CN102165020A - 新型的铜酞菁颜料及铜酞菁微粒的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供含有以下的铜酞菁的铜酞菁颜料及铜酞菁微粒的制造方法：是结晶型为α型的铜酞菁、且在特定的条件下与ε型铜酞菁相比特性优异。含有以下的铜酞菁而成的铜酞菁颜料：是结晶型为α型的铜酞菁、且在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm。

Description

新型的铜酞菁颜料及铜酞菁微粒的制造方法

技术领域

本发明涉及新型的铜酞菁颜料。

背景技术

铜酞菁颜料，含有具有以α、β、γ、ε为代表的结晶型的铜酞菁(下述化学式)而成，它们的结晶型，一般而言，通过粉末X射线衍射而得到确定。由于每种结晶型的耐热性、耐水性、耐溶剂性、耐光性等的坚牢性，透射光谱、吸收光谱等的光学特性，以及外观的式色等的物性不同，因此根据喷墨用油墨、滤色器、油墨(胶版印刷油墨、丝网印刷油墨、UV油墨、苯胺印刷油墨等)、涂料、以及室外用途或室内用途等、其使用方法、用途，分开使用含有不同结晶型的铜酞菁的铜酞菁颜料。

[化学式1]

例如在滤色器中，由于其透射特性，使用含有ε型的结晶型的铜酞菁的铜酞菁颜料，通过以下方法来制造ε型的铜酞菁：将通过酸糊法得到的α型的铜酞菁进行溶剂处理而得到ε型的铜酞菁的方法(专利文献1)、或者将铜酞菁颜料用含有盐的溶剂进行处理而使其变化为ε型的方法(专利文献2)等。但是，无论上述哪种方法，为了使结晶型变化，存在工序多、需要很大的能量等问题。因而，如果能制造虽然结晶型为α型但具有ε型以上的特性的铜酞菁，则可以改善上述问题。

另外，特别是为了用于蓝色滤色器的铜酞菁颜料，期待透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm的铜酞菁。

并且除上述之外，期待结晶型为α型、但在波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率在上述整个波长范围大于ε型铜酞菁的铜酞菁。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2005-306841号公报

专利文献2：特开2007-332317号公报

发明内容

发明要解决的课题

鉴于上述，本发明以提供以下的铜酞菁颜料以及铜酞菁微粒的制造方法作为课题，所述铜酞菁是结晶型为α型的铜酞菁、并且在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm。

进而，以提供含有以下的铜酞菁的铜酞菁颜料及铜酞菁微粒的制造方法为课题，所述铜酞菁是结晶型为α型的铜酞菁、且在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm、透射光谱在波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率在上述400nm～450nm的整个波长范围大于ε型的铜酞菁。

用于解决课题的手段

本申请的权利要求1涉及的发明，为由含有以下的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，所述铜酞菁的结晶型为α型、且在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm。

本申请的权利要求2涉及的发明，为含有以下的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，所述铜酞菁的结晶型为α型、且在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm、而且波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率在上述400nm～450nm整个波长范围大于结晶型为ε型的铜酞菁。

本申请的权利要求3涉及的发明，为含有权利要求1或2所述的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，其特征在于，向可接近·分离且相对地位移的处理用面之间供给被处理流动体，通过包含该流体的供给压力及施加于旋转的处理用面之间的压力的向接近方向的力与向分离方向的力的压力平衡，将处理用面间的距离维持为微小间隔，通过将维持为该微小间隔的2个处理用面间作为被处理流动体的流路，被处理流动体形成薄膜流体，在该薄膜流体中作为微粒而生成。

本申请的权利要求4涉及的发明，为由含有权利要求1至3中任一项所述的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，其特征在于，铜酞菁微粒的形状为大致球状。

本申请的权利要求5涉及的发明，为含有权利要求4所述的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，其特征在于，铜酞菁微粒的体积平均粒径为1nm～600nm。

本申请的权利要求6涉及的发明，为铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，向可接近·分离且相对地位移的处理用面之间供给被处理流动体，通过包含该流体的供给压力及施加于旋转的处理用面之间的压力的向接近方向的力与向分离方向的力的压力平衡，将处理用面间的距离维持为微小间隔，通过将维持为该微小间隔的2个处理用面间作为被处理流动体的流路，被处理流动体形成薄膜流体，在该薄膜流体中进行微粒的析出。

本申请的权利要求7涉及的发明，为权利要求6所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，具备对被处理流动体赋予压力的流体压力赋予机构、第1处理用部及相对于该第1处理用部相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部、及使上述第1处理用部和第2处理用部相对旋转的旋转驱动机构；在上述各处理用部中相互对向的位置设有第1处理用面及第2处理用面的至少2个处理用，上述的各处理用面构成上述压力的被处理流动体流过的、被密封了的流路的一部分，在上述第1处理用部和第2处理用部中，至少第2处理用部具备受压面，而且，该受压面的至少一部分通过上述的第2处理用面构成，该受压面受到上述的流体压力赋予机构对被处理流动体赋予的压力而产生使第2处理用面从第1处理用面分离的方向移动的力，通过在可接近·分离且相对地旋转的第1处理用面和第2处理用面之间使上述压力的被处理流动提通过，上述被处理流动体形成上述薄膜流体，在该薄膜流体中进行微粒的析出。

本申请专利的权利要求8所涉及的发明为权利要求7所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，被上述的流体压力赋予机构赋予了压力的一种被处理流动体在上述第1处理用面和第2处理用面之间通过，具有不同于上述一种被处理流动体的另一种被处理流动体通过的独立的另外的导入路，与该导入路相通的至少一个开口部设于上述第1处理用面和第2处理用面的至少任一者，从该导入路将上述的另一种被处理流动体导入上述两处理用面间，在上述的薄膜流体中混合上述一种被处理流动体和另一种被处理流动体。

发明的效果

本发明可提供含有以下的铜酞菁的铜酞菁颜料，所述铜酞菁是在粉末X射线衍射测定中结晶型为α型的铜酞菁，在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm。由于结晶型为α型，因此可以省去为了改变结晶型的工序、需要很大能量的工程，可以改善上述所列举的以往的问题。

并且特别是，在权利要求2涉及的发明中，除上述之外，还可提供含有以下的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，所述铜酞菁在波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率，在上述整个波长范围大于结晶型为ε型的铜酞菁。即，虽然是结晶型为α型的铜酞菁、但与ε型铜酞菁相比在上述条件下特性优异。

附图说明

图1(A)是表示用于本申请发明的实施的装置的概念的简略纵剖面图，(B)是表示上述装置的其他实施方式的概念的简略纵剖面图，(C)是表示上述装置的另外其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(D)是表示上述装置的进一步其他实施方式的概念的简略纵剖面图。

图2(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图3(A)是图2(C)所示装置的主要部分的简略仰视图，(B)是上述装置的其他实施方式的主要部分的简略仰视图，(C)是另外其它实施方式的主要部分的简略仰视图，(D)是表示上述装置的进一步其他实施方式的概念的简略仰视图，(E)是表示上述装置的另外进一步其他实施方式的概念的简略仰视图，(F)是表示上述装置的进一步另外其他实施方式的概念的简略仰视图。

图4(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图5(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图6(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图7(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。

图8(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。

图9(A)～(C)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。

图10(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。

图11(A)及(B)分别表示图1所示装置的进一步其他实施方式的概念的简略纵剖面图，(C)为图1(A)所示装置的主要部分的简略仰视图。

图12(A)是对于图1(A)所示装置的受压面表示其他实施方式的主要部分的简略纵剖面图，(B)是该装置的进一步其他实施方式的主要部分简略纵剖面图。

图13是对于图12(A)所示装置的连接触表面压力赋予机构4其他实施方式的主要部分简略纵剖面图。

图14是图12(A)所示装置上设置了温度调节用封套的、其他实施方式的主要部分简略纵剖面图。

图15是对于图12(A)所示装置的接触表面压力赋予机构4进一步其他实施方式的主要部分简略纵剖面图。

图16(A)是图12(A)所示装置的进一步其他实施方式的主要部分的简略横剖面图，(B)(C)(E)～(G)是该装置的另外其他实施方式的主要部分的简略横剖面图，(D)是该装置的另外其他实施方式的局部主要部分简略纵剖面图。

图17是图12(A)所示装置的进一步其他实施方式的主要部分简略纵剖面图。

图18(A)是表示用于本申请发明的实施中的装置的进一步其他实施方式的概念的简略纵剖面图，(B)是该装置的局部主要部分说明图。

图19(A)是图12(A)所示装置的第1处理用部的俯视图，(B)是其主要部分纵剖面图。

图20(A)是图12(A)所示装置的第1及第2处理用部的主要部分的纵剖面图，(B)是隔开微小间隔的上述第1及第2处理用部的主要部分纵剖面图。

图21(A)是上述第1处理用部的其他实施方式的俯视图，(B)是其主要部分简略纵剖面图。

图22(A)是上述第1处理用部的进一步其他实施方式的俯视图，(B)是其主要部分简略纵剖面图。

图23(A)是第1处理用部的另外其他实施方式的俯视图，(B)是第1处理用部的进一步另外其他实施方式的俯视图。

图24(A)(B)(C)分别是对于处理后的被处理物的分离方法表示上述以外的实施方式的说明图。

图25是说明本申请发明装置的概要的纵剖面的概略图。

图26(A)是图25所示装置的第1处理用面的简略俯视图，(B)是图25所示装置的第1处理用面的主要部分扩大图。

图27(A)是第2导入路的剖面图，(B)是用于说明第2导入路的处理用面的主要部分扩大图。

图28(A)及(B)分别是为了说明设置于处理用部的倾斜面的主要部分扩大剖面图。

图29是用于说明设置于处理用部的受压面的图，(A)是第2处理用部的仰视图，(B)是第1及第2处理用部的主要部分扩大剖面图。

图30是实施例1得到的铜酞菁的粉末X射线衍射图。

图31是ε型铜酞菁的透射光谱(实线)和实施例1中得到的铜酞菁的透射光谱(虚线)。

图32是实施例1得到的铜酞菁微粒的透射型电子显微镜(TEM)照片。

图33(A)是利用FTFR制作的(实施例6)铜酞菁微粒的扫描型电子显微镜(SEM)照片，(B)是用分批法制作(比较例2)的铜酞菁粒子的相同照片。

图34是表示利用FTFR制作的(实施例6)铜酞菁微粒和用分批法制作的(比较例2)铜酞菁粒子的粒度分布的图。

图35是利用FTFR制作的(实施例6)铜酞菁微粒的透射型电子显微镜(TEM)照片。

图36是表示实施例6涉及的铜酞菁微粒的X射线衍射测定结果的图。

图37是表示红外吸收光谱的图，(A)是利用FTFR制作的(实施例6)铜酞菁微粒的红外吸收光谱的图，(B)是用分批法制作的(比较例2)铜酞菁粒子的红外吸收光谱的图。

图38是表示TG/DTA(热重/差热同时测定)的结果的图，(A)是利用FTFR制作的(实施例6)铜酞菁微粒的结果的图，(B)利用分批法制作的(比较例2)铜酞菁粒子的结果的图。

图39是表示在波长领域350nm～800nm中的、实施例6涉及的铜酞菁粒子的0.0050％水分散液的透射光谱的图。

图40是表示在波长领域300nm～800nm中的、实施例6涉及的铜酞菁微粒的0.0010％水分散液的吸收光谱的图。

图41表示实施例7～10涉及的铜酞菁微粒的红外吸收光谱的图。

图42是表示在波长领域350nm～800nm中的、实施例7及10涉及的铜酞菁粒子的0.0050％分散液的透射光谱的图。黑色的线表示实施例7的透射光谱，灰色的线表示实施例10的透射光谱。

具体实施方式

本发明为含有以下的铜酞菁的铜酞菁颜料，所述铜酞菁是结晶型为图30中所示的粉末X射线衍射图所示的铜酞菁、而且图31中虚线所示的透射光谱、或如图39的实线(FTFR(α))所示。另外，本发明中的铜酞菁颜料含有铜酞菁的磺化物、氢氧化物这样的铜酞菁衍生物。另外，也可含有在铜酞菁微粒的表面导入了羟基、磺基等的官能团的铜酞菁颜料。

如图30中所见到的那样，衍射光谱中衍射强度达到峰的衍射角与结晶型α型的铜酞菁一致，因此可以判断本发明中的铜酞菁的结晶型为α型，进而如图31中所见到的那样，可知为在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm、在波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率在上述400nm～450nm的整个波长范围大于ε型铜酞菁的铜酞菁。本发明中的透射光谱的测定方法并不作特别限制。可举出例如对于铜酞菁颜料的水溶液体系、或有机溶剂体系的分散液测定透射光谱的方法，对于在玻璃、透明电极、或膜上进行涂布而干燥后进行测定的方法。

作为本发明得到的铜酞菁颜料的制造方法，并不作特别限制。可以用以粉碎法为代表的Break-down法来实施，也可用Build-up法来实施。另外也可新型的合成来实施。

作为本发明的铜酞菁颜料的制造方法的一个例子，可使用特征为以下的铜酞菁微粒的制造方法：在混合含有在溶剂中溶解了铜酞菁的铜酞菁溶液的流体、和含有与上述铜酞菁溶液相比对铜酞菁的溶解度低的可成为贫溶剂的溶剂的流体，使铜酞菁微粒析出而制造铜酞菁微粒的方法中，使上述的各流体在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于其它一方进行旋转的处理用面之间将上述流体形成薄膜流体混合，在该薄膜流体中使铜酞菁微粒析出。以下对该制造方法进行说明。但是，该制造方法仅仅是其一个例子，本发明并不限定于该制造方法。予以说明的是，在上述溶剂中溶解前的铜酞菁的结晶型也不被限制，代表性的α型、β型、ε型当然可以使用之外，也可以使用各种结晶型的铜酞菁。除此之外，也可使用含有颜料化工序前的铜酞菁、非结晶的铜酞菁而成的铜酞菁。对于粒径也不作特别的限定。

以下，对于在该方法中可以使用的流体处理装置进行说明

如图1(A)所示，该装置具有对向的第1及第2的2个处理用部10、20，至少一方的处理用部进行旋转。两处理用部10、20的对向面分别作为处理用面1、2，在两处理用面间进行被处理流动体的处理。第1处理用部10具有第1处理用面1，第2处理用部20具有第2处理用面2。

两处理用面1、2与被处理流动体的流路连接，构成被处理流动体的流路的一部分。

更详细而言，该装置构成至少2个被处理流动体的流路，同时使各流路合流。

即，该装置与第1被处理流动体的流路接接，形成该第1被处理流动体的流路的一部分，同时形成有别于第1被处理流动体的第2被处理流动体的流路的一部分。并且，该装置使两流路合流，在处理用面1、2间，混合两流动体，在伴有反应的情况中使其反应。在图1(A)所示的实施方式中，上述的各流路是是密闭的，形成液密(被处理流动体为液体的情况)·气密(被处理流动体为气体的情况)。

如果具体地说明，如图1(A)所示，该装置具有：上述的第1处理用部10、上述的第2处理用部20、保持第1处理用部10的第1托架11，保持第2处理用部20的第2托架21、接触表面压力赋予机构4、旋转驱动部、第1导入部d1、第2导入部d2、流体压力赋予结构p1、第2流体供给部p2及壳体3。

予以说明的是，旋转驱动部省略图示。

第1处理用部10和第2处理用部20的至少任一方可相对于至少任意其它一方接近·分离，两处理用面1、2可接近·分离。

在本实施方式中，第2处理用部20可相对于第1处理用部10接近·分离。但是，也可与之相反，第1处理用部10相对于第2处理用部20接近·分离，也可以两处理用部10、20相互接近·分离。

第2处理用部20配置在第1处理用部10的上方，第2处理用部20的朝向下方的面、即下面，为上述的第2处理用面2，第1处理用部10的朝向上方的面、即上面，为上述的第1处理用面1。

如图1(A)所示，在本实施方式中，第1处理用部10及第2处理用部20分别为环状体，即圆环。以下，根据需要，称第1处理用部10为第1圆环10，称第2处理用部20为第2圆环20。

在本实施方式中，两圆环10、20是金属制的一个端面被镜面研磨的构件，以该镜面作为第1处理用面1及第2处理用面2。即，第1圆环10的上端面作为第1处理用面1，被镜面研磨，第2圆环20的下端面作为第2处理用面2，被镜面研磨。

至少一方的托架可通过旋转驱动部相对于其它一方的托架相对地进行旋转。图1(A)的50表示旋转驱动部的旋转轴。在旋转驱动部中可采用电动机。通过旋转驱动部，可使另一的圆环的处理用面相对于一方的圆环的处理用面相对地进行旋转。

在本实施方式中，第1托架11通过旋转轴50受到来自旋转驱动部的驱动力，相对于第2托架21进行旋转，这样，和第1托架11形成一体的第1圆环10相对于第2圆环20旋转。在第1圆环10的内侧，旋转轴50以如下方式设置在第1托架11上，即，俯视时，其中心与圆形的第1圆环10的中心同心。

第1圆环10的旋转以第1圆环10的轴心为中心。虽未图示，但是，轴心指第1圆环10的中心线，是假想线。

如上所述，在本实施方式中，第1托架11使第1圆环10的第1处理用面1朝向上方，保持第1圆环10，第2托架21使第2圆环20的第2处理用面2朝向下方，保持第2圆环20。

具体而言，第1及第2托架11、21分别具有凹状的圆环收容部。在本实施方式中，在第1托架11的圆环收容部嵌合第1圆环10，第1圆环10固定于圆环收容部以使得不从第1托架11的圆环收容部出没。

即，上述的第1处理用面1从第1托架11露出，面向第2托架21侧。

第1圆环10的材质除了金属以外，还可采用陶瓷、烧结金属、耐磨钢、对其他金属实施了固化处理了金属、对硬质材料进行内衬、涂覆、镀敷了材料。特别是，因为旋转，优选用重量轻的原料形成第1处理用部10。关于第2圆环20的材质，也可以采用与第1圆环10相同的材质来实施。

另一方面，第2托架21所具有的圆环收容部41可出没地收容第2圆环20的处理用面2。

该第2托架21具有的圆环收容部41是收容第2圆环20的、主要是与处理用面2侧相反侧部位的凹部，在俯视时呈圆形，即形成环状的槽。

圆环收容部41的尺寸比第2圆环20大，与第2圆环20之间有足够的间隔，收容第2圆环20。

通过该间隔，在该圆环收容部41内，该第2圆环20可在环状的圆环收容部41的轴方向以及在与该轴方向交叉的方向位移。换言之，通过该间隔，该第2圆环20能够以改变与上述圆环收容部41的轴方向的平行关系的方式使第2圆环20的中心线相对于圆环收容部41位移。

以下，将第2托架21的被第2圆环20围绕的部位称为中央部分22。

对于上述，换言之，该第2圆环20以如下方式收容在圆环收容部41内，即，能够在圆环收容部41的推力方向即上述出没方向位移，另外，能够在相对于圆环收容部41的中心偏心的方向位移。并且，第2圆环20以如下方式被收容，即，相对于圆环收容部41，在第2圆环20的圆周方向的各位置，能够以从圆环收容部41出没的幅度分别不同的方式位移，即，能够中心振摆。

虽然第2圆环20具有上述3个位移的自由度，即，与圆环收容部41相对的第2圆环20的轴方向、偏心方向、中心振摆方向的自由度，但以不追随第1圆环10的旋转的方式保持在第2托架21上。虽未图示，但有关这一点，只要在圆环收容部41和第2圆环20上分别相对于圆环收容部41设置适当的突出部即可，从而限制在其圆周方向的旋转。但是，该突出部不得破坏上述3个位移的自由度。

上述接触表面压力赋予机构4对处理用部赋予使第1处理用面1和第2处理用面2接近的方向作用的力。在本实施方式中，接触表面压力赋予机构4设置在第2托架21上，将第2圆环20向第1圆环10弹压。

接触表面压力赋予机构4将第2圆环20的圆周方向的各位置、即第2处理用面2的各位置均等地向第1圆环10弹压。接触表面压力赋予机构4的具体结构在后面进行详细叙述。

如图1(A)所示，上述壳体3配置在两圆环10、20外周面的外侧，收容产物，该产物在处理用面1、2之间生成并排出到两圆环10、20的外侧。如图1(A)所示，壳体3是收容第1托架11和第2托架21的液密的容器。但是第2托架21可以作为该壳体3的一部分而与壳体3一体地形成。

如上所述，不必说形成壳体3的一部分的情况，即使在与壳体3分体地形成的情况下，第2托架21也同样不可动，以使得不影响两圆环10、20间的间隔，即，两处理用面1、2间的间隔。换言之，第2托架21不会对两处理用面1、2间的间隔产生影响。

在壳体3上，壳体3的外侧设有用于排出产物的排出口32。

第1导入部d1向两处理用面1、2间供给第1被处理流动体。

上述的流体压力赋予结构p1直接或间接地与该第1导入部d1连接，对第1被处理流动体赋予流体压力。在流体压力赋予结构p1中，可采用压缩机、其他泵。

在该实施方式中，第1导入部d1是设置在第2托架21的上述中央部分22内部的流体通道，其一端在第2托架21的俯视为圆形的第2圆环20的中心位置开口。另外，第1导入部d1的另一端在第2托架21的外部、即壳体3的外部与上述流体压力赋予结构p1相连接。

第2导入部d2向处理用面用1、2间供给与第1被处理流动体反应的第2流动体。在该实施方式中，第2导入部为设置在第2圆环20内部的流体通道，其一端在第2处理用面2开口，其另一端与第2流体供给部p2相连接。

在第2流体供给部p2中，可采用压缩机、其他泵。

通过流体压力赋予结构p1加压的第1被处理流动体从第1导入部d1被导入两圆环10、20的内侧的空间，通过第1处理用面1和第2处理用面2之间，从两圆环10、20的外侧穿过。

此时，受到第1被处理流动体的输送压力的第2圆环20克服接触表面压力赋予机构4的弹压，远离第1圆环10，使两处理用面间分开微小的间隔。关于因两处理用面1、2的接近·分离而形成的两处理用面1、2间的间隔，后面详细叙述。

在两处理用面1、2间，从第2导入部d2供给第2被处理流动体并与第1被处理流动体合流，利用处理用面的旋转促进混合(反应)。然后，两流体的混合(反应)所生成的产物从两处理用面1、2排出到两圆环10、20的外侧。在圆环10、20外侧排出的产物最终通过壳体3的排出口32排出到壳体3的外部(自己排出)。

上述的被处理流动体的混合及反应(伴有反应的情况下)通过相对于第2处理用部20的第1处理用部10的由驱动部5所产生的旋转，在第1处理用面1与第2处理用面2进行。

在第1及第2处理用面1、2间，第2导入部d2的开口部m2的下游侧形成使上述第1被处理流动体和第2被处理流动体反应的处理室。具体而言，对于两处理用面1、2间，在表示第2圆环20的底面的图11(C)中以斜线表示的第2圆环20直径的内外方向r1，第2导入部的开口部m2、即第2开口部m2的外侧区域H具有作为上述处理室发挥作用。因此，该反应室在两处理用面1、2间位于第1导入部d1和第2导入部d2的两开口部m1、m2的下游侧。

从第2开口部m2导入至两处理用面1、2间的第2被处理流动体，在上述形成反应室的区域H，相对于从第1开口部m1经过圆环内侧的空间的导入至两处理用面1、2间的第1被处理流动体而被混合，在伴有反应的情况下两被处理流动体反应。流动体通过流体压力赋予结构p1而受到输送压力，在两处理用面1、2间的微小间隙中要朝着圆环的外侧移动，但是，由于第1圆环10旋转，所以，在上述反应区域H内，被混合的流动体并不是在圆环直径的内外方向上从内侧向外侧直线地移动，而是在俯视处理用面的状态下，以圆环的旋转轴为中心，螺旋状地从圆环的内侧向外侧移动。这样，在进行混合(反应)的领域H，通过螺旋状地从内侧向外侧移动，可以确保在两处理用面1、2间的微小间隔中具有充分混合(反应)所需要的区间，可促进均匀的反应。

另外，混合(反应)产生的产物在上述微小的第1及第2处理用面1、2间形成均质的产物，特别是在结晶或析出的情况下形成微粒。

至少，在上述的流体压力赋予结构p1负荷的输送压力、上述的接触表面压力赋予机构4的作用力、以及圆环的旋转所产生的离心力的均衡的基础上，可使两处理用面1、2间的间隔均衡为优选的微小间隔，并且，受到流体压力赋予结构p1负荷的输送压力及圆环的旋转所产生的离心力的被处理流动体，螺旋状地使上述处理用面1、2间的微小间隔中移动，促进混合(反应)。

上述的混合(反应)，通过流体压力赋予结构p1所负荷的输送压力、圆环的旋转而强制地进行。即，混合(反应)，在可接近·分离地对向配设且至少一方相对于其它一方进行旋转的处理用面1、2间，强制地均匀发生。

因此，特别是，反应所引起的产物的结晶或析出，可通过流体压力赋予结构p1所负荷的输送压力的调整、圆环的旋转速度即圆环的转速的调整这样的比较容易控制的方法来控制。

这样，该流体处理装置，通过输送压力、离心力的调整，进行影响产物的大小的处理用面1、2间的间隔的控制，并且，在对产物的均匀生成造成影响的上述领域H进行移动距离的控制方面优异。

另外，上述的处理并不局限于产物析出的物质，也包含液体的情况。另外，在产物是微粒等的微细的固体的情况下，产物可在处理后的流体中沉淀，另外也可处于在连续相中存在分散相的分散液的状态。

予以说明的是，旋转轴50并不限于铅直配置，也可以配置在水平方向，也可倾斜的配置。因为处理中，在两处理用面1、2间的微细的间隔进行混合(反应)，实质上可以排除重力的影响。

图1(A)中表示第1导入部d1在第2托架21中，与第2圆环20的轴心一致，朝上下铅直延伸。但是，第1导入部d1并不仅限于与第2圆环20的轴心一致，只要是能够向两圆环10、20所围成的空间供给第1被处理流动体即可，也可以设置在第2托架21的中央部分22的其他位置，另外，也可以非铅直的倾斜的延伸。

图12(A)表示上述装置的更优选的实施方式。如图所示，第2处理用部20具有上述第2处理用面2、并且具有受压面23，该受压面23位于第2处理用面2的内侧并与该第2处理用面2邻接。以下，该受压面23又称为分离用调整面23。如图所示，该分离用调整面23为倾斜面。

如上所述，在第2托架21的底部即下部，形成圆环收容部41，该圆环收容部41内收容有第2处理用部20。另外，虽没有图示，通过旋转阻止装置，使第2处理用部20相对于第2托架21不旋转地被收容。上述的第2处理用面2从第2托架21中露出。

在该实施方式中，处理用面1、2间的、第1处理用部10及第2处理用部20的内侧为被处理物的流入部，第1处理用部10及第2处理用部20的外侧为被处理物的流出部。

上述的接触表面压力赋予机构4相对于第1处理用面1以压接或接近的状态推压第2处理用面2，通过该接触表面压力与流体压力等的使两处理用面1、2间分离的力的平衡，形成上述规定厚度的薄膜流体。换言之，通过上述力的平衡，两处理用面1、2间的间隔保持为规定的微小间隔。

具体而言，在该实施方式中，接触表面压力赋予机构4由以下部分构成：上述的圆环收容部41；发条收容部42，该发条收容部42设置在圆环收容部41的内部即圆环收容部41的最深处；弹簧43；以及，空气导入部44。

但是，接触表面压力赋予机构4也可只具有上述圆环收容部41、上述发条收容部42、弹簧43以及空气导入部44中的至少任意一个。

圆环收容部41与第2处理用部20间隙配合，从而圆环收容部41内的第2处理用部20的位置或深或浅地位移，即可上下位移。

上述的弹簧43的一端与发条收容部42的内部抵接，弹簧43的另一端与圆环收容部41内的第2处理用部20的前部即上部抵接。在图1中，弹簧43虽仅显示1个，但是优选通过多个弹簧43来推压第2处理用部20的各个部分。即，通过增加弹簧43的数目，可以赋予第2处理用部20更加均等的推压力。所以，优选第2托架21为安装数个至数十个弹簧43的复合型。

在该实施方式中，还可通过上述空气导入部44向圆环收容部41内导入空气。通过这样的空气的导入，将圆环收容部41与第2处理用部20之间作为加压室，将弹簧43与空气压力一起作为推压力施加于第2处理用部20上。因此，通过调整从空气导入部44导入的空气压力，可调整运转中第2处理用面2相对于第1处理用面1的接触表面压力。并且，代替利用空气压力的空气导入部44，也可利用通过油压等其他的流体压力产生推压力的机构来实施。

接触表面压力赋予机构4除了供给并调节上述的推压力即接触表面压力的一部分之外，还兼作位移调整机构和缓冲机构。

详细而言，接触表面压力赋予机构4作为位移调整机构，通过空气压的调整而追随启动时、运转中轴方向的伸展、磨耗所引起的轴向位移，可维持初期的推压力。另外，如上所述，接触表面压力赋予机构4由于采用可位移地保持第2处理用部20的浮动机构，也具有作为微振动、旋转定位的缓冲机构的功能。

接着，关于采用上述的结构的处理装置的使用状态，根据图1(A)进行说明。

首先，第1被处理流动体受到来自流体压力赋予结构p1的输送压力，通过第1导入部d1导入密闭壳体的内部空间。其它一方面，通过由旋转驱动部所产生的旋转轴50的旋转，第1处理用部10旋转。由此，使第1处理用面1与第2处理用面2在保持微小间隔的状态下相对地旋转。

第1被处理流动体在保持微小间隔的两处理用面1、2间形成薄膜流体，从第2导入部d2导入的第2被处理流动体在两处理用面1、2间与该薄膜流体合流，同样构成薄膜流体的一部分。通过该合流，第1及第2被处理流动体混合而形成产物。而且在伴有反应的情况下，两流动体反应，均匀的反应得到促进，形成其产物。由此，在伴有析出的情况下可比较均匀地生成微细的粒子，即使在不伴有析出的情况下，仍可实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)。予以说明的是，认为析出的产物由于第1处理用面1的旋转而在其与第2处理用面2之间受到剪切，有时会被进一步微细化。在此，第1处理用面1与第2处理用面2，通过调整为1μm至1mm、特别是1μm至10μm的微小间隔，可实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)，同时，可生成数nm单位的超微粒。

产物从两处理用面1、2间排出，从壳体3的排出口32排出到壳体外部。被排出的产物通过周知的减压装置在真空或减压了的环境内形成雾状，通过碰到环境内的其他部分而成为流动体流下，可以作为脱气后的液态物回收。

予以说明的是，在该实施方式中，处理装置具有壳体，但也可以不设置这样的壳体来实施。例如，可实施为：设置用于脱气的减压罐即真空罐，在该罐内部配置处理装置。在该情况下，当然在处理装置中不具有上述的排出口。

如上所述，可将第1处理用面1与第2处理用面2的间隔调整为机械的间隔设定不可能达到的μm单位的微小间隔，其机制说明如下。

第1处理用面1与第2处理用面2可相对地接近分离，并且相对地旋转。在该例中，第1处理用面1旋转，第2处理用面2具有在轴方向可移动的结构(浮动结构)，相对于第1处理用面1接近分离。

因此，在该例中，第2处理用面2的轴方向位置通过力的平衡，即上述的接触表面压力与分离力的平衡，以μm单位的精度进行设定，由此进行两处理用面1、2间的微小间隔的设定。

如图12(A)所示，作为接触表面压力，可以举出以下实例：在接触表面压力赋予机构4中，从空气导入部44施加的空气压、即施加正压情况下的该压力，弹簧43的推压力。

予以说明的是，在图12～15、17所示的实施方式中，为避免图面的繁杂，省略了第2导入部d2的描绘。关于这一点，也可以看成是未设置第2导入部d2的位置的剖面。另外，图中，U表示上方，S表示下方。

另一方面，作为分离力，可以举出：作用于分离侧的受压面、即第2处理用面2及分离用调整面23的流体压力；第1处理用部10的旋转所产生的离心力；和对空气导入部44施加负压的情况下的该负压。

予以说明的是，在对装置进行清洗时，通过增大施加于上述的空气导入部44的负压，可加大两处理用面1、2的分离，可容易地进行清洗。

而且，通过这些力的平衡，使第2处理用面2相对于第1处理用面1以隔开规定的微小间隔的位置稳定，实现μm单位精度的设定。

对分离力进一步详细地说明。

首先，关于流体压力，密封流路中的第2处理用部20受到来自于流体压力赋予结构p1的被处理流动体的送入压力即流体压力。此时，与流路中的第1处理用面相对的面、即第2处理用面2和分离用调整面23成为分离侧的受压面，流体压力作用在该受压面上，产生因流体压所引起的分离力。

其次，关于离心力，如果第1处理用部10高速旋转，则离心力作用于流体，该离心力的一部分成为分离力，该分离力作用在两处理用面1、2相互远离的方向上。

此外，当从上述的空气导入部44向第2处理用部20施加负压时，该负压作为分离力起作用。

以上，在本申请发明的说明中，将使第1与第2处理用面1、2相互分离的力作为分离力进行说明，并非将上述表示的力从分离力中排除。

如上所述，在密闭的被处理流动体的流路中，介有处理用面1、2间的被处理流动体，形成分离力与接触表面压力赋予机构4所赋予的接触表面压力达到平衡的状态，由此在两处理用面1、2间实现均匀的混合状态，在伴有反应的情况下实现均匀的反应，同时形成适合进行微细产物的结晶·析出的薄膜流体。这样，该装置通过在两处理用面1、2间强制地介有薄膜流体，可在两处理用面1、2间维持为以往的机械的装置中不可能的微小间隔，实现高精度地生成作为产物的微粒。

换言之，处理用面1、2间的薄膜流体的厚度通过上述的分离力与接触表面压力的调整而调整至所希望的厚度，能够进行需要的均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)的实现和微细的产物的生成处理。所以，在要形成小的薄膜流体的厚度的情况下，只要调整接触表面压力或分离力以使得接触表面压力相对于分离力增大即可，相反地，在要形成大的薄膜流体的厚度的情况下，只要调整接触表面压力或分离力以使得分离力相对于接触表面压力增大即可。

在增加接触表面压力的情况下，在接触表面压力赋予机构4中，从空气导入部44赋予空气压、即正压，或者，将弹簧43变更为推压力大的弹簧或增加其个数即可。

在增加分离力的情况下，可以增加流体压力赋予结构p1的送入压力，或者增加第2处理用面2、分离用调整面23的面积，除此之外，还可以调整第1处理用部10的旋转从而增大离心力，或者减低来自空气导入部44的压力。或者，可以赋予负压。弹簧43是作为在延伸方向产生推压力的推力发条，但是，也可以是作为在收缩方向产生力的拉力发条，可形成接触表面压力赋予机构4的结构的一部分或全部。

在减小分离力的情况下，可以减少流体压力赋予结构p1的送入压力，或者减少第2处理用面2、分离用调整面23的面积，除此之外，还可以调整第1处理用部10的旋转从而减少离心力，或者增大来自空气导入部44的压力。或者也可以降低负压。

进而，作为接触表面压力以及分离力的增加减少的要素，除上述以外，还可加入粘度等被处理流动体的特性，这样的被处理流动体的特性的调整也可作为上述要素的调整来进行。

予以说明的是，分离力之中，作用于分离侧的受压面即第2处理用面2以及分离用调整面23上的流体压力，可理解为构成机械密封的开启力的力。

在机械密封中，第2处理用部20相当于密封环，在对该第2处理用部20施加流体压力的情况下，当使第2处理用部20与第1处理用部10分离的力作用的情况下，该力为开启力。

更详细而言，如上述的第1实施方式那样，当在第2处理用部20中仅设置分离侧的受压面、即第2处理用面2以及分离用调整面23的情况下，送入压力的全部构成开启力。予以说明的是，在第2处理用部20的背面侧也设置受压面的情况下，具体而言，在后述的图12(B)及图17的情况下，在送入压力中，作为分离力作用的力与作为接触表面压力作用的力的差形成开启力。

在此，使用图12(B)对第2处理用部20的其他实施方式进行说明。

如图12(B)所示，在从该第2处理用部20的圆环收容部41露出的部位并且在内周面侧，设置面向第2处理用面2的相反侧即上方侧的接近用调整面24。

即，在该实施方式中，接触表面压力赋予机构4由圆环收容部41、空气导入部44以及上述接近用调整面24构成。但是，接触表面压力赋予机构4也可以只具备上述圆环收容部41、上述发条收容部42、弹簧43、空气导入部44以及上述接近用调整面24中的至少任意一个。

该接近用调整面24受到施加于被处理流动体上的规定的压力，产生使第2处理用面2接近第1处理用面1的方向移动的力，作为接近用接触表面压力赋予机构4的一部分，担当接触表面压力的供给侧的作用。其它一方面，第2处理用面2与上述的分离用调整面23受到施加于被处理流动体上的规定的压力，产生使第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向移动的力，担当对于分离力的一部分的供给侧的作用。

接近用调整面24、第2处理用面2以及分离用调整面23均为受到上述的被处理流动体的输送压力的受压面，根据其方向，实现产生上述接触表面压力与产生分离力的不同的作用。

接近用调整面24的投影面积A1与合计面积A2的面积比A1/A2称为平衡比K，对上述的开启力的调整非常重要，其中，接近用调整面24的投影面积A1是在与处理用面的接近·分离的方向、即第2圆环20的出没方向正交的假想平面上投影的接近用调整面24的投影面积，合计面积A2是在该假想平面上投影的第2处理用部20的第2处理用面2及分离用调整面23的投影面积的合计面积。

接近用调整面24的前端与分离用调整面23的前端，一同被限定在环状的第2调整用部20的内周面25即前端线L1上。因此，通过在何处放置接近用调整面24的基端线L2的决定，可进行平衡比K的调整。

即，在该实施方式中，在利用被处理用流体的送出压力作为开启力的情况下，通过使第2处理用面2以及分离用调整面23的合计投影面积大于接近用调整面24的投影面积，可产生与其面积比率相对应的开启力。

对于上述开启力，变更上述平衡线，即变更接近用调整面24的面积A1，由此，能够通过被处理流动体的压力、即流体压力进行调整。

滑动面实际表面压力P、即接触表面压力中的流体压力所产生的表面压力可用下式计算。

P＝P1×(K-k)+Ps

式中，P1表示被处理流动体的压力、即流体压力，K表示上述平衡比，k表示开启力系数，Ps表示弹簧及背压力。

通过该平衡线的调整来调整滑动面实际表面压力P，由此使处理用面1、2间形成所希望的微小间隙量，形成被处理流动体所产生的薄膜流体，使产物变微细，另外进行均匀的混合(反应)处理。

通常，如果两处理用面1、2间的薄膜流体的厚度变小，则可使产物更细。相反，如果薄膜流体的厚度变大，处理变得粗糙，单位时间的处理量增加。所以，通过上述滑动面实际表面压力P的调整，能够在调整两处理用面1、2间的间隙而实现所期望的均匀混合状态(在伴有反应的情况下为均匀的反应)的同时获得微细的产物。以下，称滑动面实际表面压力P为表面压力P。

归纳该关系，在使上述产物较粗的情况下，可以减小平衡比，减小表面压力P，增大上述间隙，增大上述厚度。相反，在使上述产物更细的情况下，可以增大平衡比K，增大表面压力P，减小上述间隙，减小上述厚度。

这样，作为接触表面压力赋予机构4的一部分，形成接近用调整面24，通过其平衡线的位置，可以实施接触表面压力的调整，即调整处理用面间的间隙来实施。

在上述的间隙的调整中，如上所述，还可以考虑上述的弹簧43的推压力、空气导入部44的空气压力来进行。并且，流体压力即被处理流动体的输送压力的调整、及成为离心力的调整的第1处理用部10即第1托架11的旋转的调整，也是重要的调整要素。

如上所述，该装置以如下方式构成，即，对于第2处理用部20及相对于第2处理用部20旋转的第1处理用部10，通过取得被处理流动体的送入压力、该旋转离心力以及接触表面压力的压力平衡，在两处理用面上形成规定的薄膜流体。并且，圆环的至少一方为浮动结构，从而吸收芯振动等的定位，排除接触所引起的磨耗等的危险性。

该图12(B)的实施方式中，对于具备上述的调整用面以外的结构，与图1(A)所示的实施方式一样。

另外，在图12(B)所示的实施方式中，如图17所示，可以不设置上述分离用调整面23来实施。

如图12(B)、图17所示的实施方式那样，在设置接近用调整面24的情况下，通过使接近用调整面24的面积A1大于上述面积A2，从而不产生开启力，相反，施加于被处理流动体上的规定的压力全部作为接触表面压力而起作用。也可进行这样的设定，在该情况下，通过增大其他的分离力，可使两处理用面1、2均衡。

通过上述的面积比决定了作用在使第2处理用面2从第1处理用面1分离方向的力，该力作为从流体所受到的力的合力。

上述实施方式中，如上所述，弹簧43为了对滑动面即处理用面赋予均匀的应力，安装个数越多越好。但是，该弹簧43也可如图13所示那样，采用单卷型弹簧。其为如图所示的、中心与环状的第2处理用部20同心的1个螺旋式弹簧。

第2处理用部20与第2托架21之间以成为气密的方式密封，该密封可采用众所周知的手段。

如图14所示，第2托架21中设有温度调整用封套46，该温度调整用封套46冷却或加热第2处理用部20，可调节其温度。并且，图14的3表示上述的壳体，在该壳体3中，也设有同样目的的温度调节用封套35。

第2托架21的温度调节用封套46是水循环用空间，该水循环用空间形成于在第2托架21内的圆环收容部41的侧面，并与连通至第2托架21外部的通道47、48相连接。通道47、48的其中任一方向温度调整用封套46导入冷却或加热用的介质，其中其它一方排出该介质。

另外，壳体3的温度调整用封套35是通过加热用水或冷却水的通道，其通过覆盖壳体3的外周的覆盖部34而设置在壳体3的外周面与该覆盖部34之间。

在该实施方式中，第2托架21及壳体3具备上述的温度调整用的封套，但是，第1托架11中也可设置这样的封套来实施。

作为接触表面压力赋予机构4的一部分，除上述以外，也可设置如图15所示的汽缸机构7来实施。

该汽缸机构7具有：汽缸空间部70，该汽缸空间部70设置在第2托架21内；连接部71，该连接部71连接汽缸空间部70与圆环收容部41；活塞体72，该活塞体72收容在汽缸空间部70内且通过连接部71与第2处理用部20相连接；第1喷嘴73，该第1喷嘴73与汽缸空间部70的上部相连接；第2喷嘴74，该第2喷嘴74与汽缸空间部70的下部相连接；推压体75，该推压体75为介于汽缸空间部70上部与活塞体72之间的发条等。

活塞体72可在汽缸空间部70内上下滑动，通过活塞体72的该滑动，第2处理用部20上下滑动，可变更第1处理用面1与第2处理用面2之间的间隙。。

虽未图示，具体而言，将压缩机等的压力源与第1喷嘴73连接，通过从第1喷嘴73向汽缸空间部70内的活塞体72的上方施加空气压力即正压，使活塞体72向下方滑动，可使第1及第2处理用面1、2间的间隙变窄。另外虽未图示，也可将压缩机等的压力源与第2喷嘴74连接，通过从第2喷嘴74向汽缸空间部70内的活塞体72的下方施加空气压力即正压，使活塞体72向上方滑动，使第2处理用部20移动而在扩大第1及第2处理用面1、2间的间隙、即进行打开的方向移动。这样，通过用从喷嘴73、74获得的空气压，可调整接触表面压力。

即使圆环收容部41内的第2处理用部20的上部与圆环收容部41的最上部之间有足够的空间，通过与汽缸空间部70的最上部70a抵接地设定活塞体72，该汽缸空间部70的最上部70a也限定了两处理用面1、2间的间隔的宽度的上限。即，活塞体72与汽缸空间部70的最上部70a作为抑制两处理用面1、2分离的分离抑制部而发挥作用，换言之，作为限制两处理用面1、2间的间隔的最大分开量的机构而发挥作用。

另外，即使两处理用面1、2彼此未抵接，通过与汽缸空间部70的最下部70b抵接地设定活塞体72，该汽缸空间部70的最下部70b限定了两处理用面1、2间的间隙宽度的下限。即，活塞体72与汽缸空间部70的最下部70b作为抑制两处理用面1、2接近的接近抑制部而发挥作用，更换言之，作为限制两处理用面1、2之间的间隔的最小分开量的机构而发挥作用。

这样，一边限定上述间隔的最大及最小的分开量，一边通过上述喷嘴73、74的空气压来调整活塞体72与汽缸空间部70的最上部70a的间隔z1，换言之，调整活塞体72与汽缸空间部70的最下部70b的间隔z2。

喷嘴73、74可以与另一个压力源连接，也可以通过切换或转接连接于一个压力源。

并且，压力源可以是供给正压或供给负压的任一种来实施。在真空等的负压源与喷嘴73、74相连接的情况下，形成与上述的动作相反。

取代上述的其他接触表面压力赋予机构4或者作为上述的接触表面压力赋予机构4的一部分，设置这样的汽缸机构7，根据被处理流动体的粘度、形状，进行与喷嘴73、74相连接的压力源的压力、间隔z1、z2的设定，使薄膜流体的厚度达到所期望的值，施以剪切力，实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)，可生成微细的粒子。特别是，通过这样的汽缸机构7，可以在清洗时、蒸汽灭菌时等进行滑动部的强制开闭，可提高清洗、灭菌的可靠性。

如图16(A)～(C)所示，可以在第1处理用部10的第1处理用面1上形成槽状凹部13...13来实施，该槽状凹部13...13从第1处理用部10的中心侧朝向外侧延伸，即在径向上延伸。在该情况下，如图16(A)所示，凹部13...13可作为在第1处理用面1上弯曲或螺旋状延伸的部分来实施，如图16(B)所示，也可以实施为各个凹部13弯曲为L字型，并且，如图16(C)所示，凹部13...13也可实施为呈直线放射状延伸。

另外，如图16(D)所示，优选图16(A)～(C)的凹部13以成为朝向第1处理用面1的中心侧逐渐加深地形成梯度而实施。并且，槽状的凹部13除了可以是连续的槽之外，也可是间断的槽。

通过形成这样的凹部13，具有应对被处理流动体的排出量的增加或发热量的减少、空蚀控制、流体轴承效果等的效果。

在上述图16所示各实施方式中，凹部13虽然形成在第1处理用面1上，但也可实施为形成在第2处理用面2上，并且，也可实施为形成在第1及第2处理用面1、2双方上。

在处理用面上未设置上述凹部13或锥度的情况下，或者，在使它们偏置于处理用面的一部分的情况下，处理用面1、2的表面粗糙度对被处理流动体施加的影响比形成上述凹部13的大。所以，在这样的情况下，如果要使被处理流动体的粒子变小，就必须降低表面粗糙度，即形成光滑的面。特别是，在以均匀的混合(反应)为目的的情况下，对于其处理用面的表面粗糙度，在以实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)、获得微粒为目的的情况下，前述镜面、即施加了镜面加工的面有利于实现微细的单分散的产物的结晶·析出。

在图12至图17所示的实施方式中，对于特别明示以外的结构也与图1(A)或图11(C)所示实施方式相同。

另外，在上述各实施方式中，壳体内全部密封，但是，除此以外，也可实施为，仅第1处理用部10及第2处理用部20的内侧被密封，其外侧开放。即，直到通过第1处理用面1及第2处理用面2之间为止，流路被密封，被处理流动体受到全部输送压力，但是，在通过后，流路被打开，处理后的被处理流动体不受到输送压力。

在流体压力赋予结构p1中，作为加压装置，如上所述，优选使用压缩机实施，但是，只要能一直对被处理流动体施加规定的压力，也可使用其他的手段实施。例如，可以通过如下装置实施，即，利用被处理流动体的自重，一直对被处理流动体施加一定的压力的装置。

概括上述各实施方式中的处理装置，其特征为，对被处理流动体施加规定的压力，在受到该规定压力的被处理流动体所流动的被密封的流体流路中，连接第1处理用面1及第2处理用面2至少2个可接近·分离的处理用面，施加使两处理用面1、2接近的接触表面压力，通过使第1处理用面1与第2处理用面2相对地旋转，利用被处理流动体产生机械密封中用于密封的薄膜流体，与机械密封相反(不是将薄膜流体用于密封)，使该薄膜流体从第1处理用面1及第2处理用面2之间漏出，在两面间1、2成为膜的被处理流动体间，实现混合(反应)的处理，回收。

通过上述划时代的方法，可将两处理用面1、2间的间隔调整为1μm至1mm，尤其是可进行1～10μm的调整。

在上述实施方式中，装置内构成被密闭的流体的流路，利用在处理装置的(第1被处理流动体的)导入部侧设置的流体压力赋予结构p1，对被处理流动体加压。

另外，也可以不用这样的流体压力赋予结构p1进行加压，而是通过被处理流动体的流路被打开的装置来实施。

图18至图20表示这样的处理装置的一个实施方式。予以说明的是，在该实施方式中，作为处理装置，示例有具备从生成的物质中除去液体、最终仅确保作为目的的固体(结晶)的功能的装置。

图18(A)为处理装置的简略纵剖面图，图18(B)是其局部切开扩大剖面图。图19是具备图18所示的处理装置的第1处理用部101的俯视图。图20是上述处理装置的第1及第2处理用部101、102的局部的主要部分简略纵剖面图。

该图18至图20中所示的装置如上所述，在大气压下，投入作为处理对象的流体，即被处理流动体或搬送这样的处理对象物的流体。

予以说明的是，图18(B)及图20中，为避免图面的繁杂，省略了第2导入部d2而描述(也可看成不设有第2导入部d2的位置的剖面)。

如图18(A)所示，该流体处理装置具备反应装置G及减压泵Q。该反应装置G具备：作为旋转构件的第1处理用部101；保持该处理用部101的第1托架111；作为相对于壳体被固定的构件的第2处理用部102；固定该第2处理用部102的第2托架121；弹压机构103；动压发生机构104(图19(A))；使第1处理用部101与第1托架111一同旋转的驱动部；壳体106；供给(投入)第1被处理流动体的第1导入部d1；向减压泵Q排出流体的排出部108。关于驱动部省略其图示。

上述第1处理用部101及第2处理用部102分别是具有挖空圆柱中心的形状的环状体。两处理用部101、102是分别把两处理用部101、102所呈圆柱的一个底面作为处理用面110、120的构件。

上述处理用面110、120具有被镜面研磨的平坦部。在该实施方式中，第2处理用部102的处理用面120是整个面都实施了镜面研磨的平坦面。另外，虽然使第1处理用部101的处理用面110的整个面成为与第2处理用部102相同的平坦面，但是，如图19(A)所示，在平坦面中，有多个沟槽112...112。该沟槽112...112以第1处理用部101所呈圆柱的中心为中心侧，向圆柱的外周方向放射状地延伸。

有关上述第1及第2处理用部101、102的处理用面110、120的镜面研磨，优选表面粗糙度Ra为0.01～1.0μm。对于该镜面研磨，更优选Ra达到0.03～0.3μm。

有关处理用部101、102的材质，采用硬质且可以镜面研磨的材料。有关处理用部101、102的该硬度，优选为至少维式硬度1500以上。并且，优选采用线膨胀系数小的原料或热传导高的原料。这是由于，在处理时产生热量的部分与其他部分之间，如果膨胀率的差较大，就会发生变形，从而影响适当间隔的确保。

作为上述处理用部101、102的原料，尤其优选采用以下物质等：SIC即碳化硅，其维式硬度为2000～2500；表面以DLC即类钻碳涂层的SIC，其中类钻碳的维式硬度为3000～4000；WC即碳化钨，其维式硬度为1800；表面施加了DLC涂层的WC、ZrB₂或以BTC、B₄C为代表的硼系陶瓷，维式硬度为4000～5000。

图18所示的壳体106虽省略了底部的图示，但是为有底的筒状体，上方被上述第2托架121覆盖。第2托架121在其下表面固定上述第2处理用部102，在其上方设有上述导入部d1。导入部d1具有料斗170，该料斗170用于从外部投入流体、被处理物。

虽未图示，上述的驱动部具备电动机等动力源以及从该动力源接受动力供给而旋转的轴50。

如图18(A)所示，轴50配置于壳体106的内部朝上下延伸。并且，轴50的上端部设有上述第1托架111。第1托架111是保持第1处理用部101的装置，通过设置在上述轴50上，使第1处理用部101的处理用面110与第2处理用部102的处理用面120相对应。

第1托架111为圆柱状体，在上面中央固定有第1处理用部101。第1处理用部101与第1托架111成为一体地被固定，相对于第1托架111不改变其位置。

其它一方面，在第2托架121的上面中央形成有收容第2处理用部102的收容凹部124。

上述收容凹部124具有环状的横剖面。第2处理用部102以与收容凹部124同心的方式收容在圆柱状的收容凹部124内。

该收容凹部124的结构与图1(A)所示的实施方式相同(第1处理用部101对应第1圆环10，第1托架111对应第1托架11，第2处理用部102对应第2圆环20，第2托架121对应第2托架21)。

并且，该第2托架121具备上述弹压机构103。优选弹压机构103使用弹簧等弹性体。弹压机构103与图1(A)的接触表面压力赋予机构4对应，采用同样结构。即，弹压机构103推压与第2处理用部102的处理用面120相反侧的面、即底面，对位于第1处理用部101侧、即下方的第2处理用部102的各位置均等地弹压。

其它一方面，收容凹部124的内径大于第2处理用部102的外径，由此，当如上所述同心地配设时，在第2处理用部102的外周面102b与收容凹部124的内周面之间，如图18(B)所示那样，设定间隔t1。

同样，在第2处理用部102的内周面102a与收容凹部124的中心部分22的外周面之间，如图18(B)所示那样，设定间隔t2。

上述间隔t1、t2分别用于吸收振动及偏心举动，其大小以如下方式设定，即，大于等于能够确保动作的尺寸并且可以形成密封。例如，在第1处理用部101的直径为100mm至400mm的情况下，优选该间隔t1、t2分别为0.05～0.3mm。

第1托架111被一体地固定在轴50上，与轴50一起旋转。另外，虽未图示，但通过制动器，第2处理用部102不会相对于第2托架121旋转。但是，在两处理用面110、120间，为了确保处理所需要的0.1～10微米的间隔、即如图20(B)所示的微小间隔t，如图18(B)所示，在收容凹部124的底面、即顶部和第2处理用部102的顶部124a即上面之间，设有间隙t3。对于该间隙t3，与上述的间隔一起，考虑轴50振动、延伸而设定。

如上所述，通过间隔t1～t3的设定，第1处理用部101，如图18(B)所示，不仅在相对于第2处理用部102接近·分离的方向z1上可变，而且对于其处理用面110的倾斜方向z2也可变。

即，在该实施方式中，弹压机构103和上述间隔t1～t3构成浮动机构，通过该浮动机构，至少第2处理用部102的中心及倾斜可以在从数微米至数毫米左右的很小量的范围内变动。由此，吸收旋转轴的芯振动、轴膨胀、第1处理用部101的面振动和振动。

对第1处理用部101的处理用面110所具有的上述沟槽112，进一步详细地说明如下。沟槽112的后端到达第1处理用部101的内周面101a，其前端朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧延伸。该沟槽112如图19(A)所示，其横截面积从环状的第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧逐渐减少。

沟槽112的左右两侧面112a、112b的间隔w1从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧逐渐减小。并且，沟槽112的深度w2如图19(B)所示，从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧逐渐减小。即，沟槽112的底112c从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧逐渐变浅。

这样，沟槽112的宽度及深度都朝着外侧y即外周面侧逐渐减小，使其横截面积朝着外侧y逐渐减小。并且，沟槽112的前端即y侧成为终点。即，沟槽112的前端即y侧不到达第1处理用部101的外周面101b，在沟槽112的前端与外周面101b之间，隔着外侧平坦面113。该外侧平坦面113为处理用面110的一部分。

在该图19所示的实施方式中，上述沟槽112的左右两侧面112a、112b及底112c构成流路限制部。该流路限制部、第1处理用部101的沟槽112周围的平坦部以及第2处理用部102的平坦部构成动压发生机构104。

但是，也可仅对沟槽112的宽度及深度的其中任一方采用上述结构，减小截面积。

上述的动压发生机构104通过在第1处理用部101旋转时穿过两处理用部101、102间的流体，在两处理用部101、102之间可确保所希望的微小间隔，在使两处理用部101、102分离的方向上产生作用力。通过这样的动压的发生，可在两处理用面110、120间产生0.1～10μm的微小间隔。这样的微小间隔，虽可以根据处理的对象进行调整选择，但是，优选1～6μm，更优选1～2μm。在该装置中，通过上述微小间隔，可以实现以往不可能的均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)和生成微细的粒子。

沟槽112...112能够以如下方式实施，即，笔直地从中心x侧朝向外侧y延伸。但是，在该实施方式中，如图19(A)所示，对于第1处理用部101的旋转方向r，沟槽112的中心x侧以比沟槽112的外侧y先行的方式、即位于前方的方式弯曲，使沟槽112延伸。

通过这样的沟槽112...112弯曲地延伸，可更有效地通过动压发生机构104产生分离力。

接着，对该装置的动作进行说明。

如图18(A)所示，从料斗170投入的、通过第1导入部d1的第1被处理流动体R，通过环状的第2处理用部102的中空部，受到第1处理用部101的旋转所产生的离心力，进入两处理用部101、102间，在旋转的第1处理用部101的处理用面110与第2处理用部102的处理用面120之间，进行均匀的混合(反应)、及根据情况的微细粒子的生成，随后，来到两处理用部101、102的外侧，通过排出部108排出至减压泵Q侧(以下根据需要将第1被处理流动体R仅称为流体R)。

在上述中，进入到环状第2处理用部102的中空部的流体R如图20(A)所示，首先，进入旋转的第1处理用部101的沟槽112。其它一方面，被镜面研磨的、作为平坦部的两处理用面110、120即使通过空气或氮气等气体也维持气密性。所以，即使受到旋转所产生的离心力，在该状态下，流体R也不能够从沟槽112进入由弹压机构103压合的两处理用面110、120之间。但是，流体R与作为流路限制部而形成的沟槽112的上述两侧面112a、112b及底112c慢慢地碰撞，产生作用于使两处理用面110、120分离的方向上的动压。如图20(B)所示，由此，流体R从沟槽112渗出到平坦面上，可确保两处理用面110、120间的微小间隔t即间隙。而且，在这样镜面研磨了的平坦面之间，进行均匀的混合(反应)及微细粒子的生成。并且，上述沟槽112的弯曲更为可靠地对流体作用离心力，更有效进行上述的动压的产生。

这样，该流体处理装置通过动压与弹压机构103所产生的弹压力的平衡，能够在两镜面即处理用面110、120间确保微细均匀的间隔即间隙。而且，通过上述结构，该微小间隔可形成为1μm以下的超微细间隔。

另外，通过采用上述浮动机构，处理用面110、120间的定位的自动调整成为可能，对于因旋转及发热所引起的各部分的物理变形，能够抑制处理用面110、120间的各个位置的间隔的偏差，可维持该各个位置的上述微小间隔。

予以说明的是，在上述实施方式中，浮动机构是仅在第2托架121上设置的机构。除此以外，还可以取代第2托架121，在第1托架111上也设置浮动机构，或者在第1托架111与第2托架121上都设置浮动机构。

图21至图23表示上述的沟槽112的其他实施方式。

如图21(A)(B)所示，沟槽112作为流路限制部的一部分，可在其前端具备平坦的壁面112d。并且，在该图21所示的实施方式中，在底112c上，在第1壁面112d与内周面101a之间设有台阶112e，该台阶112e也构成流路限制部的一部分。

如图22(A)(B)所示，沟槽112可实施为，具有多个分叉的枝部112f...112f，各枝部112f通过缩小其宽度而具有流路限制部。

在图21及图22的实施方式中，特别是对于没有示出的结构，与图1(A)、图11(C)、图18至图20中所示的实施方式相同。

并且，在上述各实施方式中，对于沟槽112的宽度及深度的至少其中一方，从第1处理用部101的内侧朝向外侧，逐渐减小其尺寸，由此构成流路限制部。此外，如图23(A)及图23(B)所示，通过不变化沟槽112的宽度及深度在沟槽112中设置终端面112f，该沟槽112的终端面112f也可以形成流路限制部。如图19、图21及图22表示的实施方式所示，动压产生以如下方式进行，即，通过沟槽112的宽度及深度如前述那样变化，使沟槽112的底及两侧面成为倾斜面，由此，该倾斜面成为相对于流体的受压部，产生动压。其它一方面，在图23(A)(B)所示实施方式中，沟槽112的终端面成为相对于流体的受压部，产生动压。

另外，在该图23(A)(B)所示的情况下，也可实施为一并使沟槽112的宽度及深度的至少其中一方的尺寸逐渐减小。

予以说明的是，关于沟槽112的结构，并不限定于上述图19、图21至图23所示的结构，也可实施为具有其他形状的流路限制部的结构。

例如，在图19、图21至图23所示结构中，沟槽112并不穿透到第1处理用部101的外侧。即，在第1处理用部101的外周面与沟槽112之间，存在外侧平坦面113。但是，并不限定于上述实施方式，只要能产生上述的动压，沟槽112也可到达第1处理用部101的外周面侧。

例如，在图23(B)所示的第1处理用部101的情况下，如虚线所示，可实施为，使剖面面积小于沟槽112的其他部位的部分形成于外侧平坦面113上。

另外，如上所述，以从内侧向外侧逐渐减小截面积的方式形成沟槽112，使沟槽112的到达第1处理用部101外周的部分(终端)形成最小截面积即可(未图示)。但是，为有效地产生动压，如图19、图21至图23所示，优选沟槽112不穿透第1处理用部101外周面侧。

在此，对上述图18至图23所示的各种实施方式进行总结。

该处理装置使具有平坦处理用面的旋转构件与同样具有平坦处理用面的固定构件以它们的平坦处理用面同心地相对，在一边在旋转构件的旋转下从固定构件的开口部供给被反应原料一边从两构件的地向平面处理用面间进行反应处理的该处理装置中，不是机械地调整间隔，而是在旋转构件中设置增压机构，能够通过其产生的压力来保持间隔，并且形成机械的间隔调整所不可能达到的1～6μm的微小间隔，混合(反应)的均匀化以及生成粒子的微细化能力及反应的均匀化能力可显著提高。

即，在该流体处理装置中，旋转构件与固定构件在其外周部具有平坦处理用面，该平坦处理用面具有面上的密封功能，提供高速旋转式的处理装置，该高速旋转式的处理装置产生流体静力学的力即流体静力、流体动力学的力即流体动力、或者空气静力学-空气动力学的力。上述的力使上述密封面之间产生微小的间隔，并可提供具有如下功能的流体处理装置，即，非接触、机械安全、高度的混合(反应)的均匀化。能形成该微小间隔的要因，一个是旋转构件的旋转速度，另一个是被处理物(流体)的投入侧与排出侧的压力差所引起的。在投入侧未设置压力赋予机构的情况即在大气压下投入被处理物(流体)的情况下，由于无压力差，需要只依靠旋转构件的旋转速度来产生密封面间的分离。这作为流体动力学的力或空气动力学的力而已知。

图18(A)所示装置中，虽表示为将减压泵Q连接在上述混合装置G的排出部，但也可如前面所述那样实施为，不设置壳体106，且不设置减压泵Q，而是如图24(A)所示，将处理装置作为减压用的罐T，在该罐T中配设混合装置G。

在该情况下，通过使罐T内减压至真空或接近真空的状态，混合装置G中生成的被处理物成雾状地喷射到罐T内，通过回收碰到罐T的内壁而流下的被处理物，或，回收相对于上述流下的被处理物作为气体(蒸汽)被分离的、充满罐T上部的物质，可获得处理后的目的物。

另外，即使在使用减压泵Q的情况下，如图24(B)所示，混合装置G经由减压泵Q连接气密的罐T，由此在该罐T内处理后的被处理物形成雾状，可进行目的物的分离·抽出。

此外，如图24(C)所示，减压泵Q直接连接于罐T，在该罐T内，连接减压泵Q以及与减压泵Q分开的流体R的排出部，可进行目的物的分离。在该情况下，对于气化部，液体R(液状部)被减压泵Q吸引聚集，通过排出部排出，而不从汽化部排出。

在上述各实施方式中，示出了将第1及第2的两种被处理流动体分别从第2托架21、121及第2圆环20、102导入，使之混合(反应)。

下面，对被处理流动体向装置导入的其他实施方式按顺序进行说明。

如图1(B)所示，可实施为，在图1(A)所示的处理装置中，设置第3导入部d3将第3被处理流动体导入两处理用面1、2间，使其与第2被处理流动体同样地与第1被处理流动体混合(反应)。

第3导入部d3向处理用面1、2间供给与第1被处理流动体混合的第3被处理流动体。在该实施方式中，第3导入部d3是设在第2圆环20内部的流体通道，其一端在第2处理用面2上开口，其另一端连接第3流体供给部p3。

在第3流体供给部p3中，可采用压缩机、其他的泵。

第3导入部d3在第2处理用面2上的开口部与第2导入部d2的开口部相比位于第1处理用面1的旋转中心的外侧。即，在第2处理用面2中，第3导入部d3的开口部较第2导入部d2的开口部位于下游侧。在第3导入部d3的开口部与第2导入部d2的开口部之间，在第2圆环20的直径的内外方向上隔开间隔。

该图1(B)所示装置中，第3导入部d3以外的构成与图1(A)所示的实施方式相同。予以说明的是，在该图1(B)及下面说明的图1(C)、图1(D)、图2～图11中，为避免图面的繁杂，省略了壳体3。予以说明的是，在图9(B)(C)、图10、图11(A)(B)中，描绘了壳体3的一部分。

另外，如图1(C)所示，可实施为，在图1(B)所示处理装置中，设置第4导入部d4，将第4被处理流动体导入两处理用面1、2间，使其与第2及第3被处理流动体同样地与第1被处理流动体混合(反应)。

第4导入部d4向处理用面1、2间供给与第1被处理流动体混合的第4被处理流动体。在该实施方式中，第4导入部d4是设在第2圆环20内部的流体通道，其一端在第2处理用面2上开口，其另一端连接第4流体供给部p4。

在第4流体供给部p4中，可采用压缩机、其他的泵。

第4导入部d4在第2处理用面2中的开口部较第3导入部d3开口部位于第1处理用面1的旋转中心的外侧。即，在第2处理用面2中，第4导入部d4的开口部较第3导入部d3的开口部位于下游侧。

对于图1(C)所示装置的第4导入部d4以外的结构，与图1(B)所示的实施方式相同。

并且，虽未图示，也可实施为，另外设置第5导入部、第6导入部等5个以上的导入部，分别使5种以上的被处理流动体混合(反应)。

另外，如图1(D)所示，可实施为，在图1(A)的装置中，将设置在第2托架21上的第1导入部d1与第2导入部d2同样地设置在第2处理用面2上，以取代将其设置在第2托架21上。在该情况下，在第2处理用面2中，第1导入部d1的开口部也较第2导入部d2位于旋转的中心侧即上游侧。

在上述图1(D)所示装置中，第2导入部d2的开口部与第3导入部d3的开口部一起配置在第2圆环20的第2处理用面2上。但是，导入部的开口部并不限于上述相对于处理用面的配置。特别是，可如图2(A)所示，将第2导入部d2的开口部设置在第2圆环20的内周面的、与第2处理用面2邻接的位置来实施。在该图2(A)所示装置中，第3导入部d3的开口部虽与图1(B)所示装置同样地配置在第2处理用面2上，但是，也可通过将第2导入部d2的开口部配置在上述第2处理用面2的内侧，与第2处理用面2邻接的位置，从而将第2被处理流动体直接导入到处理用面。

这样通过将第1导入部d1的开口部设置在第2托架21上，将第2导入部d2的开口部配置在第2处理用面2的内侧，即与第2处理用面2邻接的位置(在该情况下，设置上述第3导入部d3不是必须的)，特别是在使多个被处理流动体反应的情况下，能够将从第1导入部d1导入的被处理流动体与从第2导入部d2导入的被处理流动体在不反应的状态下导入两处理用面1、2间，并且可使两者在两处理用面1、2间初次发生反应。因此，上述结构特别适合于使用反应性高的被处理流动体的情况。

予以说明的是，上述的“邻接”并不仅限于以下情况，即，将第2导入部d2的开口部如图2(A)所示地以与第2圆环20的内侧侧面接触的方式设置。从第2圆环20至第2导入部d2的开口部的距离为以下程度即可，即，在多个的被处理流动体被导入两处理用面1、2间以前不被混合(反应)的程度，例如，也可以设置在接近第2托架21的第2圆环20的位置。并且，也可以将第2导入部d2的开口部设置在第1圆环10或第1托架11侧。

另外，在上述的图1(B)所示装置中，在第3导入部d3的开口部与第2导入部d2的开口之间，在第2圆环20的直径的内外方向隔开间隔，但也可实施为，如图2(B)所示，不设置这样的间隔，将第2及第3被处理流动体导入两处理用面1、2间，立刻使两流动体合流。根据处理的对象选择上述图2(B)所示装置即可。

另外，对于上述的图1(D)所示装置，第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口部之间，在第2圆环20直径的内外方向隔开了间隔，但也可实施为，不设置该间隔，而将第1及第2被处理流动体导入两处理用面1、2间，立刻使两流动体合流(没有图示)。根据处理的对象选择这样的开口部的配置即可。

在上述的图1(B)及图1(C)所示实施方式中，在第2处理用面2中，将第3导入部d3的开口部配置在第2导入部d2的开口部的下游侧，换言之，在第2圆环20的直径的内外方向上，配置在第2导入部d2的开口部的外侧。此外，如图2(C)及图3(A)所示，可在第2处理用面2中，将第3导入部d 3的开口部配置于在第2圆环20的周方向r0上与第2导入部d2开口部不同的位置来实施。在图3中，m1表示第1导入部d1的开口部即第1开口部，m2表示第2导入部d2的开口部即第2开口部，m3表示第3导入部d3的开口部(第3开口部)，r1为圆环直径的内外方向。

另外，在将第1导入部d1设置在第2圆环20上的情况下，也可如图2(D)所示，在第2处理用面2中，将第1导入部d1的开口部配置于在第2圆环20的周方向与第2导入部d2的开口部不同的位置来实施。

在上述图3(A)所示装置中，在第2圆环20的处理用面2中，2个导入部的开口部被配置在周方向r0的不同位置，但是，也可实施为，如图3(B)所示，在圆环的周方向r0的不同位置配置3个导入部的开口部，或如图3(C)所示，在圆环的周方向r0的不同位置配置4个导入部的开口部。予以说明的是，在图3(B)(C)中，m4表示第4导入部的开口部，在图3(C)中，m5表示第5导入部的开口部。并且，虽未图示，也可实施为，在圆环的周方向r0的不同位置配置5个以上的导入部的开口部。

在上述所示装置中，第2导入部至第5导入部，分别可导入不同的被处理流动体，即第2、第3、第4、第5被处理流动体。其它一方面，可实施为，从第2～第5的开口部m2～m5，将全部同类的、即第2被处理流动体导入处理用面间。虽未图示，在该情况下，可实施为，第2导入部至第5导入部在圆环内部连通，连接到一个流体供给部，即第2流体供给部p2。

另外，可以通过组合以下装置来实施，即，在圆环的周方向r0的不同位置设置多个导入部的开口部的装置，以及，在圆环的径向即直径的内外方向r1的不同位置设置多个导入部的开口部的装置。

例如，如图3(D)所示，在第2处理用面2上设有8个导入部的开口部m2～m9，其中4个m2～m5设置在圆环的周方向r0的不同位置且径向r1的相同位置，其他4个m6～m9设置在圆环的周方向r0的不同位置且径向r1的相同位置。并且，该其它的开口部m6～m9，配置于对于径向r1上述4个开口部m2～m5的径向的外侧。另外，该外侧的开口部，也可以分别设置于与内侧的开口部在圆环的周方向r0相同位置。但考虑圆环的旋转，也可实施为，如图3(D)所示，设置在圆环的周方向r0的不同位置。另外，在该情况下，对于开口部也不限于图3(D)所示的配置、数量。

例如，如图3(E)所示，也可将径向外侧的开口部配置在多边形的顶点位置，即该情况下的四边形的顶点位置，将径向内侧的开口部配置在该多边形的边上。当然，也可采用其他的配置。

另外，在第1开口部m1以外的开口部都将第2被处理流动体导入处理用面间的情况下，可以实施为，各导入第2被处理流动体的该开口部不是在处理用面的周方向r0上散布，而是如图3(F)所示，在周方向r0上形成连续的开口部。

予以说明的是，根据处理的对象，如图4(A)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，将设置在第2圆环20上的第2导入部d2与第1导入部d1同样地设置在第2托架21的中央部分22。在该情况下，相对于位于第2圆环20的中心的第1导入部d1的开口部，第2导入部d2的开口部位于其外侧，并隔开间隔。并且，如图4(B)所示，可实施为，在图4(A)所示装置中，将第3导入部d3设置于第2圆环20。如图4(C)所示，可实施为，在图4(A)所示装置中，第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口部之间不设置间隔，将第1及第2被处理流动体导入第2圆环20内侧的空间后，立即使两流动体合流。另外，根据处理的对象，可实施为，如图4(D)所示，在图4(A)所示装置中，和第2导入部d2相同，第3导入部d3也设置在第2托架21上。虽未图示，但是，也可实施为，在第2托架21上设置4个以上的导入部。

并且，根据处理的对象，如图5(A)所示，可实施为，在图4(D)所示的装置中，在第2圆环20上设置第4导入部d4，将第4被处理流动体导入两处理用面1、2间。

如图5(B)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，将第2导入部d2设置于第1圆环10，在第1处理用面1上具有第2导入部d2的开口部。

如图5(C)所示，可实施为，在图5(B)所示装置中，第1圆环10上设有第3导入部d3，在第1处理用面1中，第3导入部d3的开口部配置在与第2导入部d2的开口部在对于第1圆环10的周方向不同的位置。

如图5(D)所示，可实施为，在图5(B)所示装置中，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，在第2圆环20上设置第1导入部d1，在第2处理用面2上配置第1导入部d1的开口部。在该情况下，第1及第2导入部d1、d2的两开口部在圆环直径的内外方向上配置在相同位置。

另外，如图6(A)所示，也可实施为，在图1(A)所示装置中，第3导入部d3设置于第1圆环10，第3导入部d3的开口部配置于第1处理用面1。在该情况下，第2及第3导入部d2、d3的两开口部在圆环直径的内外方向上配置在相同位置。但是，也可以将上述两开口部配置于对于圆环的直径的内外方向不同的位置。

图5(C)所示装置中，虽然将第2及第3导入部d2、d3的两开口部设置于对于第1圆环10的直径的内外方向相同的位置、同时对于第1圆环10的周方向即旋转方向设置在不同的位置，但是，也可在该装置中，如图6(B)所示，将第2及第3导入部d2、d3的两开口部设置于对于第1圆环10的轴方向相同的位置、同时对于第1圆环10的直径的内外方向上设置在不同的位置来实施。在该情况下如图6(B)所示，在第2及第3导入部d2、d3的两开口部之间，在第1圆环10的直径的内外方向上预先隔开间隔来实施，另外，虽未图示，也可实施为，不隔开该间隔，立即使第2被处理流动体与第3被处理流动体合流。

另外，可实施为，如图6(C)所示，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，而是与第2导入部d2一起，将第1导入部d1设置在第1圆环10上。在该情况下，在第1处理用面1中，第1导入部d1的开口部设置在第2导入部d2的开口部的上游侧(第1圆环10的直径的内外方向的内侧)。在第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口部之间，在第1圆环10的直径的内外方向上预先间隔。但是，虽未图示，也可不隔开该间隔地实施。

另外，可实施为，如图6(D)所示，在图6(C)所示装置的第1处理用面1中，在第1圆环10的周方向的不同位置，配置第1导入部d1及第2导入部d2的各个开口部。

另外，虽未图示，在图6(C)(D)所示的实施方式中，可实施为，在第1圆环10上设置3个以上的导入部，在第2处理用面2中在周方向的不同位置，或者，在圆环直径的内外方向的不同位置，配置各开口部。例如，也可在第1处理用面1中采用第2处理用面2中所采用的图3(B)～图3(F)所示开口部的配置。

如图7(A)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，取代在第2圆环20上设置第2导入部d2，在第1托架11上设置第2导入部d2。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，优选在第1圆环10的旋转的中心轴的中心配置第2导入部d2的开口部。

如图7(B)所示，在图7(A)所示的实施方式中，可将第3导入部d3设置于第2圆环20，将第3导入部d 3的开口部配置于第2处理用面2。

另外，如图7(C)所示，可实施为，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，在第1托架11上设置第1导入部d1。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，优选在第1圆环10的旋转的中心轴上配置第1导入部d1的开口部。另外，在该情况下，如图所示，可将第2导入部d2设置于第1圆环10，将其开口部配置在第1处理用面1上。另外，虽未图示，在该情况下，可将第2导入部d2设置于第2圆环20，在第2处理用面2上配置其开口部。

并且，如图7(D)所示，可实施为，将图7(C)所示的第2导入部d2与第1导入部d1一起设置在第1托架11上。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，配置第2导入部d2的开口部。另外，在该情况下，在图7(C)中，也可把第2圆环20上设置的第2导入部d2作为第3导入部d3。

在上述图1～图7所示的各实施方式中，第1托架11及第1圆环10相对于第2托架21及第2圆环20旋转。此外，如图8(A)所示，在图1(A)所示装置中，在第2托架2上设置收到来自旋转驱动部的旋转力而旋转的旋转轴51，使第2托架21在与第1托架11相反的方向上旋转来实施。对于旋转轴51的旋转驱动部，也可以与使第1托架11的旋转轴50旋转不同来设置，或者通过齿轮等动力传递手段，从使第1托架11的旋转轴50旋转的驱动部收到动力来实施。在该情况下，第2托架21与上述壳体分体地形成，并与第1托架11同样地可旋转地收容在该壳体内。

并且，如图8(B)所示，可实施为，在图8(A)所示装置中，取代在第2圆环20上设置第2导入部d2，与图7(B)的装置同样，在第1托架11上设置第2导入部d2。

另外，虽未图示，也可实施为，图8(B)所示装置中，在第2托架21上设置第2导入部d2，以取代在第1托架11上设置第2导入部d2。在该情况下，第2导入部d2与图4(A)的装置相同。如图8(C)所示，也可实施为，在图8(B)所示装置中，在第2圆环20上设置第3导入部d3，将该导入部d3的开口部配制在第2处理用面2上。

并且，如图8(D)所示，也可实施为，不使第1托架11旋转，仅旋转第2托架21。虽未图示，也可实施为，在图1(B)～图7所示的装置中，第2托架21与第1托架11都旋转，或仅第2托架21单独旋转。

如图9(A)所示，第2处理用部20为圆环，第1处理用部10不是圆环，而是与其他的实施方式的第1托架11同样的、直接具有旋转轴50并旋转的构件。在该情况下，将第1处理用部10的上面作为第1处理用面1，该处理用面不是环状，即不具备中空部分，形成一样的平坦面。并且，在图9(A)所示装置中，与图1(A)的装置同样，第2圆环20上设有第2导入部d2，其开口部配置在第2处理用面2上。

如图9(B)所示，可实施为，在图9(A)所示装置中，第2托架21与壳体3独立，在壳体3与该第2托架21之间，设置接触表面压力赋予机构4，该接触表面压力赋予机构4是使第2托架21向设有第2圆环20的第1处理用部10接近·分离的弹性体等。在该情况下，如图9(C)所示，第2处理用部20不形成圆环，作为相当于上述第2托架21的构件，可将该构件的下表面作为第2处理用面2而形成。并且，如图10(A)所示，可实施为，在图9(C)所示装置中，第1处理用部10也不形成圆环，与图9(A)(B)所示装置一样，在其他的实施方式中，将相当于第1托架11的部位作为第1处理用部10，将其上面作为第1处理用面1。

在上述各实施方式中，至少第1被处理流动体是从第1处理用部10与第2处理用部20即第1圆环10与第2圆环20的中心部供给的，通过利用其他的被处理流动体所进行的处理，即混合(反应)后，被排出至其直径的内外方向的外侧。

此外，如图10(B)所示，也可实施为，从第1圆环10及第2圆环20的外侧朝向内侧供给第1被处理流动体。在该情况下，如图所示，以壳体3密封第1托架11及第2托架21的外侧，将第1导入部d1直接设置于该壳体3，在壳体的内侧，该导入部的开口部配置在与两圆环10、20的对接位置相对应的部位。并且，图1(A)的装置中，在设有第1导入部d1的位置，即成为第1托架11的圆环1的中心的位置，设有排出部36。另外，夹着托架的旋转的中心轴，在壳体的该开口部的相反侧配置第2导入部d2的开口部。但是，第2导入部d2的开口部与第1导入部d1的开口部相同，只要是在壳体的内侧并且配置在与两圆环10、20的对接位置相对应的部位即可，而不限定为上述那样的形成在第1导入部d1的开口部的相反侧。

该情况下，两圆环10、20的直径的外侧成为上游，两圆环10、20的内侧成为下游侧。

这样，在将被处理流动体的移动从外侧向内侧进行的情况下，如图16(E)所示，也可实施为，在第1处理用部10的第1处理用面1上，形成从第1处理用部10的外侧向中心侧延伸的槽状的凹部13...13。通过形成这样的凹部13...13，对于上述的平衡比K，优选形成为100％以上的非平衡型。其结果为，旋转时，上述的槽状的凹部13...13产生动压，两处理用面1、2可以可靠地非接触旋转，避免接触所产生的磨耗等危险。在该图16(E)所示的实施方式中，由被处理流动体的压力所产生的分离力，发生于凹部13的内端13a。

如图10(C)所示，可实施为，在图10(B)所示装置中，对于设置于壳体3的侧部的第2导入部d2，代替该位置而设置于第1圆环10，将其开口部配置于第1处理用面1。在该情况下，如图10(D)所示，可实施为，第1处理用部10不作为圆环形成，与图9(A)、图9(B)、图10(A)所示装置同样，在其他实施方式中，将相当于第1托架11的部位作为第1处理用部10，将其上面作为第1处理用面1，进而，将第2导入部d2设置于该第1处理用部10内，将其开口部配置于第1处理用面1。

如图11(A)所示，可实施为，在图10(D)所示装置中，第2处理用部20不形成圆环，在其他的实施方式中，将相当于第2托架21的构件作为第2处理用部20，将其下面作为第2处理用面2。而且，可以实施为，将第2处理用部20作为与壳体3独立的构件，在壳体3与第2处理用部20之间，与图9(B)(C)以及图10(A)所示装置同样设有接触表面压力赋予机构4。

另外，如图11(B)所示，也可实施为，将图11(A)所示装置的第2导入部d2作为第3导入部d3，另外设置第2导入部d2。在该情况下，在第2处理用面2中将第2导入部d2的开口部相比第3导入部d3的开口部配置于下游侧。

上述的图4所示的各装置、图5(A)、图7(A)(B)(D)、图8(B)(C)所示装置是其他被处理流动体在到达处理用面1、2间前对于第1被处理流动体合流的装置，不适合结晶、析出的反应快速的物质。但是，对于反应速度慢的物质则可采用这样的装置。

对于适合于本申请发明涉及的方法的发明的实施的流体处理装置，归纳如下。

如上所述，该流体处理装置具备：流体压力赋予结构，该流体压力赋予结构对被处理流动体赋予规定的压力；第1处理用部10和第2处理用部20至少2个处理用部，该第1处理用部10设于该规定的压力的被处理流动体流动的被密封的流体流路中，该第2处理用部20相对于第1处理用部10能够相对地接近·分离；该第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面，第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面在这些处理用部10、20中设置在相互对向的位置；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对地旋转；在两处理用面1、2之间，进行至少2种被处理流动体的混合的处理(在伴有反应的情况下也进行反应的处理)。在第1处理用部10和第2处理用部20中至少第2处理用部20具备受压面，并且该受压面的至少一部分通过第2处理用面2构成，受压面受到流体压力赋予结构赋予被处理流动体的至少一方的压力，产生在第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向上使其移动的力。而且，在该装置中，在可接近分离且相对地旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间受到上述的压力的被处理流动体通过，由此各被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体一边通过两处理用面1、2间，由此在该被处理流动体间生成所希望的混合状态(反应)。

另外，在该流体处理装置中，优选采用具备缓冲机构的装置，该缓冲机构调整第1处理用面1及第2处理用面2的至少一方的微振动、定位。

另外，在该流体处理装置中，优选采用具备位移调整机构的装置，该位移调整机构调整第1处理用面1及第2处理用面2的一方或双方的、由磨耗等引起的轴方向的位移，可维持两处理用面1、2间的薄膜流体的厚度。

并且，在该处理装置中，作为上述的流体压力赋予结构，可采用对被处理流动体施加一定的送入压力的压缩机等的加压装置。

予以说明的是，上述的加压装置采用能进行送入压力的增减的调整的装置。因为，该加压装置需能将设定的压力保持一定，但是，作为调整处理用面间的间隔的参数，也有必要能进行调整。

另外，在该流体处理装置中，可以采用具有分离抑制部的装置，该分离抑制部规定上述的第1处理用面1与第2处理用面2之间的最大间隔，抑制其以上的两处理用面1、2的分离。

进而另外，在该流体处理装置中，可以采用具有接近抑制部的装置，该接近抑制部规定上述第1处理用面1与第2处理用面2之间的最小间隔，抑制其以上的两处理用面1、2的接近。

进而，在该流体处理装置中，可以采用第1处理用面1与第2处理用面2双方在相互相反的方向进行旋转的装置。

另外，在该流体处理装置中，可以采用具备温度调整用的封套的装置，该温度调整用的封套调整上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方的温度。

另外进而，在该流体处理装置中，优选采用以下装置：上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方的至少一部分进行了镜面加工。

在该流体处理装置中，可以采用以下结构：上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方具有凹部。

进而，在该流体处理装置中，优选采用以下结构：作为使一方的被处理流动体混合(反应)的其它一方的被处理流动体的供给手段，具有与一方的被处理流动体的通道独立的另外的导入路，在上述第1处理用面1与第2处理用面2的至少任意一方上，具有与上述另外的导入路相通的开口部，可以将从该另外的导入路送来的其它一方的被处理流动体导入上述一方的被处理流动体。

另外，作为实施本申请发明的处理装置具有：流体压力赋予结构，该流体压力赋予结构对被处理流动体赋予规定的压力；第1处理用面1及第2处理用面2至少2个可相对的接近分离的处理用面，第1处理用面1及第2处理用面2与该规定压力的被处理流动体流过的被密封的流体流路连接；接触表面压力赋予机构，该接触表面压力赋予机构对两处理用面1、2赋予接触表面压力；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用面1及第2处理用面2相对旋转；由于具有上述结构，在两处理用面1、2间，进行至少2种的被处理流动体的混合(反应)，采用以下的结构：在被赋予接触表面压力的同时相对旋转的第1处理用面1及第2处理用面2之间，流过从流体压力赋予结构赋予了压力的至少1种被处理流动体，并且，通过流过另一种被处理流动体，由此从流体压力赋予结构被赋予了压力的上述一种被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体，一边通过两处理用面1、2间，此时，该另一种被处理流动体被混合，在被处理流动体间，发生所希望的混合状态(反应)。

该接触表面压力赋予机构可以构成上述装置中的调整微振动、定位的缓冲机构、位移调整机构来实施。

进而，作为实施本申请发明的处理装置，可以采用以下装置，即，该装置具有：第1导入部，该第1导入部将混合(反应)的2种被处理流动体中的至少一方的被处理流动体导入该装置；流体压力赋予结构p，该流体压力赋予结构p连接于第1导入部并向该一方的被处理流动体赋予压力；第2导入部，该第2导入部将混合(反应)的2种被处理流动体中的至少其他一方的被处理流动体导入该装置；至少2个处理用部，该至少2个处理用部为设置于该一方的被处理流动体流过的被密封的流体流路的第1处理用部10和相对于第1处理用部10可相对接近分离的第2处理用部20；第1处理用面1及第2处理用面2至少2个处理用面，第1处理用面1及第2处理用面2在这些处理用部10、20中设置在相互对向的位置；托架21，该托架21以第2处理用面2露出的方式收容第2处理用部20；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对旋转；接触表面压力赋予机构4，该接触表面压力赋予机构4推压第2处理用部20，使第2处理用面2相对于第1处理用面1处于压接或接近的状态；在两处理用面1、2间，进行被处理流动体间的混合(反应)，上述托架21是不可动体，在具有上述第1导入部的开口部的同时，对处理用面1、2间的间隙施加影响，第1处理用部10与第2导入部20的至少一方具有上述第2导入部的开口部，第2处理用部20为环状体，第2处理用面2相对于托架21滑动，与第1处理用面1接近分离，第2处理用部20具有受压面，受压面受到流体压力赋予结构p赋予被处理流动体的压力，在使第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向上产生使其移动的力，上述受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，在可接近分离且相对旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间，被赋予了压力的一方的被处理流动体通过，同时，通过将其它一方的被处理流动体供给到两处理用面1、2间，两被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体一边通过两处理用面1、2间，通过中的被处理流动体被混合，从而促进被处理流动体间的所希望的混合(反应)，通过接触表面压力赋予机构4的接触表面压力与流体压力赋予结构p所赋予的流体压力的使两处理用面1、2间分离的力的平衡，在两处理用面1、2间保持产生上述规定厚度的薄膜流体的微小间隔。

该处理装置中，也可实施为，第2导入部也与连接于第1导入部一样地连接于另外的流体压力赋予结构，从而被加压。并且，也可实施为，从第2导入部导入的被处理流动体不是被另外的流体压力赋予结构加压，而是被第2导入部中产生的负压吸引并供给到两处理用面1、2间，上述负压是由第1导入部所导入的被处理流动体的流体压力所产生的。并且，也可实施为，该其它一方的被处理流动体在第2导入部内通过其自重移动，即从上方流向下方，从而被供给至处理用面1、2间。

如上所述，不仅限于将第1导入部的开口部设置在第2托架上，也可将第1导入部的该开口部设置在第1托架上，上述第1导入部的开口部成为一方的被处理流动体的向装置内的供给口。另外，也可实施为，将第1导入部的该开口部形成在两处理用面的至少一方。但是，在以下情况下，即，根据反应，有必要从第1导入部供给必须先导入处理用面1、2之间的被处理流动体的情况下，形成其它一方的被处理流动体的装置内的供给口的第2导入部的开口部无论位于哪一个处理用面，相比上述第1导入部的开口部都必须配置在下游侧的位置。

并且，作为用于实施本申请发明的处理装置，可采用以下的装置。

该处理装置具有：多个的导入部，该多个的导入部分别导入混合(反应)的2种以上的被处理流动体；流体压力赋予结构p，该流体压力赋予结构对该2种以上的被处理流动体的至少一种赋予压力；至少2个处理用部，该至少2个处理用部是设置在该被处理流动体流动的被密封的流体流路中的第1处理用部10与可相对于第1处理用部10接近分离的第2处理用部20；第1处理用面1及第2处理用面2至少2个处理用面1、2，该第1处理用面1及第2处理用面2设置在这些处理用部10、20中相互面对的位置；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对旋转；在两处理用面1、2之间，进行被处理流动体间的混合(反应)，在第1处理用部10与第2处理用部20中，至少第2处理用部20具有受压面，并且，该受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，受压面受到流体压力赋予结构施加于被处理流动体的压力，在使第2处理用面2从第1处理用面1分离方向上产生使其移动的力，并且，第2处理用部20具有朝向与第2处理用面2相反侧的接近用调整面24，接近用调整方面24受到施加在被处理流动体上的规定的压力，在使第2处理用面2向第1处理用面1接近的方向上产生使其移动的力，通过上述接近用调整面24的接近分离方向的投影面积与上述受压面的接近分离方向的投影面积的面积比，决定第2处理用面2相对于第1处理用面1向分离方向移动的力，该力作为从被处理流动体所受到的全压力的合力，被赋予了压力的被处理流动体在可接近分离且相对旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间通过，在该被处理流动体中混合(反应)的其他被处理流动体在两处理用面间被混合，被混合的被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体一边通过两处理用面1、2之间，从而在通过处理用面间的过程中获得希望的产物。

另外，对本申请发明的处理方法归纳如下。该处理方法为赋予第1被处理流动体规定的压力，将第1处理用面1及第2处理用面2至少2个可相对接近分离的处理用面连接于接受上述规定压力的被处理流动体所流动且被密封的流体流路，施加使两处理用面1、2接近的接触表面压力，使第1处理用面1与第2处理用面2相对地旋转，且将被处理流动体导入该处理用面1、2之间，通过与上述分开的流路，将与该被处理流动体混合(反应)的第2被处理流动体导入上述处理用面1、2间，使两被处理流动体混合(反应)，至少将施加于第1被处理流动体的上述规定的压力作为使两处理用面1、2分离的分离力，通过使该分离力与上述接触表面压力经由处理用面1、2之间的被处理流动体达到平衡，从而在两处理用面1、2之间维持为规定的微小间隔，被处理流动体成为规定厚度的流体膜并通过两处理用面1、2间，在该通过过程中均匀地进行两被处理流动体的混合(反应)，在伴有析出的反应的情况下，可结晶或析出所希望的产物。

以下，对本申请发明的其他实施方式进行说明。图25是在可接近·分离的、至少一方相对于其它一方旋转的处理用面之间对被处理物进行处理的流体处理装置的略化俯视图。图26的(A)为图25所示装置的第1处理用面的简略化俯视图，(B)为图25所示装置的处理用面的主要部分的放大图。图27的(A)为第2导入部的剖面图，(B)是用于说明第2导入路的处理用面的主要部分的放大图。

在图25中，U表示上方，S表示下方。图26(A)、图27(B)中R表示旋转方向。在图27(B)中，C表示离心力的方向(半径方向)。

该装置使用至少2种流体，其中至少1种流体含有至少1种被处理物，在可接近·分离的相互面对地配设、至少一方相对于其它一方旋转的处理用面之间，使上述的各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使上述的被处理物反应。予以说明的是，上述的“处理”，不限于被处理物反应的形式，也包含不伴有反应地仅仅进行混合·分散。

如图25所示，该装置具有：第1托架11、在第1托架11的上方配置的第2托架21、流体压力赋予结构P、及接触表面压力赋予机构。接触表面压力赋予机构由弹簧43及空气导入部44构成。

在第1托架11上设有第1处理用部10及旋转轴50。第1处理用部10是称为配合环的环状体，具有被镜面加工的第1处理用面1。旋转轴50以螺栓等的固定件81固定在第1托架11的中心，其后端与电动机等的旋转驱动装置82(旋转驱动机构)连接，将旋转驱动装置82的驱动力传递给第1托架11而使该第1托架11旋转。第1处理用部10与上述第1托架11成为一体而进行旋转。

在第1托架11的上部，设有可以收容第1处理用部10的收容部，通过嵌入该收容部内，第1处理用部10安装在第1托架11上。并且，第1处理用部10通过止转销83固定，从而不相对于第1托架11旋转。但是，也可以取代止转销83，以热压配合等方法固定，从而使其不旋转。

上述第1处理用面1从第1托架11露出，朝向第2托架21。第1处理用面的材质采用：陶瓷或烧成金属；耐磨钢；对其他金属实施了固化处理的材料；对硬质材料实施了内衬、涂覆、镀敷的材料。

在第2托架21上设有：第2处理用部20；从处理用部内侧导入流体的第1导入部d1；作为接触表面压力赋予机构的弹簧43；以及，空气导入部44。

第2处理用部20是称为压缩环的环状体，具有被镜面加工过的第2处理用面2以及受压面23(以下称其为分离用调整面23)，该受压面23位于第2处理用面2的内侧并与该第2处理用面2邻接。如图所示，该分离用调整面23为倾斜面。对第2处理用面2所施加的镜面加工采用与上述的第1处理用面1相同的方法。另外，对于第2处理用部20的材质采用与上述的第1处理用部10相同的材质。分离用调整面23与环状的第2处理用部20的内周面25邻接。

在第2托架21的底部(下部)，形成圆环收容部41，O形圆环与第2处理用部20一起被收容在该圆环收容部41内。并且，通过止转销84，第2处理用部20相对于第2托架21不旋转地被收容。上述第2处理用面2从第2托架21露出。在该状态下，第2处理用面2与第1处理用部10的第1处理用面1面对。

该第2托架21所具有的圆环收容部41是收容第2圆环20的、主要是处理用面2侧的相反侧的部位的凹部，在俯视时，为形成环状的沟槽。

圆环收容部41以大于第2圆环20的尺寸的方式形成，在与第2圆环20之间具有充分的间隔，收容第2圆环20。

通过该间隔，该第2处理用部20以能够在收容部41的轴向以及在与该轴向交叉的方向位移的方式收容在该圆环收容部41内。并且，该第2处理用部20以能够以如下可位移的方式被收容，即，相对于圆环收容部41，使第2处理用部20的中心线(轴方向)与上述圆环收容部41的轴方向不平行。

至少在第2托架21的圆环收容部41中设有作为处理用部弹压部的弹簧43。弹簧43将第2处理用部20朝着第1处理用部10弹压。并且，作为其他的弹压方法，也可使用空气导入部44等供给空气压或其他流体压力的加压手段，将第2托架21保持的第2处理用部20朝着接近第1处理用部10的方向弹压。

弹簧43及空气导入部44等的接触表面压力赋予机构将第2处理用部20的周方向的各位置(处理用面的各位置)均等地朝着第1处理用部10弹压。

在该第2托架21的中央设有上述第1导入部d1，从第1导入部d1朝着处理用部外周侧被压送的流体首先被导入以下空间内，即，该第2托架21保持的第2处理用部20、第1处理用部10及保持该第1处理用部10的第1托架11所围的空间内。并且，在使第2处理用部20克服弹压部的弹压而从第1处理用部10分离的方向上，在第2处理用部20中设置的受压面23上，受到来自流体压力赋予结构P所产生的上述流体的输送压力(供给压力)。

予以说明的是，在其他位置由于简略说明，仅对受压面23加以说明，但是，正确而言，如图29(A)(B)所示，与上述受压面23一起，在相对于与后述沟槽状凹部13的第2处理用部20的轴方向投影面中，将未设有上述受压面23的部分23X也作为受压面，受到流体压力赋予结构P所产生的上述流体的输送压力(供给压力)。

也可实施为，不设置上述受压面23。在该情况下，如图26(A)所示，也可使用通过第1处理用面1旋转而获得的处理用面间的被处理流动体的导入效果(微泵效果)，上述第1处理用面1具有沟槽状凹部13，该沟槽状凹部13具有接触表面压力赋予机构的功能。这里的微泵效果是指，通过第1处理用面1的旋转，凹部内的流体具有速度地向凹部13的外周方向前端前进，接着，送入凹部13的前端的流体另外受到来自凹部13的内周方向的压力，最终形成使处理用面分离的方向上的压力，同时具有将流体导入处理用面间的效果。并且，即使在不旋转的情况下，设置于第1处理用面1的凹部13内的流体所受压力最终作用在第2处理用面2上，该第2处理用面2作为作用于分离侧的受压面。

对于设置于处理用面的凹部13，可对应于含被处理物及产物的流体的物理性能来实施其深度、相对于处理用面在水平方向的总面积、条数、及形状。

予以说明的是，可实施为，将上述受压面23与上述凹部13一同设置在一个装置内。

该凹部13，对于其深度是1μm～50μm，优选为3μm至20μm，并且为设置于上述处理用面的凹部，相对于处理用面在水平方向的总面积相对于处理用面整体为5％～50％，优选为15％～25％，并且，设置在上述处理用面上的凹部的条数为3～50条，优选为8～24条，形状为在处理用面上的弯曲或螺旋状延伸的形状，或者为呈L字形弯折的形状，并且，其深度具有坡度，从高粘度区域到低粘度区域，即使在利用微泵效果导入的流体含有固体的情况下，也可将流体稳定地导入处理用面之间。另外，设置于处理用面的凹部13也可以在导入侧即处理用面内侧各凹部彼此连接、也可以彼此断开。

如上所述，使受压面23为倾斜面。该倾斜面(受压面23)以如下方式形成，即，以被处理流动体的流动方向为基准的上游侧端部的、与设有凹部13的处理用部的处理用面相对的轴方向的距离，比下游侧端部的同一距离大。而且，优选该倾斜面的以被处理流动体的流动方向为基准的下游侧端部设置在上述凹部13的轴方向投影面上。

具体来说，如图28(A)所示，使上述倾斜面(受压面23)的下游侧端部60设置在上述凹部13的轴方向投影面上。优选上述倾斜面相对于第2处理用面2的角度θ1在0.1°至85°的范围，更优选在10°至55°的范围，进一步优选在15°至45°的范围。该角度θ1可根据被处理物的处理前的形状予以适当变更。另外，上述倾斜面的下游侧端部60设置在以下区域内，即，从向下游侧与第1处理用面1上设置的凹部13的上游侧端部13-b离开0.01mm的位置开始，到向上游侧与下游侧端部13-c离开0.5mm的位置为止的区域内。更优选的是，设置在以下区域内，即，从向下游侧与上游侧端部13-b离开0.05mm的位置开始，到向上游侧与下游侧端部13-c离开1.0mm的位置为止的区域内。与上述倾斜面的角度相同，对于该下游侧端部60的位置，可根据被处理物的形状予以适当变更。另外，如图28(B)所示，倾斜面(受压面23)可实施为弧形面。由此，可更均匀地进行被处理物的导入。

凹部13除如上述那样连接之外，也可实施为间断的形式。在间断的情况下，间断的凹部13的、第1处理用面1的最内周侧的上游侧端部形成上述13-b；同样，第1处理用面1的最外周侧的上游侧端部形成上述13-c。

另外，虽然在上述说明中将凹部13形成于第1处理用面1，将受压面23形成于第2处理用面2，但是，相反地，也可实施为，将凹部13形成于第2处理用面2，将受压面23形成于第1处理用面1。

进一步，通过将凹部13形成在第1处理用面1与第2处理用面2两方，并将凹部13与受压面23交替地设置于各处理用面1、2的周方向，由此，形成于第1处理用面1的凹部13与形成于第2处理用面2的受压面23可对向，同时，形成于第1处理用面1的受压面23与形成于第2处理用面2的凹部13可对向。

在处理用面中，也可实施与凹部13不同的沟槽。作为具体的实例，如图16(F)、图16(G)所示，在较凹部13的径向外侧(图16(F))或径向内侧(图16(G))，可实施放射状延伸的新的凹部14。其有利于想延长在处理用面间的停留时间的情况、处理高粘稠物的流体的情况。

予以说明的是，关于与凹部13不同的沟槽，并不对形状、面积、条数、深度作特别限定。可根据目的实施该沟槽。

在上述的第2处理用部20中，与被导入上述处理用面的流体的流路独立，形成具有与处理用面间相通的开口部d20的第2导入部d2。

具体而言，第2导入部d2如图27(A)所示，从上述的第2处理用面2的开口部d20开始的导入方向相对于第2处理用面2以规定的仰角(θ1)倾斜。该仰角(θ1)被设定为大于0度小于90度，并且，在反应速度为迅速反应的情况下，优选设置为1度以上45度以下。

另外，如图27(B)所示，从上述的第2处理用面2的开口部d20开始的导入方向在沿上述第2处理用面2的平面内具有方向性。该第2流体的导入方向的处理用面的半径方向的成分为从中心远离的外方向，并且，与旋转的处理用面间的流体的旋转方向相对的成分为正向。换言之，以通过开口部d20的半径方向、即外方向的线段作为基准线g，从该基准线g向旋转方向R具有规定的角度(θ2)。

即使对于该角度(θ2)，也设定为大于0度小于90度，朝向图27(B)的网线部分，从开口部d20排出。并且，在反应速度快的反应的情况下，该角度(θ2)为小角度为宜，在反应速度慢的反应的情况下，优选该角度(θ2)设定为大角度。另外，该角度可根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等各种条件进行变更来实施。

开口部d20的口径优选为0.2μm～3000μm，更优选为10μm～1000μm。另外，实质上，在开口部d20的直径不影响流体的流动的情况下，第2导入部d2的直径设置在该范围内即可。另外，在要求直线传播性的情况下，及要求扩散性的情况下，优选使开口部d20的形状等变化，其可根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等各种条件变更来实施。

进而，上述另外的流路的开口部d20，可设置在以下点的外径侧，即，利用设置在第1处理用面1的凹部的微泵效果导入时的流动方向变换为在处理用面间形成的螺旋状层流的流动方向的点。即，图26(B)中，优选从第1处理用面1上设置的凹部13的处理用面径向最外侧开始的、向径向外侧的距离n为0.5mm以上。并且，在对相同流体设置多个开口部的情况下，优选设置在同心圆上。另外，在对不同流体设置多个开口部的情况下，优选设置在半径不同的同心圆上。(1)A+B→C(2)C+D→E这样的反应依次实行，A+B+C→F这样本来不应该同时反应的反应发生、效率良好地不接触被处理物，有效地避免反应不进行这样的问题。

另外，可实施为，将上述处理用部浸入流体中，将在上述处理用面间混合(反应)得到的流体直接投入到在处理用部的外部的液体或空气以外的气体中。

并且也可将超声波能施加在刚刚从处理用面间或处理用面被排出的被处理物上。

接着，为了在上述第1处理用面1与第2处理用面2之间、即处理用面间产生温度差，在第1处理用部10及第2处理用部20的至少一个上设置调温机构(温度调节机构)J1、J2，对该情况进行说明。

虽然该调温机构没有特别的限定，但是，在以冷却为目的的情况下，将冷却部设置于处理用部10、20。具体而言，将作为调温用介质的冰水、各种冷媒所通过的配管或者珀尔帖元件等能够电气或化学地进行冷却作用的冷却元件安装于处理用部10、20。

在以加热为目的的情况下，在处理用部10、20中设有加热部。具体而言，将作为调温用介质的蒸汽或各种热媒所通过的配管或电气加热器等能够电气或化学地进行加热作用的发热元件安装于处理用部10、20。

另外，也可在圆环收容部设置可与处理用部直接接触的新的调温用介质用的收容部。由此，利用处理用部的热传导，可以进行处理用面的调温。并且，将冷却元件或发热元件埋入处理用部10、20中并通电，或埋入冷热媒通过用通道并使调温用介质(冷热媒)通过该通道，从而能够从内侧对处理用面进行调温。而且，图25所示的调温机构J1、J2为其一例，是设置在各处理用部10、20内部的调温用介质通过的配管(封套)。

利用上述调温机构J1、J2，使一方的处理用面的温度高于其它一方的处理用面温度，在处理用面间产生温度差。例如，第1处理用部10以上述任意的方法加温至60℃，第2处理用部20以上述任意的方法形成15℃。此时，导入处理用面间的流体的温度从第1处理用面1朝向第2处理用面2从60℃变化至15℃。即，该处理用面间的流体产生温度梯度。而且，处理用面间的流体由于该温度梯度开始对流，产生相对于处理用面垂直方向的流动。予以说明的是，上述“垂直方向的流动”是指流动的方向成分中，至少含有相对于上述处理用面的垂直方向的成分。

即使在第1处理用面1或第2处理用面2旋转的情况下，由于相对于该处理用面垂直方向的流动继续，因此，可对处理用面旋转所产生的处理用面间的螺旋状层流的流动附加垂直方向的流动。该处理用面间的温度差可实施为1℃～400℃，优选为5℃～100℃。

予以说明的是，本装置的旋转轴50并不限定为铅直地配置。例如，也可为倾斜地配置。因为在处理中，通过在两处理用面1、2间形成的流体的薄膜，实质上可排除重力的影响。如图25(A)所示，第1导入部d1在第2托架21中与第2圆环20的轴心一致，上下铅直地延伸。但是，第1导入部d1并不限于与第2圆环20的轴心一致，只要能向两圆环10、20所围空间供给第1被处理流动体，在第2托架21的中央部分22中，也可设置在上述轴心以外的位置，并且，也可为非铅直而是斜向延伸。无论在哪个配置角度的情况下，通过处理用面间的温度梯度，可相对于处理用面产生垂直的流动。

上述处理用面间的流体的温度梯度中，如果该温度梯度小，则对流体仅进行热传导，但是，温度梯度一旦超过某临界值，流体中会产生所谓的贝纳德对流现象。该现象，在处理用面间的距离为L、重力加速度为g、流体的体积热膨胀率为β、流体的动粘度系数为ν、流体的温度传导率为α、处理用面间的温度差为ΔT时，被以下式定义的无无因次数的瑞利(レイリ一)数Ra所支配。

Ra＝L³·g·β·ΔT/(α·ν)

开始产生贝纳德对流的临界瑞利数根据处理用面与被处理物流体的分界面的性质而不同，但大约为1700。大于该临界值时产生贝纳德对流。并且，当该瑞利数Ra满足大于10¹⁰附近的值的条件时，流体为紊流状态。即，通过调节该处理用面间的温度差ΔT或处理用面的距离L，并且以使瑞利数Ra为1700以上的方式调节本装置，可在处理用面间相对于处理用面产生垂直的方向的流动，可实施上述混合(反应)操作。

但是，上述贝纳德对流在1～10μm左右的处理用面间的距离中不容易产生。严密来说，上述瑞利数适用于10μm以下的间隔中的流体，当研究贝纳德对流的发生条件时，如果为水，则其温度差必须为数千℃以上，现实中很难实现。贝纳德对流是由流体的温度梯度的密度差所形成的对流，即与重力相关的对流。10μm以下的处理用面之间为微重力场的可能性高，在这样的情况，浮力对流被抑制。即，在该装置中现实地产生贝纳德对流的情况是处理用面间的距离超过10μm的情况。

当处理用面间的距离为1～10μm左右时，并非通过密度差产生对流，而是通过温度梯度所产生的流体的表面张力差来产生对流。这样的对流为马兰哥尼对流，在处理用面间的距离为L、流体的动粘度系数为ν、流体的温度传导率为α、处理用面间的温度差为ΔT、流体的密度为ρ、表面张力的温度系数(表面张力的温度梯度)为σ时，被以下式定义的无因次数的马兰哥尼数Ma所支配。

Ma＝σ·ΔT·L/(ρ·ν·α)

开始产生马兰哥尼对流的临界马兰哥尼数为80左右，在大于该值的条件下产生马兰哥尼对流。即，通过调节该处理用面间的温度差ΔT或处理用面的距离L、调节本装置以使得马兰哥尼数Ma为80以上，即使10μm以下的微小流路也能够在处理用面间相对于处理用面产生垂直方向的流动，可实施上述混合(反应)操作。

瑞利数的计算使用以下的公式。

【数式1】

$\mathrm{Ra}=\frac{L^3\·\mathrm{\β}\·g}{\mathrm{\ν}\·\mathrm{\α}}\mathrm{\ΔT}$

ΔT＝(T₁-T₀)

$\mathrm{\α}=\frac{k}{\mathrm{\ρ}\·C_p}$

L：处理用面间的距离[m]，β：体积热膨胀率[1/K]，g：重力加速度[m/s²]

ν：动粘度系数[m²/s]，α：温度传导率[(m²/s)]，ΔT：处理用面间的温度差[K]

ρ：密度[kg/m³]，Cp：定压比热[J/kg·K]，k：热传导率[W/m·K]

T₁：处理用面中的高温侧的温度[K]，T₀：处理用面中的低温侧的温度[K]

在将开始产生贝纳德对流时的瑞利数作为临界瑞利数Ra_c的情况下，此时的温度差ΔT_c1可以如下方式求得。

[数式2]

${\mathrm{\ΔT}}_{C1}=\frac{{\mathrm{Ra}}_C\·\mathrm{\ν}\·\mathrm{\α}}{L^3\·\mathrm{\β}\·g}$

马兰哥尼数的计算使用以下的式。

[数式3]

$\mathrm{Ma}=\frac{{\mathrm{\σ}}_t\·L}{\mathrm{\ρ}\·\mathrm{\ν}\·\mathrm{\α}}\mathrm{\ΔT}$

ΔT＝(T₁-T₀)

$\mathrm{\α}=\frac{k}{\mathrm{\ρ}\·C_p}$

L：处理用面间的距离[m]，ν：动粘度系数[m²/s]，α：温度传导率[(m²/s)]

ΔT：处理用面间的温度差[K]，ρ：密度[kg/m³]，Cp：定压比热[J/kg·K]

k：热传导率[W/m·K]，σ_t：表面张力温度系数[N/m·K]

T₁：处理用面中的高温侧的温度[K]，T₀：处理用面中的低温侧的温度[K]

在将开始产生马兰哥尼对流的马兰哥尼数作为临界马兰哥尼数Ma_c的情况下，此时的温度差ΔT_c2可以如下方式求得。

[数式4]

${\mathrm{\ΔT}}_{C2}=\frac{{\mathrm{Ma}}_C\·\mathrm{\ρ}\·\mathrm{\ν}\·\mathrm{\α}}{{\mathrm{\σ}}_t\·L}$

在本发明中，上述流体处理装置的处理用面间的间隙的保持方法并不限于利用压力平衡的方式。也可以机械式地设定处理用面间的距离，也可利用磁推斥、磁浮上、电磁排斥等的原理来保持处理用面间的距离。

可接近·分离的相互对向配设的、至少一方相对于其它一方进行旋转的处理用面1、2的材质并不作特别的限制，可通过以下材料制成：陶瓷、烧结金属、耐磨耗钢、其他金属或对金属实施了硬化处理的金属、对硬质材料通过内衬、涂敷、镀敷而加工了的材料。在本发明中的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于其它一方进行旋转的处理用面1、2间的距离为0.1μm～100μm，特别优选1μm～10μm。

析出·沉淀或结晶化这样的反应，如图1(A)所示，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于其它一方旋转的处理用面1、2之间一边强制地均匀混合一边发生。铜酞菁微粒的粒径、单分散度的控制，可通过适宜地调整处理用部10、20的转速、流速及处理用面间的距离、原料浓度、及分散介质等来进行调节。

以下，对本发明的铜酞菁微粒生成的反应更详细地进行说明。

首先，从作为一个流路的第1导入部d1、将作为第1流体的含有相对于铜酞菁溶液能成为贫溶剂的流体导入可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于其它一方进行旋转的处理用面1、2间，在该处理用面间作成由第1流体构成的薄膜流体。

接着从作为其它流路的第2导入部d2，作为第2流体的含有溶解了作为反应物的铜酞菁的铜酞菁溶液的流体，直接导入上述由第1流体所构成的薄膜流体中。

如上所述，在通过流体的供给压力与施加于旋转的处理用面之间的压力的压力平衡而控制了距离的处理用面1、2间，第1流体和第2流体可作在维持为薄膜状态下瞬间地被混合，进行铜酞菁微粒生成的反应。

予以说明的是，由于只要在处理用面1、2间进行上述反应即可，因此也可以与上述相反地，从第1导入部d1导入第2流体，从第2导入部d2导入第1流体。即，各溶剂中所谓第1、第2的表述，只不过是具有存在有多种溶剂的第n种这样的、用于识别的意思而已，也可以存在第3以上的溶剂。

作为第1流体和第2流体的组合，并不作特别限定，只要为含有铜酞菁溶液的流体和与上述铜酞菁溶液相比对铜酞菁的溶解度低的、能形成贫溶剂的溶剂就可实施。

例如，作为用于溶解铜酞菁的溶剂并不作特别限定，例如在酸性水溶液的情况下可使用硫酸，盐酸，硝酸，三氟乙酸，磷酸等。优选的是可使用强酸、特别是95％以上的浓硫酸。另外可使用发烟硫酸、发烟硝酸等。特别是在制作被表面处理了的铜酞菁微粒的情况下，优选使用发烟硫酸、发烟硝酸等。除此之外，也可使用如下物质：1-甲基-2-吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、2-吡咯烷酮、ε-己内酰胺、甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、六甲基磷酰三胺那样的酰胺系溶剂、二甲基亚砜、吡啶、或者这些物质的混合物等。另外，也可以实施为，通过添加到在有机溶剂中添加了碱或酸的物质的溶液而将铜酞菁溶解来形成铜酞菁溶液。作为添加在上述有机溶剂中的碱可举出氢氧化钠，氢氧化钾，甲醇钠，乙醇钠等。作为酸，与上述同样，可举出硫酸，盐酸，硝酸，三氟乙酸，磷酸等。

作为能够形成用于使铜酞菁析出的贫溶剂的溶剂，并不作特别限定。可使用与上述溶解了铜酞菁的溶剂相比对铜酞菁的溶度低的溶剂来实施。例如，优选选自以下：水，醇系溶剂，酮系溶剂，醚系溶剂，芳香族系溶剂，二硫化碳，脂肪族系溶剂，腈系溶剂，亚砜系溶剂，卤素系溶剂，酯系溶剂，离子性溶液，或它们2种以上的混合溶剂。

如上所述，在通过流体的供给压力与施加于进行旋转的处理用面之间的压力的压力平衡而控制了距离的处理用面1、2间，第1流体与第2流体可在维持为薄膜状态下瞬间地被混合、进行铜酞菁微粒生成的反应。

进而，第1流体或第2流体中，也可含有嵌段共聚物、高分子聚合物、表面活性剂等的分散剂。

作为表面活性剂及分散剂，可使用用于颜料的分散用途的各种各样的市售品。并不作特别限制，可举出例如十二烷基硫酸钠、Neogen R-K(第一工业制药公司制品)那样的十二烷基苯磺酸系，solsperse20000、solsperse24000、solsperse26000、solsperse27000、solsperse28000、solsperse41090(以上为Avecia公司制品)，DisperBYK160、DisperBYK161、DisperBYK162、DisperBYK163、DisperBYK166、DisperBYK170、DisperBYK180、DisperBYK181、DisperBYK182、DisperBYK183、DisperBYK184、DisperBYK190、DisperBYK191、DisperBYK192、DisperBYK2000、DisperBYK2001(以上为Byk-Chemie公司制品)，Polymer100、Polymer120、Polymer150、Polymer400、Polymer401、Polymer402、Polymer403、Polymer450、Polymer451、Polymer452、Polymer453、EFKA-46、EFKA-47、EFKA-48、EFKA-49、EFKA-1501、EFKA-1502、EFKA-4540、EFKA-4550(以上为EFKA Chemical公司制品)，FLOWLEN DOPA-158、FLOWLEN DOPA-22、FLOWLEN DOPA-17、FLOWLEN G-700、FLOWLEN TG-720W、FLOWLEN-730W、FLOWLEN-740W、FLOWLEN-745W(以上为共荣化学公司制品)，AJISPER PA111、AJISPER PB711、AJISPER PB811、AJISPER PB821、AJISPER PW911(以上为味之精公司制品)，JONCRYL678、JONCRYL679、JONCRYL62(以上为Johnson Polymer公司制品)，ACUALON KH-10、HITENOL NF-13(以上为第一工业制药公司制品)等。这些可以单独使用，也可以2种以上并用。

在本发明中，在混合流路中的混合可在层流支配下进行，也可在紊流支配下进行。

进而，也可以对处理用面间进行加热或冷却，或对处理用面间照射微波。另外，也可对处理用面间照射紫外线(UV)，或对处理用面间赋予超声波能。特别是，在第1处理用面1和第2处理用面2设有温度差的的情况下，由于可在薄膜流体中产生对流，所以具有由此促进反应的优点。

更具体而言，对于加热、冷却，例如通过在各处理用部10、20的至少一方或双方设置加热器、通过热媒、冷媒的套管，可加热、冷却薄膜流体(参照图25)。或者，通过在各处理用部10、20的至少一方或双方具有用于照射微波的磁控管等的微波发生装置，进行处理流体的加热、反应促进。另外，对于照射紫外线(UV)，例如在各处理用部10、20至少一方或双方设置照射紫外线的灯等的元件，可从对应的处理用面对向薄膜流体照射紫外线(UV)。另外，对于赋予超声波能，例如可在各处理用部10、20的至少一方或双方设置超声波振荡体，也可通过在超声波气氛的容器内进行在处理用面间的混合·反应来实施。

另外，通过在可确保减压或真空状态的容器内进行上述析出、至少使处理后流体被排出的2次侧成为减压或真空状态，可进行在析出反应中发生的气体及上述流体中含有的气体的脱气、或上述流体的脱溶剂。由此，即使在与铜酞菁微粒析出几乎同时地进行脱溶剂处理的情况下，由于含有在处理用面间析出了的铜酞菁微粒的流体从处理用面以喷雾状态排出，因此该流体的表面积增大，脱溶剂效率非常高。这样，可比到现在为止的方法都简单的在实质上1工序中进行铜酞菁微粒制作处理和脱溶剂处理。

另外，如上所述，除第1导入部d1，第2导入部d2以外也可以在处理装置上设置第3导入部d3，该情况下，可例如从上述各导入部将水系溶剂、含有铜酞菁浓硫酸溶液的流体、表面活性剂溶液等各自分别导入处理装置中。这样，可以分别管理各溶液的浓度、压力，能更精密地控制铜酞菁微粒生成的反应。在设有第4以上的导入部的情况下也同样，可以如此将向处理装置导入的流体进行细分化。

另外，对于在铜酞菁微粒上进行表面处理的情况，在以下进行说明。

利用在铜酞菁微粒的至少表面上导入修饰基团的表面处理，可通过在导入处理用面1、2间的流体中含有表面修饰剂来实施。上述表面修饰剂，可包含在颜料溶液(第1流体)或贫溶剂(第2流体)的任一方、或其两方中，也可包含在与上述颜料溶液和贫溶剂都不同的第3流体中。另外，作为第1流体及第2流体的组合并不特别限定于上述的组合。

作为表面修饰基至少在颜料表面上导入的修饰基的种类，并不作特别限定，在表面处理的目的是以提高分散性为目的的情况下，例如可根据以分散为目的的溶剂、分散剂种类来分开使用即可。可举出例如具有酸性基团、碱性基等的极性基团，上述极性基团的盐结构，导入了氧、硫等的极性大的原子及/或芳香环等的极化率大的结构，氢键合基团，杂环，芳香环等。作为酸性基团可举出羟基(羟基)、磺酸基(磺基)、羧酸基、磷酸基、硼酸基等。作为碱性基可举出氨基等。作为氢键合基团可举出氨基甲酸酯部位、硫代氨基甲酸酯部位、脲部位、硫脲部位。

在表面处理的目的不是以提高分散性为目的的情况下，例如，在使铜酞菁微粒的表面具有疏水性、亲油性、或亲有机溶剂性的情况下，通过在上述第1流体或第2流体中含有包含亲油性官能团的表面修饰剂，可在从处理用面1、2间被排出的铜酞菁微粒表面上导入作为修饰基的亲油性官能团，进行亲油性处理。

在铜酞菁微粒的表面上实施作为表面修饰剂附加树脂的处理的情况下，通过在上述第1流体或第2流体中含有包含树脂的物质，可在从处理用面1、2间被排出的铜酞菁微粒的表面的至少一部分上用覆树脂盖，例如可进行亲水性处理。

上述的表面处理，并不限于像上述那样地在处理用面1、2间进行铜酞菁微粒的表面修饰的情况下，也可在铜酞菁微粒从处理用面1、2间被排出之后进行实施。该情况下，将以上述的铜酞菁微粒的表面处理为目的而使用的物质添加到含有铜酞菁微粒的流体从处理用面1、2间被排出后的该排出液中，通过搅拌等的操作可进行铜酞菁微粒的表面处理。另外，也可实施为，含有铜酞菁微粒的流体被排出后，通过透析管等，在从含有该铜酞菁微粒的流体中除去杂质之后添加以表面处理为目的的物质。另外，也可实施为，将从处理用面1、2间排出的含有铜酞菁微粒的流体的液体成分干燥而形成铜酞菁微粒粉体后进行上述表面处理。具体而言，可实施：将得到的铜酞菁微粒粉体在目的的溶剂中进行分散，添加以上述的表面处理为目的的物质而实施搅拌等的处理。

本申请发明中的铜酞菁颜料微粒的制造方法(强制超薄膜旋转式反应法)，由于可以自由地使微小流路的雷诺数变化，因此可根据粒径、粒子形状、结晶型等目的作成单分散的再分散性良好的铜酞菁微粒。而且，由于其自我排出性，即使在伴有析出的反应的情况下，也没有生成物的堵塞，不需要大的压力。所以，能够稳定地制作铜酞菁微粒，另外安全性优异，几乎没有杂质的混入，清洗性也良好。进而由于可根据目标生产量来进行放大，因此可提供生产率也高的铜酞菁颜料微粒的制造方法。

本发明涉及的铜酞菁颜料为蓝色的颜料，虽然作为用途最适合在液晶彩色显示器等中使用的滤色器，但并不限定于此，也可在涂料、染料、喷墨用油墨、热转印用油墨、调色剂、着色树脂等的各种各样的用途中利用。

实施例

以下对于本发明示出以下的实施例：使用与本申请申请人的特开2004-49957号公报所述的装置相同原理的装置，制造是结晶型为α型的铜酞菁、且在380nm～780nm中的的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm、在波长400nm～450nm中的该透射光谱的透射率在上述400nm～450nm的整个波长范围大于ε型铜酞菁的铜酞菁。但是，本发明并不限于下述实施例。

(实施例1)

使用如图1(A)所示、在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于其它一方进行旋转的处理用面1、2之间形成的、在薄膜流体中均匀地进行搅拌·混合的装置，溶解铜酞菁，使形成为铜酞菁溶液的液体在薄膜流体中与水性溶剂合流，在薄膜流体中使其均匀混合，使铜酞菁析出。

予以说明的是，在以下的实施例中，所谓“从中央”，为上述的、图1(A)所示的处理装置的“从第1导入部d1”的意思；第1流体是指上述的第1被处理流动体；第2流体是指上述的、从图1(A)所示的处理装置的第2导入部d2导入的、上述的第2被处理流动体。另外，此处的“份”为“重量份”。

(体积平均粒径)

粒度分布，使用Nanotrac粒度分布测定装置UPA-EX150〔日机装公司制品〕进行测定，采用体积平均粒径。

(粉末X射线衍射)

在X射线衍射测定中，使用了PANalytica公司制造的全自动多用途的X射线衍装置(X‘Pert PRO MPD)。测定在衍射角2θ＝5～60°的范围的衍射强度。

(透射光谱)

透射光谱使用岛津制作所制造的紫外可见分光光度计(UV-2450)测定380nm～780nm的透射光谱。本发明中的铜酞菁的波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率，作为评价基准确认如下：对于在上述400nm～450nm整个波长范围大于以往使用的ε型铜酞菁透射率这样的特性而言，波长425nm的透射率(T425)相对于在380～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)的透射率(Tmax)的比(T425/Tmax)≥0.70。

一边从中央将作为第1流体的25℃的水性溶剂(1％十二烷基硫酸钠水溶液)以供给压力＝0.15MPa、转速500rpm送液，一边将作为第2流体的在98％浓硫酸中溶解了结晶型为β型(结晶型是通过粉末X射线衍射确认)的铜酞菁的铜酞菁的浓硫酸溶液以10ml/min导入处理用面1、2间，使排出流量达到150g/min地进行混合。得到形状为大致球状、体积平均粒径14.2nm的铜酞菁粒子分散体。得到的铜酞菁微粒的TEM照片示于图32。

将得到的铜酞菁微粒分散体用透析管用纯水透析24小时、除去硫酸等后，将测定了透射光谱的结果示于图31。另外将该铜酞菁分散液干燥而得到的铜酞菁粉末的粉末X射线衍射图示于图30。

(透射光谱)

如图31中虚线所示，得到的铜酞菁在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)为469nm，另外，(T425/Tmax)＝0.89。

(粉末X射线衍射)

另外，如图30中所示，在将该铜酞菁分散液干燥而得到的铜酞菁粉末的衍射光谱中由衍射强度达到峰的衍射角，确认结晶型为α型。

(比较例1)

将BASF公司制造的ε型铜酞菁、即HELIOGEN BLUE L 6700F在1％十二烷基硫酸钠水溶液中使用超声波分散机进行分散。得到的ε型铜酞菁的分散液的透射光谱，在图31中以实线表示。

(实施例2～5)

对于实施例2～5，改变铜酞菁向处理用面间的导入量、或处理用面的转速、或排出流量来实施。结果示于下述表1中。

[表1]

可知，在任一实施例中可制造以下的铜酞菁：是结晶型为α型的铜酞菁，且，如图31及表1中所示，在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm，如图31中所示，透射光谱在波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率在上述400nm～450nm的整个波长范围大于ε型铜酞菁。

(实施例6)

接着，对与上述不同的另外的实施例进行说明。

(实验装置及实验方法)

一般而言，通过将铜酞菁在浓硫酸中溶解、用纯水进行稀释来使铜酞菁微粒析出的酸糊法作为粗颜料的精制方法，另外作为制造α型的铜酞菁的方法而已知。本实施例中，使用与本申请申请人的特开2004-49957号公报所述的装置相同原理的装置(Forced thin film reactor，M技术公司制，商品名：ULREA，以下简记为“FTFR”)进行酸糊法。制作的铜酞菁微粒的形状确认和粒径测定用电子显微镜(透射型及扫描型)及粒度分布计来确认。制作形成了的铜酞菁微粒的干燥粉体，用X射线衍射测定确认结晶型，用红外吸收光谱测定确认分子结构，用热重/差热同时测定(TG/DTA)来确认热行为。另外，制作水系分散液，确认在紫外-可见领域的透射·吸收特性。

(试剂)

原料的铜酞菁，使用β型铜酞菁(商品名：PV FAST BLUE BG，Clariant(Japan)公司制)。用于溶解铜酞菁的浓硫酸，使用岸田化学公司制造的98％浓硫酸(特级试剂)。用于分散微粒的表面活性剂，使用关东化学公司制造的十二烷基硫酸钠(一级试剂，以下简记为“SDS”)。用于pH调整的氢氧化钠水溶液，是将关东化学公司制造的氢氧化钠(特级试剂)溶解在纯水中来制作。

(铜酞菁微粒的析出(晶析)方法)

制作在浓硫酸中溶解了铜酞菁的铜酞菁浓硫酸溶液。开始FTFR的处理用部的旋转(转速1700rpm)，一边从中央将作为第1流体的纯水以送液温度20℃、送液流量400ml/min进行送液，一边将作为第2流体的铜酞菁浓硫酸溶液以送液流量3ml/min直接导入处理用面1、2间。在处理用面1、2间铜酞菁浓硫酸溶液通过纯水被稀释而铜酞菁微粒析出，作为铜酞菁微粒的稀硫酸水分散液从处理用面1、2间被排出。被排出的铜酞菁微粒的稀硫酸水分散液的pH为0.81。使用3mol/L氢氧化钠水溶液将该稀硫酸水分散液pH调整为7.01，在25℃恒温室静置22小时。

(铜酞菁微粒的清洗方法)

上述那样静置的分散液中，确认铜酞菁微粒凝集·沉降。沉降的铜酞菁微粒，通过使用真空吸气器、用滤布(筛孔尺寸10μm)进行滤集、用纯水清洗后，得到铜酞菁微粒糊。

(铜酞菁分散液及干燥粉体的制作)

在纯水中溶解SDS、制作SDS水溶液。清洗后得到的铜酞菁微粒糊的一部分投入SDS水溶液中来制作铜酞菁水分散液。铜酞菁水分散液的处方为，铜酞菁固体成分浓度1wt％、SDS浓度0.1wt％。用旋转式乳化分散机(商品名：ClearMix，M技术公司制)对所制作的铜酞菁水分散液进行分散处理。分散处理是以转速20000rpm对1L的铜酞菁水分散液进行30分钟。将在分散液的制作中没有使用的铜酞菁微粒糊，以60℃、-0.1MPaG的条件进行真空干燥23小时，得到干燥粉体。

(比较例2)

作为比较例2，用分批法制作铜酞菁微粒。该比较例中利用的分批法，是使用烧杯和磁力搅拌器一边搅拌纯水一边滴入铜酞菁浓硫酸溶液而使铜酞菁微粒析出的方法。铜酞菁微粒的清洗及干燥方法，与上述的使用FTFR的实验相同的条件进行。

(测定)

铜酞菁微粒分散液的粒度分布测定中，使用日机装公司制造的动态光散射方式粒度分布测定装置microtrac UPA-150。粒度分布的测定条件为：粒子折射率1.51，粒子比重1.0g/cm³，测定溶剂为纯水，测定时间为3分钟。分散液的光谱测定，使用岛津制作所公司制造的紫外可见分光光度计UV-2450。光谱的测定条件为：使用石英池，抽样率0.2nm，测定速度为低速。粒子的形状观察，使用透射式电子显微镜HF-2000(TEM，日立制作所公司制品)和扫描型电子显微镜S-4800(SEM，日立High-Tech公司制品)。粉体的结晶型的鉴定，使用粉末X射线衍射测定装置X‘Pert PRO MPD(SPECtris公司PANalytical事业部制品)，测定条件为：Cu对阴极，管电压45kV，管电流40mA，扫描速度1.6°/min。热重/差热同时测定(TG/DTA)，使用TG/DTA6300(Seiko Instruments公司制品)，测定条件为：使用氧化铝粉末作为参照，升温速度20℃/min。红外吸收光谱(FT-IR)的测定，使用FT/IR-4100 type A(日本分光公司制品)，测定条件为：采用ATR法，分辩能力4.0cm^-1，累计次数16次。利用以上的测定的结果的评价，都是使用对于同一对象物进行了3次的测定结果的平均值。以下，对结果的评价及考察进行说明。

(铜酞菁微粒的显微镜观察及粒度分布)

对于利用FTFR制作的铜酞菁微粒和用分批法制作的铜酞菁粒子，示出扫描型电子显微镜(SEM)照片(图33)和粒度分布(图34)。图33(A)示出FTFR的、图33(B)示出分批法的。并且，图35中示出利用FTFR制作的铜酞菁微粒的透射型电子显微镜(TEM)照片。可知，用分批法制作的粒子，是作为粒径分布宽的棒状粒子，相对于此，使用FTFR制制作的微粒为粒径10nm左右的球状粒子。

(铜酞菁微粒的结晶型)

图36中示出铜酞菁微粒的X射线衍射测定结果。用FTFR制作的铜酞菁微粒的X射线衍射图，在与用分批法制作的铜酞菁粒子同样的位置具有衍射峰。由此可知，用FTFR制作的铜酞菁微粒为α型的结晶型。另外，用FTFR制作的铜酞菁微粒的衍射峰，与用分批法制作的铜酞菁粒子的衍射峰相比变宽。这认为是由于以下引起的：由于粒径变小、峰的半值宽度变宽。

(铜酞菁微粒分散液的红外吸收光谱)

图37中示出铜酞菁微粒的指纹领域中的红外吸收光谱(图37的(A)为利用FTFR制作的铜酞菁微粒的红外吸收光谱，(B)为用分批法制作的铜酞菁粒子的红外吸收光谱)。对于用FTFR制作的铜酞菁微粒和用分批法制作的铜酞菁粒子，起因于酞菁骨架的振动的峰(约1117-1118、1089、1066、941-943、863-864、717cm^-1)都得到确认。其他的峰也与到现在为止的报告(B.N.Achar，K.S.Lokesh：J.Solid State Chem，117，1987(2004))一致，可知铜酞菁的分子结构中没有变化。

(铜酞菁微粒分散液的热分析)

根据图38所示的TG/DTA的结果可知，用FTFR制作的铜酞菁和用分批法制作的铜酞菁，都在510℃至530℃附近开始分解。因此可知，用FTFR制作的铜酞菁微粒和用分批法制作的铜酞菁粒子的热分析结果没有差异。

(铜酞菁微粒分散液的透射光谱)

将在波长领域350nm至800nm中的、铜酞菁粒子的0.0050％水分散液的透射光谱示于图39及表2中。与用分批法制作的α型的铜酞菁的透射光谱、为市售品的β、ε型的铜酞菁的透射光谱相比较，用FTFR制作的铜酞菁微粒的分散液，在360nm-550nm的波长领域中的透射光谱的最大透射率的波长向短波长侧移动，与同样α型的铜酞菁的透射率相比，以面积比计提高了20～30％。特别是在430nm-480nm的领域的透射率提高，进而在比700nm大的长波长领域的透射率也提高。可知，透射性和吸收性都得到了提高。另外，实施例6中(T425/Tmax)＝0.81。

[表2]

1.λmax...在波长领域350nm至800nm的领域中透射率达到最大的波长

2.透射率...在波长领域350nm至800nm的领域中的最大透射率

3.面积比例...在波长领域350nm至600nm的领域中的透射率的面积比(将通过分批法制作的α型铜酞菁微粒分散液的透射率的面积作为1)

4.颗粒直径(D50)...体积50％直径(以粒子的全部体积作为100％而求出累积曲线时，该累积曲线达到50％的处的粒径)

5.表中“α”用分批法制作、“β”、“ε”市售品

可知，即使在该该实施例6中，也可制作如下的铜酞菁：是结晶型为α型的铜酞菁，而且，如图39、表2所示，在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)为465.8nm，因此小于478nm，如图39所示，在波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率在上述400nm～450nm的整个波长范围大于ε型铜酞菁。

(铜酞菁微粒分散液的吸收光谱)

将在波长领域300nm～800nm中的、铜酞菁微粒的0.0010％水分散液的吸收光谱示于图40。在330nm、600nm、690nm附近观测到各自的峰。作为光谱为α型的形状，但各峰变窄，另外向短波长侧移动。对于690nm附近的峰和600nm附近的峰，分别归属于单体和二聚物的吸收(J.H.Sharp，M.Abkowitz：J.Phys.Chem.，77，477(1972)，H.Xia，M.Nogami：Opt.Mater.，15，93(2000))。

根据Kuhn等(H.Kuhn：J.Chem.Phys.，17，1198(1949))，酞菁的吸收极大波长(λ[nm])可用下式计算。

λ＝(8mc/h)(L²/[N+1])

此处，m为电子的质量，c为光的速度，h为普朗克常数，L为聚甲炔的键合距离，N为电子的数目。式中的第2项为电子密度的倒数，电子密度变大时，极大波长向短波长侧移动。用FTFR制作的铜酞菁微粒分散液中的向吸收极大的短波长侧的移动，认为是由于以下原因：由于铜酞菁微粒的粒子直径变小，粒子表面的电子密度变高。

作为色调，认为由于690nm的吸收向短波长侧移动，进一步将红色透射，550nm～700nm的领域的吸收大、形成窄的峰。

(实施例7～10)

接着，对于与上述进一步另外的实施例进行说明。这些实施例7～10中使用的实验装置与上述实施例6相同。

(试剂)

原料的铜酞菁，使用与上述实施例6相同的β型铜酞菁(商品名：PV FAST BLUE BG，Clariant(Japan)公司制)。用于溶解铜酞菁的浓硫酸及发烟硫酸，使用98％浓硫酸(特级试剂，岸田化学公司制)及发烟硫酸(特级试剂，SO₃浓度30％，Yotsuhata化学工业公司制)。SO₃浓度5％的发烟硫酸，通过在氮气气氛下混合98％浓硫酸及SO₃浓度30％的发烟硫酸而调制。用于制作铜酞菁微粒的水分散液的表面活性剂，使用十二烷基硫酸钠(一级试剂，关东化学公司制，以下，与上述实施例6同样简记为“SDS”)。用于制作铜酞菁微粒的有机溶剂分散液的有机溶剂，使用丙二醇单甲醚醋酸酯(特级试剂，关东化学公司制，以下简记为“PGMEA”)及丙二醇单甲醚(特级试剂，关东化学公司制，以下简记为“PGME”)。作为用于制作有机溶剂分散液的表面活性剂，使用Disperbyk-2000(改性丙烯酸系共聚合物，胺价4mg KOH/g，有效成分40％，BYK Japan公司制)。用于pH调整的氢氧化钠水溶液，将氢氧化钠(特级试剂，关东化学公司制)溶解于纯水中来调制。

(铜酞菁微粒的析出(晶析)方法及表面处理方法)

实验条件示于表3。予以说明的是，表3及图41中，将实施例7记为“Ex.1”，将实施例8记为“Ex.2”，将实施例9记为“Ex.3”，将实施例10记为“Ex.4”。

[表3]

*通过3mol/L NaOH溶液

将铜酞菁在浓硫酸(实施例7～9)或SO₃浓度5％的发烟硫酸(实施例10)中溶解而调制铜酞菁溶液。一边在FTFR的处理用面1、2间从中央将作为第1流体(表3中的“流体[A]”)的纯水以送液温度20℃送液一边开始处理用部的旋转，将作为第2流体(表3中的“流体[B]”)的铜酞菁溶液投入处理用面1、2间。在处理用面1、2间铜酞菁微粒析出，作为铜酞菁微粒水分散液从处理用面1、2间被排出。将被排出的铜酞菁微粒水分散液在25℃的恒温室中静置22小时(实施例9(Ex.3)，实施例10(Ex.4))。另外，实施例7(Ex.1)及实施例8(Ex.2)中，使用3mol/L氢氧化钠水溶液将被排出的铜酞菁微粒水分散液(pH 1.58，实施例9(Ex.3))调整为pH 7.01(实施例8(Ex.2))及pH 12.55(实施例7(Ex.1))，在25℃的恒温室中静置22小时。

(铜酞菁微粒的清洗方法及干燥粉体的制作)

上述那样静置的铜酞菁微粒水分散液中，确认铜酞菁微粒凝集·沉降。沉降的铜酞菁微粒通过使用真空吸气器、利用滤布(筛孔尺寸10μm)进行滤集、用纯水清洗数次后，得到铜酞菁微粒糊。将该铜酞菁微粒糊以60℃、-0.1MPaG的条件进行真空干燥23小时，得到干燥粉体。

(铜酞菁微粒分散液的制作)

在纯水中溶解SDS，调制0.2wt％SDS水溶液。在上述的铜酞菁微粒糊中添加纯水及0.2wt％SDS水溶液，调制铜酞菁微粒水分散液。(处方条件：铜酞菁微粒固体分浓度2wt％、SDS浓度0.1wt％)。使用旋转式乳化分散机(商品名：ClearMix，M技术公司制)，以转子转速20000rpm对调制的铜酞菁微粒水分散液1L进行分散处理。

另外，将Disperbyk-2000溶解于PGMEA与PGME的混合溶液(体积比PGMEA/PGME＝4/1)，调制有效成分浓度2wt％的Disperbyk-2000溶液。在上述的铜酞菁微粒干燥粉体中添加PGMEA与PGME的混合溶液及有效成分浓度2wt％的Disperbyk-2000溶液，调制铜酞菁微粒有机溶剂分散液。(处方条件：铜酞菁微粒固体分浓度2wt％、Disperbyk-2000有效成分浓度1wt％)。使用旋转式乳化分散机(商品名：ClearMix-W，M技术公司制)，以转子/筛转速18000/16200rpm的条件对调制的铜酞菁微粒有机溶剂分散液5L进行分散处理。

(测定)

铜酞菁微粒粉体的红外吸收光谱(IR)，使用日本分光公司制造的FT/IR-4100 type A(测定条件：ATR法，分辩能力4.0cm^-1，累计次数16次)进行测定。

铜酞菁微粒分散液的粒度分布测定，使用日机装公司制造的动态光散射方式粒度分布测定装置microtrac UPA-150(测定条件：粒子折射率1.51，粒子比重1.0g/cm³，测定时间3分钟)进行测定。用于测定的稀释溶剂，在铜酞菁微粒水分散液的测定中使用纯水、在铜酞菁微粒有机溶剂分散液的测定中使用PGMEA与PGME的混合溶剂(体积比PGMEA/PGME＝4/1)。D₅₀(体积50％直径)及D₉₀(体积90％的直径)，是将粒子的全部体积作为100％而求出累积曲线时、该累积曲线各达到50％、90％处的粒径。分散液的光谱测定，使用岛津制作所公司制造的紫色外可见分光光度计UV-2450(测定条件：抽样率0.2nm，测定速度低速，使用石英池)进行测定。

(表面处理铜酞菁微粒的红外吸收光谱)

图41中示出铜酞菁微粒的指纹领域的红外吸收光谱。在所有的实验条件中，与上述实施例6(参照图37(A))同样，起因于酞菁骨架的振动所引起的峰(约1117-1118、1089-1090、1065-1066、943、864-865、717-719cm^-1)得到确认。进而实施例10(Ex.4)的光谱中，在1388cm^-1附近肩峰(图中标注*的峰)得到确认，确认为：在第2流体中使用发烟硫酸而调制的铜酞菁微粒上存在磺基、进行了表面处理。

(表面处理铜酞菁微粒分散液的透射光谱)

图42中示出对于实施例7(Ex.1)的水分散液及实施例10(Ex.4)的有机溶剂分散液在波长领域350nm-800nm中的、0.005wt％-铜酞菁粒子分散液的透射光谱。黑色的线表示实施例7的透射光谱，灰色的线表示实施例10的透射光谱。可知，实施例7及实施例10中，示出与上述实施例6(参照图39)同样的投射光谱。

实施例7及实施例10的光谱形状，几乎没有差异，认为存在于铜酞菁微粒表面的官能团对光谱特性赋予的影响小。另外可知，铜酞菁微粒无论是水溶液体系还是有机溶剂体系中，示出同样的透射光谱。

符号的说明

1 第1处理用面

2 第2处理用面

10 第1处理用部

11 第1托架

20 第2处理用部

21 第2托架

Claims (8)

1.一种含有以下的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，

结晶型为α型，

而且，在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm。

2.一种含有以下的铜酞菁而成的铜酞菁颜料，

结晶型为α型，

而且，在380nm～780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(λmax)小于478nm，

而且，在波长400nm～450nm中的透射光谱的透射率，在上述400nm～450nm的整个波长范围，比结晶型为ε型的铜酞菁大。

3.权利要求1或2所述的含有铜酞菁而成的铜酞菁颜料，其特征在于，

向可接近·分离、且相对地位移的处理用面之间供给被处理流动体，

通过含有该流动体的供给压力和施加于进行旋转的处理用面之间的压力的向接近方向的力与向分离方向的力的压力的平衡，将处理用面间的距离维持为微小间隔，

通过将维持为该微小间隔的2个处理用面间作为被处理流动体的流路，被处理流动体形成薄膜流体，

在该薄膜流体中作为微粒而生成。

4.权利要求1至3中任一项所述的含有铜酞菁而成的铜酞菁颜料，其特征在于，铜酞菁微粒的形状为大致球状。

5.权利要求4所述的含有铜酞菁而成的铜酞菁颜料，其特征在于，铜酞菁微粒的体积平均粒径为1nm～600nm。

6.一种铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，

向可接近·分离、且相对地位移的处理用面之间供给被处理流动体，

通过含有该流体的供给压力和施加于进行旋转的处理用面之间的压力的向接近方向的力与向分离方向的力的压力的平衡，将处理用面间的距离维持为微小间隔，

通过将维持为该微小间隔的2个处理用面间作为被处理流动体的流路，被处理流动体形成薄膜流体，

在该薄膜流体中进行微粒的析出。

7.权利要求6所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，具备：

对被处理流动体赋予压力的流体压力赋予机构、

第1处理用部及相对于该第1处理用部可相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部、

和使上述的第1处理用部和第2处理用部相对地进行旋转的旋转驱动机构；

在上述的各处理用部中相互对向的位置设有第1处理用面及第2处理用面的至少2个处理用面，

上述的各处理用面构成上述压力的被处理流动体流过的、被密封了的流路的一部分，

上述第1处理用部和第2处理用部中，至少第2处理用部具备受压面，而且，该受压面的至少一部分通过上述的第2处理用面构成，

该受压面受到上述的流体压力赋予机构赋予被处理流动体的压力，产生在从第1处理用面使第2处理用面分离的方向移动的力，

通过在可接近·分离、且相对地进行旋转的第1处理用面和第2处理用面之间使上述压力的被处理流动体通过，上述被处理流动体形成上述薄膜流体，

在该薄膜流体中进行微粒的析出。

8.权利要求7所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，

由上述的流体压力赋予机构赋予了压力的一种被处理流动体，在上述第1处理用面和第2处理用面之间通过，

具备与上述的一种被处理流动体不同的另一种被处理流动体通过的独立的另外的导入路，与该导入路相通的至少一个开口部设于上述第1处理用面和第2处理用面的至少任一方，

从该导入路将上述的另一种被处理流动体导入上述两处理用面间，

在上述薄膜流体中，混合上述一种被处理流动体和另一种被处理流动体。

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