CN102205687A - 保护带剥离方法以及保护带剥离装置 - Google Patents

保护带剥离方法以及保护带剥离装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102205687A
CN102205687A CN2011100596887A CN201110059688A CN102205687A CN 102205687 A CN102205687 A CN 102205687A CN 2011100596887 A CN2011100596887 A CN 2011100596887A CN 201110059688 A CN201110059688 A CN 201110059688A CN 102205687 A CN102205687 A CN 102205687A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
boundary belt
wafer
lifting pin
peeling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100596887A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102205687B (zh
Inventor
久我正一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN102205687A publication Critical patent/CN102205687A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102205687B publication Critical patent/CN102205687B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H3/00—Separating articles from piles
    • B65H3/32—Separating articles from piles by elements, e.g. fingers, plates, rollers, inserted or traversed between articles to be separated and remainder of the pile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918—Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/93—Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
    • Y10S156/931—Peeling away backing
    • Y10S156/932—Peeling away backing with poking during delaminating, e.g. jabbing release sheet backing to remove wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
    • Y10S156/943—Means for delaminating semiconductive product with poking delaminating means, e.g. jabbing means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1978—Delaminating bending means
    • Y10T156/1983—Poking delaminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种保护带剥离方法以及保护带剥离装置，即便是在保护带未沿着晶片的外缘贴附的情况下，也能够容易地将保护带从晶片上剥离。保护带剥离方法具备：将以仅与缺口的一部分重合的方式贴附了保护带的晶片放置在载台上的工序；将剥离用粘接带贴附在该保护带上的工序；使提升销从该载台上突出，通过该提升销的上表面上推该缺口处的该保护带的工序；以及在通过该提升销上推了该保护带的状态下拉拽该剥离用粘接带，将该保护带从该晶片上剥离的工序。而且，该提升销的上表面形状是该提升销的上表面能够上推该缺口处的该保护带的形状。

Description

保护带剥离方法以及保护带剥离装置
技术领域
本发明涉及一种剥离贴附在晶片上的保护带的保护带剥离方法以及保护带剥离装置。
背景技术
在对半导体电子器件要求高性能化以及节能化的同时也要求小型化。为了半导体电子器件的小型化，有时将晶片磨削得较薄。在将晶片磨削得较薄之际，为了保护晶片表面而在晶片表面上贴附保护带。为了在磨削了晶片后也将晶片的强度维持得较高，在晶片上贴附了保护带的状态下进行处理。也就是说，晶片强度因保护带而提高，能够安全地进行晶片操作。该保护带最终使用保护带剥离装置而剥离。具体地说，在保护带上贴附剥离用粘接带。然后将剥离用粘接带向晶片外部方向拉拽。这样一来，将剥离用粘接带和被其贴附的保护带从晶片上剥下。
在晶片表面上图案的高低差小的情况下或没有图案的高低差的情况下，晶片表面与保护带的密接性高。因此，剥离用粘接带和保护带之间的粘接力将小于晶片表面和保护带之间的粘接力，存在剥离用粘接带从保护带上剥下的情况。其结果，不能够将保护带从晶片表面上剥离。为了解决这种问题，提出了在晶片的缺口处，通过应力附加机构将保护带上推到离开晶片表面的状态下剥离保护带的技术的方案(例如参照专利文献1)。
【专利文献1】特开2003-338478号公报
保护带并不限于一定沿着晶片的外缘贴附。也存在保护带贴附在晶片外缘的内侧的情况。在这种情况下，由于保护带与缺口重合的部分的面积非常小，所以即便使用应力附加机构也不能够将该部分从晶片表面上推。
而且，也存在保护带贴附成伸出到晶片的外缘更外侧的情况。在这种情况下，仅通过应力附加机构推动保护带与缺口重合的部分并不能够充分地上推保护带。这样，在保护带未沿着晶片的外缘贴附的情况下，存在不能够将保护带从晶片上剥离的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种保护带剥离方法以及保护带剥离装置，即便是在保护带未沿着晶片的外缘贴附的情况下，也能够容易地将保护带从晶片上剥离。
本发明所涉及的保护带剥离方法的特征在于，具备下述工序：将以仅与缺口的一部分重合的方式贴附了保护带的晶片放置在载台上的工序；将剥离用粘接带贴附在该保护带上的工序；使提升销从该载台上突出，通过该提升销的上表面上推该缺口处的该保护带的工序；以及在通过该提升销上推了该保护带的状态下拉拽该剥离用粘接带，将该保护带从该晶片上剥离的工序。而且，该提升销的上表面形状是该提升销的上表面能够上推该缺口处的该保护带的形状。
本发明所涉及的另一种保护带剥离方法的特征在于，具备下述工序：将贴附了保护带的晶片放置在载台上的工序，上述保护带具有覆盖该晶片的缺口的第1部分和从该晶片的外缘向外侧伸出的第2部分；将剥离用粘接带贴附在该保护带上的工序；使提升销从该载台上突出，通过该提升销的上表面上推该第1部分以及该第2部分的工序；以及在通过该提升销上推了该保护带的状态下拉拽该剥离用粘接带，将该保护带从该晶片上剥离的工序。而且，该提升销的上表面形状是具有窄幅部和宽幅部，该窄幅部上推该第1部分，该宽幅部上推该第2部分。
本发明所涉及的保护带剥离装置的特征在于，具备：放置以仅与缺口的一部分重合的方式贴附了保护带的晶片的载台；将剥离用粘接带贴附在该保护带上的机构；剥离该剥离用粘接带的机构；以及以能够从该载台上突出的方式安装在该载台上的提升销。而且，该提升销的上表面形状是该提升销的上表面能够上推该缺口处的该保护带的形状。
本发明所涉及的另一种保护带剥离装置的特征在于，具备：放置贴附了保护带的晶片的载台，上述保护带具有覆盖该晶片的缺口的第1部分和从该晶片的外缘向外侧伸出的第2部分；将剥离用粘接带贴附在该保护带上的机构；剥离该剥离用粘接带的机构；以及以能够从该载台上突出的方式安装在该载台上的提升销。而且，该提升销的上表面形状是具有窄幅部和宽幅部，该窄幅部能够上推该第1部分，该宽幅部能够上推该第2部分的形状。
根据本发明，即便是在保护带未沿着晶片的外缘贴附的情况下，也能够容易地将保护带从晶片上剥离。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的晶片的俯视图。
图2是表示实施方式1所涉及的保护带与晶片的位置关系的俯视图。
图3是表示实施方式1所涉及的保护带剥离装置的剖视图。
图4是表示实施方式1所涉及的提升销的立体图。
图5是说明实施方式1所涉及的保护带剥离方法的流程图。
图6是说明实施方式1所涉及的保护带剥离方法的剖视图。
图7是表示实施方式1所涉及的提升销、晶片以及保护带的位置关系的俯视图。
图8是说明实施方式1所涉及的保护带剥离方法的剖视图。
图9是说明实施方式1所涉及的保护带剥离方法的剖视图。
图10是说明实施方式1所涉及的保护带剥离方法的剖视图。
图11是说明实施方式1所涉及的提升销突出前的状态的剖视图。
图12是说明实施方式1所涉及的提升销突出后的状态的剖视图。
图13是说明实施方式1所涉及的保护带剥离方法的剖视图。
图14是表示实施方式2所涉及的保护带与晶片的位置关系的俯视图。
图15是表示实施方式2所涉及的提升销的立体图。
图16是表示实施方式2所涉及的提升销、晶片以及保护带的位置关系的俯视图。
附图标记说明：
10：晶片，12：缺口，14、70：保护带，18：载台，20、72：提升销，22：剥离用粘接带，24：辊，26：涂刷器。
具体实施方式
实施方式1
参照图1至图13对本发明的实施方式1所涉及的保护带剥离方法以及保护带剥离装置进行说明。另外，存在对于相同或者相对应的结构要素赋予相同的附图标记而省略重复说明的情况。在其它的实施方式中也同样。
图1是表示实施方式1所涉及的晶片10的俯视图。在晶片10的外缘部形成有缺口12。缺口12是进行晶片10的结晶方向的判别或者进行定位的切口。
图2是表示实施方式1所涉及的保护带14与晶片10的位置关系的俯视图。晶片10的端面由研磨机等进行倒角加工。这样一来，晶片10的强度提高，能够抑制对晶片10的端面的物理冲击而产生的破裂或缺损。为了进行这种倒角加工，保护带14贴附在从距晶片10的外缘向内侧例如0.5mm至1.0mm程度的位置(以下，将这种保护带贴附方法成为“内贴”)。保护带14在晶片10上贴附成仅与缺口12的一部分重合而不与缺口12的全部重合。
图3是表示实施方式1所涉及的保护带剥离装置16的剖视图。保护带剥离装置16具备搭载晶片10的载台18，以及能够从载台18突出地安装在载台18上的提升销20。提升销20是上推保护带14的部件。而且，提升销20如图3所示能够收纳在载台18内。图4是表示实施方式1所涉及的提升销20的立体图。提升销20的上表面为长方形。
保护带剥离装置16还具备贴附剥离用粘接带22的机构。该机构具备支撑剥离用粘接带22的辊24和涂刷器26。另外，这种贴附剥离用粘接带22的机构也是将剥离用粘接带22剥离的机构。
图5是说明实施方式1所涉及的保护带剥离方法的流程图。以后，沿着该流程图对实施方式1的保护带剥离方法进行说明。
首先，如图6所示，将贴附了保护带14的晶片10放置在载台18上(步骤50)。晶片10的与贴附了保护带14的面相反的面与载台18相接触。而且，通过真空吸附将晶片10固定在载台18上。
图7是表示实施方式1所涉及的提升销20、晶片10以及保护带14的位置关系的俯视图。提升销20的上表面为长方形。将晶片10在载台18上配置成该提升销20的上表面的一部分与缺口12重合。在此，提升销20的上表面的宽度优选地是小于缺口12的开口宽度W1且在缺口12的最小宽度W2以下。这样，当使提升销20的上表面的宽度狭窄时，能够将提升销20配置到缺口12的里侧。另外，图7中的n1表示保护带14的外缘与晶片10的外缘的差。n1例如为0.5mm至1.0mm的程度。在步骤50中，这样将贴附了保护带14的晶片10在载台18上放置成仅与缺口12的一部分重合。具体地说，将晶片10在载台18上放置成提升销20位于缺口12处的保护带14的正下方。
当结束步骤50时则进入步骤51进行处理。在步骤51中，将剥离用粘接带22贴附在保护带14上。如图8所示，使涂刷器26与保护带14的高度相配合地移动，将剥离用粘接带22贴附在保护带14上。该动作如图9所示持续到剥离用粘接带22贴附成横贯保护带14。当剥离用粘接带22的贴附结束时，暂时停止辊24以及涂刷器26的动作。
当结束步骤51时则进入步骤52进行处理。在步骤52中，如图10所示，使提升销20从载台18上突出，通过提升销20的上表面上推缺口12处的保护带14。此时，形成为长方形的提升销20的上表面与保护带14相接触。图11是表示实施方式1所涉及的提升销20突出前的状态的剖视图。图12是表示实施方式1所涉及的提升销20突出后的状态的剖视图。
当结束步骤52时则进入步骤53进行处理。在步骤53中，在通过提升销上推了保护带14的状态下拉拽剥离用粘接带22，将保护带14从晶片10上剥离。具体地说，将剥离用粘接带22向与贴附了剥离用粘接带的方向相反的方向拉拽。也就是说，将剥离用粘接带22向图10中的左侧方向拉拽。当拉拽剥离用粘接带22时，与剥离用粘接带22密接的保护带14也被拉拽。从而能够将剥离用粘接带22和保护带14一起从晶片10上剥离。
在步骤53中，以被提升销20上推的部分为基点进行保护带14的剥离。最终如图13所示，将所有的保护带14从晶片10上剥离，结束步骤53。实施方式1的保护带剥离方法以及保护带剥离装置如上所述。
在如实施方式1那样保护带14被“内贴”的情况下，仅在缺口12的一部分配置保护带14。即便是在这种情况下，由于提升销20配置到缺口12的里侧，所以也能够增大保护带14与提升销20的接触面积。从而能够可靠地通过提升销20提升缺口12部分的保护带14。除此之外，即便是在晶片10的表面与保护带14的密接性高的情况下，也能够可靠地剥离保护带14。
另外，大多的情况是缺口12是由SEMI标准(SEMI规格)所限定的形状。这种情况是使提升销20的上表面的形状为3mm×1.2cm。也就是说，为了提升销20的宽度为图7中的缺口的最小宽度W2以下而选择3mm作为其宽度。当然，提升销20的宽度也可以在3mm以下。另一方面，提升销20的长度并不限于1.2cm，也可以适当设定。
虽然在实施方式1中是使提升销20从载台18上突出后开始剥离用粘接带20的拉拽，但本发明并不仅限于此，也可以在提升销20突出的同时开始剥离用粘接带22的拉拽。而且，还可以在开始了剥离用粘接带22的拉拽后使提升销20上升。
虽然在实施方式1中提升销20的上表面形状为长方形，但本发明并不仅限于此。提升销20的上表面形状只要是提升销20的上表面能够上推缺口12处的保护带14的形状即可。从而提升销20的上表面形状例如也可以是三角形或圆形。
实施方式2
参照图14至图16对本发明的实施方式2所涉及的保护带剥离方法以及保护带剥离装置进行说明。对于与实施方式1同样的结构因素使用相同的附图标记。以下，以与实施方式1的不同点为中心进行说明。
图14是表示实施方式2所涉及的保护带70与晶片10的位置关系的俯视图。晶片10与实施方式1同样地具有缺口12。保护带70贴附成从晶片10的外缘向外侧伸出。因此，保护带70具有覆盖缺口12的第1部分、以及从晶片10的外缘向外侧伸出的第2部分。保护带70从晶片10的外缘向外侧伸出是为了防止对晶片10端面的物理冲击而产生的破裂或缺损。将保护带10这样贴附在晶片10上称为“外贴”。
图15是表示实施方式2所涉及的提升销72的立体图。提升销72的上表面形状是具有宽幅部74和窄幅部76。窄幅部76为半圆形，其直径R小于3mm。
对实施方式2所涉及的保护带剥离方法进行说明。首先，将外贴了保护带70的晶片10放置在载台18上。图16是表示实施方式2所涉及的提升销72、晶片10以及保护带70的位置关系的附图。如图16中所示，提升销72的窄幅部76与第1部分重合。而且，宽幅部74与第2部分重合。
接着，将剥离用粘接带22贴附在保护带70上。之后，使提升销72从载台18上突出，通过提升销72的上表面上推第1部分以及第2部分。当提升销72突出时，保护带70和提升销72以大面积接触。也就是说，提升销72的上表面上推第1部分和第2部分。更详细地说，窄幅部76上推第1部分，宽幅部74上推第2部分。这样，在通过提升销72上推了保护带70的状态下拉拽剥离用粘接带22，将保护带70从晶片10上剥离。
另外，提升销72的上表面形状只要是具有宽幅部74和窄幅部76即可，没有特别的限制。也就是说，只要是窄幅部76上推保护带70的覆盖缺口12的部分(第1部分)，宽幅部74上推保护带70从晶片10的外缘向外侧伸出的部分(第2部分)，均能够获得本发明的效果。从而即便是例如窄幅部76为长方形地形成也能够获得本发明的效果。除此之外，也能够进行与实施方式1相当的变形。

Claims (6)

1.一种保护带剥离方法，其特征在于，具备下述工序：
将以仅与缺口的一部分重合的方式贴附了保护带的晶片放置在载台上的工序；
将剥离用粘接带贴附在上述保护带上的工序；
使提升销从上述载台上突出，通过上述提升销的上表面上推上述缺口处的上述保护带的工序；以及
在通过上述提升销上推了上述保护带的状态下拉拽上述剥离用粘接带，将上述保护带从上述晶片上剥离的工序；
上述提升销的上表面形状是上述提升销的上表面能够上推上述缺口处的上述保护带的形状。
2.如权利要求1所述的保护带剥离方法，其特征在于，上述提升销的上表面的宽度为上述缺口的最小宽度以下。
3.一种保护带剥离方法，其特征在于，具备下述工序：
将贴附了保护带的晶片放置在载台上的工序，上述保护带具有覆盖上述晶片的缺口的第1部分和从上述晶片的外缘向外侧伸出的第2部分；
将剥离用粘接带贴附在上述保护带上的工序；
使提升销从上述载台上突出，通过上述提升销的上表面上推上述第1部分以及上述第2部分的工序；以及
在通过上述提升销上推了上述保护带的状态下拉拽上述剥离用粘接带，将上述保护带从上述晶片上剥离的工序；
上述提升销的上表面形状是具有窄幅部和宽幅部，上述窄幅部上推上述第1部分，上述宽幅部上推上述第2部分。
4.一种保护带剥离装置，其特征在于，具备：
放置以仅与缺口的一部分重合的方式贴附了保护带的晶片的载台；
将剥离用粘接带贴附在上述保护带上的机构；
剥离上述剥离用粘接带的机构；以及
以能够从上述载台上突出的方式安装在上述载台上的提升销；
上述提升销的上表面形状是上述提升销的上表面能够上推上述缺口处的上述保护带的形状。
5.如权利要求4所述的保护带剥离装置，其特征在于，上述提升销的上表面的宽度为上述缺口的最小宽度以下。
6.一种保护带剥离装置，其特征在于，具备：
放置贴附了保护带的晶片的载台，上述保护带具有覆盖上述晶片的缺口的第1部分和从上述晶片的外缘向外侧伸出的第2部分；
将剥离用粘接带贴附在上述保护带上的机构；
剥离上述剥离用粘接带的机构；以及
以能够从上述载台上突出的方式安装在上述载台上的提升销；
上述提升销的上表面形状是具有窄幅部和宽幅部，上述窄幅部能够上推上述第1部分，上述宽幅部能够上推上述第2部分的形状。
CN201110059688.7A 2010-03-10 2011-03-09 保护带剥离方法以及保护带剥离装置 Expired - Fee Related CN102205687B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-053447 2010-03-10
JP2010053447A JP5381821B2 (ja) 2010-03-10 2010-03-10 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102205687A true CN102205687A (zh) 2011-10-05
CN102205687B CN102205687B (zh) 2014-08-06

Family

ID=44508075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110059688.7A Expired - Fee Related CN102205687B (zh) 2010-03-10 2011-03-09 保护带剥离方法以及保护带剥离装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20110220296A1 (zh)
JP (1) JP5381821B2 (zh)
CN (1) CN102205687B (zh)
DE (1) DE102011004155B4 (zh)
TW (1) TWI431680B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104779192A (zh) * 2014-01-10 2015-07-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法
CN113013080A (zh) * 2021-02-24 2021-06-22 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 揭膜方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6301685B2 (ja) * 2014-03-04 2018-03-28 株式会社ディスコ 保護テープ剥離装置及び保護テープ剥離方法
TWI685905B (zh) * 2017-07-12 2020-02-21 日商新川股份有限公司 接合裝置和接合方法
JP7320932B2 (ja) * 2017-11-10 2023-08-04 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び部品剥離装置
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1391262A (zh) * 2001-06-11 2003-01-15 日东电工株式会社 从半导体晶片上清除无用物质的方法和装置
JP2005094764A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Samsung Electronics Co Ltd 携帯用カメラモジュールの微細異物除去装置及び方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0848415A1 (en) * 1995-08-31 1998-06-17 Nitto Denko Corporation Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer
JPH09115863A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Oki Electric Ind Co Ltd 表面保護テープ貼り付け方法およびその装置
US6202292B1 (en) * 1998-08-26 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Apparatus for removing carrier film from a semiconductor die
JP2003209082A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Nitto Denko Corp 保護テープの貼付方法およびその装置並びに保護テープの剥離方法
JP4316187B2 (ja) * 2002-05-20 2009-08-19 リンテック株式会社 脆質材料の剥離方法及び剥離装置
JP2004128147A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Nitto Denko Corp 半導体ウエハからの保護テープ除去方法およびその装置
JP4538242B2 (ja) * 2004-01-23 2010-09-08 株式会社東芝 剥離装置及び剥離方法
JP4297829B2 (ja) * 2004-04-23 2009-07-15 リンテック株式会社 吸着装置
US7240422B2 (en) * 2004-05-11 2007-07-10 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus for semiconductor chip detachment
KR100983910B1 (ko) 2005-11-04 2010-09-28 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 필름 박리 방법 및 필름 박리 장치
JP4698517B2 (ja) * 2006-04-18 2011-06-08 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置
JP4353975B2 (ja) * 2006-11-29 2009-10-28 日東電工株式会社 粘着シートの貼付・剥離方法及び粘着シートの貼付装置並びに粘着シートの剥離装置
JP2009099865A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Toyota Motor Corp 保護テープの除去装置と除去方法
JP5061324B2 (ja) * 2007-11-13 2012-10-31 株式会社タカトリ ウエハの保護テープの剥離方法及び装置
JP5222756B2 (ja) * 2009-02-24 2013-06-26 リンテック株式会社 剥離装置及び剥離方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1391262A (zh) * 2001-06-11 2003-01-15 日东电工株式会社 从半导体晶片上清除无用物质的方法和装置
JP2005094764A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Samsung Electronics Co Ltd 携帯用カメラモジュールの微細異物除去装置及び方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104779192A (zh) * 2014-01-10 2015-07-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法
CN104779192B (zh) * 2014-01-10 2017-10-27 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于晶片背面减薄研磨制程的晶片缺口处保护胶切割方法
CN113013080A (zh) * 2021-02-24 2021-06-22 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 揭膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011004155B4 (de) 2014-02-13
TWI431680B (zh) 2014-03-21
DE102011004155A1 (de) 2011-09-15
JP2011187827A (ja) 2011-09-22
US20110220296A1 (en) 2011-09-15
CN102205687B (zh) 2014-08-06
US20130098542A1 (en) 2013-04-25
US8778133B2 (en) 2014-07-15
JP5381821B2 (ja) 2014-01-08
TW201135824A (en) 2011-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102205687A (zh) 保护带剥离方法以及保护带剥离装置
KR100766512B1 (ko) 반도체 칩의 박리 방법 및 장치
KR100433781B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
TWI283457B (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR101135903B1 (ko) 박형 다이 분리 및 픽업 장치
US6319754B1 (en) Wafer-dicing process
US8292690B2 (en) Thinned semiconductor wafer and method of thinning a semiconductor wafer
US7303976B2 (en) Wafer bonding method
US7919394B2 (en) Method for thinning substrate and method for manufacturing circuit device
CN106935547B (zh) 一种柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置
US7655539B2 (en) Dice by grind for back surface metallized dies
TW200532786A (en) Wafer transcription method
CN107039481B (zh) 半导体结构的制造方法
JP6233936B2 (ja) ウェハをダイに分割する方法
JP2018515905A (ja) マイクロチップをウェーハーから切り離して該マイクロチップを基板上に装着する方法および装置
JP5222756B2 (ja) 剥離装置及び剥離方法
KR20190013164A (ko) 반도체칩의 제조방법
JP2015008191A (ja) 半導体装置の製造方法
US10622332B1 (en) Substrate separation system and method
JP2003086540A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置
US11348822B2 (en) Support substrate, method for peeling off support substrate, and method for manufacturing semiconductor device
US20080026491A1 (en) Method of wafer segmenting
JP4697014B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置。
KR101572760B1 (ko) 반도체 다이 분리 장치 및 분리 방법
JP5075770B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置およびこれを用いた半導体チップのピックアップ方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140806

Termination date: 20170309

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee