CN102201507A - 发光器件 - Google Patents

发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102201507A
CN102201507A CN2011100797706A CN201110079770A CN102201507A CN 102201507 A CN102201507 A CN 102201507A CN 2011100797706 A CN2011100797706 A CN 2011100797706A CN 201110079770 A CN201110079770 A CN 201110079770A CN 102201507 A CN102201507 A CN 102201507A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
luminescent device
semiconductor layer
reflector
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100797706A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102201507B (zh
Inventor
秋圣镐
金省均
范熙荣
林祐湜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN102201507A publication Critical patent/CN102201507A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102201507B publication Critical patent/CN102201507B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种发光器件，所述发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；在第二半导体层上的透光电极层；以及在透光电极层上的第一反射层，其中第一反射层包括具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层。基于此构造，能够保护发光器件并且提高其发光效率。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2010年3月25日提交的韩国专利申请No.10-2010-0026930的优先权，其全部其内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换为光的器件。LED现在被应用于诸如家用电器、遥控器、电子板、显示器、各种自动装置等等的装置并且它们的应用范围逐渐扩大。
通常，以表面安装器件型制造小型化的LED使得它能够直接地安装在印制电路板(PCB)上。因此，也以表面安装器件开发用作显示装置的LED灯。这样的表面安装器件可以替代传统的灯并且用作照明显示、字符显示、图像显示等等。
随着LED的应用范围扩大，日常使用中的灯和建筑物信号的灯要求的亮度增加。因此，重要的是，增加LED的发光效率。
发明内容
因此，鉴于上述问题已经提出本实施例，并且本实施例提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。
根据本实施例的一个方面，通过提供发光器件能够完成上述和其它的实施例，该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括在衬底上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；在第二半导体层上的透光电极层；以及在透光电极层上的第一反射层，其中所述第一反射层包括具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层。
而且，第一层可以具有比第二层低的折射率。
而且，第一层可以具有1.4至1.6的折射率。
而且，第一层和第二层中的至少一个可以包括SiO2、Al2O3以及TiO2中的至少一个。
而且，第一层和第二层可以被重复地交替层压。
而且，第一层和第二层可以具有2□至10um的厚度。
而且，所述器件可以进一步包括：在第一半导体层的部分暴露的顶部上的第一电极焊盘；和在第二半导体层上的第二电极焊盘，其中所述第一反射层处于透光电极层的顶部和第一半导体层的暴露的顶部上。
而且，第一反射层可以沿着有源层和第二半导体层的侧面从透光电极层的顶部延伸到第一半导体层的顶部。
而且，所述器件可以进一步包括：在第二半导体层上的第二反射层，使得第二反射层至少部分地垂直地重叠第二电极焊盘，其中所述第二反射层包括具有第三折射率的第三层和具有不同于第三折射率的第四折射率的第四层。
而且，所述器件可以进一步包括：开口，该开口被设置在透光电极层的区域中，其中所述第二电极焊盘位于开口上并且第二反射层接触第二电极焊盘和第二半导体层。
而且，第三层可以具有比第四层低的折射率。
而且，第三层可以具有1.4至1.6的折射率。
而且，第三层和第四层中的至少一个可以包括SiO2、Al2O3以及TiO2中的至少一个。
而且，第三层和第四层可以重复交替层压。
而且，第三层和第四层可以具有2□至10um的厚度。
而且，第二反射层的宽度可以比第二电极焊盘的宽度大。
而且，所述器件可以进一步包括：在衬底上的缓冲层。
而且，所述器件可以进一步包括：在第一反射层的外表面上的冲击缓冲层。
附图说明
本实施例的以上和其它特征以及其它的优点涉及一种发光器件，结合附图根据以下详细描述将会更加清楚地理解发光器件，其中：
图1A是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；
图1B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；
图1C是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；
图1D是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；
图2A是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；
图2B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；
图2C是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；
图3是示出图1A中所示的发光器件的A区域的部分放大图；
图4是示出其中发光器件被倒装芯片结合到封装基板的状态的视图；
图5A是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的透视图；
图5B是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；
图5C是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；
图6A是示出包括发光器件封装的照明装置的截面图；
图6B是示出包括发光器件封装的照明装置的截面图；
图7是示出包括根据实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图；以及
图8是示出根据实施例的包括发光器件的液晶显示器的分解透视图。
具体实施方式
现在将会详细地参考本发明的实施例，在附图中示出其示例。在可能的地方，在附图中将会使用相同的附图标记来表示相同或者类似的部件。
在实施例的描述之前，将会理解的是，当诸如层(膜)、区域、图案或者结构的元件被称为是在诸如衬底、层(膜)、区域、焊盘、或者图案的另一元件“上”或者“下”时，它能够直接地在另一元件“上”或者“下”或者在其间被间接地形成有中间元件。此外，将会基于附图中的图示描述每层的“上”或者“下”。
在附图中，为了描述的清楚和方便起见，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或者示意性地示出。因此，各元件的尺寸没有完全地反映其实际尺寸。
在下文中，本实施例涉及发光器件，将会参考附图更加详细地描述发光器件。
图1A是示出根据一个实施例的发光器件的横截面的截面图。图1B是示出根据一个实施例的发光器件的横截面的截面图。
首先，参考图1A，发光器件100包括衬底110、在衬底110上并且包括第一半导体层120、有源层130以及第二半导体层140的发光结构115、发光结构115上的透光电极层150以及在透光电极层150上的第一反射层161。
衬底110可以由诸如蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP以及GaAs的透光材料构成。在制造发光器件100之后，通过诸如倒装芯片结合的工艺可以将衬底110替换为具有优异的导热性的硅树脂材料。
同时，构图衬底(PSS)结构可以被设置在衬底110上以提高光提取效率。在此提及的衬底110可以具有或者可以不具有PSS结构。
同时，尽管未示出，缓冲层(未示出)可以处于衬底110上以防止衬底110和第一半导体层120之间的晶格错配并且有利于半导体层的生长。
缓冲层(未示出)可以具有AlInN/GaN的层压结构、InxGa1-xN/GaN层压结构或者包括AlN和GaN的AlxInyGa1-x-yN/InxGa1-xN/GaN层压结构。
发光结构115处于衬底110上并且发光结构115可以包括第一半导体层120、有源层130以及第二半导体层140。
第一半导体层120可以位于衬底110上。第一半导体层120可以是n型半导体层。例如，可以从具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的诸如GaN、A1N、A1GaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN的半导体材料中选择n型半导体层，并且n型半导体层被掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se以及Te的n型掺杂物。
有源层130处于第一半导体层120上。使用由III-V族元素组成的化合物半导体材料可以以单或者多量子阱结构、量子线结构、量子点结构等等形成有源层130。
在有源层130具有量子阱结构的情况下，例如，它可以具有包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的阱层和具有InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的组成式的势垒层的单或者多量子阱结构。阱层可以是由具有小于势垒层的带隙的带隙的材料形成。
导电包覆层(未示出)可以被布置在有源层130上/或下面。导电包覆层(未示出)可以由AlGaN基半导体形成，并且可以具有大于有源层130的带隙。
第二半导体层140可以位于有源层130上。第二半导体层140可以被实现为被掺杂有p型掺杂物的p型半导体层。可以从具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN的半导体材料中选择p型半导体层并且p型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的p型掺杂物。
通过诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)以及氢化物气相外延(HVPE)的方法可以形成第一半导体层120、有源层130以及第二半导体层140，并且不限于此。
另外，第一半导体层120和第二半导体层140中的导电掺杂物的浓度可以是均匀的或者不均匀的。即，多个半导体层的结构可以变化并且不限于此。
同时，发光结构115可以包括被布置在第一半导体层120下面具有与第一半导体层120的极性相反的极性的第三半导体层(未示出)。另外，第一半导体层120可以被实现为p型半导体层并且第二半导体层140可以被实现为n型半导体层。因此，发光结构层115可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的至少一个，并且不限于此。
有源层130和第二半导体层140被部分地移除以暴露第一半导体层120的一部分，并且第一电极焊盘122可以位于暴露的第一半导体层120上。
同时，通过预定的蚀刻方法可以执行第一半导体层120的部分暴露，但是不限于此。同时，蚀刻方法可以是湿法或者干法蚀刻方法。
另外，第二电极焊盘142和透光电极层150可以处于第二半导体层140上。
如图1A中所示，第二电极焊盘142可以形成在透光电极层150上或者，如图1B中所示，通过移除透光电极层150的一部分以形成开口152来形成第二电极焊盘142，使得第二电极焊盘142接触第二半导体层140，并且不限于此。
同时，第一和第二电极焊盘122和142可以包括导电材料，例如，从In、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu以及WTi选择的金属，或者其合金，并且可以具有单或者多层结构，并且不限于此。
透光电极层150可以包括ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个并且处于第二半导体层140上以防止电流集边。
同时，在一个实施例中，第一反射层161可以位于透光电极层150上。
如图1A和图1B中所示，第一反射层161可以形成在除了第二电极焊盘142之外的透光电极层150的整个区域中，或者如图1C中所示，第一反射层161可以形成在除了其中存在第一和第二电极焊盘122和142的区域之外的设置在第一半导体层120和第二半导体层140上的区域中。
特别地，参考图1D，第一反射层161可以沿着被部分地移除以暴露第一半导体层120的一部分的有源层130和第二半导体层140的侧面从透光电极层150的顶部延伸到第一半导体层120的顶部。
如下面所述，第一反射层161具有高光反射率。为此，当第一反射层161形成在发光结构115的外侧时，在实施例的发光器件100被用作倒装芯片的情况下，能够提高发光效率。
另外，第一反射层161用于针对外部损坏保护透光电极层150或者第一半导体层120。
同时，冲击缓冲层(未示出)可以进一步形成在第一反射层161的外表面上。当发光器件被安装在封装上时形成在第一反射层161的外表面上的冲击缓冲层(未示出)防止冲击的产生。另外，冲击缓冲层可以由具有优异的导热性的材料制成并且因此用作散热器。
图2A至图2C是示出根据一个实施例的发光器件的截面图。
参考图2A至图2C，根据实施例的发光器件100可以包括第二反射层162。
参考图2A至图2C，第二反射层162可以位于第二半导体层140上，并且第二反射层162可以至少部分地垂直地重叠第二电极焊盘142。如图2B中所示，在第二电极焊盘142形成在透光电极层150上的情况下，以及在开口152形成在透光电极层150中并且形成第二电极焊盘142的情况下，这是相同的。另外，如图2C中所示，第二反射层162是形成在透光电极层150中的单层使得它没有接触第二半导体层140和第二电极焊盘142，并且不限于此。
优选地，第二反射层162可以具有比第二电极焊盘142大的宽度。
垂直地重叠第二电极焊盘142的第二反射层162具有比组成第二电极焊盘142的金属高的光反射率，从而最小化通过第二电极焊盘142的光吸收和光损耗并且因此提高发光器件100的光提取效率。
同时，在开口152形成在透光电极层150中并且第二电极焊盘142形成在开口152中的情况下，第二反射层162可以形成为其接触第二电极焊盘142。
第二反射层162可以接触第二电极焊盘142和第二半导体层140以防止电流从第二电极焊盘142直接传输到第二半导体层140并且从而使能透光电极层150中的电流的宽扩散。
同时，将会参考图3更加详细地描述第一反射层161或者第二反射层162的结构。
图3是示出图1A至图2B中所示的发光器件的A区域的部分放大图。
参考图3，第一反射层161可以是包括多个不同层的分布布拉格反射镜(DBR)层。
第一反射层161可以包括具有第一折射率的第一层163和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层164。在附图中描述第一和第二层163和164，但是不限于此。第一反射层161可以包括具有不同的折射率的多个层(未示出)。
即，第一反射层161可以具有其中交替层压具有不同的折射率的层163和164的结构。在示例中，第一层163可以具有低折射率并且第二层164可以具有高折射率，但是本发明不限于此。
优选地，第一反射层161可以包括2至31个层。
同时，假定λ是从有源层130产生的光的波长，n是介质的折射率并且m是奇数，第一DBR层161可以具有可以通过下述方式获得的半导体层压结构，即重复交替层压具有mλ/4n的厚度和低折射率的第一层163和具有高折射率的第二层164以获得特定波长区域(λ)中的95％或者更高的光反射率。
因此，具有低折射率的第一层163和具有高折射率的第二层164可以具有基准波长的λ/4的厚度，并且层163和164可以具有2□至10um的厚度。
另外，组成第一反射层161的层163和164可以包括Al2O3、SiO2、TiO2、TiNx、InOX、SiNX、TaXOy(x，y：常数)，或者包括MXOY(M：金属，O：氧化物，x，y：常数)，但是本发明不限于此。
在示例中，具有低折射率的第一层163可以利用具有1.4的折射率的SiO2和具有1.6的折射率的Al2O3，具有高折射率的第二层164可以利用具有2或者较高的折射率的TiO2，并且本发明不限于此。
同时，为了增加反射率而增加具有低折射率的第一层163和具有高折射率的第二层164之间的介质的折射率，但是本发明不限于此。
第一反射层161具有比振荡波长的带隙大的带隙并且因此不吸收光并且可以实现高的光反射率。
同时，图1A和图2中所示的第二反射层162可以具有与上述第一反射层161相同的结构。即，第二反射层162包括具有第三折射率的第三层(未示出)和具有不同于第三折射率的第四折射率的第四层(未示出)，第三层(未示出)和第四层(未示出)交替重复层压，并且第三层(未示出)和第四层(未示出)可以具有2□至10um的厚度。
即，第三层(未示出)和第四层(未示出)可以与第一层163或者第二层164相同。
因此，如图1A和图2中所示，第一反射层161和第二反射层162对应于第二电极焊盘142和发光器件100的外表面以提高发光器件100的发光效率。
图4是示出其中发光器件被倒装芯片结合的状态的视图。
参考图4，发光器件400可以被倒装芯片结合到封装主体490。
在倒装芯片结合期间，发光器件400旋转180°并且因此被安装在封装主体490上。在图4中，发光器件400的顶部和底部被颠倒。
发光器件400包括：衬底410，该衬底410由蓝宝石(Al2O3)构成；在衬底410上并且包括第一半导体层420、有源层430以及第二半导体层440的发光结构415；透光电极层450；以及第一反射层460。有源层430和第二半导体层440被部分地移除以暴露第一半导体层420的一部分并且第一电极焊盘422可以位于暴露的第一半导体层420上。另外，第二电极焊盘442位于第二半导体层450上。
同时，如图4中所示，第一反射层460可以形成在透光电极层450上的没有形成第二电极焊盘442的区域中；在部分地暴露的第一半导体层420下面的没有形成第一电极焊盘422的区域中；以及从其部分地移除有源层430和第二半导体层440暴露的侧面上。
另外，第二反射层462可以被布置在第二电极焊盘442和第二半导体层440上。
同时，第一反射层460和第二反射层462可以是分布布拉格反射镜(DBR)层，其中交替重复层压具有低折射率的层和具有高折射率的层。
第一和第二反射层460和462用作保护层以保护透光电极层450或者第一半导体层420，并且防止第二电极焊盘442中的光的吸收并且将光导向衬底410，从而提高发光器件400的效率。
即，如图4中所示，通过第一和第二反射层460和462反射从有源层430产生的光并且将该光朝着衬底410整体导向。衬底410具有比第一半导体层420高的折射率并且第一半导体层420具有比有源层430高的折射率。为此，根据斯涅尔定律，光从具有低折射率的介质导向到具有高折射率的介质，在介质之间的边界处不出现全反射。结果，能够提高光提取效率。
同时，导电图案492和494位于封装主体490上，导电图案492和494通过焊料构件494和496电连接到发光器件的第二电极焊盘442和第一电极焊盘422。
同时，在制造倒装芯片封装的工艺中，可能出现冲击。为了防止冲击，冲击缓冲层(未示出)可以进一步形成在第一反射层460的外表面上。冲击缓冲层(未示出)可以由钨(W)或者其合金组成。另外，由于钨(W)或者其合金具有优异的导热性，因此冲击缓冲层(未示出)可以用作散热器。
图5A至图5C是示出根据一个实施例的发光器件封装的透视图和截面图。
参考图5A至图5C，发光器件封装500包括主体510，该主体510包括腔体520；第一和第二引线框架540和550，该第一和第二引线框架540和550被安装在主体510上；发光器件530，该发光器件530电连接到第一和第二引线框架540和550；以及密封剂(未示出)，该密封剂填充腔体520以覆盖发光器件530。
主体510可以由从诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺(PA9T)、间规聚笨乙烯(SPS)、金属材料、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍(BeO)以及印制电路板(PCB)中选择的至少一个构成。可以通过诸如注入成型和蚀刻的工艺形成主体510，并且不限于此。
主体510的内表面可以包括倾斜表面。从发光器件530发射的光的反射角可以取决于倾斜表面的角而变化。因此，能够控制放出到外部的光的取向角。
随着光的取向角减少，从发光器件530发射到外部的光的会聚性增加。另一方面，随着光的取向角增加，从发光器件530到外部的光的会聚性减少。
同时，从顶部看时，被设置在主体510中的腔体520可以具有包括圆形、矩形、多边形、椭圆形以及具有曲线角的形状的各种形状，但是本发明不限于此。
发光器件530可以以倒装芯片的方式电连接到第一和第二引线框架540和550。
同时，根据实施例的发光器件530包括反射层(未示出)以提高发光效率。
腔体520被填充有密封剂(未示出)使得密封剂覆盖发光器件530。
密封剂(未示出)可以由硅、环氧或者其它树脂材料构成并且可以通过使用密封剂填充腔体520，随后通过UV或者热固化来形成。
另外，密封剂(未示出)可以包括荧光体，并且取决于从发光器件530发射的光的波长来选择荧光体以允许发光器件封装呈现白光。
取决于从发光器件530发射的光的波长，荧光体可以是蓝色发光荧光体、蓝绿色发光荧光体、绿色发光荧光体、黄绿色发光荧光体、黄色发光荧光体、黄红色发光荧光体、橙色发光荧光体、以及红色发光荧光体中的至少一个。
即，通过从发光器件530发射的第一光激励荧光体以产生第二光。例如，在发光器件530是蓝色发光二极管并且荧光体是黄色荧光体的情况下，通过蓝光激励黄色荧光体以发射黄光，从蓝色发光二极管发射的蓝光与通过蓝光激励并且因此产生的黄光混合，以允许发光器件封装500呈现白光。
类似地，在发光器件530是蓝色发光二极管的情况下，可以以洋红色荧光体或者蓝色和红色荧光体的组合作为示例，并且在发光器件530是红色发光二极管的情况下，可以以青色荧光体或者蓝色和绿色荧光体的组合作为示例。
这样的荧光体可以是诸如YAG、TAG、硫化物、硅酸盐、铝酸盐、氮化物、碳化物、氮化硅酸盐、硼酸盐、氟化物以及磷酸盐的已知的荧光体。
第一和第二引线框架540和550可以包括从钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)、铁(Fe)以及其合金中选择的金属材料。另外，第一和第二引线框架540和550可以具有单层或者多层结构，但是本发明不限于此。
第一和第二引线框架540和550被相互隔开并且被电气地分离。发光器件530被安装在第一和第二引线框架540和550上，并且第一和第二引线框架540和550直接地接触发光器件530，或者通过诸如焊料构件(未示出)的导电材料电连接至发光器件530。另外，发光器件530可以通过引线键合电连接到第一和第二引线框架540和550，但是本发明不限于此。因此，当电源被连接到第一和第二引线框架540和550时，电力可以被提供到发光器件530。同时，多个引线框架(未示出)可以被安装在主体510中并且各引线框架(未示出)电连接到发光器件530，但是本发明不限于此。
同时，参考图5C，根据实施例的发光器件封装500可以包括光学片580并且光学片580可以包括基底582和棱镜图案584。
基底582是形成棱镜图案584的支撑件，其是由表现优异的热稳定性的透明材料构成的。例如，可以从由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯以及环氧丙浣组成的组中选择此透明材料，但是不限于此。
另外，基底582可以包括荧光体(未示出)。例如，通过在组成基底582的材料中各向同性地分散荧光体(未示出)，然后进行固化可以形成基底582。当根据此方法形成基底582时，能够通过基底582各向同性地分散荧光体(未示出)。
同时，折射并且集中光的棱镜图案584以被布置在基底582上。用于棱镜图案584的材料可以是丙烯酸树脂，并且不限于此。
棱镜图案584包括被布置在基底582的一个表面上的一个方向上的多个线性棱镜使得线性棱镜相互平行并且沿着轴向方向截取的线性棱镜的截面可以采取三角形的形状。
棱镜图案584能够集中光。为此，当光学片580粘附到图5的发光器件封装500时，能够提高光的直线性并且因此能够增强发光器件封装500的亮度。
同时，棱镜图案584可以包括荧光体(未示出)。
通过在分散的状态下将荧光体与形成棱镜图案584的丙烯酸树脂混合以产生糊或者浆并且然后形成棱镜图案584，可以使得荧光体(未示出)均匀地存在于棱镜图案584中。
在荧光体(未示出)存在于棱镜图案584中的情况下，提高了发光器件封装500的光均匀性和分布水平并且因此由于通过荧光体(未示出)的光的分散和通过棱镜图案584的光的集中效果使得能够改进发光器件封装500的取向角。
多个根据一个实施例的发光器件封装500被布置在基板上并且诸如导光板、棱镜片以及扩散片的光学构件可以被布置在发光器件封装500的光通路上。发光器件封装、基板以及光学构件可以用作照明单元。在另一实施例中，可以实现包括在前述实施例中已经公开的发光器件或者发光器件封装的显示装置、指示装置以及照明装置。例如，照明装置可以包括灯、街灯等等。
图6A是示出包括根据一个实施例的发光器件封装的照明装置的透视图。图6B是示出沿着图6A的线C-C’截取的横截面的截面图。
参考图6A和图6B，发光器件600可以包括主体610、被连接到主体610的盖630以及被布置在主体610的两端处的端帽650。
发光器件模块640被连接到主体610的底部并且主体610可以由表现优异的导电性和散热效果的金属材料构成以将从发光器件封装644产生的热通过主体610的顶部放出到外部。
具有多种颜色的发光器件封装644以多行安装在PCB 642上以组成阵列，并且可以根据需要相互隔开预定的距离或者不同的距离，以控制亮度。PCB 642可以是金属核PCB(MPPCB)或者由FR4制成的PCB。
特别地，发光器件封装644包括发光器件(未示出)，并且发光器件(未示出)包括反射层(未示出)以提高光提取效率并且因此提高发光器件封装和照明装置的发光效率。
发光器件封装644包括扩展的引线框架(未示出)以提高热辐射并且因此增强发光器件封装644的可靠性和效率，并且延长发光器件封装644和包括发光器件封装644的照明装置600的寿命。
盖630可以采用圆形的形状以围绕主体610的底部，并且不限于此。
盖630针对异物保护发光器件模块640。另外，盖630防止从发光器件封装644产生眩光并且包括扩散颗粒以将光均匀地放出到外部。另外，棱镜图案等等可以形成在盖630的内表面和外表面中的至少一个上。替代地，荧光体可以被应用于盖630的内表面和外表面中的至少一个上。
同时，为了将从发光器件封装644产生的光通过盖630放出到外部，盖630应具有优异的光透射率，并且为了耐受发光器件封装644散发的热，盖630应具有足够的耐热性。优选地，盖630由包括聚对苯二甲酸乙二(PET)、聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等等的材料构成。
端帽650处于在主体610的两端并且可以用于密封电源装置(未示出)。另外，端帽650可以包括电源引脚652，允许照明装置600被应用于从其已经移除荧光灯的传统的端子，并且没有使用任何额外的装置。
图7是示出包括根据一个实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图。
图7示出边缘光型液晶显示装置700，该边缘光型液晶显示装置700包括液晶显示面板710和背光单元770以将光提供到液晶显示面板710。
液晶显示面板710使用从背光单元770提供的光来显示图像。液晶显示面板710包括滤色基板712和薄膜晶体管基板714，所述滤色基板712和薄膜晶体管基板714彼此面对从而液晶被插入其间。
滤色基板712能够实现要通过液晶显示面板710显示的图像的颜色。
薄膜晶体管714通过驱动膜717电连接到其上安装多个电路组件的印制电路板718。薄膜晶体管基板714响应于从印制电路板718提供的驱动信号并且可以将驱动电压从印制电路板718施加给液晶。
薄膜晶体管基板714包括在由诸如玻璃或者塑料的透明材料构成的其它基板上形成作为薄膜的像素电极和薄膜晶体管。
背光单元770包括发光器件模块720；导光板730，该导光板730将从发光器件模块720发射的光转换为表面光源并且将光提供到液晶显示面板710；多个膜750、766以及764，其使来自于导光板730的光的亮度均匀化并且改进垂直入射；以及反射片740，该反射片740将发射到导光板730的背面的光反射到导光板730。
发光器件模块720包括多个发光器件封装724和在其上安装发光器件封装724以形成阵列的PCB 722。
特别地，每个发光器件封装724包括发光器件(未示出)，并且发光器件(未示出)包括反射层以提高光提取效率，并且从而提高发光器件724和背光单元770的发光效率。
同时，背光单元770包括扩散膜766，该扩散膜766扩散从导光板730朝着液晶显示面板710入射的光；棱镜膜750，该棱镜膜750集中扩散的光并且因此改进垂直入射；以及保护膜764，该保护膜764保护棱镜膜750。
图8是示出包括根据一个实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图。没有详细地描述在图7中示出并且描述的内容。
图8示出直接型液晶显示装置800，该直接型液晶显示装置800包括液晶显示面板810和将光提供到液晶显示面板810的背光单元870。
在图7中描述了液晶显示面板810并且其详细的解释被省略。
背光单元870包括多个发光器件模块823；反射片824；下底座830，其中容纳发光器件模块823和反射片824；扩散板840，该扩散板840处于发光器件模块823上；以及多个光学膜860。
发光器件模块823包括多个发光器件封装和其上安装发光器件封装822以形成阵列的PCB 821。
特别地，每个发光器件封装822包括发光器件(未示出)，并且发光器件(未示出)包括反射层(未示出)以提高光提取效率，从而提高发光器件封装822和背光单元870的发光效率。
反射片824朝着液晶显示面板810反射从发光器件封装822产生的光以提高发光效率。
同时，从发光器件模块823发射的光入射到扩散板840并且光学膜860位于扩散板840上。光学膜860包括扩散膜866、棱镜膜850以及保护膜864。
在上述实施例中示出的特征、结构以及效果可以被包括在本发明的至少一个实施例中但是其不限于一个实施例。此外，本领域的技术人员将会理解的是，在各实施例中示出的特征、结构以及效果的各种组合和修改都是可能的。因此，将会理解的是，本发明的范围覆盖这些组合和修改。
尽管为示例性目的已经公开本发明的实施例，但是本领域的技术人员将会理解的是，在不脱离如随附的权利要求中公开的本发明的范围和精神的情况下，各种修改、添加以及替代是可能的。例如，可以修改在实施例中详细地描述的各要素。此外，将会理解的是，在随附的权利要求中定义的本发明的范围覆盖与这些修改、添加和替代有关的不同之处。

Claims (10)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；
在所述第二半导体层上的透光电极层；以及
在所述透光电极层上的第一反射层，
其中所述第一反射层包括具有第一折射率的第一层和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二层。
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层具有1.4至1.6的折射率。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层和第二层中的至少一个包括SiO2、Al2O3以及TiO2中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层和第二层重复交替层压。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层和第二层具有2□至10um的厚度。
6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：
在所述第一半导体层的部分地暴露的顶部上的第一电极焊盘；和
在所述第二半导体层上的第二电极焊盘，
其中所述第一反射层位于所述透光电极层的顶部和所述第一半导体层的暴露的顶部上。
7.根据权利要求6所述的器件，其中所述第一反射层沿着所述有源层和所述第二半导体层的侧面从所述透光电极层的顶部延伸到所述第一半导体层的顶部。
8.根据权利要求6所述的器件，进一步包括：
第二反射层，
其中所述第二反射层至少部分地垂直地重叠所述第二电极焊盘并且包括具有第三折射率的第三层和具有不同于所述第三折射率的第四折射率的第四层。
9.根据权利要求8所述的器件，进一步包括：
开口，所述开口被设置在所述透光电极层的区域中，
其中所述第二电极焊盘处于所述开口上，并且所述第二反射层接触所述第二电极焊盘和所述第二半导体层。
10.根据权利要求8所述的器件，其中所述第二反射层的宽度比所述第二电极焊盘的宽度大。
CN201110079770.6A 2010-03-25 2011-03-25 发光器件 Active CN102201507B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100026930A KR101666442B1 (ko) 2010-03-25 2010-03-25 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR10-2010-0026930 2010-03-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102201507A true CN102201507A (zh) 2011-09-28
CN102201507B CN102201507B (zh) 2014-07-30

Family

ID=44262985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110079770.6A Active CN102201507B (zh) 2010-03-25 2011-03-25 发光器件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8357949B2 (zh)
EP (1) EP2369648B1 (zh)
KR (1) KR101666442B1 (zh)
CN (1) CN102201507B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103346227A (zh) * 2013-07-03 2013-10-09 河北工业大学 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法
CN103946994A (zh) * 2012-01-13 2014-07-23 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
CN104576627A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种高显色性白光led结构及其制作方法
CN104576628A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种新型白光led结构及其制作方法
CN104600142A (zh) * 2014-12-24 2015-05-06 英利集团有限公司 光伏组件
CN107658373A (zh) * 2012-03-28 2018-02-02 晶元光电股份有限公司 发光二极管结构与其制造方法
CN108389946A (zh) * 2013-10-11 2018-08-10 世迈克琉明有限公司 半导体发光元件
CN108519657A (zh) * 2018-04-16 2018-09-11 维沃移动通信有限公司 一种镜头模组及移动终端
CN109427936A (zh) * 2017-08-24 2019-03-05 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
CN110010737A (zh) * 2014-06-11 2019-07-12 Lg 伊诺特有限公司 发光器件和照明设备
CN110504281A (zh) * 2018-05-16 2019-11-26 财团法人工业技术研究院 显示阵列的制造方法
US11837628B2 (en) 2018-05-16 2023-12-05 Industrial Technology Research Institute Display array

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140138731A1 (en) * 2011-07-15 2014-05-22 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting element
KR101863732B1 (ko) * 2011-10-11 2018-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101981119B1 (ko) * 2011-11-25 2019-05-22 엘지이노텍 주식회사 자외선 반도체 발광 소자
TW201322489A (zh) * 2011-11-29 2013-06-01 Genesis Photonics Inc 發光二極體元件及覆晶式發光二極體封裝元件
KR101226706B1 (ko) * 2012-01-13 2013-01-25 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
TWI572054B (zh) * 2012-03-16 2017-02-21 晶元光電股份有限公司 高亮度發光二極體結構與其製造方法
CN102709420B (zh) * 2012-06-21 2014-07-30 安徽三安光电有限公司 一种氮化镓基发光二极管
CN102709421B (zh) * 2012-06-21 2014-11-05 安徽三安光电有限公司 一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管
KR101303589B1 (ko) * 2012-07-02 2013-09-11 전자부품연구원 질화물계 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR101363495B1 (ko) * 2012-07-18 2014-02-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101405449B1 (ko) * 2012-09-12 2014-06-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101419867B1 (ko) * 2012-09-05 2014-07-16 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
CN103975451B (zh) 2012-07-18 2016-10-12 世迈克琉明有限公司 制造半导体发光器件的方法
KR101427316B1 (ko) * 2012-09-05 2014-08-06 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
CN103988322B (zh) 2012-07-18 2016-10-12 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
EP2782149B1 (en) 2012-07-18 2022-10-19 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
KR101364246B1 (ko) * 2012-07-18 2014-02-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101370576B1 (ko) * 2012-07-30 2014-03-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101370575B1 (ko) * 2012-07-30 2014-03-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101403632B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101371545B1 (ko) * 2012-07-30 2014-03-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101403636B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101403630B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
JP2014053593A (ja) * 2012-08-09 2014-03-20 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法
KR20140062216A (ko) * 2012-11-14 2014-05-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR102015907B1 (ko) 2013-01-24 2019-08-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
EP2851969B1 (en) * 2013-04-30 2019-07-17 Semicon Light Co. Ltd. Semiconductor light emitting device
US10032960B2 (en) 2014-06-03 2018-07-24 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device of a flip chip and method for manufacturing same
KR102617466B1 (ko) * 2016-07-18 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 어레이 디스플레이 장치
JP2019149480A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 豊田合成株式会社 半導体素子、発光装置、および発光装置の製造方法
KR102607596B1 (ko) 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW432726B (en) * 1998-11-27 2001-05-01 Sharp Kk Light emitting apparatus and method for mounting light emitting device
US6455343B1 (en) * 2000-03-28 2002-09-24 United Epitaxy Company, Ltd. Method of manufacturing light emitting diode with current blocking structure
KR20050000690A (ko) * 2003-06-24 2005-01-06 삼성전기주식회사 플립칩 본딩 구조의 질화 갈륨계 발광다이오드
CN1848470A (zh) * 2005-04-15 2006-10-18 三星电机株式会社 倒装型氮化物半导体发光器件
CN1996629A (zh) * 2006-12-29 2007-07-11 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN101127385A (zh) * 2007-09-18 2008-02-20 璨圆光电股份有限公司 氮化镓系发光二极管及其制造方法
US20090108250A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6570186B1 (en) * 2000-05-10 2003-05-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device using group III nitride compound semiconductor
JP4273431B2 (ja) * 2006-03-31 2009-06-03 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 垂直共振器型発光ダイオード
JP5176334B2 (ja) * 2007-02-01 2013-04-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5045248B2 (ja) * 2007-06-01 2012-10-10 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
TWI452716B (zh) * 2007-06-08 2014-09-11 Formosa Epitaxy Inc Gallium nitride based light emitting diode and manufacturing method thereof
TWI389355B (zh) * 2009-01-05 2013-03-11 Epistar Corp 發光半導體裝置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW432726B (en) * 1998-11-27 2001-05-01 Sharp Kk Light emitting apparatus and method for mounting light emitting device
US6455343B1 (en) * 2000-03-28 2002-09-24 United Epitaxy Company, Ltd. Method of manufacturing light emitting diode with current blocking structure
KR20050000690A (ko) * 2003-06-24 2005-01-06 삼성전기주식회사 플립칩 본딩 구조의 질화 갈륨계 발광다이오드
CN1848470A (zh) * 2005-04-15 2006-10-18 三星电机株式会社 倒装型氮化物半导体发光器件
CN1996629A (zh) * 2006-12-29 2007-07-11 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN101127385A (zh) * 2007-09-18 2008-02-20 璨圆光电股份有限公司 氮化镓系发光二极管及其制造方法
US20090108250A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103946994A (zh) * 2012-01-13 2014-07-23 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
CN103946994B (zh) * 2012-01-13 2016-10-12 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
CN107658373A (zh) * 2012-03-28 2018-02-02 晶元光电股份有限公司 发光二极管结构与其制造方法
CN107658373B (zh) * 2012-03-28 2020-01-21 晶元光电股份有限公司 发光二极管结构与其制造方法
CN103346227A (zh) * 2013-07-03 2013-10-09 河北工业大学 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法
CN108389946B (zh) * 2013-10-11 2022-04-08 世迈克琉明有限公司 半导体发光元件
CN108389946A (zh) * 2013-10-11 2018-08-10 世迈克琉明有限公司 半导体发光元件
CN104576627A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种高显色性白光led结构及其制作方法
CN104576628A (zh) * 2013-10-25 2015-04-29 广东德力光电有限公司 一种新型白光led结构及其制作方法
CN104576628B (zh) * 2013-10-25 2018-04-06 广东德力光电有限公司 一种新型白光led结构及其制作方法
CN104576627B (zh) * 2013-10-25 2018-06-01 广东德力光电有限公司 一种高显色性白光led结构及其制作方法
CN110010737A (zh) * 2014-06-11 2019-07-12 Lg 伊诺特有限公司 发光器件和照明设备
CN104600142A (zh) * 2014-12-24 2015-05-06 英利集团有限公司 光伏组件
CN104600142B (zh) * 2014-12-24 2017-06-30 英利集团有限公司 光伏组件
CN109427936A (zh) * 2017-08-24 2019-03-05 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
CN108519657A (zh) * 2018-04-16 2018-09-11 维沃移动通信有限公司 一种镜头模组及移动终端
CN110504281A (zh) * 2018-05-16 2019-11-26 财团法人工业技术研究院 显示阵列的制造方法
US11515299B2 (en) 2018-05-16 2022-11-29 Industrial Technology Research Institute Method for manufacturing display array
US11837628B2 (en) 2018-05-16 2023-12-05 Industrial Technology Research Institute Display array

Also Published As

Publication number Publication date
EP2369648B1 (en) 2019-08-14
KR101666442B1 (ko) 2016-10-17
CN102201507B (zh) 2014-07-30
EP2369648A2 (en) 2011-09-28
EP2369648A3 (en) 2014-08-27
US20110233589A1 (en) 2011-09-29
US8357949B2 (en) 2013-01-22
KR20110107665A (ko) 2011-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102201507B (zh) 发光器件
CN102255017B (zh) 发光器件
CN102201514B (zh) 发光器件
EP2381490B1 (en) Light emitting device with electrode material having different plasmon frequency differing from emitted light
CN102255021B (zh) 发光器件
EP2362455A2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and illumination system
CN102315346B (zh) 发光器件及其制造方法
CN103972348B (zh) 发光器件
KR20130067821A (ko) 발광소자
CN104518058A (zh) 发光器件
CN102969415A (zh) 发光器件
US8350274B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit
US8173469B2 (en) Fabrication method of light emitting device
KR20120051969A (ko) 발광소자
KR101843740B1 (ko) 발광소자
CN102569569A (zh) 发光器件
KR20130031932A (ko) 발광 소자
JP2011146707A (ja) 発光素子チップ、発光素子パッケージ
KR101907618B1 (ko) 발광소자
KR101818753B1 (ko) 발광소자
KR101860318B1 (ko) 발광 소자
KR20140097603A (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR20120037772A (ko) 발광소자
KR101832165B1 (ko) 발광소자
KR101855064B1 (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210818

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right