KR20160078127A - 광산란막용 조성물, 그리고 이를 이용한 광산란막 및 유기 발광 소자 - Google Patents

광산란막용 조성물, 그리고 이를 이용한 광산란막 및 유기 발광 소자 Download PDF

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KR20160078127A
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Abstract

아크릴계 수지, TiO2 미립자, 하기 화학식 1로 표시되는 페놀계 화합물 및 용매를 포함하는 광산란막용 조성물, 그리고 이를 이용한 광산란막 및 유기 발광 소자가 제공된다.
[화학식 1]
Figure pat00008

(상기 화학식 1에서, X 및 R은 각각 명세서에 정의된 바와 같다.)

Description

광산란막용 조성물, 그리고 이를 이용한 광산란막 및 유기 발광 소자{COMPOSITION FOR LIGHT SCATTERING LAYER AND LIGHT SCATTERING LAYER AND ORGANIC LIGHT EMMITING DEVICE USING THE SAME}
광산란막용 조성물, 그리고 이를 이용한 광산란막 및 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광 현상을 이용하여 제조한, 스스로 빛을 내는 자체 발광형 소자이다. 이러한 유기 발광 소자는 빛이 방출될 때 발광 소자의 계면에서 굴절률(refractive index) 차이로 인한 반사 손실(reflection loss)이 발생한다.
이를 개선하여 광추출 효율을 높이기 위해 표면 또는 투명 기판에 반사방지막을 형성하거나 표면을 식각하여 요철을 형성하여 산란에 의한 광출력을 높이는 방법 등이 연구되어 왔으며, 바인더 수지와 무기입자를 이용하여 광투과와 반사방지기능을 갖는 보호필름 또는 반사방지필름을 이용한 연구도 진행되었다. 또한 R. Barhelt, Organic Electronics 8, 293-299(2007) 논문이나 국제공개특허 WO2002-037580A1 또는 한국공개특허 2009-0128487를 참고하면, 기판 내에 또는 유기바인더 내에 산란 요소를 도입한 연구를 통해 광산란을 유도하여 광추출을 높이기도 하였다. 또한 한국공개특허 2009-0128487를 참고하면, 유기바인더 내에 굴절률이 다른 두 종류의 충전제를 이용하여 광추출 효율을 높이는 연구도 진행되었다.
이러한 광확산 필름 및 산란막의 경우 필름화하여 제품에 적용시켜야 하기 때문에 고가의 비용이 들며, OLED TV 등 제품에 사용될 경우 발광 소자와 굴절률 차이로 인하여 광추출 효율이 제한적인 문제가 있다.
일 구현예는 잔사가 남지 않고 우수한 해상도를 가지는 패턴을 형성할 수 있고 광산란 특성이 우수한 광산란막용 조성물을 제공하기 위한 것이다.
다른 일 구현예는 상기 광산란막용 조성물을 이용하여 형성된 광산란막을 제공하기 위한 것이다.
또 다른 일 구현예는 상기 광산란막을 포함하여 광추출 효율이 높은 유기 발광 소자를 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는 아크릴계 수지; TiO2 미립자; 하기 화학식 1로 표시되는 페놀계 화합물; 및 용매를 포함하는 광산란막용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서,
X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키닐렌기, C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 알킬아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬렌기이고,
R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키닐기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다.)
상기 화학식 1에서, X는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 알킬아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬렌기일 수 있고, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있다.
상기 페놀계 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 TiO2 미립자의 평균입경(D50)은 80 nm 내지 500 nm 일 수 있다.
상기 TiO2 미립자의 굴절율은 2.69 내지 2.73 일 수 있다.
상기 아크릴계 수지의 굴절율은 1.0 내지 1.4 일 수 있다.
상기 아크릴계 수지의 중량평균분자량은 4,000 g/mol 내지 20,000 g/mol 일 수 있다.
상기 아크릴계 수지와 상기 TiO2 미립자의 굴절율 차이는 0.5 내지 1.55 일 수 있다.
상기 광산란막용 조성물은 상기 아크릴계 수지 20 내지 45 중량%; 상기 TiO2 미립자 3 내지 40 중량%; 상기 페놀계 화합물 0.5 내지 5 중량%; 및 상기 용매 잔부량을 포함할 수 있다.
상기 TiO2 미립자 및 상기 페놀계 화합물은 4:1 내지 15:1의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 광산란막용 조성물은 올리고머, 개시제 및 계면활성제 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 광산란막용 조성물을 이용하여 형성된 광산란막을 제공한다.
상기 광산란막의 두께는 0.5 ㎛ 내지 4 ㎛ 일 수 있다.
상기 광산란막의 투과율은 35% 내지 65% 일 수 있다.
상기 광산란막의 헤이즈는 50% 내지 90% 일 수 있다.
또 다른 일 구현예는 광산란막을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
기타 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 광산란막용 조성물을 이용하여 형성된 광산란막은 잔사가 남지 않고 우수한 해상도를 가지는 패턴 형성이 가능하고 광산란 특성이 우수하여, 유기 발광 소자 등에 적용시 높은 광추출 효율을 확보할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2a 및 2b는 각각 비교예 2 및 실시예 2에 따른 유기 발광 소자의 광추출 효율을 평가하기 위한 모듈 전자현미경 사진이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기 또는 그의 염, 술폰산기 또는 그의 염, 인산기 또는 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C4 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 일 구현예에 따른 광산란막용 조성물에 대해 설명한다.
일 구현예에 따른 광산란막용 조성물은 아크릴계 수지, TiO2 미립자, 하기 화학식 1로 표시되는 페놀계 화합물, 그리고 용매를 포함할 수 있다. 상기 조성물을 이용하여 광산란막을 형성할 경우 최소 12㎛ 선폭의 패턴 형성이 가능하며, 도포, 노광 및 현상 공정을 거쳐 패턴을 형성하는 과정에서 잔사를 남기지 않고 현상이 가능함으로써 원하는 패턴을 정확히 구현할 수 있을 뿐 아니라 제품화 공정에서 잔사로 인한 불량 발생을 방지할 수 있다. 또한 유기 발광 소자에서 광확산이 필요한 부분에 상기 패턴 형성 방법을 이용하여 패턴화함으로써 광효율을 증대시킬 수 있으며, 패턴이 형성된 광산란막은 패턴을 통하여 빛을 굴절시킴으로써 광산란 특성이 우수하여, 유기 발광 소자 등에 적용시 소자 내에서 발생한 광을 외부로 유도하는 비율, 즉, 광추출 효율을 증대시킬 수 있다.
이하에서는 상기 광산란막용 조성물을 이루는 각 성분에 대해 구체적으로 설명한다.
페놀계 화합물
상기 페놀계 화합물을 조성물 내에 첨가함으로써 패턴 형성 과정에서 TiO2 미립자가 모두 현상되어 잔사가 없는 패턴을 형성할 수 있다. 다시 말해, 상기 페놀계 화합물은 현상 개선 첨가제로서 투입될 수 있다.
상기 페놀계 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00003
상기 화학식 1에서, X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키닐렌기, C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 알킬아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬렌기일 수 있다. 이들 중에서, 예를 들면, 상기 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 알킬아릴렌기, 또는 상기 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬렌기일 수 있다. 또한 예를 들면, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 알킬아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C10 알킬아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C10 아릴알킬렌기일 수 있다.
상기 화학식 1에서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키닐기, 또는 C6 내지 C30 아릴기일 수 있다. 이들 중에서, 예를 들면, 상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있다. 또한 예를 들면, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬기일 수 있다.
상기 페놀계 화합물의 구체적인 예로 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
[화학식 2]
Figure pat00004
상기 페놀계 화합물은 상기 광산란막용 조성물의 총량에 대하여 0.5 내지 5 중량%로 포함될 수 있고, 예를 들면, 0.5 내지 3.5 중량%로 포함될 수 있다. 페놀계 화합물이 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 패턴 형성시 상기 TiO2 미립자를 모두 현상시켜 잔사가 남지 않고 높은 해상도를 가지는 패턴을 형성할 수 있다.
TiO 2 미립자
상기 TiO2 미립자를 상기 조성물 내에 사용함으로써 산란 특성이 우수한 광산란막을 확보할 수 있다.
상기 TiO2 미립자의 평균입경(D50)은 80 nm 내지 500 nm 일 수 있고, 예를 들면, 100 nm 내지 500 nm, 150 nm 내지 400 nm, 150 nm 내지 300 nm, 150 nm 내지 250 nm 일 수 있다. TiO2 미립자의 평균입경이 상기 범위 내인 경우 상기 아크릴 수지와 배합 시 광산란 특성이 증대될 수 있다.
상기 TiO2 미립자의 굴절율은 2.69 내지 2.73 일 수 있고, 예를 들면, 2.70 내지 2.72 일 수 있다. TiO2 미립자의 굴절율이 상기 범위 내인 경우 상기 아크릴계 수지의 굴절율과의 차이로 인하여 산란 성능을 향상시킬 수 있다.
상기 TiO2 미립자는 상기 광산란막용 조성물의 총량에 대하여 3 내지 40 중량%로 포함될 수 있고, 예를 들면, 5 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. TiO2 미립자가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 우수한 산란 특성을 가질 수 있다.
상기 TiO2 미립자 및 상기 페놀계 화합물은 4:1 내지 15:1의 중량비로 포함될 수 있고, 예를 들면, 5:1 내지 14:1의 중량비로 포함될 수 있다. TiO2 미립자와 페놀계 화합물이 상기 중량비 범위 내로 혼합 사용될 경우, 광산란막의 패턴 형성시 상기 TiO2 미립자를 모두 현상시켜 높은 해상도를 가지는 패턴을 구현할 수 있을 뿐 아니라 형성된 광산란막은 우수한 산란 특성을 가질 수 있다. 이에 따라 상기 광산란막을 유기 발광 소자에 적용할 경우 높은 광추출 효율을 얻을 수 있다.
아크릴계 수지
상기 아크릴계 수지는 조성물 내에서 바인더로 사용될 수 있다.
상기 아크릴계 수지의 굴절율은 1.0 내지 1.4 일 수 있고, 예를 들면, 1.2 내지 1.35일 수 있다. 아크릴계 수지의 굴절율이 상기 범위 내인 경우 상기 TiO2 미립자의 굴절율과의 차이로 인하여 산란 성능을 향상시킬 수 있다.
상기 아크릴계 수지와 상기 TiO2 미립자의 굴절율 차이는 0.5 내지 1.55 일 수 있고, 예를 들면, 1.0 내지 1.5 일 수 있다. 아크릴계 수지와 TiO2 미립자의 굴절율 차이가 상기 범위 내인 경우 광산란막의 산란 성능이 향상될 수 있고, 이에 따라 광추출 효율이 높은 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 제1 에틸렌성 불포화 단량체와 제2 에틸렌성 불포화 단량체의 중합체를 사용할 수 있다.
상기 제1 에틸렌성 불포화 단량체는 하나 이상의 카르복시기를 함유하는 에틸렌성 불포화 단량체이며, 예를 들면, (메타)아크릴산, 말레산, 이타콘산, 푸마르산　또는 이들의 조합을 들 수 있다.
상기 제1 에틸렌성 불포화 단량체는 상기 아크릴계 수지의　총량에 대하여 5 내지　50　중량%로 포함될 수 있고,　예를 들면, 10 내지　40 중량%로 포함될 수 있다.
상기 제2 에틸렌성 불포화 단량체는 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 비닐벤질메틸에테르 등의 방향족 비닐 화합물; 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시 부틸(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 에스테르 화합물; 2-아미노에틸(메타)아크릴레이트, 2-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 아미노 알킬 에스테르 화합물; 초산비닐, 안식향산 비닐 등의 카르복시산 비닐 에스테르 화합물; 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 글리시딜 에스테르 화합물; (메타)아크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물; (메타)아크릴아미드 등의 불포화 아미드 화합물; 등을 들 수 있으며, 이들을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 수지의 중량평균분자량은 4,000 g/mol 내지 20,000 g/mol 일 수 있고, 예를 들면, 5,000 g/mol 내지 15,000 g/mol 일 수 있다. 아크릴계 수지의 중량평균분자량이 상기 범위 내일 경우, 상기 광산란막용 조성물의 물리적 및 화학적 물성이 우수하고 적절한 점도를 가지며 현상성 및 감도를 유지할 수 있다.
상기 아크릴계 수지의 산가는 80 mgKOH/g 내지 120　mgKOH/g 일 수 있고, 예를 들면, 90 mgKOH/g 내지 110　mgKOH/g 일 수 있다. 　아크릴계 수지의 산가가 상기 범위 내일 경우 우수한 현상성을 가짐에 따라 해상도가 높은 패턴을 형성할 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 상기 광산란막용 조성물의 총량에 대하여 20 내지 45 중량%로 포함될 수 있고, 예를 들면, 25 내지 45 중량%로 포함될 수 있다. 아크릴계 수지가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 우수한 현상성 및 감도를 가질 수 있다.
일 구현예에 따른 광산란막용 조성물은 상기 페놀계 화합물, 상기 TiO2 미립자 및 상기 아크릴계 수지 외에도 올리고머, 개시제 및 계면활성제 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
이하에서는 광산란막용 조성물에 추가적으로 포함될 수 있는 각 성분에 대해 설명한다.
올리고머
상기 올리고머는 광중합성 화합물로서, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중결합을 가지는 (메타)아크릴산의 일관능 또는 다관능 에스테르가 사용될 수 있다.
상기 올리고머는 상기 에틸렌성 불포화 이중결합을 가짐으로써,　패턴 형성 공정에서 노광시 충분한 중합을 일으킴에 따라 내열성, 내광성 및 내화학성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
상기 올리고머의 구체적인 예로는, 에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트,　비스페놀A 에폭시(메타)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리(메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴로일옥시에틸 포스페이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트　등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 올리고머는　보다 우수한 현상성을 부여하기 위하여 산무수물로 처리하여 사용할 수도 있다.
상기 올리고머는 상기 광산란막용 조성물의 총량에 대하여 30 내지 45 중량%로 포함될 수 있고, 예를 들면, 35 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 올리고머가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우, 패턴 형성 공정에서 노광시 광중합이 충분히 일어나 우수한 신뢰성을 얻을 수 있으며, 패턴의 내열성, 내광성 및 내화학성을 개선할 수 있고, 높은 해상도도 얻을 수 있다.
개시제
상기 개시제는 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 옥심계 화합물 등을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 아세토페논계의 화합물의 예로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸트리클로로 아세토페논, p-t-부틸디클로로 아세토페논, 4-클로로 아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온 등을 들 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물의 예로는, 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논,4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물의 예로는, 티오크산톤, 2-크롤티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 벤조인계 화합물의 예로는, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.
상기 트리아진계 화합물의 예로는, 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐 4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐 4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프토1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-트리 클로로메틸(피페로닐)-6-트리아진, 2-4-트리클로로메틸(4'-메톡시스티릴)-6-트리아진 등을 들 수 있다.
상기 옥심계 화합물의 예로는, 2-(o-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(o-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온 등을 들 수 있다.
상기 개시제는 상기 화합물 이외에도 카바졸계 화합물, 디케톤류 화합물, 술포늄 보레이트계 화합물, 디아조계 화합물, 이미다졸계 화합물, 비이미다졸계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 개시제는 상기 광산란막용 조성물의 총량에 대하여 5 내지 13 중량%로 포함될 수 있고, 예를 들면, 5 내지 12 중량%로 포함될 수 있다. 개시제가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우, 패턴 형성 공정에서 노광시 광중합이 충분히 일어나 우수한 신뢰성을 얻을 수 있으며, 패턴의 내열성, 내광성 및 내화학성을 개선할 수 있으며, 높은 해상도도 얻을 수 있고, 광중합 후 남은 미반응 개시제에 의한 투과율 저하를 억제할 수 있다.
계면활성제
상기 계면활성제는 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 등을 사용할 수 있고, 이들을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 음이온성 계면활성제의 예로는, 라우릴황산나트륨, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산염, 도데실벤젠술폰산나트륨, 스티렌-아크릴산 공중합체의 알칼리염, 스테아르산나트륨, 알킬나프탈린술폰산나트륨, 알킬디페닐에테르디술폰산나트륨, 라우릴황산모노에탄올아민, 라우릴황산트리에탄올아민, 라우릴황산암모늄, 스테아르산모노에탄올아민, 스티렌-아크릴산 공중합체의 모노에탄올아민, 폴리옥시에틸렌알킬에테르인산에스테르 등을 들 수 있고, 상기 비이온성 계면활성제의 예로는, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르인산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노스테아레이트, 폴리에틸렌글리콜모노라우레이트 등을 들 수 있다. 상기 양이온성 계면활성제의 예로는, 알킬 4차 암모늄염이나 이들의 에틸렌옥사이드 부가물 등을 들 수 있고, 상기 양쪽성 계면활성제의 예로는, 알킬디메틸아미노아세트산베타인 등의 알킬베타인, 알킬이미다졸린 등을 들 수 있다.
또한 상기 계면활성제로 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제 등을 사용할 수 있다.
상기 계면활성제는 상기 광산란막용 조성물의 총량에 대하여 0.2 내지 1.5 중량%로 포함될 수 있고, 예를 들면, 0.2 내지 1 중량%로 포함될 수 있다. 계면활성제가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 해상도가 높은 패턴을 얻을 수 있다.
상기 광산란막용 조성물은 상기 계면활성제 외에도, 도포시 얼룩이나 반점을 방지하고, 레벨링 성능을 개선하거나 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 실란계 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
용매
상기 용매는 사이클로헥사논, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 1-메톡시-2-프로필아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸벤젠, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 크실렌, 에틸셀로솔브, 메틸-n-아밀케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 초산에틸, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 이소부틸케톤, 석유계 용매 등을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 상기 광산란막용 조성물의 총량에 대하여 잔부량으로 포함될 수 있다. 용매가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 상기 광산란막용 조성물이 적절한 점도를 가짐에 따라 광산란막 형성시 우수한 공정성을 가질 수 있다.
이하, 다른 일 구현예로서, 전술한 광산란막용 조성물을 이용하여 형성된 광산란막에 대해 설명한다.
상기 광산란막은 다음과 같은 방법으로 형성될 수 있다.
전술한 광산란막용 조성물을 유리기판 등 투명기판 위에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께, 예를 들어 0.5 ㎛ 내지 25 ㎛의 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 110℃의 온도에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용매를 제거함으로써 도막을 형성한다.
형성된 도막에 필요한 패턴 형성을 위해 소정 형태의 마스크를 개재한 뒤, 190 nm 내지 500 nm의 활성선을 조사한다. 　조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다. 　이때 노광량은 상기 광산란막용 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 예를 들어 고압 수은등을 사용할 경우 500 mJ/cm2 이하일 수 있다. 노광을 통하여 아크릴계 수지와 올리고머가 개시제와 반응하는데, 빛을 받은 영역은 반응하고 빛을 받지 않은 영역은 반응이 일어나지 않는다.
이어서, 알칼리성 수용액을 현상액으로 이용하여 불필요한 부분을 용해하고 제거함으로써 노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 형성시킨다.
상기 현상에 의해 수득된 패턴을 내열성, 내크랙성, 내화학성 등의 우수한 물성을 가지는 패턴을 얻기 위해 다시 가열하거나 활성선 조사 등을 행하여 경화시킬 수 있다.
전술한 광산란막용 조성물을 이용하여 패턴을 형성할 경우 TiO2 미립자도 모두 현상되어 잔사가 남지 않으며, 이에 따라 원하는 패턴을 정확히 구현할 수 있고 TiO2 미립자의 잔사로 인한 제품 불량 발생을 억제할 수 있다.
상기 형성된 패턴의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 가로 3 ㎛ 내지 100 ㎛ 및 세로 10 ㎛ 내지 200 ㎛의 크기를 가지는 패턴일 수 있다.
상기 방법으로 형성된 광산란막의 두께는 0.5 ㎛ 내지 4 ㎛ 일 수 있고, 예를 들면, 1 ㎛ 내지 3 ㎛ 일 수 있다. 광산란막의 두께를 상기 범위 내로 조절할 경우 광산란막의 투과율과 헤이즈를 조절할 수 있다.
전술한 광산란막용 조성물을 이용하여 상기 방법으로 형성한 광산란막은 35% 내지 65%의 투과율, 예를 들면, 45% 내지 55%의 투과율을 가질 수 있으며, 또한 50% 내지 90%의 헤이즈, 예를 들면, 60% 내지 85%의 헤이즈를 가질 수 있다. 광산란막이 상기 범위 내의 투과율 및 헤이즈를 가질 경우 유기 발광 소자 등에 적용할 경우 높은 광추출 효율을 얻을 수 있다.
이하, 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자에 대해 도 1을 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 기판(10), 하부 전극(20), 상기 하부 전극(20)과 마주하는 상부 전극(40), 그리고 상기 하부 전극(20)과 상기 상부 전극(40) 사이에 개재되어 있는 발광층(30)을 포함할 수 있다.
상기 기판(10)은 유리 등과 같은 무기 물질; 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰 등과 같은 유기 물질; 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.
상기 하부 전극(20)과 상기 상부 전극(40) 중 하나는 캐소드(cathode)이고, 다른 하나는 애노드(anode) 일 수 있다. 예를 들어, 하부 전극(20)은 애노드이고 상부 전극(40)은 캐소드일 수 있다.
하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 적어도 하나는 투명 전극이며, 하부 전극(10)이 투명 전극인 경우 기판(10) 측으로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있으며, 상부 전극(40)이 투명 전극인 경우 기판(10)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있다. 또한 하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우 기판(10) 측 및 기판(10)의 반대 측으로 양면 발광할 수 있다.
이때, 도 1에는 도시되어 있지 않으나, 일 구현예에 따른 광산란막은 유기 발광 소자 내에서 광확산이 필요한 위치, 즉, 빛이 나가는 방향이면 어느 위치에나 형성될 수 있다. 예를 들면, 배면 발광의 유기 발광 소자인 경우 광산란막은 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이, 하부 전극(20)과 기판(10) 사이, 또는 기판(10) 상에 형성될 수 있으며, 또한 기판(10)과 빛이 나가는 측의 컬러필터 사이, 또는 컬러필터 상에 형성될 수도 있다. 반대로 전면 발광의 유기 발광 소자인 경우 광산란막은 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이, 또는 상부 전극(40) 상에 형성될 수 있으며, 상부 전극(40)과 빛이 나가는 측의 컬러필터 사이, 또는 컬러필터 상에 형성될 수도 있다. 전술한 광산란막용 조성물을 이용하여 형성되고 패턴화된 광산란막을 유기 발광 소자 내에서 이와 같은 위치에 적용함으로써, 광산란 특성이 우수함에 따라 소자의 높은 광추출 효율을 확보할 수 있다.
상기 애노드는 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물, 도전성 고분자 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene, PEDOT), 폴리피롤, 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드는 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물, 도전성 고분자 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔, 나일 레드(Nile red), 쿠마린, 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 소자는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다. 상기 발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색들의 조합에 의해 백색 발광할 수 있으며, 이 때 색의 조합은 이웃하는 서브화소들의 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있고 수직 방향으로 적층된 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있다.
상기 유기 발광 소자는 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이, 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이, 또는 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이와 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이 모두에 발광층의 발광 효율을 개선하기 위한 보조층을 포함할 수도 있다. 상기 보조층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer), 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 　다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다. 또한, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
( 광산란막용 조성물 제조)
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4
하기 언급된 성분들을 이용하여 하기 표 1에 나타낸 조성으로 각 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에 따른　광산란막용 조성물을 제조하였다.
(A) 아크릴계 수지
메타크릴산 20 중량%, 글리시딜 메타크릴레이트 30 중량%, 스티렌 20 중량% 및 이소보닐 아크릴레이트 30 중량%를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 용매 하에서 중합하여 제조된 폴리머로서, 중량평균분자량이 9,000 g/mol 이고 굴절율이 1.3 인 것을 사용하였다.
(B) TiO2 미립자
(B-1) 루틸(rutile) 구조의 평균입경(D50)이 250 nm이고 굴절율이 2.71 인 것을 사용하였다.
(B-2) 루틸 구조의 평균입경(D50)이 80 nm이고 굴절율이 2.71 인 것을 사용하였다.
(B-3) 루틸 구조의 평균입경(D50)이 100 nm이고 굴절율이 2.71 인 것을 사용하였다.
(B-4) 루틸 구조의 평균입경(D50)이 120 nm이고 굴절율이 2.71 인 것을 사용하였다.
(C) 페놀계 화합물
하기 화학식 2로 표시되는 화합물(CAS번호 110726-28-8)을 사용하였다.
[화학식 2]
Figure pat00005
(D) 올리고머
디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트를 1:1의 중량비로 혼합 사용하였다.
(E) 개시제
ADEKA社의 N-930을 사용하였다.
(F) 계면활성제
BYK社의 BYK-377를 사용하였다.
(G) 용매
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 사용하였다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4
(A) 아크릴계 수지(중량%) 30 35 40 45 32.5 32.5 32.5 32.5
(B) TiO2 미립자(중량%) (B-1) 30 25 20 15 30 - - -
(B-2) - - - - - 30 - -
(B-3) - - - - - - 30 -
(B-4) - - - - - - - 30
(C) 페놀계 화합물(중량%) 2.5 2.5 2.5 2.5 - - - -
(D) 올리고머(중량%) 20 20 20 20 20 20 20 20
(E) 개시제(중량%) 7 7 7 7 7 7 7 7
(F) 계면활성제(중량%) 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
(G) 용매(중량%) 10.2 10.2 10.2 10.2 10.2 10.2 10.2 10.2
( 광산란막 제조)
탈지 세척한 두께 1mm의 유리기판 상에 스핀 코팅기(K-Spin8, KDNS社)를 사용하여 1.5㎛의 두께로 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에 따른 각각의 조성물을 코팅한 후, 핫 플레이트 상에서 110℃로 90초 동안 건조시켜 도막을 수득하였다. 　이어서, 각각의 도막 위에 포토마스크를 대고 365nm의 파장을 가진 고압수은램프를 사용하여 노광량을 변화시키며 노광하였다. 　이어서 0.04% KOH 수용액을 사용하여 30℃ 및 상압 하에서 60초 동안 현상하였고, 수세 및 건조 공정을 수행하였다. 　이어서, 열풍순환식 건조 오븐 안에서 230℃로 30분 동안 포스트베이크 공정을 수행하여 패턴을 제작하였다. 형성된 광산란막의 두께는 1㎛ 이었다.
(유기 발광 소자 제작)
유리 기판 위에 ITO 애노드를 스퍼터링으로 형성한 후 패터닝하였다. 이어서 적색 발광물질인 트리페닐아민 유도체, 청색 발광물질인 페릴렌 유도체, 녹색 발광물질인 플루오렌 유도체를 차례로 증착하여 발광층을 형성한 후 전자 수송층으로 리튬퀴놀레이트를 증착하였다. 이어서 그 위에 LiF과 Al을 순차적으로 진공 증착하여 캐소드를 80Å 두께로 형성하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 이때 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 패턴 형성된 광산란막을 상기 캐소드 위에 코팅 후 노광 및 현상 과정을 통해 패턴을 형성하였다.
평가 1: 광산란막의 헤이즈 및 투과율
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 광산란막의 헤이즈 및 투과율을 Konica Minolta社의 CM-3600d 기기를 이용하여 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
평가 2: 광산란막의 패턴 형성 후 잔사 여부
탈지 세척한 두께 1mm의 유리기판 상에 스핀 코팅기(K-Spin8, KDNS社)를 사용하여 1.5㎛의 두께로 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에 따른 각각의 광산란막용 조성물을 코팅한 후, 핫 플레이트 상에서 110℃로 90초 동안 건조시켜 도막을 수득하였다. 　계속해서 노광 공정을 거치지 않고, 0.04% KOH 수용액을 사용하여 30℃　및 상압　하에서 60초　동안 현상하고 수세하였다. 　물기를 제거한 후, 극세사를 이용하여 일정부분 현상된 부위를 긁어서 극세사에 묻어 나는지를 육안으로 확인하였다. 　그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 하기 표 2에서, ○는 극세사에 묻어나는 것이 없는 경우이고, X는 극세사에 붉은색이 인지될 정도로 묻어나는 것이 있는 경우를 나타낸다.
평가 3: 광산란막 패턴의 해상도
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에 따라 형성된 광산란막에 대해 광학현미경을 이용하여 육안으로 패턴의 형상을 관찰하였다. 얻어진 패턴들 중 최소 패턴의 선폭을 측정하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
평가 4: 유기 발광 소자의 광추출 효율
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에 따라 제조된 유기 발광 소자를 20 mA의 정전류 구동 조건 하에서 구동시키고, 추출되는 광의 조도를 측정하여 광추출 효율을 평가하였다. 조도의 측정 시에는, 적분구를 이용하여 소자에서 방출되는 광의 양을 측정하였다. 측정 결과는 하기 표 2와 도 2a 및 2b에 나타내었다.
도 2a 및 2b는 각각 비교예 2 및 실시예 2에 따른 유기 발광 소자의 광추출 효율을 평가하기 위한 모듈 전자현미경 사진이다.
페놀계 화합물 TiO2 미립자 및 페놀계 화합물의 중량비 헤이즈(%) 투과율(%) 패턴형성 후 잔사 여부 패턴 선폭(㎛) 광추출 효율(%)
실시예 1 첨가 12:1 85.5 46.8 ○ 12 +31.1
실시예 2 첨가 10:1 77.3 51.2 ○ 12 +34.2
실시예 3 첨가 8:1 70 54.5 ○ 10 +32.1
실시예 4 첨가 6:1 65 56 ○ 10 +32.4
비교예 1 미첨가 - 85.5 46.8 X 측정 불가 +31.1
비교예 2 미첨가 - 60 58.3 패턴형성 불가 패턴형성 불가 기준
비교예 3 미첨가 - 72 53.2 패턴형성 불가 패턴형성 불가 -0.5
비교예 4 미첨가 - 73.5 52.9 패턴형성 불가 패턴형성 불가 +0.2
상기 표 2를 통하여, 아크릴계 수지, TiO2 미립자 및 화학식 1로 표시되는 페놀계 화합물을 포함하는 광산란막용 조성물을 이용하여 패턴을 형성한 실시예 1 내지 4의 광산란막은 상기 페놀계 화합물을 사용하지 않고 형성한 비교예 1 내지 4와 비교하여 잔사가 남지 않으며 우수한 해상도를 가지는 패턴을 형성함을 알 수 있으며, 또한 이와 같이 패턴 형성된 광산란막은 우수한 광산란 특성도 유지하고 있음을 알 수 있다. 또한 실시예 1 내지 4에 따라 형성된 광산란막을 유기 발광 소자에 적용한 경우 높은 광추출 효율을 확보하게 됨을 알 수 있다. 또한 도 2a 및 2b를 통해서도 실시예 2는 비교예 2 대비 광추출 효율이 보다 증가함을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
10: 기판
20: 하부 전극
30: 발광층
40: 상부 전극

Claims (16)

  1. 아크릴계 수지;
    TiO2 미립자;
    하기 화학식 1로 표시되는 페놀계 화합물; 및
    용매
    를 포함하는 광산란막용 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00006

    (상기 화학식 1에서,
    X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키닐렌기, C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 알킬아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬렌기이고,
    R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키닐기, 또는 C6 내지 C30 아릴기이다.)
  2. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, X는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 알킬아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬렌기이고,
    R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기인 광산란막용 조성물.
  3. 제1항에서,
    상기 페놀계 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 광산란막용 조성물.
    [화학식 2]
    Figure pat00007
  4. 제1항에서,
    상기 TiO2 미립자의 평균입경(D50)은 80 nm 내지 500 nm 인 광산란막용 조성물.
  5. 제1항에서,
    상기 TiO2 미립자의 굴절율은 2.69 내지 2.73 인 광산란막용 조성물.
  6. 제1항에서,
    상기 아크릴계 수지의 굴절율은 1.0 내지 1.4 인 광산란막용 조성물.
  7. 제1항에서,
    상기 아크릴계 수지의 중량평균분자량은 4,000 g/mol 내지 20,000 g/mol 인 광산란막용 조성물.
  8. 제1항에서,
    상기 아크릴계 수지와 상기 TiO2 미립자의 굴절율 차이는 0.5 내지 1.55 인 광산란막용 조성물.
  9. 제1항에서,
    상기 광산란막용 조성물은
    상기 아크릴계 수지 20 내지 45 중량%;
    상기 TiO2 미립자 3 내지 40 중량%;
    상기 페놀계 화합물 0.5 내지 5 중량%; 및
    상기 용매 잔부량
    을 포함하는 광산란막용 조성물.
  10. 제1항에서,
    상기 TiO2 미립자 및 상기 페놀계 화합물은 4:1 내지 15:1의 중량비로 포함되는 광산란막용 조성물.
  11. 제1항에서,
    상기 광산란막용 조성물은 올리고머, 개시제 및 계면활성제 중 적어도 하나를 더 포함하는 광산란막용 조성물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 광산란막용 조성물을 이용하여 형성된 광산란막.
  13. 제12항에서,
    상기 광산란막의 두께는 0.5 ㎛ 내지 4 ㎛ 인 광산란막.
  14. 제12항에서,
    상기 광산란막의 투과율은 35% 내지 65% 인 광산란막.
  15. 제12항에서,
    상기 광산란막의 헤이즈는 50% 내지 90% 인 광산란막.
  16. 제12항의 광산란막을 포함하는 유기 발광 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200129898A (ko) * 2019-05-10 2020-11-18 덕산하이메탈(주) 복합 굴절율 도막 조성물 및 이를 이용한 도막

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