CN102169884A - 固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置，该固体摄像器件包括选择性接收第一波长的光并光电转换的第一光电转换部和选择性接收比第一波长短的第二波长的光的第二光电转换部，第一光电转换部层叠在第二光电转换部上方使第二光电转换部接收由第一光电转换部透射的光，第一光电转换部中形成有透射部使第二波长的光从透部透射到第二光电转换部的光量多于从其它部分透射到第二光电转换部的光量，并且透射部形成为包括满足公式λc/n≤2D的部分，D为在摄像区域的方向上限定的宽度，n为透射部的周边部分的折射率，λc为在第二光电转换部中被选择性光电转换的第二波长范围的最长波长。因此，能够改善所摄图像的图像质量。

Description

固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置
相关申请的交叉参考
本申请包含与2010年2月2日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2010-021219所公开的内容相关的主题，在此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置。
背景技术
诸如数字摄像机和数码相机等电子装置包括固体摄像器件。例如，作为固体摄像器件，包括互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)型图像传感器或电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)型图像传感器等。
在固体摄像器件中，多个像素按照矩阵形状布置在半导体基板的摄像区域上。每个像素设有光电转换部。例如，光电二极管被设置成作为光电转换部。
在固体摄像器件之中的CMOS型图像传感器中，像素被构成为除了光电转换部之外还包括例如像素晶体管等半导体器件。针对像素晶体管而言，多个晶体管被构成为读取由光电转换部产生的信号电荷，并且向信号线输出电信号。
在固体摄像器件中，在拍摄彩色图像时，光电转换部通常接收通过滤色器入射在光接收面上的光，并且进行光电转换以产生信号电荷。
例如，红色、绿色和蓝色三原色的滤色器以拜耳(Bayer)阵列方式设置在摄像区域上，从而使透过各个颜色的滤色器的各颜色的光由各个像素中的光电转换部接收。换句话说，通过考虑红色滤色器设置在其上方的像素，在作为目标图像入射的光中，绿光分量和蓝光分量被吸收，并且只有红光分量透过红色滤色器，因而透射的红光由设置在红色滤色器下层的光电转换部接收。
固体摄像器件的小型化和像素数量的增加是必需的。因此，随着一个像素的尺寸进一步减小，难以接收足够的光量，并且所摄图像的图像质量不容易得到改善。
为了解决这些问题，提出了“层叠型”固体摄像器件，其中，选择性地接收各种颜色的光的光电转换部不设置在与摄像区域平行的方向上，而是各种颜色的光电转换部被设置成在与摄像区域垂直的方向上层叠。
在“层叠型”固体摄像器件中，例如，提出了这样的结构：三层有机光电转换层被层叠为依次接收入射光中所包含的三原色的光的光电转换部。在该情况下，一部分入射光被设置在上部的光电转换部吸收，并进行光电转换。然后，没有被设置在上部的光电转换部吸收的一部分入射光被设置在下部的另一光电转换部吸收，并进行光电转换。例如，最上层的光电转换部吸收绿光；中间层的光电转换部吸收蓝光；并且最下层的光电转换部吸收红光。另外，在各个光电转换部中，进行光电转换来产生信号电荷(例如，参见日本待审专利申请文献No.2005-347386)。
此外，例如，在“层叠型”固体摄像器件中，提出了这样的结构：在半导体基板的内部设置有光电转换部，并且作为光电转换部的有机光电转换层设置在半导体基板上方。例如，提出了这样的结构：接收蓝光和红光的光电二极管形成在半导体基板中的不同深度处，并且接收绿光的光电转换层形成在半导体基板的表面上(例如，参见日本待审专利申请文献No.2005-353626和No.2008-258474)。
这样，在“层叠型”固体摄像器件中，各个像素不仅接收单色光，而且还接收多色光。因此，可以提高光使用效率，从而可以很容易地实现小型化。例如，在三层有机光电转换层层叠来接收红色、绿色和蓝色三原色的光的情况下，由于光使用效率增加为三倍，所以每个像素的面积例如可以减小为1/3。另外，在“层叠型”固体摄像器件的情况下，由于与像素以拜耳阵列形式排列的情况相比不需要去马赛克过程(demosaic process)，所以可以抑制伪色的出现。
例如，采用喹吖啶酮来形成上述有机光电转换层。
图21为显示出通过采用喹吖啶酮形成的有机光电转换层的外部量子效率的测量结果的图。在图21中，横轴表示光的波长(nm)，并且纵轴表示外部量子效率。
如图21所示，通过采用喹吖啶酮形成的有机光电转换层在绿色波长范围中具有较高的外部量子效率和较高的灵敏度。
但是，如图21所示，除了绿色波长范围之外，有机光电转换层在蓝色波长范围中也具有一定的灵敏度。
因此，在“层叠型”固体摄像器件中，存在色彩再现性不充分的情况。因此，另外存在这样的情况，即，色彩校正的计算信号处理的线性矩阵系数增大，并且由于计算信号处理而导致出现噪声放大，使得图像质量劣化。
另外，由于蓝光在接收绿光的光电转换部中被吸收，所以入射到被设置在下层用来接收蓝光的光电转换部的蓝光量减少。因此，存在这样的情况，即，随着色平衡的劣化，白平衡系数增大，并且由于计算而导致出现噪声放大，使得图像质量劣化。
这样，在“层叠型”固体摄像器件中，存在这样的情况，即，在上层的光电转换部接收具有较长波长的光之后，如果设置在下层的光电转换部用来接收透过上层的光电转换部的具有较短波长的光，则图像质量会不够。除了通过采用有机材料形成光电转换部的情况之外，在通过采用无机材料形成光电转换部的情况下也会出现相同的问题。
发明内容
因此，期望提供能够改善所摄图像的图像质量的固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置。
根据本发明，提供一种固体摄像器件，所述固体摄像器件至少包括第一光电转换部和第二光电转换部，所述第一光电转换部选择性地接收入射光中的第一波长范围的光并进行光电转换，所述第二光电转换部选择性地接收入射光中的比所述第一波长范围短的第二波长范围的光，其中，所述第一光电转换部在基板的摄像区域中层叠在所述第二光电转换部上方，使得所述第二光电转换部接收由所述第一光电转换部透射的光，在所述第一光电转换部中形成有透射部，使得所述第二波长范围的光从所述透射部透射到所述第二光电转换部的光量多于从其它部分透射到所述第二光电转换部的光量，并且所述透射部被形成为包括满足下面的公式(1)的部分，
λc/n≤2D    ...(1)
这里，D为在所述基板的摄像区域的方向上限定的宽度，n为所述透射部的周边部分的折射率，λc为在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长。
根据本发明，提供用于制造固体摄像器件的方法，所述方法包括制造所述固体摄像器件的步骤，所述固体摄像器件至少包括第一光电转换部和第二光电转换部，所述第一光电转换部选择性地接收入射光中的第一波长范围的光并进行光电转换，所述第二光电转换部选择性地接收入射光中的比所述第一波长范围短的第二波长范围的光，其中，所述第一光电转换部在基板的摄像区域中层叠在所述第二光电转换部上方，使得所述第二光电转换部接收由所述第一光电转换部透射的光，制造所述固体摄像器件的步骤包括如下步骤：在所述第一光电转换部中形成透射部，使得所述第二波长范围的光从所述透射部透射到所述第二光电转换部的光量多于从其它部分透射到所述第二光电转换部的光量，在形成所述透射部的步骤中，所述透射部被形成为包括满足下面的公式(1)的部分，
λc/n≤2D    ...(1)
这里，D为在所述基板的摄像区域的方向上限定的宽度，n为所述透射部的周边部分的折射率，λc为在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长。
根据本发明，提供一种电子装置，所述电子装置至少包括第一光电转换部和第二光电转换部，所述第一光电转换部选择性地接收入射光中的第一波长范围的光并进行光电转换，所述第二光电转换部选择性地接收入射光中的比所述第一波长范围短的第二波长范围的光，其中，所述第一光电转换部在基板的摄像区域中层叠在所述第二光电转换部上方，使得所述第二光电转换部接收由所述第一光电转换部透射的光，在所述第一光电转换部中形成有透射部，使得所述第二波长范围的光从所述透射部透射到所述第二光电转换部的光量多于从其它部分透射到所述第二光电转换部的光量，并且所述透射部被形成为包括满足下面的公式(1)的部分，
λc/n≤2D    ...(1)
这里，D为在所述基板的摄像区域的方向上限定的宽度，n为所述透射部的周边部分的折射率，λc为在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长。
在本发明中，所述透射部被形成为包括在所述基板的摄像区域的方向上限定的宽度D、所述透射部的周边部分的折射率n和在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长λc之间满足公式(1)的部分。
根据本发明，提供一种能够改善所摄图像的图像质量的固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法和电子装置。
附图说明
图1为显示出本发明第一实施例的照相机的结构的结构图。
图2为显示出本发明第一实施例的固体摄像器件的整体结构的框图。
图3为显示出构成本发明第一实施例的固体摄像器件的像素的主要部分的图。
图4为显示出本发明第一实施例的有机光电转换层的图。
图5为显示出本发明第一实施例的绿色光电转换部的电路结构的电路图。
图6为显示出制造本发明第一实施例的固体摄像器件的方法的图。
图7为显示出制造本发明第一实施例的固体摄像器件的方法的图。
图8为显示出制造本发明第一实施例的固体摄像器件的方法的图。
图9为显示出制造本发明第一实施例的固体摄像器件的方法的图。
图10为显示出制造本发明第一实施例的固体摄像器件的方法的图。
图11为显示出本发明第一实施例的有机光电转换层的外部量子效率的图。
图12为显示出本发明第一实施例的有机光电转换层的吸收特性的图。
图13为显示出本发明第一实施例的固体摄像器件的分光灵敏度的图。
图14为显示出本发明第二实施例的固体摄像器件的主要部分的图。
图15为显示出本发明第三实施例的固体摄像器件的主要部分的图。
图16A和图16B为显示出制造本发明第三实施例的固体摄像器件的方法的图。
图17为显示出本发明实施例的变形例的图。
图18为显示出本发明实施例的变形例的图。
图19为显示出本发明实施例的变形例的图。
图20A和图20B为显示出本发明实施例的变形例的图。
图21为显示出通过采用喹吖啶酮形成的有机光电转换层的外部量子效率的测量结果的图。
具体实施方式
下面参照附图按照以下顺序对本发明的实施例进行说明。
1.第一实施例(透射窗口具有圆柱形状的情况)
2.第二实施例(透射窗口被形成为包围着光电转换层的情况)
3.第三实施例(透射窗口具有长方体形状的情况)
4.其它
1.第一实施例
(A)器件结构
(A-1)照相机的主要部分的结构
图1为显示出本发明第一实施例的照相机40的结构的结构图。
如图1所示，照相机40包括固体摄像器件1、光学系统42、控制器43和信号处理电路44。将依次说明这些部分。
在固体摄像器件1中，通过光学系统42入射的光(目标图像)由摄像区域PS感测，并且通过光电转换产生信号电荷。这里，根据从控制器43输出的控制信号来驱动固体摄像器件1。更具体地说，读出信号电荷，并且作为原始数据输出。
光学系统42包括诸如成像透镜或光阑等光学部件，并且被设置为使得作为目标图像入射的光H聚焦在固体摄像器件1的摄像区域PS上。
控制器43向固体摄像器件1和信号处理电路44输出各种控制信号，以便控制并驱动固体摄像器件1和信号处理电路44。
信号处理电路44被构成为通过对从固体摄像器件1输出的原始数据进行信号处理来产生相对于目标图像的数字图像。
(A-2)固体摄像器件的主要部分的结构
下面将对固体摄像器件1的整体结构进行说明。
图2为显示出本发明第一实施例的固体摄像器件1的整体结构的框图。
该固体摄像器件1例如被构成为CMOS型图像传感器。如图2所示，固体摄像器件1包括基板101。基板101例如为由硅制成的半导体基板，并且如图2所示，在基板101的表面上设有拍摄区域PA和周边区域SA。
如图2所示，拍摄区域PA为矩形，并且多个像素P沿着水平方向x和垂直方向y设置。换句话说，像素P以矩阵形状排列。另外，拍摄区域PA对应于图1中所示的摄像区域PS。稍后对像素P的细节进行说明。
如图2所示，周边区域SA位于拍摄区域PA的周边部分中。另外，在周边区域SA中设置有周边电路。
更具体地说，如图2所示，设置有作为周边电路的垂直驱动电路13、列电路14、水平驱动电路15、外部输出电路17、时序发生器18和快门驱动电路19。
如图2所示，垂直驱动电路13在周边区域SA中设置在拍摄区域PA的侧部处，以便以行为单位选择性地驱动拍摄区域PA的像素P。
如图2所示，列电路14在周边区域SA中设置在拍摄区域PA的下端部处，以便以列为单位对从像素P输出的信号进行信号处理。这里，列电路14包括进行除去固定模式噪声的信号处理的相关双采样(Correlated Double Sampling，CDS)电路(未示出)。
如图2所示，水平驱动电路15与列电路14电连接。水平驱动电路15例如包括移位寄存器，以便将列电路14中为各列像素P存储的信号依次输出到外部输出电路17。
如图2所示，外部输出电路17电连接至列电路14，用于对从列电路14输出的信号进行信号处理，随后将该处理过的信号输出。外部输出电路17包括自动增益控制(Automatic Gain Control，AGC)电路17a和ADC(模拟/数字转换)电路17b。在外部输出电路17中，在AGC电路17a将增益施加到信号上之后，ADC电路17b把模拟信号转换成数字信号，然后将该数字信号输出至外部。
如图2所示，时序发生器18电连接至如下各个电路：垂直驱动电路13、列电路14、水平驱动电路15、外部输出电路17和快门驱动电路19。时序发生器18产生各种类型的脉冲信号并将这些脉冲信号输出至垂直驱动电路13、列电路14、水平驱动电路15、外部输出电路17和快门驱动电路19，从而对这些部件进行驱动控制。
快门驱动电路19被构成为以行为单位选择像素P，并且调整这些像素P中的曝光时间。
对于以行为单位排列的像素P，上述部件被同时驱动。更具体地说，通过从上述垂直驱动电路13供给的选择信号，在垂直方向y上以水平行(像素行)为单位依次选择像素P。另外，各个像素P由从时序发生器18输出的各种类型的时序信号驱动。因此，从像素P输出的电信号通过垂直信号线27以像素列为单位被读出到列电路14。另外，存储在列电路14中的信号通过水平驱动电路15选择并被依次输出到外部输出电路17。
(A-3)固体摄像器件的像素结构
下面将对该实施例的固体摄像器件1的像素结构进行说明。
图3为显示出构成本发明第一实施例的固体摄像器件的像素的主要部分的图。这里，图3显示出截面。
如图3所示，固体摄像器件1为“层叠型”固体摄像器件，并且多个光电转换部201G、201B和201R被设置成层叠在一起。这里，包括绿色光电转换部201G、蓝色光电转换部201B和红色光电转换部201R，并且各个光电转换部被设置成与各个像素P对应。
如图3所示，固体摄像器件1包括基板101，并且绿色光电转换部201G设置在基板101的上表面侧。另外，蓝色光电转换部201B和红色光电转换部201R在基板101的内部从上表面到下表面依次设置。
在固体摄像器件1中，作为目标图像的光从上部入射，并且绿色光电转换部201G、蓝色光电转换部201B和红色光电转换部201R依次接收入射光。
更具体地说，最上层的绿色光电转换部201G以高灵敏度接收入射光中的绿光分量并进行光电转换，并且透射大部分的除了绿光分量之外的光。另外，蓝色光电转换部201B以高灵敏度接收由绿色光电转换部201G透射的光中的蓝光分量并进行光电转换，并且透射大部分的除了蓝光分量之外的光。另外，红色光电转换部201R以高灵敏度接收由蓝色光电转换部201B透射的光中的红光分量并进行光电转换。
下面对构成固体摄像器件1的部件依次进行说明。
(A-3-1)绿色光电转换部201G
如图3所示，在固体摄像器件1中，绿色光电转换部201G设置在基板101上表面上的绝缘层SZ上。
绿色光电转换部201G包括有机光电转换层211GK、上部电极211GU和下部电极211GL，它们从绝缘层SZ侧按照下部电极211GL、有机光电转换层211GK、上部电极211GU的顺序设置。
如图3所示，在绿色光电转换部201G中，有机光电转换层211GK设置在绝缘层SZ的上表面上并夹在上部电极211GU和下部电极211GL之间。有机光电转换层211GK被构成为选择性地吸收入射光中包含的绿光分量并进行光电转换，从而产生信号电荷。换句话说，有机光电转换层211GK被构成为以高灵敏度接收从上表面入射的入射光中的绿色波长范围的光，并进行光电转换。另外，有机光电转换层211GK被构成为，允许入射光中包含的除了绿光分量之外的光透射的光量多于允许绿光分量透射的光量。例如，通过采用包括例如喹吖啶酮系等多环系有机颜料的有机光电转换材料来形成有机光电转换层211GK。除了喹吖啶酮之外，有机光电转换层211GK可以被构成为包括若丹明系颜料或三聚氰胺-花青系颜料。
如图3所示，在绿色光电转换部201G中，上部电极211GU设置在有机光电转换层211GK的上表面上。上部电极211GU为透射入射光的透明电极，并且例如通过采用诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物等透明导电材料形成。例如，上部电极211GU通过利用例如溅射方法等层形成方法形成层而形成。
如图3所示，在绿色光电转换部201G中，下部电极211GL设置在绝缘层SZ的上表面上。与上部电极211GU类似，下部电极211GL为透射入射光的透明电极，并且例如通过采用诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物等透明导电材料形成。例如，下部电极211GL通过利用例如溅射方法等层形成方法形成层而形成。
如图3所示，在该实施例中，在有机光电转换层211GK中设有透射窗口TM。如图3所示，该透射窗口TM被设置成从上表面到下表面贯穿有机光电转换层211GK。
图4为显示出本发明第一实施例的有机光电转换层211GK的图。图4显示出有机光电转换层211GK的上表面，并且III-III部分对应于图3。
如图4所示，在有机光电转换层211GK中，在基板101的平面方向(xy平面)上布置有多个透射窗口TM。如图4所示，透射窗口TM被形成为它们的平面形状为圆形。
换句话说，从图3和图4中可以看出，透射窗口TM被形成为由外周面所沿着的圆柱形状，使得上表面和下表面在与基板101的表面垂直的方向z上对准。
对于透射窗口TM的形成，可以在有机光电转换层211GK中设置开口，并且例如将绝缘材料埋入开口内。
另外，各个透射窗口TM被形成为，对于要在设置在绿色光电转换部201G下层的蓝色光电转换部201B中被选择性地接收并进行光电转换的波长范围的光而言，允许从各个透射窗口TM透射的光量多于从有机光电转换层211GK的除了透射窗口TM之外的部分中透射的光量。换句话说，各个透射窗口TM被构成为：与没有透射窗口TM的情况相比，波长比由绿色光电转换部201G以高灵敏度光电转换的波长范围的光的波长短且处于由蓝色光电转换部201B以高灵敏度光电转换的波长范围的光的吸收率降低。
更具体地说，根据“波导理论”，各个透射窗口TM被形成为包括在基板101的平面方向上限定的宽度D满足下面的公式(1)的部分。另外，各个透射窗口TM还被形成为使得在基板101的平面方向上限定的最大宽度L满足下面的公式(2)。换句话说，如上所述，圆柱状透射窗口TM被形成为其直径对应于下面公式(1)和(2)中的宽度D和L。
λc/n≤2D    ...(1)
λc/n≤2L    ...(2)
在上面的公式(1)和(2)中，n表示透射窗口TM的周边部分的折射率。更具体地说，n为包括位于透射窗口TM的侧面的周边部分中的有机光电转换层211GK、位于上表面的上部电极211GU以及位于下表面的下部电极211GL的有效折射率。这里所述的有效折射率是作为波长级区域的光场的有效折射率。因此，在该实施例中，有效折射率为有机光电转换层211GK、上部电极211GU和下部电极211GL的折射率值的中间值。
另外，λc表示入射到绿色光电转换部201G的有机光电转换层211GK的入射光中的吸收期望得到减小的波长范围的最长波长(截止波长)。因此，如果将由设置在绿色光电转换部201G下层的蓝色光电转换部201B选择性地接收并光电转换的蓝色波长中的最长波长设定为截止波长λc来限定宽度D，则根据“波导理论”更大量的蓝光被透射。
图5为显示出本发明第一实施例的绿色光电转换部201G的电路结构的电路图。
如图5所示，在绿色光电转换部201G中，像素被构成为通过绿色读取电路部202G读出与由有机光电转换层211GK产生的信号电荷对应的电信号。在绿色光电转换部201G中，通过下部电极211GL和上部电极211GU对有机光电转换层211GK施加电压。然后，通过绿色读取电路部202G读出由有机光电转换层211GK产生的信号电荷。
如图5所示，绿色读取电路部202G包括读取电路20。
读取电路20针对各个像素P设置，并且被构成为读取由各个像素P中的有机光电转换层211GK产生的信号电荷。虽然在图3中未示出，但例如在基板101的表面中，读取电路20设置在多个像素的边界部分中并且覆盖有绝缘层SZ。
如图5所示，在本实施例中，读取电路20包括复位晶体管22、放大晶体管23和选择晶体管24，并且被构成为三晶体管型CMOS信号读取电路。换句话说，由绿色光电转换部201G产生的信号电荷被传输并存储在形成在基板101中的存储二极管TD中，并且通过由三个晶体管构成的读取电路20读出。
在绿色读取电路部202G中，复位晶体管22被构成为将放大晶体管23的栅极电压复位。
更具体地说，如图5所示，复位晶体管22的栅极与被供给有行复位信号的复位线29连接。另外，复位晶体管22的漏极与电源电压供应线Vdd连接，并且复位晶体管22的源极与浮动扩散部FD连接。另外，复位晶体管22根据从复位线29输入的行复位信号通过浮动扩散部FD将放大晶体管23的栅极电极复位为电源电压。
在绿色读取电路部202G中，放大晶体管23被构成为放大并输出与由绿色有机光电转换层211GK所产生的信号电荷对应的电信号。
更具体地说，如图5所示，放大晶体管23的栅极与浮动扩散部FD连接。另外，放大晶体管23的漏极与电源电压供应线Vdd连接，并且放大晶体管23的源极与选择晶体管24连接。
在绿色读取电路部202G中，选择晶体管24被构成为当输入行选择信号时将由放大晶体管23输出的电信号输出到垂直信号线27。
更具体地说，如图5所示，选择晶体管24的栅极与被供给有选择信号的地址线28连接。在供给选择信号时，选择晶体管24设定在导通(ON)状态下，从而如上所述地将由放大晶体管23放大的输出信号输出到垂直信号线27。
(A-3-2)蓝色光电转换部201B
如图3所示，在固体摄像器件1中，蓝色光电转换部201B设置在基板101的内部。这里，蓝色光电转换部201B被形成为位于比红色光电转换部201R浅的表面侧中。
多个蓝色光电转换部201B被设置成与多个像素P对应。换句话说，蓝色光电转换部201B被设置为在摄像区域(xy平面)中沿着水平方向x和与水平方向x垂直的垂直方向y排列。
蓝色光电转换部201B为在基板101内部具有pn结的光电二极管。蓝色光电转换部201B选择性地吸收入射光(目标图像)中的蓝光分量并进行光电转换，从而产生信号电荷。换句话说，蓝色光电转换部201B被构成为接收由上层的绿色光电转换部201G透射的光中的蓝色波长范围的光并进行光电转换。另外，蓝色光电转换部201B被构成为，允许除了蓝光分量之外的光透射的光量多于允许蓝光分量透射的光量。
虽然未示出，在蓝色光电转换部201B中，像素被构成为通过蓝色读取电路部(未示出)读出与所产生的信号电荷对应的电信号。蓝色读取电路部(未示出)这样构成：与上述读取电路20类似的读取电路设置在各个像素P处，以读出由各个像素P的蓝色光电转换部201B产生的信号电荷。
(A-3-3)红色光电转换部201R
如图3所示，在固体摄像器件1中，红色光电转换部201R设置在基板101的内部。这里，红色光电转换部201R被形成为位于比蓝色光电转换部201B深的位置处。
多个红色光电转换部201R被设置成与多个像素P对应。换句话说，红色光电转换部201R被设置成在摄像区域(xy平面)中沿着水平方向x和与水平方向x垂直的垂直方向y排列。
与蓝色光电转换部201B类似，红色光电转换部201R为在基板101内部具有pn结的光电二极管。红色光电转换部201R选择性地吸收入射光(目标图像)中的红光分量并进行光电转换，从而产生信号电荷。换句话说，红色转换部分201R被构成为接收由上层的蓝色光电转换部201B透射的光中的红色波长范围的光并进行光电转换。
虽然未示出，在红色光电转换部201R中，像素被构成为通过红色读取电路部(未示出)读出与所产生的信号电荷对应的电信号。红色读取电路部(未示出)这样构成：与上述读取电路20类似的读取电路设置在各个像素P处，以读出由各个像素P的红色光电转换部201R产生的信号电荷。
(A-3-4)其它
在固体摄像器件1中，作为其它结构，设有与各像素P对应的片上透镜(未示出)。这里，片上透镜(未示出)设置在绿色光电转换部201G的上表面上，并且在片上透镜与绿色光电转换部201G之间夹着钝化层(未示出)。
(B)制造固体摄像器件的方法
下面将对制造上述固体摄像器件1的方法的主要步骤进行说明。
图6～图10为显示出制造本发明第一实施例的固体摄像器件的方法的图。图6～图10显示出与图3类似的截面。
首先，如图6所示，形成红色光电转换部201R和蓝色光电转换部201B，并且形成绿色光电转换部201G的下部电极211GL。
这里，红色光电转换部201R和蓝色光电转换部201B形成在基板101的内部。红色光电转换部201R被形成为位于比蓝色光电转换部201B深的位置处。
更具体地说，通过在由硅半导体制成的基板101中适当地进行杂质的离子注入来设置光电二极管，以此形成各个红色光电转换部201R和蓝色光电转换部201B。
例如，蓝色光电转换部201B形成在距基板101上表面0.6μm的位置处。另外，红色光电转换部201R形成在距蓝色光电转换部201B下表面4.3μm的位置处。
另外，在基板101的上表面上形成例如读取电路(未示出)等半导体器件之后，形成绝缘层SZ覆盖半导体器件。这里，可以通过层叠多种绝缘材料来设置绝缘层SZ。例如，在形成厚度为60nm的HfO层之后，可以通过层叠SiO2层来形成绝缘层SZ。
另外，绿色光电转换部201G的下部电极211GL形成在绝缘层SZ的上表面上。例如，通过利用溅射方法形成厚度为100nm的ITO层来形成下部电极211GL。
另外，如图7所示，形成绿色光电转换部201G的有机光电转换层211GK。
这里，在绝缘层SZ上方设置金属掩模MM。更具体地说，将具有开口的金属掩模MM设置成使得绿色光电转换部201G的有机光电转换层211GK对应于图形。
另外，有机光电转换层211GK是通过利用金属掩模MM在绝缘层SZ的上表面上进行有机光电转换材料的真空气相沉积而形成的。例如，通过使用包括例如喹吖啶酮系等多环有机颜料的有机光电转换材料来形成有机光电转换层211GK。
接着，如图8所示，除去金属掩模MM。因此，设有开口KK的有机光电转换层211GK可以形成在要形成透射窗口TM的部分中。
接着，如图9所示，设置氧化硅层TMm。
这里，形成氧化硅层TMm，并埋入设置在有机光电转换层211GK中的开口KK的内部。
接着，如图10所示，形成透射窗口TM。
这里，通过除去有机光电转换层211GK上表面部分上的氧化硅层TMm来形成透射窗口。例如，通过利用RIE方法对氧化硅层TMm进行蚀刻处理来形成透射窗口TM。
接着，如图3所示，进行绿色光电转换部201G的上部电极211GU的形成。
这里，在有机光电转换层211GK的上表面上形成上部电极211GU。例如，通过利用溅射方法形成厚度为100nm的ITO层来形成上部电极211GU。因此，完成了绿色光电转换部201G。
接着，在绿色光电转换部201G的上表面上设置钝化层(未示出)。例如，设置厚度为400nm的SiN层作为钝化层(未示出)。
另外，在钝化层(未示出)上设置与各像素P对应的片上透镜(未示出)。例如，将片上透镜(未示出)设置成具有350nm的透镜厚度。
(C)总结
如上所述，在该实施例中，包括绿色光电转换部201G和蓝色光电转换部201B，绿色光电转换部201G选择性地接收入射光中的绿色波长范围的光并进行光电转换，蓝色光电转换部201B选择性地接收入射光中的波长短于绿色波长范围的波长的蓝色波长范围的光并进行光电转换。另外，还包括红色光电转换部201R，该红色光电转换部201R选择性地接收与绿色波长范围和蓝色波长范围不同的红色波长范围的光并进行光电转换。
这里，绿色光电转换部201G在基板101的摄像区域(xy平面)中层叠在蓝色光电转换部201B上方，使得蓝色光电转换部201B接收透过绿色光电转换部201G的光。另外，蓝色光电转换部201B和绿色光电转换部201G层叠在红色光电转换部201R上方，使得红色光电转换部201R接收透过蓝色光电转换部201B和绿色光电转换部201G的光。
另外，透射窗口TM设置在绿色光电转换部201G中。透射窗口TM被形成为，允许蓝色波长范围的光从透射窗口TM透射到蓝色光电转换部201B的光量多于从除了透射窗口TM之外的部分透射到蓝色光电转换部201B的光量。透射窗口TM被形成为使得在基板101的摄像区域(xy平面)的方向上限定的宽度D满足上述公式(1)。因此，在绿色光电转换部201G中，根据“波导理论”更大量的蓝光被透射。
因此，构成绿色光电转换部201G的有机光电转换层211GK对于绿色波长范围之外的蓝色波长范围而言灵敏度较低。另外，在绿色光电转换部201G中蓝光的吸收量减少，并且在蓝色光电转换部201B中蓝光的吸收量增加。因此，在“层叠型”固体摄像器件中，可以改善色彩再现性。另外，作为结果，可以防止由于计算信号处理而出现噪声放大，从而可以改善图像质量。
图11为显示出本发明第一实施例的有机光电转换层211GK的外部量子效率的图。在图11中，横轴表示光的波长(nm)，并且纵轴表示量子效率。
另外，图12为显示出本发明第一实施例的有机光电转换层211GK的吸收特性的图。在图12中，横轴表示光的波长(nm)，并且纵轴表示吸收。这里，在有机光电转换层211GK的厚度为300nm并且宽度D为100nm的透射窗口TM以200nm的周期设置的情况下，示出了根据FDTD方法的仿真结果(FDTD方法＝时域有限差分(Finite-difference time-domain)方法)。
另外，图13为显示出本发明第一实施例的固体摄像器件的分光灵敏度的图。在图13中，横轴代表光的波长(nm)，并且纵轴表示分光灵敏度。
在图11、图12和图13中，实线表示实施例的情况，虚线表示在该实施例的有机光电转换层211GK上没有设置透射窗口TM的情况。
如图11所示，在该实施例的情况下(实线)，对于波长短于绿色波长范围的波长的蓝色波长范围而言，与没有设置透射窗口TM的情况(虚线)相比外部量子效率较低。另外，如图12所示，对于波长短于绿色波长范围的波长的蓝色波长范围而言，吸收率较低。
因此，在接收绿光的光电转换部中蓝光的吸收量减少，因而在设置在接收绿光的光电转换部下层的接收蓝光的光电转换部中蓝光的入射量增加。
因此，如图13所示，对于蓝色波长范围而言，蓝色光电转换部201B的灵敏度增加，并且绿色光电转换部201G的灵敏度减小。因此，改善了色平衡，并且抑制了噪声的出现，因而可以改善图像质量。
另外，透射窗口TM被形成为从构成绿色光电转换部201G的光电转换层211GK的上表面贯穿至下表面的开口。另外，在基板101的摄像区域(xy平面)中，透射窗口TM被形成为具有由构成绿色光电转换部201G的有机光电转换层211GK包围的图形。因此，从上部入射的光透过比光电转换层211GK更难以吸收光的透射窗口TM内部中的下部，因而能够获得非常好的效果。
2.第二实施例
(A)器件结构和其它
图14为显示出本发明第二实施例的固体摄像器件的主要部分的图。
这里，与图4类似，图14为显示出有机光电转换层211GKb的图。与图4类似，图14显示出有机光电转换层211GKb的上表面，并且III-III部分对应于图3。
如图14所示，在该实施例中，设置在有机光电转换层211GKb中的透射窗口TMb的形状与第一实施例的情况中的形状不同。除此之外该实施例与第一实施例相同。因此，将省略多余部分的说明。
如图14所示，与第一实施例类似，在该实施例的有机光电转换层211GKb中，透射窗口TMb在基板101的平面方向(xy平面)上设置。
但是，如图14所示，与第一实施例不同，透射窗口TMb被设置成在基板101的平面方向(xy平面)上包围着形成有有机光电转换层211GKb的部分。这里，透射窗口TMb被设置为使得方形有机光电转换层211GKb在基板101的平面方向(xy平面)上排列并与周边部分整体连接。
更具体地说，多个方形有机光电转换层211GKb被设置成在x方向上以等间隔排列。另外，多个有机光电转换层211GKb被设置成也在y方向上以等间隔排列。在该实施例中，包括在x方向上排列的第一组多个有机光电转换层211GKb以及在x方向上相对于第一组有机光电转换层211GKb偏移半个间距的第二组多个有机光电转换层GKb。另外，有机光电转换层211GKb被设置为第一组和第二组在y方向上交替排列，并且第一组和第二组夹着透射窗口TMb。
与第一实施例类似，对于透射窗口TMb的形成而言，在有机光电转换层211GKb中设置开口，并且例如将绝缘材料埋入开口内。
另外，与第一实施例类似，透射窗口TMb被形成为，对于要在绿色光电转换部201G下层的蓝色光电转换部201B中被选择性地接收并进行光电转换的波长范围的光而言，允许从透射窗口TMb透射的光量多于从有机光电转换层211GKb的除了透射窗口TMb之外的部分透射的光量。换句话说，根据“波导理论”，各个透射窗口TMb被形成为包括在基板101的平面方向上限定的宽度D满足上述公式(1)的部分。
(B)总结
如上所述，与第一实施例类似，在该实施例中，透射窗口TMb设置在绿色有机光电转换部201Gb中。透射窗口TMb被形成为，允许蓝色波长范围的光从透射窗口TMb透射到蓝色光电转换部201B的光量多于从有机光电转换层211GKb的除了透射窗口TMb之外的部分透射到蓝色光电转换部201B的光量。更具体地说，透射窗口TMb被形成为使得在基板101的摄像区域(xy平面)的方向上限定的宽度D满足上述公式(1)。因此，在绿色光电转换部201Gb中，根据“波导理论”更多量的蓝光被透射。
因此，构成绿色光电转换部201Gb的有机光电转换层211GKb对于绿色波长范围之外的蓝色波长范围而言灵敏度较低。另外，在绿色光电转换部201Gb中蓝光的吸收量减少，并且在蓝色光电转换部201B中蓝光的吸收量增加。因此，在“层叠型”固体摄像器件中，可以改善色彩再现性。另外，作为结果，可以防止由于计算信号处理而出现噪声放大，从而可以改善图像质量。
特别地，该实施例的透射窗口TMb在基板101的摄像区域(xy平面)中被形成为包围着有机光电转换层211GKb的图形(参见图14)。这样，如果透射窗口形成为诸如方形或矩形等四边形，则进一步提高了短波长范围的透射率。因此，可以进一步改善图像质量。
3.第三实施例
(A)器件结构和其它
图15为显示出本发明第三实施例的固体摄像器件的主要部分的图。
这里，与图4类似，图15为显示出有机光电转换层211GKc的图。与图4类似，图15显示出有机光电转换层211GKc的上表面，并且部分III-III对应于图3。
如图15所示，在该实施例中，有机光电转换层211GKc和透射窗口TMc的形状与第一实施例的情况中的形状不同。除此之外，该实施例与第一实施例相同。因此，将省略多余部分的说明。
如图15所示，与第一实施例类似，在该实施例的有机光电转换层211GKc中，透射窗口TMc在基板101的平面方向(xy平面)上设置。
但是，如图15所示，与第一实施例不同，透射窗口TMc在基板101的平面方向(xy平面)上以四边形的形状形成。这里，多个透射窗口TMc被设置为在基板101的平面方向(xy平面)上沿着x方向和y方向排列。
更具体地说，有机光电转换层211GKc包括多个有机光电转换层211GKc沿着x方向和y方向以等间隔排列的第一组221c和第二组222c。另外，第一组221c和第二组222c被设置成在x方向和y方向上彼此偏移半个间距。
与第一实施例类似，上述透射窗口TMc如此形成：在有机光电转换层211GKc中设置开口，并且例如将绝缘材料埋入开口内。
另外，与第一实施例类似，透射窗口TMc被形成为，对于要在绿色光电转换部201G下层的蓝色光电转换部201B中被选择性地接收并进行光电转换的波长范围的光而言，允许从透射窗口TMc透射的光量多于从有机光电转换层211GKc的除了透射窗口TMc之外的部分透射的光量。换句话说，根据“波导理论”，各个透射窗口TMc被形成为包括在基板101的平面方向上限定的宽度D满足上述公式(1)的部分。
(B)制造固体摄像器件的方法
下面将对制造上述固体摄像器件1的方法的主要步骤进行说明。
图16A和图16B为显示出制造本发明第三实施例的固体摄像器件的方法的图。图16A和图16B显示出与图15类似的上表面。
在有机光电转换层211GKc的形成中，首先如图16A所示，形成第一组221c。
这里，如图16A所示，在x方向和y方向上以等间隔排列多个方形有机光电转换层来形成第一组221c的有机光电转换层。
更具体地说，与第一实施例类似，通过采用呈格子状形成有多个开口的金属掩模(未示出)来进行有机光电转换材料的气相沉积，形成有机光电转换层。
接着，如图16B所示，形成第二组222c。
这里，如图16B所示，在x方向和y方向上以等间隔排列多个方形有机光电转换层来形成第二组222c的有机光电转换层。第二组222c被形成为使得多个方形有机光电转换层相对于第一组221c在x方向和y方向上偏移半个间距。
更具体地说，如上所述，通过采用呈格子状形成有多个开口的金属掩模(未示出)来进行有机光电转换材料的气相沉积，形成有机光电转换层。
接着，与第一实施例类似地设置各个部分，从而完成该固体摄像器件。
(C)总结
如上所述，在该实施例中，与第一实施例类似，透射窗口TMc设置在绿色光电转换部201Gc中。透射窗口TMc被形成为，允许蓝色波长范围的光从透射窗口TMc透射到蓝色光电转换部201B的光量多于从有机光电转换层211GKc透射到蓝色光电转换部201B的光量。更具体地说，透射窗口TMc被形成为使得在基板101的摄像区域(xy平面)的方向上限定的宽度D满足上述公式(1)。因此，在绿色光电转换部201Gc中，根据“波导理论”更大量的蓝光被透射。
因此，构成绿色光电转换部201Gc的有机光电转换层211GKc对于绿色波长范围之外的蓝色波长范围而言灵敏度较低。另外，在绿色光电转换部201Gc中蓝光的吸收量减少，并且在蓝色光电转换部201B中蓝光的吸收量增加。因此，在“层叠型”固体摄像器件中，可以改善色彩再现性。另外，作为结果，可以防止由于计算信号处理而出现噪声放大，从而可以改善图像质量。
4.其它
本发明不限于上述实施例，并且可以采用各种变形例。
变形例1
在上面的说明中，虽然已经对通过采用有机光电转换层形成最上层的光电转换部的情况进行了说明，但是本发明不限于此。
图17为显示出本发明实施例的变形例的图。图17显示出与图3类似的截面。
如图17所示，除了绿色光电转换部201G之外，也可以通过采用有机光电转换层形成蓝色光电转换部201Bd和红色光电转换部201Rd。
更具体地说，蓝色光电转换部201Bd可以被形成为包括有机光电转换层211BK、上部电极211BU和下部电极211BL。另外，红色光电转换部201Rd可以被形成为包括有机光电转换层211RK、上部电极211RU和下部电极211RL。这里，绿色光电转换部201G、蓝色光电转换部201Bd和红色光电转换部201Rd被形成为它们之间夹着绝缘层SZ。
变形例2
在上面的说明中，虽然说明了透射窗口被形成为贯穿有机光电转换层的情况，但是本发明并不限于此。
图18为显示出本发明实施例的变形例的图。图18显示出与图17类似的截面。
如图18所示，透射窗口TMe可以被形成为不贯穿有机光电转换层211GKe，而是在有机光电转换层211GKe上表面中形成凹槽。换句话说，透射窗口TMe可以被形成为在有机光电转换层211GKe的上表面中以凹槽形状凹入。
如图18所示，在通过形成凹槽来设置透射窗口TMe的情况下，短波长范围的光的透射率根据“波导原理”至少在直至凹槽底部的范围中增大。另外，在凹槽的底部的下侧，光在有机光电转换层211GKe中被吸收并且透射。因此，可以通过调节凹槽的深度来随意控制短波长范围的透射率。
另外，在该变形例中，虽然举例说明了凹槽形成在有机光电转换层211GKe的上部中的情况，但在凹槽形成在有机光电转换层211GKe的下部中的情况下也可以获得相同的功能和效果。
变形例3
透射窗口的形状不限于上述示例。
图19为显示出本发明实施例的变形例的图。图19显示出与图17类似的截面。
如图19所示，在有机光电转换层211GKf的上表面中，可以包括以凹槽形状凹入的凹槽部分，并且透射窗口TMf可以被形成为贯穿凹槽部分的中央部分。
这样，在凹槽的宽度在深度方向上改变的结构中，所选的波长根据“波导理论”改变。因此，可以通过采用凹槽的形状来控制透射光谱。
另外，在该变形例中，虽然举例说明了凹槽被形成为它的上侧部分较宽而下侧部分较窄的情况，但是在上侧部分较窄而下侧部分较宽的情况下也可以获得相同的功能和效果。
变形例4
在上面的说明中，虽然说明了由绿色光电转换部201G产生的信号电荷存储在存储二极管中并且信号电荷从存储二极管传输到传输晶体管的情况，但是本发明不限于此。
图20A和图20B为显示出本发明实施例的变形例的图。图20A和图20B显示出与图17类似的截面。
如图20A所示，在上述实施例中，绿色光电转换部201G的下部电极211GL通过插塞PL与存储二极管TD电连接，从而将信号电荷存储在存储二极管TD中。
可替换地，如图20B所示，绿色光电转换部201G的下部电极211GL可以通过插塞PL与浮动扩散部FD电连接。
其它
在上面的说明中，虽然说明了透射窗口形成在有机光电转换层中的情况，但是本发明不限于此。
在通过采用无机材料形成光电转换层的情况下，如果透射窗口形成在无机材料的光电转换层中，则可以获得相同的功能和效果。例如，在通过采用下面的无机材料形成光电转换层的情况下，可以获得相同的功能和效果。该无机材料包括诸如CuGaInS2或CuGaInSe2等黄铜矿材料、诸如InP或GaAs等III-V族化合物半导体材料、例如ZnSe等II-VI族化合物半导体材料以及诸如Si或Ge等IV族化合物半导体材料。
另外，在上面的说明中，虽然说明了这样的情况：通过在除了透射窗口形成区域之外的部分中用光电转换材料形成层而在光电转换层中形成透射窗口，但是本发明不限于此。例如，在通过采用光电转换材料在包括透射窗口形成区域的区域中形成层之后，通过采用光刻技术蚀刻形成在透射窗口形成区域中的层，可以在光电转换层中形成透射窗口。
另外，在上面的说明中，虽然说明了在透射窗口中埋入SiO2的情况，但是本发明不限于此。可以埋入SiN、SiON或SiC。可替换地，可以不埋入固体材料，而是可以用空气层构成。
另外，在上述实施例中，虽然说明了本发明应用于照相机的情况，但是本发明不限于此。本发明可以应用于包括固体摄像器件的诸如扫描仪或复印机等其它电子装置。
另外，在上述实施例中，固体摄像器件1对应于本发明的固体摄像器件。另外，在上述实施例中，各个绿色光电转换部201G、201Gb和201Gc对应于本发明的第一光电转换部。另外，在上述实施例中，各个蓝色光电转换部201B和201Bd对应于本发明的第二光电转换部。另外，在上述实施例中，各个红色光电转换部201R和201Rd对应于本发明的第三光电转换部。另外，在上述实施例中，各个透射窗口TM、TMb、TMc、TMe和TMf对应于本发明的透射部。
本领域的技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。

Claims (11)

1.一种固体摄像器件，所述固体摄像器件至少包括第一光电转换部和第二光电转换部，
所述第一光电转换部选择性地接收入射光中的第一波长范围的光并进行光电转换，
所述第二光电转换部选择性地接收入射光中的比所述第一波长范围短的第二波长范围的光，
其中，所述第一光电转换部在基板的摄像区域中层叠在所述第二光电转换部上方，使得所述第二光电转换部接收由所述第一光电转换部透射的光，
在所述第一光电转换部中形成有透射部，使得所述第二波长范围的光从所述透射部透射到所述第二光电转换部的光量多于从其它部分透射到所述第二光电转换部的光量，并且
所述透射部被形成为包括满足下面的公式(1)的部分，
λc/n≤2D    ...(1)
这里，D为在所述基板的摄像区域的方向上限定的宽度，n为所述透射部的周边部分的折射率，λc为在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述透射部被形成为，在所述基板的摄像区域的方向上限定的最大宽度L、所述透射部的周边部分的折射率n和在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长λc之间满足下面的公式(2)：
λc/n≤2L    ...(2)。
3.如权利要求2所述的固体摄像器件，其中，所述透射部被形成为在所述第一光电转换部的上表面与下表面之间贯穿。
4.如权利要求2所述的固体摄像器件，其中，所述透射部被形成为在所述基板的摄像区域中具有由所述第一光电转换部包围的图形。
5.如权利要求2所述的固体摄像器件，其中，所述透射部被形成为在所述基板的摄像区域中具有包围着所述第一光电转换部的图形。
6.如权利要求1所述的固体摄像器件，所述固体摄像器件还包括第三光电转换部，所述第三光电转换部选择性地接收与所述第一波长范围和所述第二波长范围不同的第三波长范围的光并进行光电转换，
其中，所述第一光电转换部和所述第二光电转换部在所述基板的摄像区域中层叠在所述第三光电转换部上方，使得所述第三光电转换部接收由所述第一光电转换部和所述第二光电转换部透射的光。
7.如权利要求6所述的固体摄像器件，
其中，所述第一光电转换部被形成为选择性地接收作为所述第一波长范围的光的绿光并进行光电转换，
所述第二光电转换部被形成为选择性地接收作为所述第二波长范围的光的蓝光并进行光电转换，并且
所述第三光电转换部被形成为选择性地接收作为所述第三波长范围的光的红光并进行光电转换。
8.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述透射部被形成为在所述第一光电转换部的上表面中以凹槽形状凹入。
9.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述第一光电转换部是通过采用有机材料形成的。
10.一种用于制造固体摄像器件的方法，所述方法包括制造所述固体摄像器件的步骤，所述固体摄像器件至少包括第一光电转换部和第二光电转换部，所述第一光电转换部选择性地接收入射光中的第一波长范围的光并进行光电转换，所述第二光电转换部选择性地接收入射光中的比所述第一波长范围短的第二波长范围的光，
其中，所述第一光电转换部在基板的摄像区域中层叠在所述第二光电转换部上方，使得所述第二光电转换部接收由所述第一光电转换部透射的光，
制造所述固体摄像器件的步骤包括如下步骤：在所述第一光电转换部中形成透射部，使得所述第二波长范围的光从所述透射部透射到所述第二光电转换部的光量多于从其它部分透射到所述第二光电转换部的光量，
在形成所述透射部的步骤中，所述透射部被形成为包括满足下面的公式(1)的部分，
λc/n≤2D    ...(1)
这里，D为在所述基板的摄像区域的方向上限定的宽度，n为所述透射部的周边部分的折射率，λc为在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长。
11.一种电子装置，所述电子装置至少包括第一光电转换部和第二光电转换部，
所述第一光电转换部选择性地接收入射光中的第一波长范围的光并进行光电转换，
所述第二光电转换部选择性地接收入射光中的比所述第一波长范围短的第二波长范围的光，
其中，所述第一光电转换部在基板的摄像区域中层叠在所述第二光电转换部上方，使得所述第二光电转换部接收由所述第一光电转换部透射的光，
在所述第一光电转换部中形成有透射部，使得所述第二波长范围的光从所述透射部透射到所述第二光电转换部的光量多于从其它部分透射到所述第二光电转换部的光量，并且
所述透射部被形成为包括满足下面的公式(1)的部分，
λc/n≤2D    ...(1)
这里，D为在所述基板的摄像区域的方向上限定的宽度，n为所述透射部的周边部分的折射率，λc为在所述第二光电转换部中被选择性地光电转换的所述第二波长范围的最长波长。
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