CN102207675A - 光掩模及其制造方法 - Google Patents
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010080506A JP2011215197A (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | フォトマスク及びその製造方法 |
| JP2010-080506 | 2010-03-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102207675A true CN102207675A (zh) | 2011-10-05 |
Family
ID=44696580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100803406A Pending CN102207675A (zh) | 2010-03-31 | 2011-03-31 | 光掩模及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011215197A (https=) |
| KR (1) | KR101375006B1 (https=) |
| CN (1) | CN102207675A (https=) |
| TW (1) | TW201202839A (https=) |
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- 2011-03-30 KR KR1020110028708A patent/KR101375006B1/ko active Active
- 2011-03-31 CN CN2011100803406A patent/CN102207675A/zh active Pending
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| TW201202839A (en) | 2012-01-16 |
| JP2011215197A (ja) | 2011-10-27 |
| KR20110110005A (ko) | 2011-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20111005 |