CN102112868A - 气体传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种气体传感器(1)，其具有至少一个能够导电的气敏层(7)，所述气敏层具有可与目标气体形成接触的表面区域(9)，在所述表面区域中逸出功取决于与其形成接触的目标气体的浓度。至少一个电位传感器通过气隙(8)与所述表面区域(9)电容性地耦合。所述表面区域(9)通过至少一个凹槽结构化，在所述凹槽中设置有导电地与所述气敏层(7)连接的、面的材料元件(18)，所述材料元件的材料与所述气敏层(7)的材料不同并且包括一种金属和/或一种包含金属的化合物。

Description

气体传感器
技术领域
本发明涉及一种气体传感器，所述气体传感器具有至少一个能够导电的气敏层，所述气敏层具有可与目标气体形成接触的表面区域，在所述表面区域中逸出功取决于与其形成接触的目标气体的浓度，并且所述气体传感器具有至少一个通过气隙与所述表面区域电容性地耦合的电位传感器。
背景技术
由DE 43 33 875 C2公开了一种这样的用于测量氢气浓度的气体传感器。所述气体传感器具有硅衬底，在所述硅衬底中作为电位传感器集成有场效应晶体管，所述场效应晶体管具有漏极、源极和位于其之间的沟道区域。在所述沟道区域上设置有电绝缘层并且在所述电绝缘层上设置有栅电极。侧向地在栅电极旁边设置有传感器电极，所述传感器电极与栅电极一体地连接成悬浮的栅极。在其朝向衬底的底侧上，传感器电极涂覆有气敏层，所述气敏层通过气隙与源极电容性地耦合。所述气敏层的朝向衬底的表面区域可与氢气形成接触，氢气在与表面区域接触时吸附到表面区域上。在氢气浓度变化时，气敏层的表面区域中的逸出功发生改变。因为传感器电极与表面区域电容性地耦合并且与栅电极连接，所以栅电极上的电位也发生改变。根据电位变化控制在漏极与源极之间的电流。
在通常的室内空气中，一薄层的空气氧(Luftsauerstoff)解离地吸附在气敏层的表面上，也就是说，作为氧原子而不是如其在空气中那样作为氧分子。当目标气体到达气敏层的周围环境中时，首先目标气体吸附在表面上，其中，目标气体部分地排挤吸附在表面上的空气氧并且占据它们的吸附位置。目标气体的吸附和氧覆盖的减少这两种效应相加地有助于表面逸出功的变化。但是同时在表面上，通过气敏层的催化作用促进，氢与氧之间的反应开始，在反应时形成水。在低于约60℃的低温时，由此逐步地仅仅减小在表面上的氢覆盖。这样的氢消耗通过持续不断的新吸附气相的氢补偿，从而确保稳定的测量信号。在高于约60℃的较高温时，反应如此快地进行，使得由此氢吸附不再可以完全补偿由于表面反应的氢消耗并且附加地也降低气敏层的邻近周围环境中的氢浓度。因此，表面的氧覆盖可以重新增加。所有三种效应在相反方向上作用逸出功。所述反应可以根据气敏层的温度进行若干小时以上或者进行几秒钟，从而可以严重地干扰测量信号。
发明内容
本发明的任务是，提供一种开头所述类型的气体传感器，所述气体传感器能够实现高的测量精度。
所述任务通过以下方式解决：表面区域通过至少一个凹槽结构化，在所述凹槽中设置有与气敏层导电连接的、面的材料元件，所述材料元件的材料与气敏层的材料不同并且包括至少一种金属和/或至少一种包含金属的化合物。
意想不到地，已经证实，通过所述结构化使气敏层如此稳定，使得可以减少或者甚至停止待测量的目标气体与表面氧和空气氧的反应的相互影响。化合物优选是氧化物。气敏层优选由金属、尤其是铂和/或钯制成。
试验已经表明，当气体传感器包括至少一种金属银和/或铜时，特别好地稳定气体传感器的测量信号。
有利的是，借助于掩蔽步骤、尤其是光刻地产生由表面区域和至少一个材料元件形成的结构。由此，在制造气体传感器时可以针对地并且可复制地以预先确定的几何结构制造所述结构。所述结构优选被规则地构造和/或具有规则的几何基本形状。在气敏层的俯视图中，所述结构可以具有直的、弯曲的、正方形的、矩形的、多角形的、多边形的、椭圆形的和/或环形的结构元件。具有至少两个根据本发明的气体传感器的集合也在本发明的范畴内，其中，结构是相同或者相应一致的。
但所述至少一种金属也可包括铁、锡、铅、镍、锌和/或钴。这些金属在电化学的电动序中与银和铜相邻。
在本发明的一个优选构型中，气敏层的可与目标气体形成接触的表面区域大于至少一个位于至少一个凹槽内的材料元件的可与目标气体形成接触的表面的1％、在必要时大于5％、尤其是大于10％。气敏层的可与目标气体形成接触的表面区域过小在表面上导致很少的目标气体吸附，但是目标气体吸附对于目标气体检测而言起决定性作用。
有利的是，至少一个位于至少一个凹槽内的材料元件的可与目标气体形成接触的表面大于气敏层的可与目标气体形成接触的表面区域(9)的0.001％、在必要时大于0.1％、尤其是大于10％。如果材料元件的可与目标气体形成接触的表面区域过小，则所述至少一个材料元件的稳定效果降低。
按照目的地，如此结构化可与目标气体形成接触的表面区域，使得所述表面区域在任何位置上距至少一个材料元件都不远于500μm、在必要时不远于300μm、尤其是不远于100μm。由此能够实现气体传感器的测量信号的极为有效的稳定。
优选地，由表面区域和至少一个材料元件形成的结构具有至少两个一致的单元结构区域，这些单元结构区域优选在侧向上彼此邻接并且分别包括至少一个材料元件和气敏层的表面区域的一个区段。在此，所述结构甚至可以由在一行或多行中矩阵式地并列设置的多个这样的单元结构区域形成。
有利的是，材料元件中的至少两个通过气敏层的位于其之间的部分区域在侧向上彼此间隔开，并且这些材料元件的距离至少为50nm、必要时至少为75nm、优选至少为100nm。在此，这些材料元件甚至可以是彼此分离的，其方式是，它们例如完全由气敏层环绕。优选如此选择这些材料元件的与气敏层邻接的外轮廓，使得材料元件与气敏层邻接所沿的边界线尽可能短。这可以尤其是通过材料元件构造为圆盘形来实现。
在本发明的一个优选实施形式中，面的材料元件的厚度至少是单层的厚度的0.1倍并且最厚为10μm。试验已经表明，以10nm的层厚度以由铜或铜氧化物制成的、面的材料元件可以实现测量信号的良好稳定。
在本发明的一个可能的构型中，至少一个材料元件设置在气敏层上。但是相反的布置也是可行的，其中，气敏层设置在金属层上，其中，金属层的至少一个未被气敏层覆盖的部分区域形成所述至少一个材料元件。随后在制造气体传感器时仅仅需要使两个彼此上下放置的层中的一个结构化。但是嵌入的结构也是可行的，其中，至少一个材料元件完全设置在气敏层的至少一个凹槽中。在气敏层的俯视图中，至少一个材料元件可设置在所述凹槽前面、所述凹槽中和/或所述凹槽后面。也可以说，所述至少一个材料元件设置在所述凹槽上面、所述凹槽下面和/或所述凹槽中。
有利的是，在所述至少一个材料元件与气敏层之间设有增附剂层。由此可以实现所述至少一个材料元件在气敏层上更好的附着。优选如此结构化所述增附剂层，使得所述增附剂层不覆盖凹槽中的气敏层。
还应当提及的是，至少一个材料元件的材料在气爆时应当是持久稳定的，优选在直到约180℃的温度下。尤其是当目标气体是氢气时，所述至少一个材料元件也应当是持续防潮的。此外，所述至少一个材料元件不应抑制气敏层在与目标气体接触时的逸出功变化。
在本发明的一个有利构型中，电位传感器是场效应晶体管，所述场效应晶体管具有衬底，在所述衬底上设置有漏极和源极，其中，在漏极与源极之间形成沟道区域，其中，所述沟道区域直接通过气隙或间接地通过与沟道区域共同作用的栅电极和与所述栅电极导电连接的传感电极与气敏层的表面区域电容性地耦合。所述气体传感器也可以具有SGFET和/或CCFET作为电位传感器。
在本发明的另一构型中，气体传感器被构造为开尔文探针(Kelvin-sonde)，其中，电位传感器通过一个通过气隙与气敏层的表面区域间隔开的、可向着所述气敏层或远离所述气敏层地运动的电极与气敏层的表面区域电容性地耦合。这样的开尔文探针优选应用在实验室研究中。
附图说明
下面根据附图更详细说明本发明的实施例。附图示出：
图1：气体传感器的横截面，所述气体传感器具有SGFET，其沟道区域通过气隙与气敏层电容性地耦合，
图2：气体传感器的横截面，所述气体传感器具有CCFET，其传感器电极通过气隙与气敏层电容性地耦合，
图3：构造为开尔文探针的气体传感器的横截面，
图4：通过凹槽结构化的气敏层的第一实施例的俯视图，
图5：通过凹槽结构化的气敏层的第二实施例的俯视图，
图6：氢气体传感器的测量信号和在所述气体传感器的周围环境中的氢浓度的示图，其中，在横坐标上绘制时间t(单位：秒)并且在纵坐标上在左侧绘制测量信号的振幅而在右侧绘制氢浓度，
图7至9：载体部件的部分横截面，在所述载体部件上设置有结构化的气敏层，以及
图10：通过凹槽结构化的气敏层的第三实施例的俯视图。
具体实施方式
在图1中整体上以1标示的气体传感器具有衬底2，在所述衬底上在n掺杂的晶体管下沉部中设置有漏极3和源极4。漏极3和源极4例如可以由p掺杂的硅组成。漏极3通过电导轨与在附图中未详细示出的漏极连接端子连接。以相应的方式，源极4与源极连接端子连接。在漏极3与源极4之间，在衬底2中形成沟道区域5，在所述沟道区域上设置有电绝缘的薄氧化层或氮化物，所述薄氧化层或所述氮化物用作栅极介质。
在沟道区域5上方，在载体部件6旁边设置有气敏层7，所述气敏层7例如由贵金属、尤其是由铂或钯制成并且通过气隙8与沟道区域5间隔开。气敏层7的朝向沟道区域5的表面区域9通过气隙8与沟道区域5电容性地耦合。
载体部件6在气敏层7的两侧通过电绝缘层10与衬底2如此连接，使得载体部件6和气敏层7形成悬浮的栅极。
气隙8通过至少一个在附图中未详细示出的开口与围绕所述气体传感器1的大气连通。通过所述开口，气敏层7的表面区域9可以与待检测的目标气体、即氢形成接触。在与表面区域9接触时目标气体吸附在表面区域9上。在此，在表面区域9中逸出功发生改变，这导致沟道区域5中的电位的改变。
在根据图1的实施例中，沟道区域5被构造成敞开的(ISFET)并且通过薄层氧化物和气隙8直接与气敏层7电容性地耦合。可清楚地看到，沟道区域5设置在气隙8的位于气敏层7对面的一侧上。
在根据图2的实施例中，场效应晶体管被构造为CCFET，其中，沟道区域5在侧向上在气敏层7旁边设置在衬底2中并且以栅电极10遮盖。为了沟道区域5与气敏层7的电容性耦合，栅电极11通过电连接线12与传感器电极13连接，所述传感器电极13在气隙8的位于气敏层7的表面区域9对面的一侧上设置在位于衬底2上的绝缘层10上。绝缘层10例如可以是SiO2层。SGFET的悬浮的栅极的构造与图1中相同。
在图3中示出的实施例中，气体传感器1被构型为开尔文探针。气敏层7设置在导电的载体14上并且在其背离载体14的一侧上具有表面区域9，目标气体可以吸附在所述表面区域上。表面区域9通过气隙8与电极15间隔开并且与所述电极形成电容。
可以借助于在附图中未详细示出的致动器使电极15振动。在此，电极15根据箭头Pf交替地向着或远离气敏层7地运动。电极15和载体14或者气敏层7与分析与控制装置17的连接端子16连接。所述分析与控制装置17具有在附图中未详细示出的电位传感器，所述电位传感器为了测量气敏层7与电极15之间的电压与连接端子16连接。所述分析与控制装置17还具有与电位传感器形成控制连接的可调节电压源，借助于所述可调节电压源可以在电位传感器与电极15和/或载体14之间施加一个反向电压。如此选择所述反向电压，使得由所述电位传感器测量到的电位平均为零。替换地，也可直接测量电极15与载体14之间的电容由振动引起的变化，例如其方式是，测量在电极15与载体14之间流动的电流。
气敏层7的表面区域9在每个在图1-3中示出的实施例中分别通过一些凹槽光刻地结构化，在这些凹槽中分别设置有与气敏层导电连接的、面的材料元件18。材料元件18的材料与气敏层7的材料不同并且优选包含铜和/或银。
气敏层7的可与目标气体形成接触的、与沟道区域5电容性地耦合的表面大于由气敏层的表面和材料元件18的表面构成的整个表面的1％并且小于由气敏层的表面和材料元件18的表面构成的整个表面的99.999％。
气敏层7的可与目标气体形成接触的表面区域9被如此结构化，使得表面区域9在任何位置上距材料元件18都不远于500μm。
在图4中示出的实施例中，气敏层7被棋盘式地结构化。可清楚地看到，气敏层7的与目标气体形成接触的表面区域9被划分成多个正方形的区段，这些区段在多个行和列中彼此错开空位。在气敏层7的两个彼此相邻的区段之间的间隙中分别设置有材料元件18，所述材料元件18的表面尺寸相应于区段的表面尺寸。两个彼此相邻的材料元件18的距离A在100nm与500μm之间。材料元件18的整个表面与气敏层7的表面区域9的面积比为1∶1。
在图5中示出的实施例中，材料元件18在所有侧面通过气敏层7的位于材料元件之间的、可与目标气体形成接触的表面区域9彼此间隔开。
可清楚地看到，由表面区域9和材料元件18形成的结构具有多个一致的单元结构区域19，所述单元结构区域19具有大约正方形的外轮廓。每个单元结构区域19分别包括一个材料元件18和气敏层7的表面区域9的一个区段，所述区段框形地环绕所述材料元件18。彼此相邻的单元结构区域19与表面区域9的区段直接并且无间断地彼此邻接，从而得到连续的、可与目标气体形成接触的表面区域9。材料元件18的整个表面与气敏层7的表面区域9的面积比为B2/(C2-B2)，其中，B是材料元件18的边长而C是单元结构区域19的边长。
在图6中以图形示出了开尔文探针对于气敏层7的结构的不同尺寸B、C(参见图5)的测量信号，其中，目标气体的浓度阶梯状地从大约零升高到最大值并且此后阶梯状地降低到大约零。可清楚地看到，测量信号的振幅取决于结构的尺寸，并且以值B＝10μm和C＝50μm达到最大的灵敏度。
在图7中可以看到，气敏层7设置在载体部件6上而材料元件18设置在气敏层7上。气敏层7在载体部件6上不间断地延伸。气敏层7附着在载体部件6上而材料元件18附着在气敏层7上。材料元件18的厚度在单层的厚度的0.1倍与10μm之间。需要时，在载体部件6与气敏层7之间和/或在气敏层与材料元件18之间设置有增附剂层。
但同样可行的是，材料元件18设置在载体部件6上而气敏层7设置在具有所述材料元件18的金属层上，如其在图8中所示。在此，材料元件18通过连续的金属层的区段形成。所述金属层附着在载体部件6上而气敏层7附着在所述金属层上。需要时，在载体部件6与金属层之间和/或在所述金属层与气敏层7之间可以设置有增附剂层。
在图9中可以看到，气敏层7与材料元件18也可以并列地设置在载体部件6上。材料元件18在侧向上与气敏层7邻接。气敏层7和材料元件18分别直接附着在载体部件6的表面上。在此，在载体部件6与气敏层7或材料元件18之间也可以设置有增附剂层。
在图10中示出了另一个实施例，其中，气敏层的可与目标气体形成接触的表面区域9具有一些环，在这些环之间设置有环形的材料元件18。在此，表面区域9的环和材料元件18大约彼此同心地布置。在图10中示出的结构具有多个假想的单元结构区域，这些单元结构区域被扇形地构造并且在角度格栅(Winkelraster)中如此围绕中心点彼此错开，使得它们不间断地彼此邻接。

Claims (16)

1.气体传感器(1)，具有至少一个能够导电的气敏层(7)，所述气敏层具有一可与目标气体形成接触的表面区域(9)，在所述表面区域中逸出功取决于与其形成接触的目标气体的浓度，以及具有至少一个通过一气隙(8)与所述表面区域(9)电容性地耦合的电位传感器，其特征在于，所述表面区域(9)通过至少一个凹槽结构化，在所述凹槽中设置有一导电地与所述气敏层(7)连接的、面的材料元件(18)，所述材料元件的材料与所述气敏层(7)的材料不同并且包括至少一种金属和/或至少一种包含金属的化合物。
2.根据权利要求1所述的气体传感器(1)，其特征在于，由所述表面区域(9)和所述至少一个材料元件(18)形成的结构是借助于一掩蔽步骤产生的、尤其是光刻地产生的。
3.根据权利要求1或2所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述至少一种金属包括银和/或铜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述至少一种金属包括铁、锡、铅、镍、锌和/或钴。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述气敏层(7)的可与所述目标气体形成接触的表面区域(9)大于所述至少一个位于所述至少一个凹槽内的材料元件(18)的可与所述目标气体形成接触的表面的1％、必要时大于所述至少一个位于所述至少一个凹槽内的材料元件(18)的可与所述目标气体形成接触的表面的5％，尤其是大于所述至少一个位于所述至少一个凹槽内的材料元件(18)的可与所述目标气体形成接触的表面的10％。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述至少一个位于所述至少一个凹槽内的材料元件(18)的可与所述目标气体形成接触的表面大于所述气敏层的可与所述目标气体形成接触的表面区域(9)的0.001％、必要时大于所述气敏层的可与所述目标气体形成接触的表面区域(9)的0.1％，尤其是大于所述气敏层的可与所述目标气体形成接触的表面区域(9)的10％。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述可与所述目标气体形成接触的表面区域(9)被如此结构化，使得所述表面区域(9)在任何位置上距所述至少一个材料元件(18)均不远于500μm、必要时不远于300μm，尤其是不远于100μm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，由所述表面区域(9)和所述至少一个材料元件(18)形成的结构具有至少两个一致的单元结构区域(19)，这些单元结构区域优选在侧向上彼此邻接并且分别包括至少一个材料元件(18)和所述气敏层(7)的表面区域(9)的一个区段。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述材料元件(18)中的至少两个通过所述气敏层(7)的一位于其之间的部分区域在侧向上彼此间隔开，并且所述材料元件(18)的距离为至少50nm、必要时为至少75nm以及优选为至少100nm。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述面的材料元件(18)的厚度至少为一个单层的厚度的0.1倍并且最高为10μm。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述至少一个材料元件(18)被设置在所述气敏层(7)上。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述气敏层(7)被设置在一金属层上，并且所述金属层的至少一个未被所述气敏层(7)覆盖的部分区域形成所述至少一个材料元件(18)。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，在所述至少一个材料元件(18)与所述气敏层(7)之间设置有一增附剂层。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，目标气体是一还原性气体、尤其是氢。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述电位传感器是一场效应晶体管，所述场效应晶体管具有一衬底，在所述衬底上设置有一漏极(3)和一源极(4)，在所述漏极(3)与所述源极(4)之间形成一沟道区域(5)，并且所述沟道区域(5)直接通过所述气隙(8)或者间接通过一与所述沟道区域(5)共同作用的栅电极(11)和一与所述栅电极(11)导电地连接的传感器电极(13)与所述气敏层(7)的表面区域(9)电容性地耦合。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的气体传感器(1)，其特征在于，所述气体传感器被构造为开尔文探针，其中，所述电位传感器通过一通过所述气隙(8)与所述气敏层(7)的表面区域(9)间隔开的、可向着和远离所述气敏层(7)运动的电极(15)与所述气敏层(7)的表面区域(9)电容性地耦合。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6861704B2 (ja) * 2015-06-24 2021-04-21 インディケル・アクシェセルスカプＩｎｄｉｋｅｌ Ａｓ 回転するプローブ面を備えるケルビンプローブシステム

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2556993B2 (ja) * 1989-04-10 1996-11-27 日本電信電話株式会社 電気化学測定用微細孔電極セル及びその製造方法
DE4028062C2 (de) * 1990-09-05 1994-09-22 Winter Gaswarnanlagen Gmbh U Gassensoranordnung mit FET mit unterbrochenem Gate
US5389224A (en) * 1993-07-01 1995-02-14 Ford Motor Company Capacitive A/F sensor
DE4333875C2 (de) 1993-10-05 1995-08-17 Zenko Dipl Ing Gergintschew Halbleiter-Gassensor auf der Basis eines Kapazitiv Gesteuerten Feldeffekttransistors (Capacitive Controlled Field Effect Transistor, CCFET)
US5683569A (en) * 1996-02-28 1997-11-04 Motorola, Inc. Method of sensing a chemical and sensor therefor
EP0947829B1 (de) * 1998-04-02 2003-12-03 Siemens Aktiengesellschaft Gassensor zur Detektion von Kohlendioxid durch Messung der Austrittsarbeit von Karbonaten oder Phosphaten
DE19956303A1 (de) * 1999-11-23 2001-06-07 Siemens Ag Brandmelder mit Gassensoren
DE10036180A1 (de) * 2000-07-25 2002-02-14 Siemens Ag Potentialgesteuerter Gassensor
DE10110471C2 (de) * 2001-03-05 2003-12-18 Siemens Ag Alkoholsensor nach dem Prinzip der Austrittsarbeitsmessung
JP2003066042A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Nippon Shokubai Co Ltd バイオチップ
DE10161214B4 (de) * 2001-12-13 2004-02-19 Ignaz Prof. Dr. Eisele Gassensor und Verfahren zur Detektion von Wasserstoff nach dem Prinzip der Austrittsarbeitsmessung, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Gassensors
JP4438049B2 (ja) * 2003-08-11 2010-03-24 キヤノン株式会社 電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法
DE102004013678A1 (de) * 2004-03-18 2005-10-20 Micronas Gmbh Vorrichtung zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs
DE102004019639A1 (de) * 2004-04-22 2005-11-17 Siemens Ag FET-basierter Gassensor
DE102004019604A1 (de) * 2004-04-22 2005-11-17 Siemens Ag Verfahren zur Minimierung von Querempfindlichkeiten bei FET-basierten Gassensoren
JP4560362B2 (ja) * 2004-09-17 2010-10-13 キヤノン株式会社 センサおよびその製造方法
GB0500393D0 (en) * 2005-01-10 2005-02-16 Univ Warwick Microheaters
DE102005033226A1 (de) * 2005-07-15 2007-01-25 Siemens Ag Verfahren zur gleichzeitigen Detektion mehrerer unterschiedlicher Luftbelastungen

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