CN102158222A - 信号发生器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种信号发生器。该信号发生器包括：绝缘基板，布置在该绝缘基板上并且包括振荡器的芯片，该振荡器包括决定谐振频率信号的电容元件；以及布置在该绝缘基板的同一表面上、彼此间隔开的多条导线。所述多条导线中的至少一条导线与振荡器电连接，并为振荡器提供决定所述谐振频率信号的电感元件。

Description

信号发生器

技术领域

所描述的技术总体上涉及一种信号发生器，尤其涉及一种包括振荡器的信号发生器。

背景技术

在有线和无线通信领域，对高速海量数据传输的需求在日益增加。为此，对通过同一信号线来传输时钟和数据的高速串行接口的使用近来得到增加。当高速接口运行时，需要具有低抖动特性的电路来维持性能。高速串行接口通常具有时钟和数据恢复(clock and data recovery，CDR)电路，该时钟和数据恢复电路中采用用于时钟恢复和数据采样的锁相环路(phase-locked loop，PLL)。CDR电路中最可能引起抖动的部分是压控振荡器(voltage controlled oscillator，VCO)。VCO的总抖动特性由几个抖动源(如热噪声、闪烁噪声和电源噪声)决定。因此，需要将VCO设计成对于这几个抖动源不敏感并具有低抖动特性。

发明内容

在一个实施方式中，提供了一种信号发生器。该信号发生器包括：绝缘基板；布置在绝缘基板上并且包括振荡器的芯片，该振荡器包括决定谐振频率信号的电容元件；以及布置在绝缘基板的同一表面上、彼此间隔开的多条导线。该多条导线中的至少一条导线与振荡器电连接，并为振荡器提供决定所述谐振频率信号的电感元件。

提供该概括来以简化形式介绍对概念的选择，这些概念将在下面在具体实施方式中做进一步说明。该概括并非意在指出请求保护的主题的关键特征或必要特征，也并非意在用于辅助确定请求保护的主题的范围。

附图说明

通过参考附图对示例性实施方式进行详细描述，本公开的以上和其它特征和优点对于本领域技术人员而言将变得更加明显，在附图中：

图1例示了根据本公开的实施方式的信号发生器；

图2例示了根据本公开的另一实施方式的信号发生器；

图3例示了参考图1和图2所描述的使用膜上图案的电感器，和采用该电感器的信号发生器；以及

图4例示了根据本公开的又一实施方式的信号发生器。

具体实施方式

将容易理解，可以用多种不同的构造来安排和设计本公开的、如附图中所广义地描述和例示的部件。因此，如图所示的、根据本公开对装置和方法的实施方式的如下更细的描述，并非用于限制如权利要求书所要求的本公开的范围，而是仅代表根据本公开的实施方式的特定示例。当前描述的实施方式通过参照附图来得到最好的理解，全图中以相同的数字来表示相同的部分。

同时，本文中所使用的术语应作如下理解。

应当理解的是，虽然术语第一、第二等可能在本文中用于各种元件，但这些元件不应当受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个进行区分。例如，第一元件可被命名为第二元件，而且，类似地，第二元件可以被命名为第一元件，而不脱离本公开的范围。

应当理解的是，当元件被提及与另一元件“连接”或“耦接”时，它可以直接与其它元件连接或耦接，或可以存在中间元件。相反，当元件被提及与另一元件“直接连接”或“直接耦接”时，则不存在中间元件。对用于说明元件之间关系的其他词语应当以类似的方式进行解释(即，“在...之间”与“直接在...之间”，“相邻”与“直接相邻”，“在...之上”与“直接在...之上”，等等)。

在本文使用的术语仅用于描述特定实施方式而非用于限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”和“该”也意在包括复数形式，除非上下文另有明确地指示。应当进一步了解的是，术语“包括”和/或“包含”当在本文中使用时，表示所阐述的特征、整件、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一个或更多个其他特征、整件、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在或附加。

还应当注意的是，在一些替代实现中，方框中表示的功能/行为可以不按照流程图中表示的顺序发生。例如，取决于涉及的功能/行为，连续示出的两个框可以实际上大致同时执行，或这些框可能有时以相反的顺序执行。

除非另有定义，本文中使用的所有术语(包括科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。应当进一步理解的是，术语(如在普遍使用的词典中所定义的那些术语)应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度表面化的含义，除非在本文中明确地这样定义了。

图1例示了根据本公开的实施方式的信号发生器。图1中的(a)和图1中的(b)分别是信号发生器和电感-电容(LC)振荡器的概念图。参考图1，信号发生器100包括绝缘基板110、芯片120和多条导线140。

各种类型的基板可以用作绝缘基板110。例如，绝缘基板110可以是塑料基板、塑料膜或柔性印制电路板(PCB)。在附图中，柔性PCB作为基板110的示例而示出。由于其柔性，柔性PCB在要求弯曲、交叠、折叠等的三维(3D)互联中频繁使用。柔性PCB的材料例如可以是聚酯或聚酰亚胺。柔性PCB例如可以是驱动器集成电路(IC)基板。

芯片120布置在绝缘基板110上，且包括振荡器130，该振荡器130包含确定谐振频率信号的电容元件。在附图中，包括电容器134的振荡器130作为示例而示出。振荡器130使用谐振器的谐振频率信号产生振荡频率信号。振荡器130包括振荡器核心132，振荡器核心132使用谐振频率信号产生振荡频率信号。谐振器可以是LC谐振器。LC谐振器的谐振频率表示为(其中L和C分别表示电感和电容)。可以通过改变电感或电容来调节LC谐振器的谐振频率。这样，就可以调节振荡器130的振荡频率。电容器134为振荡器130提供电容元件。多种类型的电容器可以用作电容器134。作为示例，电容器134可以是固定电容器。固定电容器可以是金属氧化物半导体(MOS)电容器、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器或金属-氧化物-金属(MOM)电容器。作为另一示例，电容器134可以是可变电容器。可变电容器的电容可以通过电压进行控制。其电容由电压控制的可变电容器例如可以是变容二极管或MOS电容器。在这种情况下，LC压控振荡器(VCO)可以使用振荡器130和外部电感器来实现。作为又一示例，电容器134可以是固定电容器和可变电容器的结合。电容器134可以集成在振荡器130中。集成在振荡器130中的电容器134可以包括振荡器130自身的寄生电容。换句话说，当振荡器130的振荡频率太高以至于不能忽略振荡器核心132的内部电容时，可以在考虑振荡器核心132的内部电容的情况下设计电容器134。

包括振荡器130的芯片120例如可以是选自锁相环路(PLL)、时钟和数据恢复(CDR)、驱动器IC以及它们的组合中的至少之种。PLL将输出信号的频率与输入信号的频率或基准频率相匹配。PLL可以使用VCO作为频率源。CDR从混合了时钟和数据的输入数据中提取用于同步操作的时钟，并使用提取出的时钟恢复数据。CDR可以使用VCO作为频率源。驱动器IC例如可以具有用于驱动各种面板(例如，诸如液晶显示(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示的大型面板)的嵌入式高速串行接口。使用高速串行接口，可以通过相同的信号线来传输时钟和数据。对于时钟恢复和数据采样，通常的高速串行接口具有其内采用PLL的CDR电路。在这种情况下，驱动器IC可以使用VCO作为频率源。该实施方式是帮助理解本公开的示例，并且芯片120可以包括不同于上面所提到的那些电路的包含振荡器130的各种电路。

多条导线140布置在绝缘基板110的同一表面上，彼此间隔开。多条导线140中的至少一条与振荡器130电连接并提供确定谐振频率信号的电感元件。多条导线140可以以各种方式与包括振荡器130的芯片120电连接。例如，通过内部引线结合(inner lead bonding，ILB)，多条导线140和芯片120可以彼此电连接。ILB表示基于热压结合在芯片120的凸起和多条导线140之间的共晶结合(eutectic bonding)或金属间结合。当芯片120和多条导线140彼此电连接时，可以通过导线144提供由芯片120产生的信号、提供给芯片120的外部信号(如电力)等。对于多条导线140，可以使用多种导电材料。多条导线140例如可以包括选自金、铜、铝和它们的组合中的至少一种材料。在图1的(a)中，具有一圈且与振荡器130电连接以提供电感元件的导线142是作为示例而示出。在图1的(b)中，示出了采用导线142的LC振荡器的等效电路。导线142作为电感器向振荡器130提供电感元件。

回到附图，信号发生器100包括作为频率源的振荡器130。振荡器130利用谐振器的谐振频率信号产生振荡频率信号。在附图中，采用LC谐振器的振荡器是作为振荡器130的示例而示出。对于电源电压，LC振荡器比环形振荡器具有更低的灵敏度。原因被认为是L和C对于电源电压的变化具有相对较低的灵敏度。对于PLL的情况，还可以通过控制电压施加与关于振荡器的控制电压的频率增益(Kvco；MHz/V)相关的噪声。由于与环形振荡器相比，LC振荡器对于工艺或温度的变化更不灵敏，所以Kvco可以降到最低。因此，即使在控制电压端产生噪声时，LC振荡器产生小得多的抖动。振荡器自身产生的抖动受用作振荡器的设备的闪烁噪声、热噪声等影响。在环形振荡器的情况下，振荡器本身的品质因数(Q值)为1，并且这样的噪声因数作为振荡器的输出被原样传输。另一方面，由于LC振荡器具有少量可以引起噪声的设备和1或更大的Q值，所以通过LC调谐电路过滤引起的噪声成分。因为这个原因，在输出中减少了噪声或噪声成分。尽管LC振荡器具有这些优点，但LC振荡器并不在驱动器IC中使用。这是因为要在驱动器IC中使用LC振荡器，需要具有高Q值的电感器。为了具有高Q值，电感器需要包括厚的金属层。这意在降低由电感器中使用的金属层所导致的串联电阻。并且，需要使用多层金属层来降低与基板之间的相互作用所导致的损耗。在这种情况下，使用顶部金属层作为电感器，来尽可能多地增加与半导体基板之间的距离。由与半导体基板之间的相互作用所导致的损耗例如可以由涡电流和位移电流引起。这些是降低电感器的Q值的电流成分，并受电感器和半导体基板之间的距离和半导体基板的电阻的影响。当硅基板用作实现驱动器IC的半导体基板时，硅基板的电阻一般大约是10欧姆/平方，并且会发生相对较大的损耗。另一方面，具有高电阻的基板(如硅上绝缘体(silicon-on-insulator：SOI)基板)导致小的损耗，但由于高成本而很难在驱动器IC工艺中使用。以上描述的用于实现具有高Q值的电感器的要求与当前使用的驱动器IC工艺比较如下。在驱动器IC工艺中，使用二层或三层金属层，以降低成本。这样，由于电感器和半导体基板之间的相互作用导致的损耗，很难使通过驱动器IC工艺实现的电感器具有高Q值。并且，为了降低驱动器IC的面积，需要降低金属图案之间的间距。当使用厚金属层来实现具有高Q值的电感器时，金属图案之间的间距可能增加，导致驱动器IC面积增大。

在本公开的实施方式中，电感器142的制造工艺独立于芯片120的制造工艺。这样，可以实现具有高Q值的电感器。换言之，如图所示，可以使用布置在绝缘基板110的同一表面上的彼此间隔开的多条导线140中的至少一条线142，来实现电感器142，以具有高Q值。电感器142例如可以通过以下工艺来实现。电感器142可以在厚度大约为38微米、介电常数大约为2.9的塑料膜上实现。在该塑料膜上实现的电感器可以具有大约0.5×1.8mm²的面积和大约50×8μm²的横截面积。电感器142的材料可以是铜。面积表示电感器142所围绕的面积，横截面积表示线142的横截面积。根据计算机仿真，在大约1.6GHz的频率，电感器142具有大约50的Q值和大约2.78nH的电感。可以通过调节面积和横截面积来调节电感器142的Q值和电感。并且，根据计算机仿真，电感器142的Q值趋于随着工作频率的增加而增加。通过常规互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺在芯片120中实现的电感器具有从大约10到大约15范围内的Q值。如上所述，CMOS电感器的低Q值由基板和电感器之间的相互作用等导致的损耗引起。另一方面，使用膜上图案(pattern on film)的电感器142可以独立于芯片120而制造。因此，基板和电感器142之间的相互作用不会导致损耗，因而可以实现电感器142具有高Q值。

在附图中，使用与芯片120布置在同一平面上的膜上图案的电感器142是作为示例而示出。除了与芯片120的焊盘相连接的部分，图中示出的电感器142不与芯片120交叠。换言之，构成电感器142的导线的主要部分布置在绝缘基板110上，与芯片120间隔开，因此可以有效地降低由电感器142与芯片120的内部电路或与半导体基板之间的相互作用导致的损耗。可以通过改变电感器142的设计或芯片120的焊盘的布置，来调节电感器142的与芯片120的焊盘相连接的部分与电感器142的比例。换言之，当使用与芯片120位于同一平面的膜上图案来实现电感器142时，可以减小芯片120和电感器142之间的相互作用所导致的损耗，并且可以为芯片120提供具有高Q值的电感。在另一实施方式中，使用膜上图案的电感器142可以设置在芯片120上，与图中不同。在这种情况下，通过膜的厚度来增加芯片120和电感器142之间的间距，可以降低基板和电感器142之间的相互作用所导致的损耗。这样，可以为芯片120提供具有高Q值的电感。例如，在塑料膜上实现的电感器142可以布置在厚度大约280μm且介电常数大约10S/m的半导体基板上。根据计算机仿真，在频率大约为1.6GHz时，电感器142具有大约为36的Q值和大约为2.78nH的电感。换言之，与通过常规的CMOS工艺在芯片120中实现的电感器相比，电感器142可以实现为具有更高的Q值。电感器142的Q值和电感可以通过调节面积和横截面积来进行调节。

电感器142和振荡器130相连接。以这种方式制造的LC振荡器130可以用作采用高速串行接口的驱动器IC中的LC VCO。使用采用LC VCO的PLL时，可以获得具有小的抖动值的时钟恢复电路。驱动器IC可以安装在具有膜的形式的绝缘基板110中，并且可以使用绝缘基板110上的金属图案实现电感器142。如图所示，当使用膜上图案来实现电感器142时，制造包括驱动器IC等的芯片120的工艺不需要厚的金属层(如，具有2μm或更厚的厚度的铜互连)。因此，可以去掉使芯片120的价格增加的因素。当绝缘基板110的尺寸相对较大时，可以使用具有一圈的导线来实现具有几nH电感的电感器142。电感器142的电感可以通过改变导线的长度或宽度来进行调节。

图2例示了根据本公开另一实施方式的信号发生器。图2中的(a)和图2中的(b)分别例示了信号发生器和电感器。参考图2中的(a)，信号发生器200包括绝缘基板210、芯片220和多条导线240。

芯片220布置在绝缘基板210上，且包括振荡器230，该振荡器230包括决定谐振频率信号的电容元件。在图中，包括电容器234的振荡器230是作为示例而示出。在实施方式中，芯片220包括至少一条导电耦接线，多条导线中的至少一些可以通过该导电耦接线与振荡器230电连接。在图中，包括两条导电耦接线250A和250B的芯片220作为示例而示出。并且，在图中作为示例示出了通过导线250A和250B与振荡器230电连接的导线242。各种导电材料可以用作至少一条导电耦接线250A和250B。至少一条导电耦接线250A和250B例如可以包括选自金、铜、铝和它们的组合中的至少一种材料。

多条导线240布置在绝缘材料210的同一表面上，彼此间隔开。多条导线240中的至少一些242A、242B和242C可以彼此电连接，以形成具有多圈的线圈。在这种情况下，线圈可以与振荡器230电连接并为振荡器230提供电感元件。换言之，线圈充当电感器。可以通过调节线圈的圈数和/或导线242A、242B或242C的长度、宽度等来调节线圈的电感。线圈可以具有多种形状。例如，线圈的形状可以是选自矩形螺旋、多边形螺旋、圆形螺旋和它们的组合中的至少一种。在图2的(a)中，具有3圈的矩形螺旋线圈作为示例而示出。矩形螺旋线圈与振荡器230电连接并为振荡器230提供电感元件。可以通过将导线242A、242B和242C与导电耦接线250A和250B电连接来实现线圈。在其它实施方式中，不同于附图，可以通过调节形成线圈的导线数和与这些导线彼此连接的导电耦接线数，来实现具有各种圈数的线圈。图2中的(b)示出了由导线242A、242B和242C以及导电耦接线250A和250B实现的矩形螺旋线圈。在实施方式中，导电耦接线250A和250B可以嵌在芯片220中。在这种情况下，导电耦接线250A和250B可以通过通孔(未示出)或接触孔(未示出)与导线242A、242B和242C电连接。导电耦接线250A和250B以及通孔或接触孔可以通过制造芯片220的工艺一起形成，因此不需要额外的制造成本。可以通过导线244提供由芯片220产生的信号、提供给芯片220的外部信号(如电力)等。

回到附图，由于多条导线240布置在绝缘基板210的同一表面上，彼此间隔开，因此不能仅通过多条导线240来实现具有多圈的线圈。当具有多层的绝缘基板被用作绝缘基板210时，可以通过经由通孔或接触孔连接导线来实现线圈。但是，在这种情况下，形成通孔或接触孔等的额外工艺，可能是增加信号发生器的制造成本的因素。如本公开的实施方式中所描述地，当通过将至少一条导电耦接线250引入到芯片220中来实现具有多圈的线圈时，可以去除该增加成本的因素。绝缘基板210、芯片220、振荡器230、振荡器核心232、电容器234和多条导线240的构造、材料、特性等和参考图1描述的绝缘基板110、芯片120、振荡器130、振荡器核心132、电容器134和多条导线140的构造、材料、特性等大致相同，因此将不再重述其详细说明。

图3例示了参考图1和图2描述的使用膜上图案的电感器和采用该电感器的信号发生器。

图3中的(a)示出了布置有多条导线的绝缘基板310。为了简化描述，将为芯片320提供电感元件的多条导线342作为多条导线的示例而示出。图3中的(b)例示了芯片320。为了简化描述，将芯片320的一部分作为示例在在图中示出。芯片320可以包括导电耦接线350A、350B和350C。并且，芯片320可以包括导电焊盘360A、360B、360C和360D以及导电通孔352A、352B、352C和352D。图3中的(c)例示了与布置有多条导线342的绝缘基板310相结合的芯片320。如图所示，使用多条导线342、导电耦接线350A、焊盘360A和360B、以及通孔352A和352B来获得具有两圈的矩形螺旋线圈。矩形螺旋线圈可以通过焊盘360C和360D，以及通孔352C和352D与导电耦接线350B和350C电连接。这样，能获得具有两圈的矩形螺旋电感器。导电耦接线350B和350C与包括在芯片320中的振荡器(未示出)电连接，并能够为该振荡器提供电感元件。该振荡器与参考图2描述的振荡器230大致相同，因此将不再重述其详细说明。在另一实施方式中，不同于附图，多条导线342可以不通过焊盘360A、360B、360C和360D，而是通过通孔352A、352B和352C与导电耦接线350A、350B和350C电连接。在这种情况下，可以省略焊盘360A、360B、360C和360D。该实施方式是用于帮助理解本公开的示例，不同于附图，可以通过改变导线、导电耦接线和通孔的数量、结构等，来获得具有不同圈数、不同形式的线圈。可以通过另外的导线(未示出)提供由芯片320产生的信号、提供给芯片320的外部信号(如电力)等。

回到附图，信号发生器使用彼此电连接的导线342、导电耦接线350A、350B和350C、焊盘360A、360B、360C和360D、和通孔352A、352B、352C和352D，作为电感器。在这种情况下，导线342的与焊盘360A、360B、360C和360D相连接的部分、导电耦接线350A、350B和350C、焊盘360A、360B、360C和360D以及通孔352A、352B、352C和352D布置在芯片320中。换言之，电感器可以被分成串联连接的第一电感器和第二电感器。第一电感器由导线342的布置在绝缘基板310上的部分获得，第二电感器由导线342的布置在芯片320中的部分获得。第二电感器可以与芯片320的内部电路或半导体基板相互作用。在这种情况下，可能在第二电感器中产生损耗，并且该损耗对电感器的电感或Q值有影响。例如，损耗对电感器的电感或Q值的影响可以处于可忽略的水平。另一方面，当损耗对电感器的电感或Q值的影响处于不可忽略的水平时，可通过改变第二电感器的结构、布置等来降低损耗。例如，改变电感器的设计以增加第一电感器在总电感器中的比例，从而降低损耗。这样，可以为芯片320提供具有高Q值的电感。

绝缘基板310、芯片320、导线342A和342B、以及导电耦接线350A、350B和350C的构造、材料、特性等与参考图2描述的绝缘基板210、芯片220、导线242A、242B和242C、以及导电耦接线250A和250B的构造、材料、特性等大致相同，因此将不再重述其详细说明。

图4例示了根据本公开又一实施方式的信号发生器。参考图4中的(a)，信号发生器400包括绝缘基板410、芯片420和多条导线440。

芯片420布置在绝缘基板410上，并包括振荡器430，该振荡器430包括决定谐振频率信号的电容元件。在附图中，包括电容器434的振荡器430作为示例而示出。在实施方式中，芯片420可以包括开关电路450。在这种情况下，多条导线440中的至少一些可以通过开关电路450与振荡器430电连接。在附图中，通过开关电路450与振荡器430电连接的导线442作为示例而示出。各种类型的开关电路可以用作开关电路450。开关电路450例如可以是电气开关或机械开关。例如，电气开关可以通过用于制造芯片420的半导体工艺来实现。通过用于制造芯片420的半导体工艺实现的开关可以是N-沟道MOS晶体管、P-沟道MOS晶体管、双极结晶体管(BJT)和砷化镓(GaAs)晶体管等等。机械开关可以是微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem，MEMS)开关。

多条导线440布置于绝缘基板410的同一表面上，彼此间隔开。多条导线440中的至少一些442A和442B可彼此电连接，以形成具有多圈的线圈。在这种情况下，线圈可以与振荡器430电连接，并为振荡器430提供电感元件。换言之，线圈充当电感器。可通过调节线圈的圈数和/或导线442A或442B的长度、宽度等来调节线圈的电感。线圈可以具有参考图2所描述的各种形状。在图4的(a)中，与振荡器430电连接且为振荡器430提供电感元件的两条导线442A和442B作为示例而示出。各导线442A和442B可以通过开关电路450与振荡器430电连接。并且，导线442A和442B可通过开关电路450与振荡器430并联或串联地连接。在另一实施方式中，不同于附图，与振荡器430电连接且为振荡器430提供电感元件的导线可具有各种数目。通过调节导线的数目和修改与导线彼此连接的开关电路，可以实现具有各种圈数的线圈。振荡器与为振荡器430提供电感元件的导线之间的连接可以从参考图3所描述的方法中推断得出，因此将省略对该连接的详细描述。

图4的(b)示出了连接导线442A和442B的开关电路450的内部。通过闭合或断开各个开关S1、S2、S3、S4、S5和S6，可以调节提供给振荡器430的电感值。作为示例，当开关S1和S4闭合，而其它开关S2、S3、S5和S6断开时，导线442A的电感可以提供给振荡器430。作为另一示例，当开关S2和S3闭合，而其它开关S1、S4、S5和S6断开时，导线442B的电感可以提供给振荡器430。作为又一示例，当开关S1、S2、S3和S4闭合，而其它开关S5和S6断开时，导线442A和442B的并联电感可以提供给振荡器430。作为又一示例，当开关S2、S4和S6闭合，而其它开关S1、S3和S5断开时，导线442A和442B的串联电感可以提供给振荡器430。图4的(c)示出了通过开关电路450串联连接的导线442A和442B。导电耦接线452是由开关S6形成的导电路径。在附图中，包括6个开关S1到S6的开关电路450作为示例而示出。这是帮助理解本公开的示例，开关电路450可包括与上述不同的各种数目和布置的开关。并且，在附图中，嵌入到芯片420中的开关电路是作为开关电路450的示例而示出。开关电路450可以通过芯片420的制造工艺来形成，因此不需要额外的制造成本。作为另一示例，开关电路450可以独立于芯片420而制造。在这种情况下，开关电路450可以以各种方式与包含多条导线440和振荡器430的芯片420连接。例如，开关电路450可以嵌在绝缘基板410的布置有多条导线440和芯片420的表面中，并与多条导线440和芯片420电连接。可以通过导线444提供由芯片420产生的信号、提供给芯片420的外部信号(如电力)等。

回到附图，由于多条导线440布置在绝缘基板410的同一表面上，彼此间隔开，因此不能仅通过多条导线440来实现具有多圈的线圈。当具有多层的绝缘基板被用作绝缘基板410时，线圈可以通过经由通孔或接触孔连接导线来实现。但是，在这种情况下，形成通孔或接触孔等的额外工艺，可以是增加信号发生器的制造成本的因素。如本公开的实施方式中所描述地，当通过将开关电路450引入到芯片420中来实现多圈的线圈时，可以去除该增加成本的因素。绝缘基板410、芯片420、振荡器430、振荡器核心432、电容器434和多条导线440的构造、材料、特性等和参考图1描述的绝缘基板110、芯片120、振荡器130、振荡器核心132、电容器134和多条导线140的构造、材料、特性等大致相同，因此将不再重述其详细说明。

回到图1至图4，使用根据本公开实施方式提出的电感器实现方法，可以实现高性能的电感器。根据本公开实施方式的电感器是以独立于芯片制造工艺的工艺来制造。因此，可以从制造包括驱动器IC等的芯片的工艺中去除实现电感器的工艺。这样，可以将具有低抖动特性的LC VCO提供给LCD面板。由于具有低抖动特性的LCVCO可以在CDR电路中使用，因此可以在LCD面板中实现具有高速串行接口的驱动器IC。并且，当在系统中使用根据本公开的实施方式提出的LC VCO时，由驱动器IC等的操作引起的电源噪声所导致的接口性能退化将降低，因而系统变得更稳定。

以上对本公开起说明性作用，而并非解释为对本公开的限制。虽然已经描述了本公开的很多实施方式，但是本领域技术人员将容易理解，在本质上不脱离本公开的新教导和优点的情况下可以在实施方式中进行多种修改。因此，所有这些修改意在被包括在如权利要求书所定义的本公开范围内。因此，应当理解，以上对本公开起说明性作用，而不是解释为限于所公开的具体实施方式，并且对公开的实施方式的修改以及其它实施方式意在被包括在所附的权利要求书的范围内。本公开由所附的权利要求与包括在其中的权利要求的等同物所限定。

Claims (9)

1.一种信号发生器，该信号发生器包括：

绝缘基板；

芯片，其布置在所述绝缘基板上并且包括振荡器，所述振荡器包括决定谐振频率信号的电容元件；以及

多条导线，其布置在所述绝缘基板的同一表面上，彼此间隔开，

其中，所述多条导线中的至少一条导线与所述振荡器电连接，并为所述振荡器提供决定所述谐振频率信号的电感元件。

2.根据权利要求1所述的信号发生器，其中，所述绝缘基板包括柔性印制电路板(PCB)。

3.根据权利要求1所述的信号发生器，其中，所述多条导线中的至少一些导线彼此电连接，以形成具有多圈的线圈，并且

所述线圈与所述振荡器电连接，以为所述振荡器提供所述电感元件。

4.根据权利要求3所述的信号发生器，其中，所述芯片包括至少一条导电耦接线，并且

所述多条导线中的所述至少一些导线通过所述导电耦接线与所述振荡器电连接。

5.根据权利要求3所述的信号发生器，其中，所述芯片包括开关电路，并且

所述多条导线中的所述至少一些导线通过所述开关电路与所述振荡器电连接。

6.根据权利要求3所述的信号发生器，其中，所述线圈的形状包括选自矩形螺旋、多边形螺旋、圆形螺旋和它们的组合中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的信号发生器，其中，所述电容元件的值通过控制电压进行调节。

8.根据权利要求1所述的信号发生器，其中，所述芯片包括选自锁相环路(PLL)、时钟和数据恢复(CDR)、驱动器集成电路(IC)和它们的组合中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的信号发生器，其中，所述多条导线包括选自金、铜、铝和它们的组合中的至少一种材料。

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