CN1391262A - 从半导体晶片上清除无用物质的方法和装置 - Google Patents

Abstract

按照本发明，一种从半导体晶片上清除无用物质的装置将剥离带T提供给在半导体晶片W的表面上的保护带P。一边缘件28设置成与剥离带T的表面接触并沿保护带P移动。当剥离带T在边缘件28的末端被折回成90度的大角度或更大时被剥离。保护带P从晶片表面随着剥离带T被剥离和清除。结果，高精度地清除无用物质而不损坏晶片W。

Description

从半导体晶片上清除无用物质的方法和装置

技术领域

本发明涉及使用剥离带从半导体晶片(下面简称晶片)的表面上清除无用物质、诸如保护带、保护层等的方法和使用这种方法的装置。

技术背景

通常，在图形形成工艺之后研磨晶片的背面(背后研磨)时，首先在晶片的表面提供一宽的保护带，从晶片的外周边突出的一部分保护带沿着晶片周边被切割掉，然后对晶片进行研磨处理，而它的整个表面被保护带保护，且通过一吸盘被吸力支承在其表面上。然后，从晶片的表面剥离和清除现在已是无用物质的保护带。

使用剥离带的清除方法以剥掉保护带的装置的形式出现，它的外观如图30所示。在该清除方法里，将具有比保护带P更强粘性的剥离带T提供给粘结在晶片W表面的保护带(无用物质)P。剥离带T被卷起，同时剥离辊40在晶片上滚动，并在图30中向右移动，由此，如图30中的虚线所示，保护带P随剥离带T一起被剥离。

这样，剥离带T随剥离辊40的曲率被卷绕。在保护带P从晶片W的表面被剥离的一点处，保护带P相对于晶片表面的剥离角很小，接近于零，而剥离力以几乎垂直于晶片W的方向施加。结果，在晶片W薄弱处，如图31所示，晶片可能在点A处破裂。

此外，如图32所示，具有斜边b(该斜边是通过倾斜切割外周边形成的)的晶片W可能被背后研磨至一大的程度、到达斜边b的水平G处。对于这种薄的晶片W，如图33所示，保护带P的突出端部Pa可能下降并粘附在斜边b上。在这种情况下，在端部开始剥离保护带P可能是困难的。当剥离带T随沿这种状态滚动的剥离辊40卷起时，晶片W很容易破裂。

上述现象、即剥离带被剥离时施加的带子剥离力使晶片破裂也会在剥离带直接提供给晶片的表面、以便用剥离带清除留在晶片表面的保护层(无用物质)时发生。

本发明已经考虑到上述现有技术的情况，其目的是提供一种利用剥离带从晶片上剥离和清除无用物质的清除方法和装置，同时避免因带子剥离力而使晶片破裂。

发明内容

本发明提供一种通过提供剥离带给半导体晶片从半导体晶片上清除无用物质、以及从半导体晶片上与剥离带一起剥离无用物质的方法，其中，一边缘件被设置成与提供给半导体晶片的剥离带表面接触，以及剥离带被剥离，同时以边缘件末端提供的剥离角被折回。

在上述方法中，提供给晶片的剥离带在边缘件末端提供的剥离角处被折回。这样，相对晶片表面的带子剥离角大于使用剥离辊的剥离角。因此，剥离带可在不施加强的剥离力给晶片的情况下被剥离。无用物质随剥离带一起可从即使薄的晶片的表面被剥离和清除，且不损坏晶片。

在按照本发明清除无用物质的方法里，通过边缘件的末端提供给剥离带的剥离角较佳的是一锐角或一钝角。更佳的是，钝角至少是90度，而锐角小于90度。

较佳的是，边缘件末端的高度是稳定的。

即，边缘件末端的高度保持不变。边缘件末端从移动开始到结束保持在一稳定高度。

在按照本发明清除无用物质的方法里，边缘件的末端较佳的是在晶片的端部往复移动通过一小行程。

通过往复移动边缘件剥离剥离带和到达晶片的端部可高效地从晶片上剥离和清除剥离带。

在按照本发明的清除无用物质的方法里，在半导体晶片上的无用物质较佳的是施加在晶片表面的保护带或形成在晶片表面的保护层。

本发明还提供一种从半导体晶片上清除无用物质的装置，该装置包括：一支承半导体晶片的剥离台；一提供剥离带给在剥离台上的半导体晶片的带子服务器；一接纳剥离带并提供该剥离带给半导体晶片的带子敷贴单元；一具有边缘件、以便从半导体晶片上剥离剥离带的带子剥离单元，它从半导体晶片的端部开始，通过以边缘件的末端相对剥离带提供的剥离角使剥离带折回；以及一带子收集器，以便收集从晶片上剥离的、带有无用物质的剥离带。

在上述装置里，操作可在剥离台上通过使用提供大剥离角的边缘件将剥离带连续提供给晶片并剥离剥离带进行。还可使用一系列步骤提供和收集剥离带。这样，可有效地从晶片的表面清除无用物质，因此，许多晶片可连续地处理。

按照本发明清除无用物质的装置较佳的是包括一调节边缘件相对晶片表面角度的装置，或一保持装置，以便防止在从晶片上剥离剥离带的边缘件末端移动超过晶片的终端时边缘件的末端落下。

由于有了调节边缘件角度的装置，带子可以以适当的折回角被剥离。由于有了保持装置，边缘件末端的高度可以保持稳定，这样，边缘件的末端可从移动开始到结束保持一稳定的高度。

在按照本发明的清除无用物质的装置里，带子剥离单元较佳的是包括：一边缘单元，它具有固定在其上的、并可沿带子剥离单元移动方向来回摆动地被支承的一边缘件；一角度调节装置，以便调节边缘件相对晶片表面的角度；以及一保持装置，以便防止边缘件的末端在从晶片上剥离剥离带的边缘件的末端移动超过晶片的终端时落下；角度调节装置具有使边缘单元摆动的部件，以便调节边缘件末端的角度；以及保持装置具有一部件，以便限制随边缘单元的摆动而发生的边缘件末端的垂直移动。

边缘单元被支承成可沿带子剥离单元的移动方向来回摆动。边缘单元可通过角度调节装置摆动，由此可容易地设定或改变边缘件的角度和高度。

保持装置限制边缘件末端随边缘单元摆动发生的垂直移动。这将防止边缘件末端在剥离剥离带的边缘件末端移动超过晶片端部时落下。即，防止剥离带直接粘附在晶片上。

在按照本发明的清除无用物质的装置里，由边缘件末端提供给剥离带的剥离角较佳的是一锐角或一钝角。更佳的是，钝角至少是90度，而锐角小于90度。

在按照本发明的清除无用物质的装置里，保持装置较佳的是包括测微计。

按照本发明的清除无用物质的装置可包括一装置，它使边缘件的末端在晶片的端部往复移动通过一小行程。

剥离剥离带和到达晶片端部的边缘件的末端往复移动通过一小行程。结果，可高效地从晶片上剥离和清除剥离带。

附图的简要说明图1是第一实施例中的整个保护带剥离装置的立体图；图2是第一实施例中的整个保护带剥离装置的前视图；图3是第一实施例中的整个保护带剥离装置的平面图；图4是一带子敷贴单元和一带子剥离单元的前视图；图5是显示用于带子剥离边缘件的支承结构的前视图；图6是显示带子剥离操作的主要部分的立体图；图7是显示带子剥离工艺的前视图；图8是显示带子剥离工艺的前视图；图9是显示带子剥离工艺的前视图；图10是显示带子剥离工艺的前视图；图11是显示带子剥离工艺的前视图；图12是带子剥离工艺的主要部分的放大的前视图；图13是带子剥离工艺的主要部分的放大的前视图；图14是带子剥离工艺的主要部分的放大的前视图；图15是带子剥离工艺的主要部分的放大的前视图；图16是显示第二实施例中的整个保护带剥离装置的立体图；图17是第二实施例中的整个保护带剥离装置的前视图；图18是第二实施例中的整个保护带剥离装置的平面图；图19是一带子敷贴单元和带子剥离单元的前视图；图20是显示用于带子剥离边缘件的支承结构的前视图；图21是显示带子剥离操作的主要部分的立体图；图22是显示带子剥离工艺的前视图；图23是显示带子剥离工艺的前视图；图24是显示带子剥离工艺的前视图；图25是显示带子剥离工艺的前视图；图26是显示带子剥离工艺的前视图；图27是显示第三实施例中的装置的带子剥离单元的主要部分的前视图；图28是显示第三实施例中的装置的带子剥离操作的主要部分的平面图；图29是显示带子剥离操作的主要部分的前视图；图30是通过传统装置进行的带子剥离工艺的主要部分的放大的前视图；

图31是通过传统装置进行的带子剥离工艺的主要部分的放大的前视图；

图32是带有施加在其上的保护带的、成斜角的半导体晶片的一部分的前视图；以及

图33是通过传统装置进行的一工艺的主要部分的放大的前视图，以便在背后研磨加工之后从成斜角的半导体晶片上剥下保护带。

实施本发明的较件方式

下面的结构将被用来解决现有技术中的问题。

(第一实施例)

下面将参考附图描述第一实施例，该实施例是实施本发明的一种形式。图1是显示一整个保护带剥离装置的立体图，它是按照本发明的无用物质清除装置的一个例子。图2是前视图，而图3是其平面图。图4是一带子敷贴单元和一带子剥离单元的前视图。图5是显示用于带子剥离边缘件的支承结构的前视图。图6是显示带子剥离操作的主要部分的立体图。

该晶片保护带清除装置包括：一晶片供应站1，用于接纳其中堆叠的晶片W的一盒子C1；具有机械手2的晶片传送机构3；调节晶片W位置的对齐台4；将剥离带T供应给一剥离位置的带子服务器5；用吸力支承一晶片W的剥离台6；将剥离带T施加在剥离台6上的晶片W的带子敷贴单元7；将施加的剥离带T剥下的带子剥离单元8；捡起和收集被剥下的剥离带Ts的带子收集器9；以及用来接纳盒子C2的晶片收集站10，盒子C2以堆叠方式储存经过处理的晶片10；以及一单元驱动器11，它使带子敷贴单元7和带子剥离单元8互相独立地左右往复运动。这些部件安装在底板12上或上方。晶片供应站1、晶片传送机构3、对齐台4、剥离台6和晶片收集站10安装在底板12的上表面上，而带子服务器5和带子收集器9安装在垂直壁13的前表面上，垂直壁13直立在底板12的上表面上。带子敷贴单元7和带子剥离单元8安装在垂直壁13的下部开口附近，而单元驱动器11安装在垂直壁13的后侧。

晶片供应站1包括一盒子台14，用于接纳盒子C1，而盒子里以水平方式并呈适当垂直间隔堆叠着晶片W，晶片的表面具有面向上的保护带P。汽缸15可使盒子台14转动，以改变它的方向。晶片收集站10也包括一盒子台16，用于支承盒子C2，而盒子C2接纳已被剥去保护带的晶片W，而晶片以水平方式并呈适当垂直间隔地堆叠着。盒子台16在汽缸17的作用下也可转动，以改变它的方向。

传送机构3的机械手2可水平移动和枢转，以便从晶片供应站1拿取各晶片W，将晶片W提供给对齐台4，将对齐台4上的晶片W传送给剥离台6，从剥离台6上卸下各经过处理的晶片W，以及将经过处理的晶片W放入晶片收集站10。

带子服务器5从贮料辊R上拉下剥离带T，并引导它经过剥离台6的上方到带子敷贴单元7和带子剥离单元8。这里使用的剥离带T具有小于晶片W直径的宽度。

如图3所示，剥离台6包括安装在其中心的、可垂直移动的吸力垫18，该垫具有作为真空负压面的上表面。剥离台6具有向上的真空负压面，以支承没有移动的晶片W。

如图4所示，带子敷贴单元7包括一被支承的、可沿着轨道21左右移动的移动框架22。通过电动机M1可逆驱动的进给螺杆23，移动框架22可左右往复移动一个固定的行程。移动框架22具有一敷贴辊25，通过摇臂24它被可垂直移动地支承。

带子剥离单元8也包括一被支承的、可沿着轨道21左右移动的移动框架26。通过电动机M2可逆驱动的进给螺杆27，移动框架26可左右往复移动一个固定的行程。该移动框架26具有一带子剥离边缘件28、一导向辊29、一从动的导出辊30、以及与其相对的一压紧辊31。

如图5和6所示，带子剥离边缘件28是由一板形成的，它在其远端形成一尖锐边缘，并具有大于晶片直径的宽度。边缘件28固定连接在一旋转支承轴32上，而支承轴32由移动框架26的前表面支承并从该前表面突出。边缘件28通过槽口33和螺栓34被连接，并通过相对轴32的延伸和收回可被调节。控制臂35固定在旋转支承轴32的近端。控制臂35具有一自由端，该端可枢转地连接在连杆37上，而连杆37连接在汽缸36的活塞杆36a上，而汽缸36安装在移动框架26的前表面上。活塞杆36a可伸缩，从而使控制臂35摆动，继而使旋转支承轴32转动，最后垂直移动边缘件28。

从控制臂35的自由端延伸出来的连杆37与汽缸36的活塞杆36a螺纹连接。通过调节连杆37的螺纹啮合长度，可对控制臂35的摆动角度进行调节，这个角度是当活塞杆36a延伸至其行程末端时、即边缘件28处于下部极限位置时的角度。

按照本发明的保护带剥离装置的零部件如上所述。下面将参考图7至11介绍从晶片W表面剥去保护带P的基本过程。

首先，机械手2吸力支承一晶片W，将它从在晶片供应站1处的盒子C1里取出，并将晶片W放置在对齐台4上。在此，根据检测的晶片W的定向平面或凹口的方向对晶片W进行位置调节。经过位置调节的晶片W再由机械手2支承和传送，提供给剥离台6。

放置在剥离台6上的晶片W由从剥离台6上突出的吸力垫18接纳。当吸力垫18下降时，晶片W以预定的姿态和位置放置在剥离台6的上表面上，并被吸力支承在其上，而上面施加保护带P的晶片W的表面面向上。此时，如图7所示，带子敷贴单元7和带子剥离单元8保持在向后远离剥离台6的备用位置上。

当晶片W被放置在剥离台6上时，如图8所示，带子敷贴单元7的敷贴辊25下降到一个预定水平。然后，整个单元向前移动，而敷贴辊25在晶片W上滚动，将剥离带T提供给保护带P的表面。

当已提供剥离带T时，如图9所示，带子剥离单元8的汽缸36延伸至行程末端，使控制臂35摆动，从而将边缘件28下降至下部极限位置。

接着，如图10所示，带子剥离单元8向前移动，而边缘件28的尖锐端部将剥离带T压在保护带P的表面上。与此同时，导出辊30以与单元传送剥离带T的移动速度同步的圆周速度转动。这样，剥离带T在边缘件28的尖锐端部处以一角度θ折回，并引导通过导向辊29被导向导出辊30和压紧辊31之间的一个位置。如图6所示，剥离带T带走牢牢地粘结在其上的保护带P，从而从晶片W的表面剥离保护带P。

这样，边缘件28被设定至一向前的低速，当移动经过晶片W的端部时开始从其上剥离保护带P。然后，向前移动速度增加，以便提高工作效率。导出辊30通过一在负载超过预定的转矩时滑动的滑动离合器、由一未画出的驱动装置驱动。这样，剥离带T通过施加在其上的预定的拉力被卸下。

当带子剥离单元8移动经过晶片W并完全从其上剥离保护带P时，如图11所示，机械手2从剥离台6上卸下晶片W，将它插入在晶片收集站10上的盒子C2里。然后，带子敷贴单元7和带子剥离单元8返回到初始备用位置，而已使用过的剥离带Ts被卷起和收集。敷贴辊25和边缘件28也向上返回到各自的备用位置。

由此完成了一个带子剥离过程，而装置准备处理下一块晶片。

下面将参考图12至15描述从一背后研磨成一斜边b(见图32)的薄晶片W上剥离保护带P的过程。

如图12所示，在下部极限位置上的边缘件28的尖锐端部略微在保护带P表面的下面。这样，当处理具有斜边b的薄晶片W、而保护带P的突出端部Pa粘结在斜边上时，接近晶片W端部的边缘件28的尖锐端部也将剥离带T提供给保护带P的突出端部Pa。

这样，当边缘件28向前移动而位于晶片W的端部时，如图14所示，粘结在斜边b上的保护带P的突出端部Pa被可靠地从斜边b上剥离。后来的剥离过程被稳定地执行，如图15所示。

较佳的是，由边缘件28提供的弯折角θ被设定为90度的钝角或更大，更佳的是100度或更大。然而，根据晶片W的附着力或韧性或强度，这个角度可以小于90度(接近90度)。较佳的是，保护带P的韧性越大，带子的弯折角θ越小。这个调节可通过调节连杆37的延伸、从而调节在下部极限位置的边缘件28的角度而实现。由于边缘件28角度的变化而引起的边缘件高度的变化可通过调节边缘件28相对旋转支承轴32的安装位置而得到纠正。

(第二实施例)

下面将参考附图描述第二实施例。

图16是显示整个保护带剥离装置的立体图，它是按照本发明的无用物质清除装置的一个例子。图17是前视图，而图18是其平面图。图19是带子敷贴单元和带子剥离单元的前视图。图20显示用于带子剥离边缘件的支承结构的前视图。图21是显示带子剥离操作的主要部分的立体图。

该实施例不同于第一实施例的地方只在于带子剥离单元8。与第一实施例中的零件相同的零件用相同的标号表示，这里不再介绍。

带子剥离单元8包括一可沿着轨道21左右移动通过一固定行程的移动框架26。移动框架26具有一带子剥离边缘件28、一角度调节辊29、一从动导出辊30和与其相对的压紧辊31。

如图20和21所示，带子剥离边缘件28由一平板形成，它在其远端形成一尖锐边缘，并具有大于晶片直径的宽度。边缘件28固定连接在一旋转支承轴32上，而支承轴32由移动框架26的前表面支承并从其上突出。边缘件28通过槽口33和螺栓34连接，并可调节其相对轴32的伸缩。

控制臂35固定在旋转支承轴32的远端。控制臂35具有一自由端，该自由端可枢转地连接在一连杆37上，而连杆37与安装在移动框架26的前表面上的汽缸36的活塞杆36a连接。活塞杆36a可伸缩，以便使控制臂35摆动，而控制臂35使旋转支承轴32转动，从而垂直移动边缘件28的边缘。

从控制臂35的自由端延伸的连杆37螺纹连接在汽缸36的活塞杆36a上。通过调节连杆37的螺纹啮合长度，可对控制臂35的摆动角度进行调节，这个调节是发生在活塞杆36a延伸至其行程末端时、即边缘件28处于下部极限位置时的角度。

角度调节辊29是一可转动辊，它与螺纹连接在汽缸38的活塞杆38a上的连杆39连接。即，通过调节连杆39的螺纹啮合量可如愿调节角度调节辊29a的位置，从而调节带子弯折角θ。

较佳的是，保护带P的韧性越大或剥离带T的韧性越大，通过角度调节辊29设定的带子弯折角θ越小。

下面将参考图22至26描述从晶片W的表面剥离保护带P的基本过程。给剥离台6提供晶片W的过程与第一实施例相同。这样，这个过程将参照图22所示的、从晶片已放置在剥离台6开始描述。

当晶片W已被放置在剥离台6上时，如图23所示，带子敷贴单元7的敷贴辊25被下降到一预定高度。然后，整个单元向前移动，而敷贴辊25在晶片W上滚动，将剥离带T提供给保护带P的表面。

当提供了剥离带T时，如图24所示，带子剥离单元8的汽缸36伸长至行程末端，使控制臂35摆动，由此使边缘件28下降至下部极限位置。与此同时，汽缸38收缩至行程末端，由此将角度调节辊29设定在一个角度θ。在该实施例里，角度θ是90度或更小的一个锐角。

接着，如图25所示，带子剥离单元8向前移动，而边缘件28的尖锐端部将剥离带T压在保护带P的表面上。与此同时，导出辊30以与传送剥离带T的单元的移动速度同步的圆周速度转动。这样，剥离带T在角度调节辊29处以角度θ折回，并通过调节辊29被导向至导出辊30和压紧辊31之间的一个位置。如图21所示，剥离带T带走固定粘结在其上的保护带，因此从晶片W的表面剥离保护带P。

这样，边缘件28被设定至一向前的低速，当移动经过晶片W的端部时开始从其上剥离保护带P。然后，向前移动速度增加，以便提高工作效率。导出辊30通过一在负载超过预定的转矩时滑动的滑动离合器、由一未画出的驱动装置驱动。这样，剥离带T由施加在其上的预定的拉力被卸下。

当带子剥离单元8移动经过晶片W并完全从其上剥离保护带P时，如图26所示，机械手2从剥离台6上卸下晶片W，将它插入在晶片收集站10上的盒子C2里。然后，带子敷贴单元7和带子剥离单元8返回到初始备用位置，而已使用过的剥离带Ts被卷起和收集。敷贴辊25和边缘件28也向上返回到各自的备用位置。

由此完成了一个带子剥离过程，而装置准备处理下一块晶片。

(第三实施例)

下面将参考附图描述第三实施例。

图27是显示带子剥离单元的主要部分的前视图。图28是带子剥离单元的主要部分的平面图。

本实施例不同于第一实施例的地方只在于带子剥离单元8。与第一实施例中的零件相同的零件用相同的标号表示，这里不再介绍。

如图27所示，带子剥离边缘件28是由一平板制成的，它在其远端形成一尖锐边缘，并具有大于晶片直径的宽度。边缘件28固定在由带子剥离单元8的旋转轴40支承的边缘单元41上。还安装一剥离带传送辊R。

边缘单元41具有一汽缸36的活塞杆36a，活塞杆36a通过连杆37与其各侧连接。随着活塞杆36a的伸缩，边缘单元41在边缘件28的移动方向上向前和向后摆动。结果，边缘件28的边缘垂直移动，从而改变它的角度及其高度。本实施例中的汽缸36、活塞杆36a和连杆37构成本发明的角度调节装置。

脉冲电动机PM的转矩驱动传送给边缘单元41远离汽缸36的一端。边缘单元41具有两个固定在其左右侧的测微计43，而调节杆44可响应脉冲电动机PM的可逆转动而伸缩。

具体地说，如图28所示，两个测微计43接受来自单个脉冲电动机PM的、通过包绕在与齿轮G同轴的皮带轮K上的皮带V的相等转速的转矩驱动。即，脉冲电动机PM的转动直接传送给一个齿轮G，然后传送给一个测微计43。该转动通过皮带V传送给另一齿轮G，然后传送给另一个测微计43。左右测微计43的调节杆44可伸缩相同的距离。

测微计43的调节杆44的末端靠近边缘单元41的框架的两侧。通过活塞杆36a使边缘单元41倾斜至一预定角度。靠近边缘单元41的框架的调节杆44作为止动件防止边缘单元41倾斜超过预定角度、使边缘垂直、特别是向下移动。通过如上所述固定边缘单元41的位置，下面的麻烦就可避免。

在剥离操作时，随着该边缘与剥离带T的表面接触，边缘推压剥离带T。当已到达晶片W的端部的该边缘移动经过该端部时，不固定边缘单元41的位置，该边缘将如图29所示下倾一个相当大的程度，即，通过距离H与晶片W接触。由于这种现象，剥离带T的粘结表面随着保护带P的剥离将再次粘结在晶片W的端部。当剥离单元8在该阶段返回时，晶片W的端部将被向上弯曲，这将导致损坏。

在本实施例里，可避免上述麻烦，这是因为通过调节杆44固定了边缘单元41，防止它垂直移动。

边缘单元41的剥离角度、即边缘的末端位置可根据提供给晶片W的保护带P的厚度和剥离带T的厚度适当改变。调节杆44不需要保持与边缘单元41接触，但可根据两带子的厚度提供一缝隙(间隙)，以便防止剥离带T粘结在晶片W的表面上。测微计43相当于本发明的保持装置。

剥离保护带的操作与上述实施例相同，因此不再介绍。

本发明不限于上述实施例，还可改变如下：

(1)当到达晶片W的端部时，边缘件28可来回往复一预定的小行程。然后，剥离带T可以以增加的可靠性提供给保护带P的端部，从而可有效地进行一基本完整的剥离。当处理具有斜边b的晶片W时，这将特别有效。

(2)将剥离带T在晶片W的端部提供给保护带P可用一CCD摄像机或类似的机器监控。预定的剥离操作可在确定剥离带已经提供给保护带P的端部后开始。

(3)本发明还适用于用粘结带从环形框架支承的晶片W上剥离保护带P的情况。

(4)本发明还适用于直接提供剥离带给晶片的表面、以便将留在晶片表面上的无用保护层(无用物质)清除掉的情况。

(5)在第三实施例中稳定边缘件28的边缘高度的保持装置不限于测微计43。该装置可以具有任何其它的结构，以便在从晶片W上剥离剥离带T的一系列操作过程中防止剥离带T直接粘结在晶片W上。

(6)第三实施例中的带子剥离单元8通过使边缘单元41摆动调节边缘件28的边缘的高度和角度。这种结构不是限定的。例如，只有边缘件28可单独调节，以便改变角度。

工业应用

如上所述，按照本发明的、从半导体晶片上清除无用物质的装置通过使用剥离带从晶片上剥离和清除无用物质，从而晶片不会因带子的剥离力而被断裂或损坏。

Claims (19)

1.一种通过提供剥离带给半导体晶片、从半导体晶片上清除无用物质、以及从半导体晶片上与剥离带一起剥离无用物质的方法，其特征在于，一边缘件被设置成与提供给半导体晶片的剥离带表面接触，以及剥离带被剥离，同时以边缘件末端提供的剥离角被折回。

2.如权利要求1所述的清除无用物质的方法，其特征在于，通过所述边缘件的末端提供给剥离带的剥离角较佳的是一锐角。

3.如权利要求2所述的清除无用物质的方法，其特征在于，在边缘件末端的带子折回角至少是90度。

4.如权利要求1所述的清除无用物质的方法，其特征在于，通过所述边缘件的末端提供给剥离带的剥离角较佳的是一钝角。

5.如权利要求4所述的清除无用物质的方法，其特征在于，在边缘件末端的带子折回角小于90度。

6.如权利要求1所述的清除无用物质的方法，其特征在于，所述边缘件末端的高度是稳定的。

7.如权利要求1所述的清除无用物质的方法，其特征在于，所述边缘件的末端在晶片的端部往复移动通过一小行程。

8.如权利要求1所述的清除无用物质的方法，其特征在于，在半导体晶片上的无用物质是施加在晶片表面的保护带。

9.如权利要求1所述的清除无用物质的方法，其特征在于，在半导体晶片上的无用物质是形成在半导体晶片表面上的保护层。

10.一种从半导体晶片上清除无用物质的装置，包括：

一支承半导体晶片的剥离台；

一提供剥离带给在剥离台上的半导体晶片的带子服务器；

一接纳剥离带并提供该剥离带给半导体晶片的带子敷贴单元；

一具有边缘件、以便从半导体晶片上剥离剥离带的带子剥离单元，它从半导体晶片的端部开始，通过边缘件的末端对剥离带提供的剥离角使剥离带折回；以及

一带子收集器，以便收集从晶片上剥离的、带有无用物质的剥离带。

11.如权利要求10所述的清除无用物质的装置，其特征在于，所述带子剥离单元具有一调节所述边缘件相对晶片表面的角度的装置。

12.如权利要求10所述的清除无用物质的装置，其特征在于，所述带子剥离单元具有一保持装置，以便防止在从晶片上剥离剥离带的边缘件末端移动超过晶片的终端时边缘件的末端落下。

13.如权利要求10所述的清除无用物质的装置，其特征在于，所述带子剥离单元包括：

一边缘单元，它具有固定在其上的、并可沿带子剥离单元移动方向来回摆动地被支承的一边缘件；

一角度调节装置，以便调节所述边缘件相对晶片表面的角度；以及

一保持装置，以便防止边缘件的末端在从晶片上剥离剥离带的边缘件的末端移动超过晶片的终端时落下；

所述角度调节装置具有使所述边缘单元摆动的部件，以便调节边缘件末端的角度；以及

所述保持装置具有一部件，以便限制随所述边缘单元的摆动而发生的边缘件末端的垂直移动。

14.如权利要求10所述的清除无用物质的装置，其特征在于，由所述边缘件末端提供给剥离带的剥离角是一锐角。

15.如权利要求14所述的清除无用物质的装置，其特征在于，在边缘件末端处的带子折回角至少是90度。

16.如权利要求10所述的清除无用物质的装置，其特征在于，由所述边缘件末端提供给剥离带的剥离角是一钝角。

17.如权利要求16所述的清除无用物质的装置，其特征在于，在边缘件末端处的带子折回角小于90度。

18.如权利要求13所述的清除无用物质的装置，其特征在于，所述保持装置包括测微计。

19.如权利要求10所述的清除无用物质的装置，其特征在于，还提供一装置，它使所述边缘件的末端在晶片的端部往复移动通过一小行程。

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