CN102157648A - 半导体发光器件 - Google Patents

半导体发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102157648A
CN102157648A CN2010102755667A CN201010275566A CN102157648A CN 102157648 A CN102157648 A CN 102157648A CN 2010102755667 A CN2010102755667 A CN 2010102755667A CN 201010275566 A CN201010275566 A CN 201010275566A CN 102157648 A CN102157648 A CN 102157648A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
type
ratio
components
gan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010102755667A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102157648B (zh
Inventor
名古肇
橘浩一
彦坂年辉
木村重哉
布上真也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN102157648A publication Critical patent/CN102157648A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102157648B publication Critical patent/CN102157648B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。

Description

半导体发光器件
相关申请的交叉引用
本申请基于在2010年2月12日提交的在先的日本专利申请2010-029516并要求其优先权；并将其全部内容通过引用并入到这里。
技术领域
这里说明的实施例一般而言涉及半导体发光器件。
背景技术
使用诸如氮化镓(GaN)的基于氮化物的III-V族化合物半导体，已经开发了半导体发光器件，例如，高强度紫外光到蓝光和绿光发光二极管(LED)和蓝紫光到蓝光和绿光激光二极管(LD)。
这些半导体发光器件需要改善发光效率并同时抑制工作电压。
JP-B 3427265提出了一种氮化物半导体发光器件的结构，其中为了改善发光效率并获得更好的静电耐压(electrostatic withstand pressure)，在n型接触层与n型多层膜层之间设置这样的层，该层包括由未掺杂的GaN构成的基底层(base layer)和由n型杂质掺杂的GaN构成的中间层。
通常，氮化镓半导体发光器件被形成在例如蓝宝石衬底上并在外延生长层中产生由衬底与外延生长层之间的热膨胀系数差异而导致的压缩应力。例如，该压缩应力造成有源层的量子阱层中的变形积累。结果，压电场的影响变得显著，这阻碍了光发射输出的改善。因此，存在改善应力弛豫的空间。
发明内容
一般而言，根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型半导体层、p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述n型半导体层包含氮化物半导体。所述p型半导体层包含氮化物半导体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间。所述发光部包括：多个势垒层，其彼此层叠并包含GaN；以及阱层，其被设置在所述多个势垒层中的一个与所述多个势垒层中的另一个之间。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N，其中第一In组成比x1为In在III族元素中的原子比。所述多层结构体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述多层结构体包括：多个第一层，其彼此层叠并包含GaN；以及第二层，其被设置在所述多个第一层中的一个与所述多个第一层中的另一个之间。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N，其中第二In组成比x2为In在III族元素中的原子比，所述第二In组成比x2不小于所述第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述n侧中间层被设置在所述多层结构体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N的第三层，其中第一Al组成比y1为Al在III族元素中的原子比，所述第一Al组成比y1高于0且不大于0.01。
附图说明
图1为示出了半导体发光器件的示意性截面图；
图2为示出了半导体发光器件的一部分的示意性截面图；
图3为示出了根据比较例的半导体发光器件的一部分的示意性截面图；
图4为示出了半导体发光器件的一部分的示意性截面图；
图5为示出了半导体发光器件的特性的图；
图6为示出了半导体发光器件的一部分的示意性截面图；
图7为示出了半导体发光器件的一部分的示意性截面图；以及
图8为示出了半导体发光器件的一部分的示意性截面图。
具体实施方式
以下将参考附图详细描述本发明的实施例。
附图是示例性或概念性的；并且各部分的厚度与宽度之间的关系以及各部分间的尺寸比例系数等等不必与其实际值相同。此外，在附图当中，即使对于相同的部分，尺寸和比例系数也可能被不同地示例。
在本申请的说明书和附图中，与参考之前的附图而描述的要素相似的要素用相似的参考标号来标记，并且在适当时略去了对其的详细说明。
图1为示例出根据本发明的实施例的半导体发光器件的结构的示意性截面图。
图2为示例出根据本发明的实施例的半导体发光器件的结构的一部分的示意性截面图。
如图1和2所示，根据本发明的实施例的半导体发光器件110包括包含氮化物半导体的n型半导体层10、包含氮化物半导体的p型半导体层20、设置在n型半导体层10与p型半导体层20之间的发光部30、设置在n型半导体层10与发光部30之间的多层结构体40、以及设置在多层结构体40与发光部30之间的n侧中间层50。
如图1所示，n型半导体层10、多层结构体40、n侧中间层50、发光部30以及p型半导体层20沿Z轴方向层叠。
发光部30具有多个势垒层31和阱层32(量子阱层)，所述多个势垒层31彼此层叠，并且所述多个阱层32中的每一个被设置在势垒层31之间。所述多个势垒层31中的每一个包含GaN。所述多个阱层32中的每一个包含具有第一In组成比的InGaN。所述多个势垒层31和所述多个阱层32沿Z轴方向层叠。
多层结构体40具有多个第一层41和多个第二层42，所述多个第一层41彼此层叠，并且所述多个第二层42中的每一个被设置在第一层41之间。所述多个第一层41中的每一个包含GaN。所述多个第二层42中的每一个包含具有第二In组成比的InGaN。第二In组成比等于第一In组成比的0.6倍或大于第一In组成比的0.6倍。第二In组成比低于第一In组成比。多个第一层41和多个第二层42沿Z轴方向层叠。
这里，In组成比(第一和第二In组成比)表示In在III族元素中的比率(原子比)。
例如，第一层41和第二层42为超晶格层。
n侧中间层50包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y1≤0.01)的第三层51。
如图1所示，n型半导体10可以具有例如基底GaN层11、以及设置在基底GaN层11与多层结构体40之间的n型接触层12。例如，n型接触层12使用其中掺杂了诸如Si的n型杂质的GaN或InGaN。
p型半导体层20可以具有例如p型GaN接触层22、设置在p型GaN接触层22与发光部30之间的p型AlGaN层20c、以及设置在p型GaN接触层22与p型AlGaN层20c之间的p型GaN覆层(cald layer)21。将p型杂质(例如Mg)掺杂到p型半导体层20中。
图1示出的具体实例具有设置在发光部30与p型半导体层20(p型AlGaN层20c)之间的GaN帽层20a和设置在GaN帽层20a与p型半导体层20(p型AlGaN层20c)之间的AlGaN帽层20b。GaN帽层20a和AlGaN帽层20b是根据需要而设置的。GaN帽层20a和AlGaN帽层20b可以被认为是p型半导体层20或发光部30的一部分。
如图1所示，根据该实施例的半导体发光器件110还可以包括由例如蓝宝石构成的衬底5和设置在衬底5上的缓冲层6。缓冲层6具有设置在其上的基底GaN层11，并且基底GaN层11具有设置在其上的n型接触层12。
此外，在n型接触层12上设置多层结构体40(第一层41和第二层42)。在多层结构体40上设置n侧中间层50。在n侧中间层50上设置发光部30。在发光部30上设置GaN帽层20a。在GaN帽层20a上设置AlGaN帽层20b。在AlGaN帽层20b上设置p型AlGaN帽层20c。在p型AlGaN帽层20c上设置p型GaN覆层21。在p型GaN覆层21上设置p型GaN接触层22。
在具有上述结构的层叠结构体的p型半导体层20侧的第一主表面上，去除以下各层的一部分：n型半导体层10的一部分、多层结构体40、n侧中间层50、发光部30、p型半导体层20。由此，在第一主表面侧暴露n型半导体层10。将n侧电极71设置为与暴露的n型半导体层10接触，并将p侧电极81设置为与p侧半导体层20接触。
在发光部30中，势垒层31为包含GaN的层，阱层32为包含Inx1Ga1-x1N的层，其中第一In组成比x1大于0且小于1。具体地，第一In组成比x1为例如不小于0.12且不大于0.20。
在多层结构体40中，第一层41为包含GaN的层，第二层42为包含Inx2Ga1-x2N的层，其中第二In组成比x2大于0且小于1。然而，第二In组成比x2等于或大于第一In组成比的0.6倍且小于第一组成比x1。具体地，第二In组成比x2为例如不小于0.08且小于0.12(其中满足关系：(x1×0.6)≤x2＜x1)。
第二In组成比x2被设定为等于或大于第一的0.6倍(其相对而言较接近第一In组成比)，以便可以使施加到阱层32的压缩应力弛豫。结果，可以充分改善结晶性。当第二In组成比x2被设定为小于第一In组成比x1的0.6倍时，不能充分地获得对压缩应力的弛豫的效果。
另一方面，在第二In组成比x2与第一In组成比x1相同的情况下，当光向n型半导体层10(衬底5侧)传播时，在发光部30中发射的光被多层结构体40的第二层42吸收。由于该原因，在该实施例中，第二In组成比x2被设定为低于第一In组成比x1。由此，可以抑制上述光吸收，并可以提高发光效率。
优选第二层42的厚度等于或小于2nm(纳米)以获得较好的结晶性。
第一层41的厚度被设定为等于或大于第二层42的厚度。当第一层41的厚度小于第二层42的厚度时，多层结构体40中的平均In成分增大。结果，在多层结构体40的内部积累压缩应力，这会导致在界面(例如，在多层结构体40与n型半导体层10之间的界面，在第一层41与第二层42之间的界面等等)中诱发晶体缺陷。为了抑制这些晶体缺陷的出现，第一层41的厚度被设定为等于或大于第二层42的厚度。
第一层41可包含n型杂质。n型杂质可以为例如Si。换言之，第一层41为例如Si掺杂的GaN层。
包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y1≤0.01)的第三层51的n侧中间层50被设置在多层结构体40与发光部30之间，以便可以使施加到发光部30的压缩应力进一步弛豫。
换言之，发光部30和多层结构体40使用这样的InGaN层，该InGaN层的平均In成分相对高。然而，这样的InGaN层具有在基底GaN层11(未掺杂的GaN层)与n型接触层12(n型GaN层)之间的晶格失配的大的差异。例如，GaN的晶格长度与InN的晶格长度之间的差异为11％。此外，因为发光部30和多层结构体40中的层叠的层的数目大，因此倾向于积累压缩应力。当压缩应力变得较大时，会在阱层32中积累变形。结果，压电场的影响变得显著，由此阻碍了发光效率的改善。
在该实施例中，在多层结构体40与发光部30之间插入包括这样的第三层51的n侧中间层50，该第三层51包含其与GaN的晶格失配差异较小的AlGaN。GaN的晶格长度与AlN的晶格长度之间的差异为2％，其远远小于在GaN的晶格长度与InN的晶格长度之间的差异。
此外，如图2所示，在均包含InGaN的发光部30和多层部分40中产生压缩应力CF。相反地，在包含AlGaN的n侧中间层中产生拉伸应力TF。使用这样的n侧中间层50，可以减弱在多层结构体40和发光部30中积累的压缩应力CF。
如上所述，n侧中间层50可以使施加到多层结构体40和发光部30的压缩应力CF弛豫，从而可以减少在多层结构体40和发光部30中产生的晶体缺陷，并且可以减弱阱层32中产生的变形。因此，可以降低半导体发光器件110的工作电压，并可以改善器件特性。
在n侧中间层50的第三层51中，Al组成比y1被设定为大于0且等于或小于0.01。当Al组成比大于0.01时，倾向于劣化结晶性，由此还倾向于劣化发光效率。
例如，n侧中间层50的厚度可以等于或小于50nm，优选地等于或小于10nm。当n侧中间层50的厚度大于50nm时，结晶性会劣化。当n侧中间层50的厚度被设定为等于或小于50nm时，可以获得较好的结晶性并由此可以获得高发光效率。此外，当n侧中间层50的厚度被设定为等于或小于10nm时，可以获得更好的结晶性。
图3为示出了根据比较例的半导体发光器件的结构的一部分的示意性截面图。
如图3所示，在根据该比较例的半导体发光器件119中，在n型半导体层10与多层结构体40之间设置了包括包含AlGaN的第三层51的n侧中间层50。
在根据比较例的半导体发光器件119中，在n型半导体层10与多层结构体40之间设置n侧中间层50。因此，存在可以弛豫在n型半导体层10和多层结构体40中产生的应力的可能性。然而，不存在用于弛豫在多层结构体40与发光部30(二者均包括层叠的膜)之间的应力的层。由于该原因，在多层结构体40与发光部30(二者均具有压缩应力CF)中积累了大的压缩应力CF。由此，易于劣化发光效率。
比较而言，在根据该实施例的半导体发光器件110中，在引起压缩应力CF的多层结构体40与引起压缩应力CF的发光部30之间插入具有拉伸应力TF的n侧中间层50。通过该结构，可以使积累的压缩应力CF弛豫，并可以获得高发光效率。如上所述，在该实施例中，在半导体层中引起的应力被弛豫。由此，可以获得以较低的电压工作并实现高发光效率的半导体发光器件。
当在衬底5上外延生长半导体层时，会在衬底5与其中压缩应力小的半导体层之间的界面中引起大量的位错。然而，这些位错在生长半导体层的过程中消失，并且在外延生长的层中积累压缩应力。在该实施例中，在引起压缩应力CF的多层结构体40与引起压缩应力CF的发光部30之间插入具有拉伸应力TF的n侧中间层50。通过该结构，可以使积累的压缩应力CF弛豫。因此，可以抑制压电场的影响，并进一步提高发光效率。
图4为示出了根据本发明的实施例的另一半导体发光器件的结构的一部分的示意性截面图。
如图4所示，在根据该实施例的另一半导体发光器件111具有设置在n侧中间层50中的多个第三层51。多个第三层51彼此层叠。换言之，多个第三层51沿Z轴方向层叠。
此外，n侧中间层50还包括第四层52，每个第四层52被设置在多个第三层51之间。第四层52包含的n型杂质的浓度高于在第三层51中包含的n型杂质的浓度。同样，第四层52包含Aly2Ga1-y2N(0＜y2≤0.01)，其中在第四层52中的Al组成比y2可以与第三层51中的Al组成比y1相同或不同。Al组成比y2被设定为大于0且等于或小于0.01。当Al组成比y2大于0.01时，倾向于劣化结晶性，由此倾向于劣化发光效率。
例如，第三层51为未掺杂的AlGaN层，第四层52为Si掺杂的AlGaN层。
例如，第三层51的厚度为约1nm，第四层52的厚度为约1nm。交替层叠这些第三层51和第四层52，以形成第三层51和第四层52的25个层叠的层对(总共50个层)。该层叠的膜可被用作n侧中间层50。
替代地，交替层叠第三层51和第四层52，以形成5个层叠的层对(总共10个层)。该层叠的膜可被用作n侧中间层50。
如上所述，第三层51和第四层52的层叠结构被用作n侧中间层50，从而可以有效地注入电子载流子。因此，可以弛豫半导体层中的应力而不会劣化器件特性。因此，可以提供在较低的工作电压下工作并实现高发光效率的半导体发光器件。
以下说明制造半导体发光器件110的方法的实例。
在下面的说明中，通过其中使用MOCVD(金属有机化学气相沉积)的情给出实例。然而，该实例并不局限于此。根据该实施例的半导体发光器件的制造方法可以采用用于生长氮化物半导体的任何方法，例如，HVPE(卤化物气相外延)和MBE(分子束外延)。
此外，通过使用以下情况给出该实例，在该情况下，所使用的材料包括三甲基镓(TMG)、三甲基铝(TMA)、三甲基铟(TMI)、双(环戊二烯基)镁(Cp2Mg)，并且气体材料包括氨(NH3)和硅烷(SiH4)，载体气体包括氢气和氮气。然而，这些材料并不受上述情况的限制，而是可以应用可用于制造根据该实施例的半导体发光器件的结构的任何材料。例如，可以使用三乙基镓(TEG)。
例如，衬底5使用蓝宝石衬底。这里，蓝宝石衬底相对于M轴方向倾斜0.2°并包括C面，在C面上设置有柱形凹陷和凸起，每一个凹陷和凸起具有3μm的直径、1μm的高度和5μm的间距。
换言之，衬底5的朝向n型半导体层10的主表面可以相对于衬底5的M轴方向在0.1°到0.5°的范围内倾斜。通过该结构，可以改善将在衬底5上生长的各种半导体层的结晶性。当衬底5的主表面与M轴方向之间的角度小于0.1°时，结晶性倾向于劣化。当角度大于0.5°时，结晶性同样倾向于劣化。
此外，衬底5具有设置在该主表面上的凹陷和凸起。通过这些凹陷和凸起，可以改变从发光部30发射的光的路径，由此改善光提取效率。凹陷和凸起的形状(当切断凹陷和凸起以与衬底5的主表面平行时的平面形状)可以为任何形状。此外，当在衬底5上生长半导体层时，在衬底5上设置凹陷和凸起可以使得凹陷和凸起作为晶体生长的核，由此带来改善半导体层的结晶性的效果。
例如，对衬底5进行作为预处理的有机清洁和酸清洁。此后，将衬底5储存在MOCVD装置的内部。
例如，通过高频加热在常压下并在氮气(N2)和氢气(H2)的混合气体的气氛中将衬底5的温度升高到1100℃。通过该处理，对衬底5的表面进行气相蚀刻，由此去除形成在表面上的自然氧化物膜。
此后，在连续地供给NH3气体的同时，将衬底5的温度降低到500℃并保持在500℃。
接下来，使用N2气体和H2气体的混合气体作为载体气体，例如，供给作为工艺气体的氨(NH3)气、TMG(三甲基镓)和TMA(三甲基铝)以形成包含AlGaN的缓冲层6。缓冲层6的厚度被设定为例如20nm。
然后，在连续地供给NH3气体的同时，将衬底5的温度升高到1100℃并保持在1100℃。
随后，使用N2气体和H2气体的混合气体作为载体气体，例如，供给作为工艺气体的氨(NH3)气、TMG(三甲基镓)以形成基底GaN层11。在该实施例中，基底GaN层11为未掺杂的层。基底GaN层11的厚度为例如3μm。
此后，例如，供给作为n型掺杂剂的硅烷(SiH4气体)以形成n型接触层12。n型接触层12的厚度为例如4μm。n型接触层12为包含Si的GaN层。
此后，在连续供给NH3气体的同时停止供给TMG，并将衬底5的温度降低到800℃并保持在800℃。
接下来，使用N2气作为载体气体，例如，供给作为工艺气体的NH3气体、TMG、以及SiH4以形成第一层41。第一层41为Si掺杂的GaN层。第一层41的厚度被设定为例如2nm。
然后，在连续供给TMI(三甲基铟)的同时停止供给SiH4气体以形成第二层42。第二层42为具有0.1的In组成比(第二In组成比x2)的InGaN层。第二层42的厚度为例如1nm。
随后，例如，交替重复供给和停止TMI以及停止和供给SiH4气体以重复30次形成第一层41和第二层42。结果，可以获得多层结构体40。
此后，在连续供给TMG和NH3气体的同时，停止TMI和SiH4气体的供给，并供给TMA(三甲基铝)，以便形成n侧中间层50的第三层51。n侧中间层50为未掺杂的层，并是其Al组成比y1为0.01的AlGaN层。第三层51的厚度为例如5nm。
此后，在连续供给TMG和NH3气体的同时，停止供给TMA，以便形成势垒层31。势垒层31为GaN层。势垒层31的厚度为例如5nm。
接下来，供给TMI(三甲基铟)以形成阱层32。阱层32为例如其In组成比(第一In组成比x1)为0.15的InGaN层。阱层32的厚度为例如2.5nm。
然后，重复进行TMI的供给和停止，以便例如重复7次形成势垒层31和阱层32。结果，获得了具有多量子阱结构的发光部30。
随后，在连续供给TMG和NH3气体的同时，停止供给TMI，以便形成GaN帽层20a。GaN帽层20a为例如未掺杂的GaN层。GaN帽层20a的厚度为例如5nm。
此后，在连续供给TMG的同时，供给TMA(三甲基铝)，以便形成AlGaN帽层20b。AlGaN帽层20b为例如其Al组成比为0.003的未掺杂的AlGaN层。AlGaN帽层20b的厚度为例如1nm。
之后，在连续供给NH3气体的同时，停止供给TMG和TMA，并在N2气体的气氛中将衬底5的温度升高到1030℃，并保持在1030℃。
接下来，使用N2气体和H2气体的混合气体作为载体气体，并供给作为工艺气体的NH3气体、TTMG和MA以及作为p型掺杂剂的二(环戊二烯基)镁(Cp2Mg)，以便形成p掺杂的AlGaN层。p型AlGaN层20c的Mg浓度为例如1×1019-20cm-3。p型AlGaN层20c的厚度为例如10nm。p型AlGaN层20c作为电子势垒层(电子溢流防止层)。
然后，在连续供给TMG和Cp2Mg的同时，停止TMA的供给，以便形成p型GaN覆层21。p型GaN覆层21的Mg浓度为例如2×1019cm-3。p型GaN覆层21的厚度为例如约100nm。
随后，增加Cp2Mg的供给量，以形成p型GaN接触层22。p型GaN接触层22的Mg浓度为例如3×1020cm-3。p型GaN接触层22的厚度为例如约10nm。
此后，在连续供给NH3气体的同时，停止供给TMG，并仅仅连续供给载体气体，以便衬底5的温度自然下降。连续供给NH3气体，直到衬底5的温度达到500℃。
之后，从MOCVD装置中取出衬底5，并通过例如RIE(反应离子蚀刻)方法去除所形成的半导体层的层叠结构体的一部分以到达n型接触层12，从而暴露n型接触层12的一部分。例如，在暴露的n型接触层12上形成由Ti膜/Pt膜/Au膜形成的n侧电极71。此外，在p型GaN接触层22上形成由例如Ni膜/Au膜形成的p侧电极81。如上所述，获得了图1中示例的半导体发光器件110。
关于半导体发光器件110的I-V特性，例如，当电流为20mA时，工作电压为3.1V(伏)到3.5V，此时的光输出为约15mW。光发射的峰值波长为约450nm。
如上所述，在根据该实施例的半导体发光器件110中，在半导体层中引起的应力被弛豫。由此，可以获得在较低的工作电压下工作并实现高发光效率的半导体发光器件。
在上述制造方法中，可以通过在形成n侧中间层50的工艺中层叠多个第三层51和多个第四层52来形成半导体发光器件111。例如，形成多层结构体40，然后，形成包含其Al组成比y1为0.01的未掺杂的AlGaN的第三层。在该情况下，第三层51的厚度被设定为例如1nm。在形成第三层51之后，形成包含其Al组成比y2为0.01的Si掺杂的AlGaN的第四层52。第四层52的厚度被设定为例如1nm。这些第三层51和第四层52被成对地形成5次(总共10层)。结果，例如，获得具有10nm厚度的n侧中间层50。
与半导体发光器件110相似，在以该方式制造的半导体发光器件111中，在半导体层中引起的应力被弛豫。由此，可以获得在较低的工作电压下工作并实现高发光效率的半导体发光器件。
图5为示例出半导体发光器件的特性的图。
特别地，图5示出了当半导体发光器件的多层结构体40中的In组成比被改变时的发光特性的变化。在图5中，水平轴表示波长λ(nm)，垂直轴表示发光强度Ip。通过将最大强度设定为1来标准化发光强度Ip。
图5示例了其中没有设置n侧中间层50的半导体发光器件的特性。并且，图5示出了在多层结构体40的第二层42中其In组成比(第二In组成比x2)彼此不同的两种半导体发光器件119a和119b的特性。在半导体发光器件119a中的第二In组成比x2为0.14，而在半导体发光器件119b中的第二In组成比x2为0.26。
如图5所示，在其中多层结构体40的第二层42的第二In组成比x2高的半导体发光器件119b中，发光强度Ip的波长宽度窄于半导体发光器件119a的情况。具体地，与半导体发光器件119a相比，半导体发光器件119b的发光谱的半带宽度减小了17.7nm。
此外，半导体发光器件119a的工作电压为3.5V到3.6V，而半导体发光器件119b的工作电压为3.3V。换言之，其第二层42的第二In组成比x2较高的半导体发光器件的工作电压降低。
因此，第二层42的第二In组成比x2增大，从而可以获得较好特性。
此时，例如，认为发光部30的生长温度被设定为高于多层结构体40的生长温度，以进一步改善发光部30的结晶性。例如，存在这样的情况，其中采用800℃作为层叠结构体40的生长温度，并采用850℃作为发光部30的生长温度。
如果将在形成多层结构体40之后的生长发光部30的温度设定为高于在其中没有设置n侧中间层的比较例中的生长多层结构体40的温度，在通过将In组成比设定为较高而形成的第二层42中In消失。结果，第二In组成比x2会低于希望的值。在该情况下，不能获得希望的特性。
此时，对于根据该实施例的半导体发光器件110和111，设置n侧中间层50，以便n侧中间层50作为多层结构体40的帽层。因此，即使当发光部30的生长温度被设定为高于多层结构体40的生长温度，也可以抑制第二层42中的In消失。结果，获得了希望的第二In组成比x2，由此，可以获得希望的特性。
如上所述，n侧中间层50除了可以实现作为抑制压缩应力CF的应力弛豫层的作用之外还可以实现作为多层结构体40的帽层的作用。
图6为示例出根据本发明的实施例的另一半导体发光器件的结构的一部分的示意性截面图。
如图6所示，根据该实施例的半导体发光器件112进一步在图1和2中所示例的半导体发光器件110中包括p侧中间层60。
p侧中间层60被设置在发光部30与p型半导体层20之间。p侧中间层60包括包含Alz1Ga1-z1N(0＜z1≤0.01)的第五层61。
第五层61的Al组成比z1可以与第三层51的Al组成比y1和第四层52的Al组成比y2相同或不同。Al组成比z1被设定为大于0且等于或小于0.01。当Al组成比z1大于0.01时，结晶性倾向于劣化。结果，发光效率倾向于劣化。
在该实施例中，在发光部30与p型半导体层20的p型AlGaN层20c之间设置p侧中间层60。然而，该实施例并不局限于此。与图1中示例的半导体发光器件110相似地，可以在发光部30与p型半导体层20之间设置GaN帽层20a，并可以在发光部30与GaN帽层20a之间设置p侧中间层60。在该情况下，在GaN帽层20a与p型半导体层20(p型AlGaN层20c)之间可以进一步设置AlGaN帽层20b。
在其中进一步包括p侧中间层的半导体发光器件112中，可以通过p侧中间层60进一步抑制在层叠的半导体层中积累的压缩应力，并使半导体层中的应力进一步弛豫。由此，可以获得在较低的工作电压下工作并实现高发光效率的半导体发光器件。
图7为示例出根据本发明的实施例的另一半导体发光器件的结构的一部分的示意性截面图。
如图7所示，在根据该实施例的半导体发光器件112a中设置多个第五层61。所述多个第五层61彼此层叠。换言之，所述多个第五层61沿Z轴方向层叠。
此外，p侧中间层60进一步包括第六层62，每个第六层62被设置在第五层61之间。第六层62包含的p型杂质的浓度高于第五层61中所包含的p型杂质的浓度。此外，第六层62包含Alz2Ga1-z2N(0＜z2≤0.01)。这里，第六层62中的Al组成比z2可以与第五层61中的Al组成比z1相同或不同。第六层62中的Al组成比z2可以与第三层51的Al组成比y1和第四层52的Al组成比y2相同或不同。Al组成比z2被设定为大于0且等于或小于0.01。当Al组成比z2大于0.01时，结晶性倾向于劣化。结果，发光效率倾向于劣化。
例如，第五层61为未掺杂的AlGaN层，第六层62为Mg掺杂的AlGaN层。
如上所述，可以将多层结构体应用于p侧中间层60。通过该结构，在半导体层中引起的应力被弛豫。由此，可以获得在较低的工作电压下工作并实现高发光效率的半导体发光器件。
图8为示例出根据本发明的实施例的另一半导体发光器件的结构的一部分的示意性截面图。
如图8所示，根据该实施例的另一半导体发光器件112b包括具有多层结构体(多个第三层51和多个第四层52)的n侧中间层50和具有多层结构体(多个第五层61和多个第六层62)的p侧中间层60。
在半导体发光器件112b中，在半导体层中引起的应力同样被弛豫。由此，可以获得在较低的工作电压下工作并实现高发光效率的半导体发光器件。
如上所述，在该实施例中，在多层结构体40和发光部30之间设置n侧中间层50。n侧中间层50是单个的未掺杂的AlGaN层，或者是其中层叠有未掺杂的AlGaN层和Si掺杂的GaN层的多层膜。该n侧中间层50具有应力弛豫的功能，从而使在具有InGaN层的多层结构体40和发光部30中引起的压缩应力弛豫。因此，可以减小将在层叠界面中引起的缺陷和在阱层32中引起的变形。由此，可以获得实现了足够的光输出并在低工作电压下工作的半导体发光器件。
通过使用其中使用C面蓝宝石衬底作为衬底5的情况，给出了上述说明。然而，可以使用诸如GaN、SiC或ZnO衬底的其他衬底。此外，衬底5的面方向不局限于C面，可以使用另外的面，例如无极性面。
注意，在该实施例中，“氮化物半导体”旨在包括这样的半导体，该半导体的所有组成是通过使在化学式BxInyAlzGa1-x-y-zN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z≤1)中的每一组成比x、y和z在各自的范围内变化而获得的。此外，在上述化学式中，“氮化物半导体”旨在包括进一步包含除了N(氮化物)之外的V族元素的半导体、进一步包含为了控制诸如导电类型的各种特性而添加的各种元素的半导体、以及进一步包含各种被非故意地包含的元素的半导体。
上文中，参考具体实例描述了本发明的示例性实施例。然而，本发明并不受这些具体实例的限制。例如，本领域的技术人员可以对半导体发光器件的各要素(例如n型半导体层、p型半导体层、发光部、阱层、势垒层、多层结构体、n侧中间层、p侧中间层、第一到第六层、电极、衬底、以及缓冲层)的结构、尺寸、材料品质、设置等等做出各种修改，这样的修改被以包括本发明的主旨的程度而被包括在本发明的范围内。
此外，可以在技术可行的范围内组合具体实例的任何两个或多个要素；并以包括本发明的主旨的程度而被包括在本发明的范围内。
此外，本领域的技术人员基于上述作为本发明的示例性实施例而描述的半导体发光器件可通过适宜的设计修改而实施的所有半导体发光器件同样以包括本发明的主旨的程度而被包括在本发明的范围内。
此外，在本发明的精神内的各种修改和替代对于本领域的技术人员而言是显而易见的。因此，应将所有这样的修改和替代视为在本发明的范围内。
虽然描述了特定的实施例，但是这些实施例仅仅以实例的方式给出，并且不旨在限制本发明的范围。实际上，这里描述的新颖实施例可以被具体化为各种其他的形式；此外，可以进行这里描述的实施例的形式上的各种省略、替换和改变而不背离本发明的精神。所附权利要求及其等价物旨在覆盖落入本发明的范围和精神内的这样的形式或修改。

Claims (20)

1.一种半导体发光器件，包括：
n型半导体层，其包含氮化物半导体；
p型半导体层，其包含氮化物半导体；
发光部，其被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间，
所述发光部包括：
多个势垒层，其彼此层叠并包含GaN，以及
阱层，其被设置在所述多个势垒层中的一个与所述多个势垒层中的另一个之间，所述阱层包含Inx1Ga1-x1N，其中第一In组成比x1为In在III族元素中的原子比；
多层结构体，其被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间，
所述多层结构体包括：
多个第一层，其彼此层叠并包含GaN，以及
第二层，其被设置在所述多个第一层中的一个与所述多个第一层中的另一个之间，所述第二层包含Inx2Ga1-x2N，其中第二In组成比x2为In在III族元素中的原子比，所述第二In组成比x2不小于所述第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1；以及
n侧中间层，其被设置在所述多层结构体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N的第三层，其中第一Al组成比y1为Al在III族元素中的原子比，所述第一Al组成比y1大于0且不大于0.01。
2.根据权利要求1的器件，其中
所述第三层被设置为多个，所述多个第三层彼此层叠，并且
所述n侧中间层还包括第四层，所述第四层被设置在所述多个第三层中的一个与所述多个第三层中的另一个之间，所述第四层所包含的n型杂质的浓度高于在所述第三层中包含的n型杂质的浓度，所述第四层包含Aly2Ga1-y2N，其中第二Al组成比y2为Al在III族元素中的原子比，所述第二Al组成比y2不小于0且不大于0.01。
3.根据权利要求2的器件，其中所述第三层为未掺杂的层，所述第四层为Si掺杂的层。
4.根据权利要求2的器件，其中所述第三层的数目不小于5且不大于25。
5.根据权利要求1的器件，还包括p侧中间层，所述p侧中间层被设置在所述发光部与所述p型半导体层之间并包括包含Alz1Ga1-z1N层的第五层，其中第三Al组成比z1为Al在III族元素中的原子比，所述第三Al组成比z1大于0且不大于0.01。
6.根据权利要求5的器件，其中
所述第五层被设置为多个，所述多个第五层彼此层叠，并且
所述p侧中间层还包括第六层，所述第六层被设置在所述多个第五层中的一个与所述多个第五层中的另一个之间，所述第六层所包含的p型杂质的浓度高于在所述第五层中包含的p型杂质的浓度，所述第六层包含Alz2Ga1-z2N，其中第四Al组成比z2为Al在III族元素中的原子比，所述第四Al组成比z2不小于0且不大于0.01。
7.根据权利要求6的器件，其中所述第五层为未掺杂的层，所述第六层为Mg掺杂的层。
8.根据权利要求1的器件，其中所述第一层包含n型杂质。
9.根据权利要求1的器件，其中所述第一层的厚度不小于所述第二层的厚度。
10.根据权利要求1的器件，其中所述第一层和所述第二层为超晶格层。
11.根据权利要求1的器件，其中所述第一In组成比x1不小于0.12且不大于0.20。
12.根据权利要求1的器件，其中所述第二In组成比x2不小于0.08且小于0.12。
13.根据权利要求1的器件，其中所述第二层的厚度不大于2纳米。
14.根据权利要求1的器件，其中所述n侧中间层的厚度不大于50纳米。
15.根据权利要求1的器件，其中所述n型半导体层包括GaN层和n型层，所述n型层被设置在所述GaN层与所述多层结构体之间，所述n型层包括包含Si的GaN和包含Si的InGaN中的一种。
16.根据权利要求1的器件，其中所述p型半导体层包括第一p型GaN层、p型AlGaN层以及第二p型GaN层，所述p型AlGaN层被设置在所述第一p型GaN层与所述发光部之间，所述第二p型GaN层被设置在所述第一p型GaN层与所述p型AlGaN层之间，所述第二p型GaN层具有的p型杂质浓度低于所述第一p型GaN层的p型杂质浓度。
17.根据权利要求1的器件，还包括GaN帽层以及AlGaN帽层，所述GaN帽层被设置在所述发光层与所述p型半导体层之间，所述AlGaN帽层被设置在所述GaN帽层与所述p型半导体层之间。
18.根据权利要求1的器件，还包括衬底，所述衬底由蓝宝石构成并被设置在所述n型半导体层的与所述p型半导体层相对的侧上，
所述衬底的朝向所述n型半导体层的主表面以不小于0.1度且不大于0.5度的角度相对于所述衬底的M轴方向倾斜。
19.根据权利要求18的器件，其中所述衬底包括被设置在所述主表面上的凹陷和凸起。
20.根据权利要求1的器件，还包括衬底，所述衬底被设置在所述n型半导体层的与所述p型半导体层相对的侧上，所述衬底包括GaN、SiC以及ZnO中的至少一种。
CN2010102755667A 2010-02-12 2010-09-08 半导体发光器件 Expired - Fee Related CN102157648B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010029516A JP5306254B2 (ja) 2010-02-12 2010-02-12 半導体発光素子
JP029516/2010 2010-02-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102157648A true CN102157648A (zh) 2011-08-17
CN102157648B CN102157648B (zh) 2013-07-10

Family

ID=44022913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102755667A Expired - Fee Related CN102157648B (zh) 2010-02-12 2010-09-08 半导体发光器件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8525195B2 (zh)
EP (1) EP2360745A3 (zh)
JP (1) JP5306254B2 (zh)
KR (2) KR101174574B1 (zh)
CN (1) CN102157648B (zh)
TW (1) TWI478383B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103413877A (zh) * 2013-08-16 2013-11-27 湘能华磊光电股份有限公司 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构
CN103872197A (zh) * 2014-03-20 2014-06-18 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法
CN104064644A (zh) * 2014-06-30 2014-09-24 湘能华磊光电股份有限公司 Led的量子阱结构、其制作方法及包括其的led外延片
CN104143595A (zh) * 2013-05-06 2014-11-12 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104157753A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN107408602A (zh) * 2015-03-31 2017-11-28 首尔伟傲世有限公司 Uv发光二极管
CN109891607A (zh) * 2016-10-26 2019-06-14 欧司朗光电半导体有限公司 半导体本体
CN109950375A (zh) * 2019-01-31 2019-06-28 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管外延片及其生长方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130228743A1 (en) 2012-03-01 2013-09-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
TWI499081B (zh) * 2012-10-12 2015-09-01 Ind Tech Res Inst 發光二極體
JP6026116B2 (ja) * 2012-03-09 2016-11-16 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
CN102738333B (zh) * 2012-04-16 2013-07-10 江苏汉莱科技有限公司 一种绿光发光二极管及其制备方法
DE102012104671B4 (de) 2012-05-30 2020-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer aktiven Zone für einen optoelektronischen Halbleiterchip
KR101387543B1 (ko) * 2012-08-21 2014-04-21 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 발광 소자
JP2012256948A (ja) * 2012-09-28 2012-12-27 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP5460831B1 (ja) 2012-11-22 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光素子
JP6001446B2 (ja) * 2012-12-28 2016-10-05 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
CN103187497B (zh) * 2013-01-28 2015-11-25 上海博恩世通光电股份有限公司 一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法
CN104134729B (zh) * 2013-05-03 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光芯片及其制造方法
JP6183060B2 (ja) * 2013-08-24 2017-08-23 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR102109109B1 (ko) * 2013-12-05 2020-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
CN104701432A (zh) * 2015-03-20 2015-06-10 映瑞光电科技(上海)有限公司 GaN 基LED 外延结构及其制备方法
JP7154266B2 (ja) 2020-10-16 2022-10-17 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321942A (ja) * 1997-05-14 1998-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
US6153894A (en) * 1998-11-12 2000-11-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device
JP2001036196A (ja) * 2000-01-01 2001-02-09 Nec Corp ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
CN1669158A (zh) * 2002-07-16 2005-09-14 氮化物半导体株式会社 氮化镓类化合物半导体装置
US20080191195A1 (en) * 1998-03-12 2008-08-14 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US20080251781A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1168158A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体装置
JP3427265B2 (ja) 1998-12-08 2003-07-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP2005268581A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
KR100611491B1 (ko) * 2004-08-26 2006-08-10 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321942A (ja) * 1997-05-14 1998-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
US20080191195A1 (en) * 1998-03-12 2008-08-14 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6153894A (en) * 1998-11-12 2000-11-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device
JP2001036196A (ja) * 2000-01-01 2001-02-09 Nec Corp ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
CN1669158A (zh) * 2002-07-16 2005-09-14 氮化物半导体株式会社 氮化镓类化合物半导体装置
US20080251781A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104143595A (zh) * 2013-05-06 2014-11-12 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104143595B (zh) * 2013-05-06 2018-06-26 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104157753B (zh) * 2013-05-14 2018-09-07 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104157753A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN103413877B (zh) * 2013-08-16 2016-01-20 湘能华磊光电股份有限公司 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构
CN103413877A (zh) * 2013-08-16 2013-11-27 湘能华磊光电股份有限公司 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构
CN103872197A (zh) * 2014-03-20 2014-06-18 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法
CN104064644A (zh) * 2014-06-30 2014-09-24 湘能华磊光电股份有限公司 Led的量子阱结构、其制作方法及包括其的led外延片
CN104064644B (zh) * 2014-06-30 2016-08-31 湘能华磊光电股份有限公司 Led的量子阱结构、其制作方法及包括其的led外延片
CN107408602A (zh) * 2015-03-31 2017-11-28 首尔伟傲世有限公司 Uv发光二极管
CN107408602B (zh) * 2015-03-31 2021-05-25 首尔伟傲世有限公司 Uv发光二极管
CN109891607A (zh) * 2016-10-26 2019-06-14 欧司朗光电半导体有限公司 半导体本体
CN109891607B (zh) * 2016-10-26 2022-03-04 欧司朗光电半导体有限公司 半导体本体
US11316067B2 (en) 2016-10-26 2022-04-26 Osram Oled Gmbh Semiconductor body
CN109950375A (zh) * 2019-01-31 2019-06-28 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管外延片及其生长方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101174574B1 (ko) 2012-08-16
US8525195B2 (en) 2013-09-03
EP2360745A3 (en) 2012-07-25
JP5306254B2 (ja) 2013-10-02
TWI478383B (zh) 2015-03-21
JP2011166031A (ja) 2011-08-25
US20110198583A1 (en) 2011-08-18
KR20120080559A (ko) 2012-07-17
TW201130157A (en) 2011-09-01
KR101252414B1 (ko) 2013-04-08
EP2360745A2 (en) 2011-08-24
KR20110093568A (ko) 2011-08-18
CN102157648B (zh) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102157648B (zh) 半导体发光器件
TWI683448B (zh) Iii族氮化物半導體發光元件及其製造方法
KR102171911B1 (ko) Iii족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8513694B2 (en) Nitride semiconductor device and manufacturing method of the device
JP4940317B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
US9166102B2 (en) Group III nitride semiconductor light-emitting device including a superlatice layer
CN101188264B (zh) 氮化物半导体发光器件
US20100133506A1 (en) Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor
JP4617922B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2011077473A1 (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
EP2270879B1 (en) Nitride semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
CN106415860B (zh) 氮化物半导体发光元件
JP2008288397A (ja) 半導体発光装置
JP2008103665A (ja) 窒化物半導体デバイス及びその製造方法
US7253451B2 (en) III-nitride semiconductor light emitting device
TWI636581B (zh) Semiconductor light-emitting element
JP5234814B2 (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP3753369B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子
US20140284550A1 (en) Light-emitting device
JP2008227103A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
JP2012256948A (ja) 半導体発光素子
TW202234720A (zh) 氮化物半導體發光元件及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130710

Termination date: 20160908