CN102117094A - 芯片速度自适应技术方案 - Google Patents

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Abstract

芯片速度自适应技术方案属于芯片设计实现领域，是芯片时钟驱动设计的一种新方法。它解决了传统芯片时钟驱动的局限性：比如芯片的运行速度不会根据自身的特性和外界的环境变化而变化，僵化的采用统一的速度，从而浪费了芯片的速度潜能，并且使芯片在自身或环境条件变恶劣时不容易保持稳定。本项新技术实现的方法是，芯片的时钟不是由固定频率的振荡器驱动，而是由频率随芯片本身的条件和外界环境变化而变化的位于芯片内部的速度自适应振荡器驱动。通过这项技术可以充分发挥每颗芯片的速度潜能，并且提供芯片的稳定性，并且为实现比较灵活的电源或速度管理提供了便利条件。

Description

芯片速度自适应技术方案
技术领域  本技术属于芯片设计实现领域，是实现芯片时钟的一种新方法。这里的芯片是指集成电路，包括全定制集成电路、面向特殊应用的集成电路、门阵列集成电路等。
背景技术  当前传统的芯片逻辑的时钟是由固定频率的振荡器，如石英晶体振荡器，有的可能再通过时钟整理电路变换频率或移相后驱动的。这种传统的时钟驱动方法输出的时钟有一致性好、频率稳定等特点。这样，所有的同型号芯片的工作频率在相同的软件配置下，工作频率是相同的。但实际上，CMOS集成电路的最高运行速度与芯片的生产工艺、工作电压和工作温度相关。同一型号的芯片在真正实际应用中的最高工作频率能力的差异性很大，所以为了保证系统的稳定性，保证系统中一定的运行条件下(如一定的生产工艺变化、工作电压范围和工作温度范围)工作可靠，就只能取在这些条件下所有同型号芯片运行速度的保守值。比如，某型号芯片在-40℃下最高运行速度是700MHz，25℃下最高运行速度能到600MHz，但在85℃下只能运行到500MHz。如果这个型号芯片标称的工作温度范围是-40℃～85℃，那么用传统的时钟设计方法就只能让其工作的500MHz以下才能保证其全温度范围的稳定性。但实际上，大部分应用情况可能是常温(比如25℃左右)，这样就浪费了100Mhz的速度。类似的道理，为了保证工作电压范围(比如1.1V～1.3V)、生产工艺的变化等其他变化条件，相应的保证工作速度都会再打折扣。总之，使用这种传统的时钟设计，最终芯片标称的运行速度大部分情况下可能比正在使用的芯片本身最大能力低很多，是很大的浪费。
发明内容  芯片速度自适应技术解决了上面问题，能最大限度的针对每个不同芯片发挥其能力。其实现方法是这样子的：它的时钟源不是由固定频率的振荡器产生，而是由频率随芯片本身条件和外界环境变化而变化的位于芯片内部的振荡器(下文称之为速度自适应振荡器)产生。速度自适应振荡器是这样实现的：在芯片上，在被驱动电路附近或四周排布一些延迟电路(数字延迟线或模拟延迟线)，延迟电路是由与被驱动电路相同或近似的集成电路工艺组成，延迟电路两端用非门或其他电路对接形成闭环自激振荡。当然在速度自适应振荡器和被驱动电路之间还可以插入一些时钟整理电路。由于速度自适应振荡器的延时电路和被驱动电路是在一个硅片上，用相同或类似的工艺设计的，所以它的振荡速度和被驱动电路的最高运行速度是成固定的比例关系的。也就是说，速度自适应振荡器的振荡频率是和芯片本身的最高运行速度对等或成比例的，条件变好(如电压升高)芯片本身能运行更快，振荡器也就对应的振荡更快。这样，就可以实现不同芯片，或相同芯片在不同环境下运行速度的相应的自动调整，这里称之为自适应，从而充分利用每个芯片本身的潜力。比如，上面“技术背景”章节中的芯片，如果用本项技术设计，就可以实现芯片在25℃运行600Mhz，随着温度的上升，他会自动变慢，随着温度的下降，它自动的变快。运用这项技术除可以充分发挥芯片的速度潜力外，还好许多其他优点：增加了芯片的可靠性，芯片不会在恶劣的环境下死机；扩大了芯片的工作范围(电压、温度等)；为开发更灵活的电源或速度管理提供了便利条件。
附图说明  本说明书有一个附图：附图1，速度自适应技术方案实施例。
具体实施方式  附图1中的电路是速度自适应技术的一个简单实现例子。这个例子中速度自适应振荡器是由五个非门串联组成，它们是和后面被驱动电路是在一颗硅片上，采用相同的工艺库设计的，所以它们和后面的被驱动电路有相同的速度特性。所以这个电路的运行速度就会随生产工艺、电压、温度等特性自动变动，实现芯片速度的自适应。

Claims (1)

1.用于芯片时钟设计的一种速度自适应技术方案，该技术方案的特征是被驱动电路的时钟是由位于同一个芯片内的速度自适应振荡器驱动，两者之间可以有时钟整理电路，所述的速度自适应振荡器是由生产工艺与被驱动电路生产工艺相同或类似的延迟闭环电路实现。
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