CN102127751A - 一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法 - Google Patents
一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102127751A CN102127751A CN 201110004740 CN201110004740A CN102127751A CN 102127751 A CN102127751 A CN 102127751A CN 201110004740 CN201110004740 CN 201110004740 CN 201110004740 A CN201110004740 A CN 201110004740A CN 102127751 A CN102127751 A CN 102127751A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- boron
- doped diamond
- nano material
- silicon
- columnar arrays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明属于微纳米材料技术领域，涉及一种硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法。本发明的柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为5～20μm、柱直径为1～10μm、柱间距为2～10μm的柱状阵列结构，在硅基底上先超声接种金刚石种子，再采用微波等离子体化学气相沉积法，形成厚度为0.5～2μm的硼掺杂金刚石膜，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构，单个硼掺杂金刚石柱高度为5.5～22μm、直径为2～14μm、柱间距为0.4～8μm。本发明的硼掺杂金刚石微纳米材料比表面积大，可用于电化学检测等方面。
Description
技术领域
本发明属于微纳米材料技术领域，涉及一种硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法。
背景技术
硼掺杂金刚石材料具有电势窗口宽、析氧电位高、背景电流低、抗腐蚀、化学性质稳定等特性，可以作为电极材料用于电化学分析中，也可以作为p型半导体用于制备异质结。微纳米结构材料所具有的高比表面积特性使其在电化学分析、污染控制等方面具有潜在的应用价值，引起人们对金刚石的微纳米结构研究的重视。
目前研究人员主要通过化学气相沉积、结合活性离子刻蚀技术和应用模板法，辅助热丝化学气相沉积技术，制备微纳米结构、纳米结构阵列金刚石，如Masuda，H.等人在Adv.Mater.(2000，12，444～447)上发表的：“Fabricationof a Nanostructured Diamond Honeycomb Film”(蜂窝状纳米结构金刚石膜的制备)一文中，描述了以化学气相沉积法制备金刚石膜，阳极氧化法制备通透的多孔氧化铝膜作为掩膜，应用氧等离子体刻蚀的方法，制备得到直径细微的蜂窝状金刚石膜，其制备过程比较繁杂，多孔氧化铝薄膜的整体性不强，在活性氧离子刻蚀的过程中可能会破坏硼掺杂金刚石的晶面结构。DaibingLuo等人在ACS.Nano.(2009，3，2121-2128)上发表的“Fabrication of Boron-Doped Diamond Nanorod Forest Electrodes and Their Application inNonenzymatic Amperometric Glucose Biosensing”(硼掺杂金刚纳米柱丛林的制备及在非酶作用的葡萄糖生物传感器的应用)一文中，提出采用无电金属沉积的方法制备硅纳米线基底，以含有三甲基色氨酸的丙酮溶液作为碳源，采用热丝气相沉积的方法，获得长几微米、直径约为1μm的硼掺杂金刚石纳米柱丛林，但无电金属沉积的方法制备的硅纳米线有序性差，因此无法得到有序阵列的硼掺杂金刚石纳米丛林，且获得的硼掺杂金刚石纳米柱的直径不均一，也不具备可控性。
在电化学过程中，有序结构的电极有利于物质和电子的传递，同时也有助于参与电化学过程的物质与电极的接触和作用，从而使电信号的捕捉更容易；有序结构在尺寸上的均一会使电极对电子的传递能力趋于一致，更容易确定电信号与被测物质浓度的定量关系。因此，结构有序、尺寸均一、可控的硼掺杂金刚石电极将会在电化学方面得到更广泛的应用。
发明内容
本发明的目的，是克服现有的硼掺杂金刚石微纳米材料的不足，提供一种比表面积大、具有高度有序的柱状结构的硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备工艺，并实现对硼掺杂金刚石阵列柱在直径和高度上的可调控性。
本发明的技术方案为：
一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为5～20μm、柱直径为1～10μm、柱间距为2～10μm的柱状阵列结构，硅柱的轴向相互平行；在硅基底上先超声接种金刚石种子，再以甲烷为碳源、硼烷为硼掺杂剂、采用微波等离子体化学气相沉积法形成厚度为0.5～2μm的硼掺杂金刚石膜，制成柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，单个硼掺杂金刚石柱高度为5.5～22μm、直径为2～14μm、柱间距为0.4～8μm，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构。
本发明的柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料的制备步骤如下：
第一步，选择晶面为(101)或(111)或(110)的硅，采用光刻技术制备出具有单个柱高为5～20μm、直径为1～10μm、柱间距离为2～10μm的柱状阵列的硅基底；
第二步，对步骤一制备出的硅基底进行清洗、超声接种金刚石种子，金刚石种子溶液为0.5～5g金刚石粉分散在100mL的丙酮中，接种时间为10～30min；
第三步，接种过金刚石种子的硅基底放置在微波等离子体化学气相沉积反应室内，反应室抽真空后通入氢气使反应室压力上升到1000～2000Pa，再通入甲烷气和氢气稀释的体积浓度为0.5‰的硼烷气，氢气、甲烷气的流量分别为50～100sccm和1～10sccm，甲烷气与体积浓度为0.5‰的硼烷气的流量比为1∶5～1∶20，控制通入的气体逐步将反应压力升至4000～8000Pa，反应温度为500～1000℃，反应时间为2～8h。
接种时间通常为10～30min，也可适当延长，但接种时间超过30min时与30min及以内没有明显差别。通过调整甲烷气与硼烷气的流量比可以改变硼的掺杂量，当流量比由1∶5逐步降低到1∶20时，硼的掺杂量由0.5‰上升至2‰。
反应室的升温速度可以为5～20℃/min，反应结束后可以5～20℃/min的速度降温至室温。
采用已有的光刻技术制备硅基底时，对晶面为(101)或(111)或(110)的硅表面进行氧化形成氧化层、在氧化层表面旋涂光刻胶涂层后，掩模板下可采用紫外光或激光曝光、显影，使光刻胶涂层形成与掩模板图对应的图形；然后可以采用电感耦合等离子体干法刻蚀，先用C4F4气体刻蚀SiO2，再用SF6和C4F8气体交替刻蚀Si形成硅的柱状阵列结构，最后用氢氟酸溶液去除残留的SiO2；通过改变干法刻蚀的时间调整硅柱的高度，最后得到高为5～20μm、柱间距离为2～10μm、直径为1～10μm的高度有序的柱状阵列结构的硅基底。
本发明在高度有序柱状阵列的硅基底上沉积一层连续的、均一的、结构致密的硼掺杂金刚石膜，并具备完整的金刚石晶粒结构，通过改变沉积时间和碳源(甲烷气)流量来控制膜生长厚度，随着沉积时间的增长和碳源流量的增大会使膜厚度增加。制备出的硼掺杂金刚石微纳米阵列比表面积大，通过计算是平板金刚石薄膜的二倍到几十倍。通过晶体X射线衍射图与标准谱图对比分析，硼掺杂金刚石膜上的晶面结构主要以(111)面择优生长。
本发明制备工艺比较简单，并实现了对硼掺杂金刚石柱在直径和高度方面的可控性。本发明的材料用于电化学检测时，更容易捕捉电信号、确定电信号与被测物浓度间的定量关系，因而在电化学检测等方面将会得到广泛应用。
附图说明
图1为具有柱状阵列结构的硅基底的2500倍俯视扫描电镜图(SEM)。
采用JSM-5600LV扫描电镜，加速电压为30kV。硅柱的直径为5μm，柱间距为5μm。
图2为柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料的10000倍俯视扫描电镜图(SEM)。
采用JSM-5600LV扫描电镜，加速电压为30kV。硼掺杂金刚石柱的直径为7～8μm，柱间距为2～3μm。
图3为柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料的1000倍俯视扫描电镜图(SEM)。
采用JSM-5600LV扫描电镜，加速电压为30kV。硼掺杂金刚石柱的直径为7～8μm，柱间距为2～3μm。
图4为柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料的5000倍侧视扫描电镜图(SEM)。
采用JSM-5600LV扫描电镜，加速电压为30kV。硼掺杂金刚石柱高度约11～11.5μm。
图5为柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料的X射线衍射图(XRD)。
采用Shimadzu LabX-6000型X射线衍射仪进行分析，通过与晶体X射线衍射标准谱图对比分析，硼掺杂金刚石阵列结构的晶面结构以(111)面为主要结构。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明做进一步说明。
实施例1，在柱高10μm、直径5μm、柱间距5μm的柱状阵列硅基底上制备柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料。
制作步骤如下：
第一步，选择晶面为(111)的硅，首先对硅表面进行氧化形成氧化层，再在氧化层表面旋涂光刻胶涂层，掩模板下紫外光曝光、显影，使光刻胶涂层形成与掩模板图对应的图形，然后采用电感耦合等离子体干法刻蚀，先用C4F4气体刻蚀SiO2，再用SF6和C4F8气体交替刻蚀Si形成硅的柱状阵列结构，最后用氢氟酸溶液去除残留的SiO2，制备得到高度有序的柱状阵列的硅，并通过改变干法刻蚀的时间调整阵列柱的高度，制备出柱高10μm、直径为5μm、柱间距离为5μm的高度有序的柱状阵列的硅基底，其2500倍的俯视扫描电镜图如图1所示；
第二步，对步骤一制备出的硅基底进行切割成小片、清洗、超声接种丙酮分散的金刚石种子，金刚石种子溶液为1g金刚石粉分散在100mL的丙酮中，接种时间为20min；
第三步，接种过金刚石种子的硅基底放置在微波等离子体化学气相沉积反应室内，抽真空排除反应室中的空气，然后通入氢气，当反应室内压力升至2000Pa时，打开微波发生器的电源，通入氢气、甲烷气和被氢气稀释到体积浓度为0.5‰的硼烷气，逐渐开大微波发生器的功率，调节氢气、甲烷气和体积浓度为0.5‰的硼烷气流量分别为100sccm、2sccm、20sccm(甲烷气和硼烷气流量比为1∶10)，控制真空泵的阀门以50～250Pa/min逐步升压至6000Pa，以5～20℃/min升温至600℃，沉积时间4h，然后逐渐降低微波发生器的功率，以5～20℃/min逐步降温至室温，最后关闭微波发生器电源。
结束后抽真空排除反应室内的反应气体，最后打开真空阀门使空气进入反应室。
用扫描电镜、X射线衍射仪对材料进行分析检测。检测结果表明：可以获得柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料，单个硼掺杂金刚石晶粒直径0.5～1μm，硼掺杂金刚石膜厚为1～1.5μm，单个硼掺杂金刚石微纳米柱高度为11～11.5μm，直径为7～8μm，柱间距2～3μm，硼掺杂金刚石材料的柱状微纳米结构轴向平行，排列整齐，高度有序，如附图2～4所示；硼掺杂金刚石膜为以(111)面择优生长的结构，如图5所示。
实施例2，在柱高5μm，直径1μm、柱间距2μm的柱状阵列硅基底上制备柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料。
制作步骤如下：
第一步，选择晶面为(101)的硅，采用与实施例1相同的方法，制备出柱高5μm、直径为1μm、柱间距2μm的柱状阵列结构的硅基底；
第二步，对步骤一制备出的硅片进行切割成小片、清洗、超声接种丙酮分散的金刚石种子，金刚石种子溶液为0.5g金刚石粉分散在100mL的丙酮中，接种时间为30min；
第三步，将接种过金刚石种子的硅基底放置在微波等离子体化学气相沉积反应室内的平台上，抽真空排除反应室中的空气，然后通入氢气，当反应室内压力升至1500Pa时，打开微波发生器的电源，通入氢气、甲烷气和被氢气稀释到体积浓度为0.5‰的硼烷气，逐渐开大微波发生器的功率，调节氢气、甲烷气和体积浓度为0.5‰的硼烷气流量分别为50sccm、10sccm、50sccm，(甲烷气和硼烷气流量比为1∶5)，以50～250Pa/min逐步升压至8000Pa，以5～20℃/min升温至500℃，沉积时间2h，然后逐渐降低微波发生器的功率，以5～20℃/min逐步降温至室温，最后关闭微波发生器电源。
结束后抽真空排除反应室内的反应气体，最后打开真空阀门使空气进入反应室。
用扫描电镜、X射线衍射仪对材料进行分析检测。检测结果表明：可以获得柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料，单个硼掺杂金刚石晶粒直径为0.5～0.8μm，硼掺杂金刚石膜厚为0.5～0.8μm，单个硼掺杂金刚石微纳米柱高度为5.5～5.8μm，直径为为2～2.6μm，柱间距为0.4～1μm。硼掺杂金刚石材料的柱状微纳米结构轴向平行，排列整齐，高度有序；硼掺杂金刚石膜为以(111)面择优生长的结构。
实施例3，在柱高20μm、直径为10μm、柱间距10μm的柱状阵列硅基底上制备柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料。
制作步骤如下：
第一步，选择晶面为(110)的硅，采用与实施例1相同的方法，制备出柱高20μm，直径为10μm、柱间距离为10μm的柱状阵列结构硅基底；
第二步，对步骤一制备出的硅片进行切割、清洗、超声接种丙酮分散的金刚石种子，金刚石种子溶液为5g金刚石粉分散在100mL的丙酮中，接种时间为10min；
第三步，接种过金刚石种子的硅基底放置在微波等离子体化学气相沉积反应室内的平台上，抽真空排除反应室中的空气，然后通入氢气，当反应室内压力升至1000Pa时，打开微波发生器的电源，通入氢气、甲烷气和被氢气稀释到体积浓度为0.5‰的硼烷气，逐渐开大微波发生器的功率，调节氢气、甲烷气和体积浓度为0.5‰的硼烷气流量分别为80sccm、1sccm、20sccm(甲烷气和硼烷气流量比为1∶20)，以50～250Pa/min逐步升压至5000Pa，以5～20℃/min升温至1000℃，沉积时间8h，然后逐渐降低微波发生器的功率，以5～20℃/min逐步降温至室温，最后关闭微波发生器电源。
结束后抽真空排除反应室内的反应气体，最后打开真空阀门使空气进入反应室。
用扫描电镜、X射线衍射仪对材料进行分析检测。检测结果表明：可以获得柱状阵列结构的硼掺杂金刚石微纳米材料，单个硼掺杂金刚石晶粒直径0.5～1μm，硼掺杂金刚石膜厚为1～2μm，单个硼掺杂金刚石微纳米柱高度为21～22μm，直径为12～14μm，柱间距6～8μm。硼掺杂金刚石材料的柱状微纳米结构轴向平行，排列整齐，高度有序；硼掺杂金刚石膜为以(111)面择优生长的结构。
Claims (3)
1.一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为5～20μm、柱直径为1～10μm、柱间距为2～10μm的柱状阵列结构，硅柱的轴向相互平行；在硅基底上先超声接种金刚石种子，再以甲烷为碳源、硼烷为硼掺杂剂、采用微波等离子体化学气相沉积法形成厚度为0.5～2μm的硼掺杂金刚石膜，制成柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，单个硼掺杂金刚石柱高度为5.5～22μm、直径为2～14μm、柱间距为0.4～8μm，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构。
2.如权利要求1所述的柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料的制备方法，其特征在于制备步骤如下：
第一步，选择晶面为(101)或(111)或(110)的硅，采用光刻技术制备出具有单个柱高为5～20μm、直径为1～10μm、柱间距离为2～10μm的柱状阵列的硅基底；
第二步，对步骤一制备出的硅基底进行清洗、超声接种金刚石种子，金刚石种子溶液为0.5～5g金刚石粉分散在100mL的丙酮中，接种时间为10～30min；
第三步，接种过金刚石种子的硅基底放置在微波等离子体化学气相沉积反应室内，反应室抽真空后通入氢气使反应室压力上升到1000～2000Pa，再通入甲烷气和氢气稀释的体积浓度为0.5‰的硼烷气，氢气、甲烷气的流量分别为50～100sccm和1～10sccm，甲烷气与体积浓度为0.5‰的硼烷气的流量比为1∶5～1∶20，控制通入的气体逐步将反应压力升至4000～8000Pa，反应温度为500～1000℃，反应时间为2～8h。
3.如权利要求2所述的柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料的制备方法，其特征在于，反应室的升温速度为5～20℃/min，反应结束后以5～20℃/min的速度降温至室温。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110004740 CN102127751B (zh) | 2011-01-11 | 2011-01-11 | 一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110004740 CN102127751B (zh) | 2011-01-11 | 2011-01-11 | 一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102127751A true CN102127751A (zh) | 2011-07-20 |
| CN102127751B CN102127751B (zh) | 2012-12-26 |
Family
ID=44266013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110004740 Active CN102127751B (zh) | 2011-01-11 | 2011-01-11 | 一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102127751B (zh) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103253629A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-21 | 中国科学院化学研究所 | 一种纳米粒子精确有序组装的方法 |
| CN103975240A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-06 | 英特尔公司 | 金刚石电极纳米间隙换能器 |
| CN104007157A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-27 | 河南工业大学 | 基于纳米结构硼掺杂金刚石电极的电化学传感器的制备及应用 |
| CN104233216A (zh) * | 2014-10-09 | 2014-12-24 | 南京航空航天大学 | 一种表面具有纳米结构阵列钛基掺硼金刚石电极的制备方法 |
| CN104709872A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-06-17 | 中国科学院物理研究所 | 金刚石纳米线阵列、其制备方法及用于电化学分析的电极 |
| CN105448542A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-03-30 | 大连理工常州研究院有限公司 | 一种等离子体增强化学气相沉积法制备多孔碳膜的方法 |
| CN107589168A (zh) * | 2017-07-24 | 2018-01-16 | 四川大学 | 一种球形掺硼金刚石膜电极的制备方法 |
| CN107675140A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-09 | 南京航空航天大学 | 基于微区阻隔法的金刚石刀具织构涂层的制备方法 |
| CN107988616A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-04 | 深圳先进技术研究院 | 一种镍硼氮共掺杂金刚石电极及其制备和应用 |
| CN109030596A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-18 | 武汉工程大学 | 一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法及其应用 |
| CN110947030A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-03 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种抗菌多级次金刚石复合材料及其制备方法和应用 |
| CN111099586A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-05-05 | 中国科学院金属研究所 | 一种纳米金刚石中高亮度硅空位色心的制备方法 |
| CN111334778A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 深圳先进技术研究院 | 钛合金复合材料及其制备方法、外科植入物和医疗器械 |
| CN111485223A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-08-04 | 南京岱蒙特科技有限公司 | 一种超高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用 |
| CN112011784A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-12-01 | 南方科技大学 | 一种有序图案化多孔金刚石薄膜及其制备方法和用途 |
| JP2021515102A (ja) * | 2018-02-28 | 2021-06-17 | マニュファクチュアリング システムズ リミテッド | 触媒作用の装置および方法 |
| CN113621938A (zh) * | 2020-05-06 | 2021-11-09 | 宁波材料所杭州湾研究院 | 一种金刚石膜生长方法、具有金刚石膜的硅片与应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591484A (en) * | 1994-11-30 | 1997-01-07 | Eastman Kodak Company | Process for manufacturing layers of diamond doped with boron |
| CN1341774A (zh) * | 2001-08-09 | 2002-03-27 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法 |
| JP2006009147A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | National Institute For Materials Science | 超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜 |
| CN1804115A (zh) * | 2006-01-19 | 2006-07-19 | 上海电机学院 | n型CVD共掺杂金刚石薄膜的制备方法 |
| CN101481792A (zh) * | 2008-01-08 | 2009-07-15 | 中国科学院物理研究所 | 一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法 |
-
2011
- 2011-01-11 CN CN 201110004740 patent/CN102127751B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591484A (en) * | 1994-11-30 | 1997-01-07 | Eastman Kodak Company | Process for manufacturing layers of diamond doped with boron |
| CN1341774A (zh) * | 2001-08-09 | 2002-03-27 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法 |
| JP2006009147A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | National Institute For Materials Science | 超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜 |
| CN1804115A (zh) * | 2006-01-19 | 2006-07-19 | 上海电机学院 | n型CVD共掺杂金刚石薄膜的制备方法 |
| CN101481792A (zh) * | 2008-01-08 | 2009-07-15 | 中国科学院物理研究所 | 一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| > 20090630 王玉乾灯 掺硼对超纳米金刚石薄膜的影响 288-292 1-3 第23卷, 第3期 2 * |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103975240A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-06 | 英特尔公司 | 金刚石电极纳米间隙换能器 |
| CN103253629B (zh) * | 2013-05-13 | 2014-04-23 | 中国科学院化学研究所 | 一种纳米粒子精确有序组装的方法 |
| CN103253629A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-21 | 中国科学院化学研究所 | 一种纳米粒子精确有序组装的方法 |
| CN104007157A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-27 | 河南工业大学 | 基于纳米结构硼掺杂金刚石电极的电化学传感器的制备及应用 |
| CN104233216A (zh) * | 2014-10-09 | 2014-12-24 | 南京航空航天大学 | 一种表面具有纳米结构阵列钛基掺硼金刚石电极的制备方法 |
| CN104233216B (zh) * | 2014-10-09 | 2016-04-20 | 南京航空航天大学 | 一种表面具有纳米结构阵列钛基掺硼金刚石电极的制备方法 |
| CN104709872A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-06-17 | 中国科学院物理研究所 | 金刚石纳米线阵列、其制备方法及用于电化学分析的电极 |
| CN105448542A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-03-30 | 大连理工常州研究院有限公司 | 一种等离子体增强化学气相沉积法制备多孔碳膜的方法 |
| CN107589168B (zh) * | 2017-07-24 | 2020-01-07 | 四川大学 | 一种球形掺硼金刚石膜电极的制备方法 |
| CN107589168A (zh) * | 2017-07-24 | 2018-01-16 | 四川大学 | 一种球形掺硼金刚石膜电极的制备方法 |
| CN107675140A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-09 | 南京航空航天大学 | 基于微区阻隔法的金刚石刀具织构涂层的制备方法 |
| CN107988616A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-04 | 深圳先进技术研究院 | 一种镍硼氮共掺杂金刚石电极及其制备和应用 |
| JP2021515102A (ja) * | 2018-02-28 | 2021-06-17 | マニュファクチュアリング システムズ リミテッド | 触媒作用の装置および方法 |
| CN109030596A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-18 | 武汉工程大学 | 一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法及其应用 |
| CN111334778A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 深圳先进技术研究院 | 钛合金复合材料及其制备方法、外科植入物和医疗器械 |
| CN111334778B (zh) * | 2018-12-18 | 2024-02-09 | 深圳先进技术研究院 | 钛合金复合材料及其制备方法、外科植入物和医疗器械 |
| CN111099586A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-05-05 | 中国科学院金属研究所 | 一种纳米金刚石中高亮度硅空位色心的制备方法 |
| CN110947030A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-03 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种抗菌多级次金刚石复合材料及其制备方法和应用 |
| CN110947030B (zh) * | 2019-11-29 | 2021-11-16 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种抗菌多级次金刚石复合材料及其制备方法和应用 |
| CN113621938A (zh) * | 2020-05-06 | 2021-11-09 | 宁波材料所杭州湾研究院 | 一种金刚石膜生长方法、具有金刚石膜的硅片与应用 |
| CN111485223A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-08-04 | 南京岱蒙特科技有限公司 | 一种超高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用 |
| CN112011784A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-12-01 | 南方科技大学 | 一种有序图案化多孔金刚石薄膜及其制备方法和用途 |
| CN112011784B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-09-20 | 南方科技大学 | 一种有序图案化多孔金刚石薄膜及其制备方法和用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102127751B (zh) | 2012-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102127751B (zh) | 一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法 | |
| Zheng et al. | Review of vertical graphene and its applications | |
| Zhai et al. | Rational construction of 3D‐networked carbon nanowalls/diamond supporting CuO architecture for high‐performance electrochemical biosensors | |
| Liu et al. | Ultrasensitive voltammetric detection of trace heavy metal ions using carbon nanotube nanoelectrode array | |
| Zou et al. | Fabrication of diamond nanopillars and their arrays | |
| CN1160186C (zh) | 纳米尺度的组合物、复合结构、其制造和应用 | |
| JP5483228B2 (ja) | 導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜及び導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜の製造方法 | |
| WO2021228039A1 (zh) | 一种超高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用 | |
| JP4438049B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 | |
| Schlur et al. | Synthesis of zinc oxide nanorods or nanotubes on one side of a microcantilever | |
| CN105000552A (zh) | 一种氧化石墨烯的制备方法 | |
| CN104001522A (zh) | 一种纳米孔结构的炭载PtCu合金催化剂及其制备方法 | |
| CN100595321C (zh) | 常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法 | |
| CN113702447B (zh) | 氧化镓纳米结构器件及其制备方法和应用 | |
| Thomas et al. | Synthesis of 3-dimensional porous graphene nanosheets using electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapour deposition | |
| Chi et al. | Manipulation of defect density and nitrogen doping on few-layer graphene sheets using the plasma methodology for electrochemical applications | |
| CN107235483B (zh) | 生物小分子直接合成杂原子掺杂石墨烯的方法 | |
| CN110230044A (zh) | 以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法 | |
| CN102251231A (zh) | 一种纳米金刚石薄膜的制备方法 | |
| JP2008189997A (ja) | 導電性ダイヤモンドライクカーボンの製造方法 | |
| Akgun et al. | Hydrothermal zinc oxide nanowire growth with different zinc salts | |
| Bukola et al. | Effects of atomic-layer-deposition alumina on proton transmission through single-layer graphene in electrochemical hydrogen pump cells | |
| Khudhayer et al. | Periodic Pt nanorod arrays with controlled porosity for oxygen reduction reaction | |
| CN105347345A (zh) | 一种硅微纳米结构的制备方法 | |
| Zou et al. | Surface nanostructuring of boron-doped diamond films and their electrochemical performance |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |