CN102212832A - 一种硅料清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的一种硅料清洗工艺,涉及光伏行业或半导体技术领域,其工艺流程包括:预清洗,碱清洗,超声清洗,碱腐蚀,腐蚀清洗,甩干和烘干;具有既能减少返工率,又能提高产品品质,且对生产环境没有影响等特点,适用于光伏行业或半导体技术领域中硅料的头尾、边皮料的清洗。
Description
技术领域
本发明涉及光伏行业或半导体技术领域,特别是一种硅料清洗工艺。
背景技术
在光伏行业或半导体技术领域中,生产硅片时,要对硅棒或硅锭进行切方处理,剩下的叫头尾、边皮料。这些头尾、边皮料上由于表面氧化物、表面杂质和在物流、储存时出现的杂质侵入以及切割时金属离子的转移、切割液的残留等原因,其表面会积存一些污物。当这些头尾、边皮料重新利用时,需要将其上所积存的污物清洗干净。传统的清洗方法是采用酸腐清洗,由于酸腐工艺简单,效率高,一度受到人们的青睐,但仍存在以下不足:一是传统腐蚀清洗方法重点放在腐蚀及清洗过程,忽略了预清洗,在腐蚀前只是简单使用人工擦洗,清洗效果不足,导致污染残留,而影响到其后的腐蚀效果,导致其后的返工率超标,或在腐蚀后需要花费大量的人力进行分选,影响到工作效率,或为了保证腐蚀表面干净,人为增加了腐蚀量,导致损耗增加,成本上升;二是在腐蚀工艺过程中,将产生大量的酸雾,酸雾处理工艺复杂,容易发生安全事故,造成人员安全事故;三是由于酸腐时使用大量的HF,用洗涤法处理含氟废气的洗涤水,排入环境后,会造成水体和土壤的污染,含氟烟尘沉降或受降水淋洗,由于其使用后无法回收,含氟物质将直接进入植物内部、土壤、草地、水系、动物体内等会使土壤和地下水受污染,对我们的生活环境造成最直接的影响。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明所要解决的技术问题是提供一种既能减少返工率,又能提高产品品质,且对生产环境没有影响的硅料清洗工艺。
本发明所采取的技术方案是发明一种硅料清洗工艺,其特征在于工艺流程如下:
第一步:预清洗,先将待清洗的硅料置于器皿中,用DI水进行冲洗;
第二步:碱清洗,首先,用中性清洗剂采用超声清洗,其次,用稀碱溶液进行清洗,再次,用DI水清洗;
第三步:超声清洗,用DI水采用超声清洗;
第四步:碱腐蚀,首先,用浓碱溶液进行超声清洗,其次,采用普通水清洗,再次,用DI水冲洗;
第五步:腐蚀清洗,用DI水采用超声清洗;
第六步:甩干,采用甩干设备进行甩干;
第七步:烘干,采用烘干设备进行烘干。
所述的稀碱溶液是0.05-0.15%的NaOH溶液。
所述的稀碱溶液是0.1%的NaOH溶液。
所述的浓碱溶液是1-5%的NaOH溶液。
所述的浓碱溶液是3%的NaOH溶液。
本发明的硅料清洗工艺,由于在腐蚀之前,增设了预清洗、碱清洗和超声清洗三道预处理工序,清洗效果好,导致污染残留极少,因而,其后的腐蚀效果好,产品品质得以提高,其返工率低;同时,本工艺是采用碱腐蚀工艺,其生产过程中,不会产生大量的酸雾,也不会产生氟废气,因此,对生产环境没有多大的影响。下表是本发明与传统酸腐工艺的对比资料:
具体实施方式
以下结合实施例,对本发明作进一步的说明。下面的说明是采用例举的方式,但本发明的保护范围不应局限于此。
本实施例的硅料清洗工艺流程如下:
第一步:预清洗,先将待清洗的硅料置于器皿中,用DI水进行冲洗;
第二步:碱清洗,首先,用中性清洗剂采用超声清洗,其次,用稀碱溶液进行清洗,再次,用DI水清洗;
第三步:超声清洗,用DI水采用超声清洗;
第四步:碱腐蚀,首先,用浓碱溶液进行超声清洗,其次,采用普通水清洗,再次,用DI水冲洗;
第五步:腐蚀清洗,用DI水采用超声清洗;
第六步:甩干,采用甩干设备进行甩干;
第七步:烘干,采用烘干设备进行烘干。
其具体过程如下:
(一)、预处理:
第一步:预清洗,先将待清洗的硅料置于器皿中,用DI水(18MΩ.cm以上,以下与此相同)进行冲洗,去除表面的脏污,温度在25℃左右;
第二步:碱清洗,
首先,将硅料用超声波清洗机采用中性清洗剂(本例采用MT-490型清洗液,也可采用其它的中性清洗剂)进行超声清洗,去除过程转运中造成的污染,时间10min,温度在45℃左右;
其次,将硅料用超声波清洗机采用0.1%(可采用0.05-0.15%,本例采用0.1%)的NaOH(电子级)溶液进行超声清洗,再次去除过程转运中造成的污染,时间10min,温度在25℃左右;
再次,将硅料用超声波清洗机采用DI水清洗,再再次去除过程转运中造成的污染,时间10min,温度在25℃左右;
第三步:超声清洗,将硅料用二槽超声波清洗设备采用DI水清洗,加强去除过程转运中造成的污染,时间10min,温度在25℃左右;
至此,完成了硅料的预处理。
第四步:碱腐蚀,
首先,将硅料用超声波腐蚀槽采用3%(可采用1-5%,本例采用3%)的NaOH(电子级)溶液进行超声碱腐蚀,去金属离子及表面氧化物,时间2min,温度在65℃左右;
其次,用普通纯净水对硅料冲洗;
再次,将硅料置于冲水槽中,用DI水冲洗,时间20min,温度为常温;
至此,完成了硅料的碱腐蚀。
第五步:腐蚀清洗,将硅料置于六槽超声波清洗设备中,用DI水采用超声清洗,洗去残留的碱腐蚀溶液,时间20min(每槽),温度在25℃左右;
至此,完成了硅料的腐蚀清洗。
第六步:甩干,将硅料置于采甩干桶中,进行甩干,将水分去除,时间10min,温度为常温;
第七步:烘干,将硅料置于烤箱中进行烘干,时间90min,温度在175℃左右。
至此,即完成了硅料的清洗。
本发明的硅料清洗工艺,适用于光伏行业或半导体技术领域中硅料的头尾、边皮料的清洗。
Claims (4)
1.一种硅料清洗工艺,其特征在于工艺流程如下:
第一步:预清洗,先将待清洗的硅料置于器皿中,用DI水进行冲洗;
第二步:碱清洗,首先,用中性清洗剂采用超声清洗,其次,用稀碱溶液进行清洗,再次,用DI水清洗;
第三步:超声清洗,用DI水采用超声清洗;
第四步:碱腐蚀,首先,用浓碱溶液进行超声清洗,其次,采用普通纯净水清洗,再次,用DI水冲洗;
第五步:腐蚀清洗,用DI水采用超声清洗;
第六步:甩干,采用甩干设备进行甩干;
第七步:烘干,采用烘干设备进行烘干。
2.根据权利要求1所述的硅料清洗工艺,其特征在于:所述的稀碱溶液是0.05-0.15%的NaOH溶液。
3.根据权利要求1或2所述的硅料清洗工艺,其特征在于:所述的稀碱溶液是0.1%的NaOH溶液。
4.根据权利要求3所述的硅料清洗工艺,其特征在于:所述的浓碱溶液是3%的NaOH溶液。
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