层16的曝光的波长设定为一个波长,使用了与该波长对应的折射率。关于各层的折射率的具体值,稍后进行详细论述。
在如此设定的第三条件下,关于将系数c1、c2、c4各自从1.0到8.0以0.2为间隔变化时的所有的值的组合,求出光学多层膜的反射率相对于波长λ的特性。
并且,作为在g谱线、h谱线、i谱线的波长附近反射率出现极小值的系数c1、c2、c4的值,确定为c1=1.8、c2=0.8、c4=0.2的系数值。
而且,在对各层导入共同的常数a而成的第四条件下搜索常数a的范围,得知在常数a为1、2、3中的任一值时反射率出现希望的极小值。所第四条件为:
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4。
关于各层的厚度的具体值稍后进行详细论述。
接下来,详细说明针对3层构造的光学多层膜所进行的模拟的内容。
假设使用波长365nm的i谱线对感光性树脂层16进行曝光,使用与i谱线对应的各层的折射率进行所述的模拟,由此找出了如下的优选值,即:作为光反射层12使APC的膜厚为200nm;作为透明电极层13使ITO的膜 厚为80.5nm、并使其折射率为2.04;作为空穴输送层15使WO3的膜厚为35.8nm、并使其折射率为2.36;使感光性树脂层的膜厚为11.4nm、并使其折射率为1.60。
将通过由该模拟求出的优选值实现的光学多层膜的反射率相对于波长的特性示出于图10中。根据图10,得知在波长λ=365nm(i谱线)附近,光反射率取极小值。
接下来,假设使用波长405nm的h谱线对感光性树脂层16进行曝光,使用与h谱线对应的各层的折射率进行所述的模拟,由此找出了如下的优选值,即:作为光反射层12使APC的膜厚为200nm;作为透明电极层13使ITO的膜厚为89.8nm、并使其折射率为2.03;作为空穴输送层15使WO3的膜厚为35.1nm、并使其折射率为2.31;使感光性树脂层16的膜厚为12.7nm、并使其折射率为1.60。
将通过由该模拟求出的优选值实现的光学多层膜的反射率相对于波长的特性示出于图11中。根据图11,得知在波长λ=4.5nm(h谱线)附近,光反射率取极小值。
进而,假设使用波长436nm的g谱线对感光性树脂层16进行曝光,使用与g谱线对应的各层的折射率进行所述的模拟,由此发现如下的优选值,即:作为光反射层12使APC的膜厚为200nm;作为透明电极层13使ITO的膜厚为100nm、并使其折射率为1.92;作为空穴输送层15使WO3的膜厚为40.2nm、并使其折射率为2.17;使感光性树脂层的膜厚为13.6nm、并使其折射率为1.60。
将通过由该模拟求出的优选值实现的光学多层膜的反射率相对于波长的特性示出于图12中。根据图12,可知在波长λ=436nm(g谱线)附近,光反射率取极小值。
如此,在3层构造的光学多层膜中,也存在使光学多层膜的反射率极小化的各层的膜厚的优选值,因此通过将这样的优选值作为设计值来制造有机EL显示装置2,从而能够得到与所述同样的效果。
在本实施例中,对有机EL元件进行了论述,但在将这些有机EL元 件作为像素集成于基板上而成的有机EL显示器中通过适当设定各层的膜厚也能够实施。
产业上的利用可能性
本发明能够在用于平面光源以及平板显示器等的有机EL显示器中进行利用。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种有机EL元件,具备:
在基板上层叠的光反射层、透明电极层、空穴输送层、绝缘层和感光性树脂层;
由所述感光性树脂层隔离开的发光功能层;和
在所述发光功能层的上方层叠的第二透明电极层,
所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层和所述绝缘层,在由所述感光性树脂层隔离开的区域内所述基板上形成,
所述感光性树脂层,为在使用所述特定波长λ的入射光对所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质,
包括所述透明电极层、所述空穴输送层、所述绝缘层和所述感光性树脂层的光学多层膜的各层的厚度,被设定为使得反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述绝缘层的厚度为d3、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述绝缘层的折射率为n3、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
2.根据权利要求1所述的有机EL元件,
所述特定波长λ为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL元件,
所述特定波长λ的入射光,在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
4.(删除)
5.(修改后)根据权利要求1~3中的任一项所述的有机EL元件,
所述感光性树脂层,吸收所述特定波长λ的入射光而固化,或者吸收所述特定波长λ的入射光而对于预定的溶剂呈溶解性。
6.(修改后)一种有机EL显示装置,其配置有多个权利要求1~3、5中的任一项所述的有机EL元件。
7.(修改后)一种有机EL元件,具备:
在基板上层叠的光反射层、透明电极层、空穴输送层和感光性树脂层;
由所述感光性树脂层隔离开的发光功能层;和
在所述发光功能层的上方层叠的第二透明电极层,
所述光反射层、所述透明电极层和所述空穴输送层,在由所述感光性树脂层隔离开的区域内所述基板上形成,
所述感光性树脂层,为在使用所述特定波长λ的入射光对所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质,
包括所述透明电极层、所述空穴输送层和所述感光性树脂层的光学多层膜的各层的厚度,被设定为使得反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4。
8.根据权利要求7所述的有机EL元件,
所述特定波长λ为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
9.根据权利要求7或8所述的有机EL元件,
所述特定波长λ的入射光,在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
10.(删除)
11.(修改后)根据权利要求7~9中的任一项所述的有机EL元件,
所述感光性树脂层,吸收所述特定波长λ的入射光而固化,或者吸收所述特定波长λ的入射光而对于预定的溶剂呈溶解性。
12.(修改后)一种有机EL显示装置,其配置有多个权利要求7~9、11中的任一项所述的有机EL元件。
13.(修改后)一种有机EL元件的制造方法,包括:
在基板上层叠光反射层、透明电极层、空穴输送层、绝缘层和感光性树脂层的工序;
通过对所述感光性树脂层照射波长λ的光从而除去所述感光性树脂层的一部分的工序;
在除去所述感光性树脂层而出现的凹处形成发光功能层的工序;和
在所述发光功能层的上方层叠第二透明电极层的工序,
所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层和所述绝缘层,在由所述感光性树脂层隔离开的区域内所述基板上形成,
所述感光性树脂层,为在使用所述特定波长λ的入射光对所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质,
为了使反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,
在包括所述透明电极层、所述空穴输送层、所述绝缘层和所述感光性树脂层的光学多层膜中,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述绝缘层的厚度为d3、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述绝缘层的折射率为n3、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
14.(修改后)一种有机EL元件的制造方法,包括:
在基板上层叠光反射层、透明电极层、空穴输送层和感光性树脂层的工序;
通过对所述感光性树脂层照射波长λ的光从而除去所述感光性树脂层的一部分的工序;
在除去所述感光性树脂层而出现的凹处形成发光功能层的工序;和
在所述发光功能层的上方层叠第二透明电极层的工序,
所述光反射层、所述透明电极层和所述空穴输送层,在由所述感光性树脂层隔离开的区域内所述基板上形成,
所述感光性树脂层,为在使用所述特定波长λ的入射光对所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质,
为了使反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,
在包括所述透明电极层、所述空穴输送层和所述感光性树脂层的光学多层膜中,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4。
Claims (14)
1.一种有机EL元件,具备:
在基板上层叠的光反射层、透明电极层、空穴输送层、绝缘层和感光性树脂层;
由所述感光性树脂层隔离开的发光功能层;和
在所述发光功能层的上方层叠的第二透明电极层,
包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层、所述绝缘层和所述感光性树脂层的光学多层膜的各层的厚度,被设定为使得反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述绝缘层的厚度为d3、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述绝缘层的折射率为n3、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
2.根据权利要求1所述的有机EL元件,
所述特定波长λ为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL元件,
所述特定波长λ的入射光,在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的有机EL元件,
所述感光性树脂层,为在使用所述特定波长λ的入射光对所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质。
5.根据权利要求4所述的有机EL元件,
所述感光性树脂层,吸收所述特定波长λ的入射光而固化,或者吸收所述特定波长λ的入射光而对于预定的溶剂呈溶解性。
6.一种有机EL显示装置,其配置有多个权利要求1~5中的任一项所述的有机EL元件。
7.一种有机EL元件,具备:
在基板上层叠的光反射层、透明电极层、空穴输送层和感光性树脂层;
由所述感光性树脂层隔离开的发光功能层;和
在所述发光功能层的上方层叠的第二透明电极层,
包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层和所述感光性树脂层的光学多层膜的各层的厚度,被设定为使得反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层中反射而射向所述感光性树脂层的光,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4。
8.根据权利要求7所述的有机EL元件,
所述特定波长λ为g谱线的波长的±5%的范围内的波长、h谱线的波长的±5%的范围内的波长、和i谱线的波长的±5%的范围内的波长中的任一波长。
9.根据权利要求7或8所述的有机EL元件,
所述特定波长λ的入射光,在由所述感光性树脂层形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,用于所述感光性树脂层的曝光。
10.根据权利要求7~9中的任一项所述的有机EL元件,
所述感光性树脂层,为在使用所述特定波长λ的入射光对所述感光性树脂层进行曝光来形成隔离所述发光功能层的堤的工艺中,吸收所述特定波长λ的入射光的材质。
11.根据权利要求10所述的有机EL元件,
所述感光性树脂层,吸收所述特定波长λ的入射光而固化,或者吸收所述特定波长λ的入射光而对于预定的溶剂呈溶解性。
12.一种有机EL显示装置,其配置有多个权利要求7~11中的任一项所述的有机EL元件。
13.一种有机EL元件的制造方法,包括:
在基板上层叠光反射层、透明电极层、空穴输送层、绝缘层和感光性树脂层的工序;
通过对所述感光性树脂层照射波长λ的光从而除去所述感光性树脂层的一部分的工序;
在除去所述感光性树脂层而出现的凹处形成发光功能层的工序;和
在所述发光功能层的上方层叠第二透明电极层的工序,
为了使反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层反射而射向所述感光性树脂层的光,
在包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层、所述绝缘层和所述感光性树脂层的光学多层膜中,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述绝缘层的厚度为d3、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述绝缘层的折射率为n3、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×4.0a×λ/4
d2=1/n2×1.0a×λ/4
d3=1/n3×7.0a×λ/4
d4=1/n4×5.0a×λ/4。
14.一种有机EL元件的制造方法,包括:
在基板上层叠光反射层、透明电极层、空穴输送层和感光性树脂层的工序;
通过对所述感光性树脂层照射波长λ的光从而除去所述感光性树脂层的一部分的工序;
在除去所述感光性树脂层而出现的凹处形成发光功能层的工序;和
在所述发光功能层的上方层叠第二透明电极层的工序,
为了使反射光相对于入射光的比率即反射率变为极小值或所述极小值的附近值,所述入射光为从所述感光性树脂层侧射向所述光反射层的特定波长λ的光,所述反射光为所述入射光在所述光反射层反射而射向所述感光性树脂层的光,
在包括所述光反射层、所述透明电极层、所述空穴输送层和所述感光性树脂层的光学多层膜中,
在所述透明电极层的厚度为d1、所述空穴输送层的厚度为d2、所述感光性树脂层的厚度为d4;
所述透明电极层的折射率为n1、所述空穴输送层的折射率为n2、所述感光性树脂层的折射率为n4;
并将预定的常数设为a时,
关于所述特定波长λ,满足:
d1=1/n1×1.8a×λ/4
d2=1/n2×0.8a×λ/4
d4=1/n4×0.2a×λ/4。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108470839A (zh) * | 2013-12-31 | 2018-08-31 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种改善视角特性的顶发射oled器件 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8835962B2 (en) * | 2010-05-13 | 2014-09-16 | Sri International | Cavity electroluminescent devices with integrated microlenses |
KR101707250B1 (ko) | 2010-06-28 | 2017-02-15 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 발광 소자와 그 제조 방법, 유기 표시 패널, 유기 표시 장치 |
WO2012017494A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル、表示装置、及び有機el表示パネルの製造方法 |
KR20200072090A (ko) * | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 한국과학기술원 | 이차원 상 전이 소재를 이용한 디스플레이 소자 및 이의 제조 방법 |
CN113777819B (zh) * | 2020-06-09 | 2023-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406801B1 (en) * | 1998-02-04 | 2002-06-18 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Optical resonator type organic electroluminescent element |
JP2006173089A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | El装置および電子機器 |
CN101137257A (zh) * | 2006-08-29 | 2008-03-05 | 佳能株式会社 | 有机电致发光元件阵列 |
CN101312156A (zh) * | 2007-05-24 | 2008-11-26 | 株式会社丰田自动织机 | 制造有机电致发光元件的方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5472829A (en) | 1991-12-30 | 1995-12-05 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern by using an anti-reflective layer |
US5677111A (en) * | 1991-12-20 | 1997-10-14 | Sony Corporation | Process for production of micropattern utilizing antireflection film |
US5472827A (en) * | 1991-12-30 | 1995-12-05 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern using an anti-reflective layer |
US5670297A (en) * | 1991-12-30 | 1997-09-23 | Sony Corporation | Process for the formation of a metal pattern |
JP2897569B2 (ja) | 1991-12-30 | 1999-05-31 | ソニー株式会社 | レジストパターン形成時に用いる反射防止膜の条件決定方法と、レジストパターン形成方法 |
JPH09171952A (ja) | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
GB2351840A (en) | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
JP3989761B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
JP2004127551A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 有機el装置とその製造方法、および電子機器 |
JP4466096B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2010-05-26 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
JP2006216466A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2007273243A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 有機el装置の製造方法 |
KR100919352B1 (ko) * | 2007-05-30 | 2009-09-25 | 파나소닉 주식회사 | 유기 el 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
WO2010032444A1 (ja) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
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2011
- 2011-03-21 US US13/052,540 patent/US8390015B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406801B1 (en) * | 1998-02-04 | 2002-06-18 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Optical resonator type organic electroluminescent element |
JP2006173089A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | El装置および電子機器 |
CN101137257A (zh) * | 2006-08-29 | 2008-03-05 | 佳能株式会社 | 有机电致发光元件阵列 |
CN101312156A (zh) * | 2007-05-24 | 2008-11-26 | 株式会社丰田自动织机 | 制造有机电致发光元件的方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108470839A (zh) * | 2013-12-31 | 2018-08-31 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种改善视角特性的顶发射oled器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102217421B (zh) | 2015-10-21 |
US8390015B2 (en) | 2013-03-05 |
US20110165517A1 (en) | 2011-07-07 |
JP5468018B2 (ja) | 2014-04-09 |
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KR20110106267A (ko) | 2011-09-28 |
JPWO2010073524A1 (ja) | 2012-06-07 |
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