CN102102195A - 薄膜沉积系统和薄膜沉积方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种薄膜沉积系统和薄膜沉积方法。该薄膜沉积系统包括：用来供给原材料的原材料供给器；原材料气体供给器，包括与该原材料供给器相连的用以蒸发由该原材料供给器供给的原材料的蒸发器；薄膜沉积设备，与该原材料气体供给器相连，用以将由该原材料气体供给器供给的蒸发的原材料沉积在处理物体上；蒸发器排气单元，具有与该蒸发器相连的端部，用以使该蒸发器的内部通风；和压力调节器，与该蒸发器排气单元相连，用以调节该蒸发器排气单元的压力以控制向该蒸发器供给原材料的速度。

Description

薄膜沉积系统和薄膜沉积方法

相关申请的交叉参考

本申请要求韩国专利申请No.10-2009-0125563(2009.12.16)、10-2010-0025577(2010.03.23)、10-2010-0073488(2010.07.29)的优先权，在此通过参考的方式并入其全部内容，如同在此完全阐述一样。

技术领域

本申请涉及一种半导体的制造设备，尤其涉及一直用来供给原材料的设备、包括该设备的薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法。

背景技术

仅为了使薄膜更薄，半导体工艺被划分成很多微小的组装工艺，并且需要精确地控制被微划分的半导体工艺。尤其是，原子层沉积(在下文中称为ALD)已经被用于诸如液晶显示设备的透明导体、电致发光薄膜显示器的保护层、和它们的变形之类的半导体器件的介电层，以克服化学气相沉积(CVD)的局限。原子层沉积(ALD)形成具有原子单位厚度的薄膜。

根据ALD，反应物被单独地注入到作为晶片的衬底上，并且在衬底表面上重复化学试剂-反应物-饱和-吸收的反应循环期望的次数以形成薄膜。

此外，ALD采用限制自身表面反应的机制并且它包括四个顺序地并重复地执行的工序。下面将描述每一个工序。

在第一步骤中将晶片装载到腔室中之后，将原材料供给到腔室内以在衬底的表面上诱发原材料的化学吸收。

在作为第二步骤的净化步骤中，注入净化气体以去除没有被化学吸收的残留原材料。在第三步骤中，供给反应物气体以诱发与被化学吸收了的原材料的反应，从而沉积原子层。

然后，在第四步骤中，再次供给净化气体并排出残留的反应物气体和反应副产物。上面四个步骤可以构成一个循环，重复此循环以沉积具有期望厚度的薄膜。

然而，上面提到的常规的ALD具有下面的缺点。

根据使用ALD来形成薄膜的薄膜沉积系统，通常原材料的注入、净化、和反应物气体的注入、净化工序的循环必须被重复多次以形成具有期望厚度的薄膜。在这时，在用来净化腔室的内部的净化步骤之后，必须将气态原材料连续供给到腔室内部以改进工作效率。例如，如果净化腔室内部所需的时间是6秒，则在完成净化之前3秒就要开始将原材料供给到蒸发器中。

然而，蒸发器的内部正在被蒸发器排气单元所净化。由于此原因，供给到蒸发器中的原材料通过与蒸发器连通的排气管被排放到外部。换句话说，虽然原材料被供给到蒸发器中，但是大量的原材料通过排气管损失掉了。而且，原材料停留在蒸发器中的时间相对较短，原材料没有被完全蒸发只是被热解了。由于此原因，产生了粒子并且蒸发的原材料相对于供给的原材料的蒸发率不利地较低。

而且，随着半导体薄膜的临界尺寸减小，当沉积薄膜时在顶层产生了悬垂。在这里悬垂是顶层沉积得比底层厚的现象。结果，台阶覆盖率(step coverage)恶化和薄膜底层的较小厚度导致电性能的恶化。

而且，由于液体原材料的过多流入所产生的热解造成原材料的过度消耗，蒸发器中原材料的不完全蒸发会造成蒸发器被污染从而足以产生粒子。也就是说，由于被蒸发的原材料相对于供给的原材料的蒸发率降低，所以供给到薄膜沉积设备中的原材料的量被随之降低而被浪费的原材料增多了。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种薄膜沉积系统和薄膜沉积方法。

在下面的描述中将部分地列出本发明的其它的优点、目的和特点，这些优点、目的和特点的一部分对于所属领域普通技术人员来说通过研究下文将是显而易见的，或者可从本发明的实践中领会到。通过书面说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些目的和其他优点，根据本发明的用途，如在此具体化和广义描述的，一种薄膜沉积系统包括：用来供给原材料的原材料供给器；原材料气体供给器，包括与该原材料供给器相连的用以蒸发由该原材料供给器供给的原材料的蒸发器；薄膜沉积设备，与该原材料气体供给器相连，用以将由该原材料气体供给器供给的蒸发的原材料沉积在处理物体上；蒸发器排气单元，具有与该蒸发器相连的端部，用以使该蒸发器的内部通风；和压力调节器，与该蒸发器排气单元相连，用以调节该蒸发器排气单元的压力以控制向该蒸发器供给原材料的速度。

该蒸发器可以包括：主体，在其中形成有用以蒸发原材料的预定的内部空间；过滤器，设置在该主体中形成的内部空间的上部，该过滤器包括形成在其中的多个微孔；和加热器，安装在该主体中，用以对供给到该内部空间中的原材料进行加热。

该蒸发器排气单元可以与该蒸发器的主体相连，用以与在该蒸发器中设置的内部空间的下部连通。

该压力调节器可以包括：气体储存器，用来在其中储存压力调节气体，和压力调节管，具有与该蒸发器排气单元相连的一个端部和与该气体储存器相连的另一个端部。

该压力调节气体可以是惰性气体。

该压力调节器可以是安装在该蒸发器排气单元中的位于该排气泵的前方的节流阀，用以控制该蒸发器排气单元的开启度以调节该蒸发器排气单元的压力。

根据本发明的另一方面，一种薄膜沉积系统包括：用来供给原材料的原材料供给器；蒸发器，用来蒸发由该原材料供给器供给的原材料；腔室，与该蒸发器相连，该腔室包括用来将蒸发的原材料沉积在处理物体上的反应空间；第一净化气体供给器，用来将净化气体供给到位于该蒸发器和该腔室之间的连接管中以去除该连接管中存在的粒子；以及蒸发器排气单元，与该蒸发器相连，用以泵吸供给到该连接管中的净化气体。

供给到连接管中的净化气体可以在经过该蒸发器之后由该蒸发器排气单元泵吸。

所述薄膜沉积系统还可包括：可关闭的阀，安装在该连接管中，用以防止净化气体被引入到该腔室内。

所述薄膜沉积系统还可包括：第二净化气体供给器，用来将净化气体供给到该腔室中以去除没有沉积在该处理物体上的原材料。

所述第一净化气体供给器和第二净化气体供给器可相结合为单个构件。

该蒸发器可包括：外壳，包括预定的蒸发空间；加热器，与该蒸发空间邻近安装，用以加热原材料；和过滤器，安装在该蒸发空间的上部，该过滤器包括用以将原材料雾化的多个微孔。

根据本发明的又一方面，一种使用薄膜沉积系统的薄膜沉积方法，该薄膜沉积系统包括：用以蒸发原材料的蒸发器、与该蒸发器相连的用以在处理物体上沉积薄膜的薄膜沉积设备和用来对该蒸发器的内部进行通风的蒸发器排气单元，该方法包括：A步骤，配置为通过将该蒸发器所蒸发的原材料供给到该薄膜沉积设备中，使原材料化学吸附到该处理物体上；B步骤，配置为净化没有被化学吸附到该处理物体上的原材料；C步骤，配置为通过向该处理物体注入反应物气体和使原材料与反应物气体反应来形成薄膜；D步骤，配置为净化残留在该薄膜沉积设备中的反应副产物和不反应材料，其中在“D”步骤中增加与该蒸发器连通的蒸发器排气单元的压力。

在A步骤中，可通过载气供给器增大载气的密度，以将该蒸发器内部的气态原材料输送到腔室中。

在A步骤中，位于该腔室和该蒸发器之间的阀可打开，以将该蒸发器内部的所有气态原材料供给到该腔室中。

可以只在D步骤中将气态原材料供给到该蒸发器中。

D步骤包括：D1步骤，配置为不将气态原材料供给到该蒸发器中；和D2步骤，配置为将气态原材料供给到具有载气的蒸发器中，并且蒸发供给到该蒸发器中的气态原材料。

存在于该蒸发器中的粒子可在配置为净化残留在该薄膜沉积设备中的反应副产物和不反应材料的步骤中被净化。

可在增加蒸发器排气单元的压力的步骤中，将压力调节气体供给到该蒸发器排气单元中以增加该蒸发器排气单元的压力，并且降低向该蒸发器供给原材料的速度。

可在增加蒸发器排气单元的压力的步骤中，调节该蒸发器排气单元的开启度以增加该蒸发器排气单元的压力，并且降低向该蒸发器供给原材料的速度。

应当理解，本发明前面的概括性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

附图包含在本申请中构成本申请的一部分，用于给本发明提供进一步理解。附图图解了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是示意性示出根据本发明的示范性实施方式的薄膜沉积系统的图；

图2A和2B是详细示出图1中示出的“A”的图；

图3是示意性示出本发明的另一实施方式的薄膜沉积系统的图；

图4是示意性示出本发明的又一实施方式的薄膜沉积系统的图；

图5是示意性示出图5中示出的蒸发器的结构的图；

图6是示出根据本发明一个实施方式的薄膜沉积方法的流程图；

图7是示出操作根据本发明一个实施方式的薄膜沉积系统的蒸发器的方法的流程图；

图8A和8B是示出根据上面实施方式的薄膜沉积方法，在每一个工序中向蒸发器供给的气体的图；

图9是示出根据本发明的薄膜沉积方法在每一个工序中向腔室供给的气体的图；

图10A和10B分别是示出根据常规薄膜沉积系统在其中形成有接触孔的处理物体和形成在处理物体上的薄膜，和根据本发明实施方式的薄膜沉积系统在其中形成有接触孔的处理物体和形成在处理物体上的薄膜的图；以及

图11A和11B分别是示出根据本发明第一实施方式的薄膜沉积方法所沉积的薄膜和根据常规的薄膜沉积方法所沉积的薄膜的图。

具体实施方式

现在将详细参照本发明的具体实施方式进行描述，其中的一些例子在附图中示出。

尽可能地，在整个附图中用相同的参考标号来表示相同或相似的部件。

在附图中，多个层或区域的各厚度可以被放大以清楚地表示这些层和区域，单个层与另一个层的厚度比可以不表示实际的厚度比。

图1是示意性示出根据本发明示范性实施方式的薄膜沉积系统的图。图2A和2B是详细示出图1中示出的“A”的图。图2A和2B是详细示出图1中示出的“A”的图。图6是示出根据本发明一个实施方式的薄膜沉积方法的流程图。图7是示出操作根据本发明一个实施方式的薄膜沉积系统的蒸发器的方法的流程图。图8A和8B是示出根据上面实施方式的薄膜沉积方法，在每一个工序中向蒸发器供给气体的图。图9是示出根据本发明的薄膜沉积方法，在每一个工序中向腔室供给气体的图。下面，将参照上述附图描述根据一个示范性实施方式的原材料供给设备、包括该原材料供给设备的薄膜沉积系统、和薄膜沉积方法。

根据此实施方式的薄膜沉积系统包括：薄膜沉积设备100，具有预定的反应空间；原材料供给单元200，与薄膜沉积设备100相连以向薄膜沉积设备100供给气体，所述气体将被用来形成薄膜；和蒸发器排气单元300，与原材料供给单元200相连。

这里，薄膜沉积设备100包括：腔室110，具有预定的反应空间；安置装置(seating means)130，用来把处理物体10固定在其上；和气体注入装置120，与安置装置130相对设置，用以注入原材料、反应物气体和净化气体。

而且，设置与薄膜沉积设备100的气体注入装置120相连的净化气体供给器250以供给净化气体，并且设置反应物气体供给器260以供给反应物气体。

这里，腔室110被制成具有空的内部的六面体形状，但是根据本发明的腔室可以根据处理物体10的形状被制成各种形状，不限于此。

原材料供给单元200包括：原材料供给器210，用来供给液体原材料；原材料气体供给器230，具有蒸发器231，用来蒸发从原材料供给器210供给的液体原材料；和载气供给器240，用来供给载气以将从原材料供给器210供给的液体原材料移向蒸发器231。

采用上面描述的薄膜沉积系统的薄膜沉积方法可包括：“A”步骤，在将晶片装载到腔室中和供给原材料到腔室中之后，诱发原材料的化学吸收；“B”步骤，通过将净化气体注入到腔室中来净化没有被化学吸收的残留原材料；“C”步骤，通过诱发供给到腔室中的反应物气体与被化学吸附到衬底表面上的原材料之间的反应，沉积原子层；和“D”步骤，通过再次将净化气体供给到腔室中净化反应副产物和不反应材料。

在“A”步骤中，载气供给器增大载气的密度，以将气态原材料供给到腔室内。在将气态原材料供给到腔室内之后，原材料就被化学吸附到了位于腔室中的处理物体上。

首先，在蒸发器中增加载气的密度，将气态原材料供给到腔室中(步骤S100)。

也就是说，如图10A中所示，在处理物体10中形成具有较大的长度与幅宽比的接触孔11。这里，长度与幅宽比是深度与宽度的比值，也就是长度：幅宽。尤其是，如果宽度是深度的三倍，则该比值较高。高比值是指比值为1∶3或更大，此实施方式中比值是1∶3到1∶100。优选的是，长度与幅宽的比是1∶5到1∶20。这里，具有较高的长度与幅宽比的接触孔11可以在处理物体10的蚀刻工艺中形成。当然，不限于此，接触孔22可以通过激光辐射来形成。处理物体10可以是承载晶片(bear wafer)、具有多个图案化薄膜的晶片、薄膜多层材料或压模晶片，但不限于此。处理物体10可以是多层晶片、多层薄膜或多层芯片。可替换地，处理物体10可以是晶片、薄膜多层材料和芯片中的至少其中两种的多层。

由此，具有接触孔11的处理物体10被安置在设置在薄膜沉积设备100的腔室110中的安置装置130上。通过原材料供给器和载气供给器240向蒸发器供给液体原材料。根据此实施方式，使用液体TEMAZr作为原材料，使用Ar气作为载气。

一旦液体原材料通过载气供给到蒸发器231的内部，加热器231c就加热液体原材料以使其蒸发。当原材料在蒸发器中完全变为气态时，将蒸发的原材料供给到气体注入装置120中，气体注入装置120通过与蒸发器231相连的原材料气体供给管233与蒸发器231相连。此后，通过气体注入装置120注入的原材料被化学吸收在处理物体10上。

下面将详细描述蒸发器。

向蒸发器供给原材料和载气(步骤S200)。根据此实施方式，使用液体TEMAZr作为原材料，但本发明不限于此。可以采用多种液体原材料。优选的是，载气不与原材料反应，使用Ar气作为载气。

由此，使原材料在蒸发器中蒸发(步骤S210)。原材料的蒸发过程将简要描述如下。

首先，通过载气向蒸发器的内部供给原材料。在这时，原材料经过过滤器，其可以是经过在过滤器中形成的微孔的雾气。

由此，当原材料被加热器加热时，液体原材料被蒸发。这里，雾气原材料可以被平稳地并容易地蒸发，从而足以提高蒸发率。

在增加载气的密度和停止原材料的供给(步骤S220)之后，向腔室供给原材料(步骤S230)。此时，当通过气体供给装置将蒸发的原材料注入到腔室中时，气态原材料被化学吸收在处理物体上，该处理物体是位于腔室中的衬底(步骤S110)。

此时，在“A”步骤中，控制位于腔室和蒸发器之间的阀，使其打开，将蒸发器内部的所有气态原材料供给到腔室的内部。蒸发器中不再有任何原材料残留，并且不再供给原材料。在上面工序中的薄膜沉积设备的操作将详细描述如下。

原材料供给器210将液体原材料供给到气体供给器230的蒸发器231中。原材料供给器210包括：原材料储存器211，用来在其中储存液体原材料；第一管212，具有与原材料储存器211相连的一个端部和与原材料气体供给器230相连的另一个相对端部；以及第一阀213，安装在第一管212中以控制原材料储存器211与原材料供给器230之间的连通。而且，可以在原材料储存器211与第一阀213之间设置原材料量调节器(未示出)，用来调节原材料的量。

当原材料储存器211通过第一阀213和第一管212与原材料气体供给器230连通时，原材料储存器211中的原材料通过第一管212供给到原材料气体供给器230中。

载气供给器240包括：载气储存器241，用来在其中储存载气；第二管242，具有与载气储存器241相连的一个端部和与原材料气体供给器230相连的另一个相对端部；以及第二阀243，安装在第二管242中以控制载气储存器241与原材料气体供给器230之间的连通。

当载气储存器241通过第二阀243和第二管242与原材料气体供给器230连通时，载气储存器241的载气通过第二管242移向原材料气体供给器230。

通过原材料供给器210向原材料气体供给器230供给液体原材料以蒸发原材料，然后原材料气体供给器230将蒸发的原材料供给到薄膜沉积设备100中。

原材料气体供给器230包括：蒸发器231，用来蒸发原材料；原材料注入管232，具有与原材料供给器210的第一管212和载气供给器240都相连的一个端部和与蒸发器231相连的另一个相对端部；原材料气体供给管233，具有与蒸发器231相连的一个端部和与薄膜沉积设备100的气体注入装置120相连的另一个相对端部；以及第三阀234，安装在原材料气体供给管233中以控制蒸发器231与薄膜沉积设备100的气体注入装置120之间的连通。

这里，蒸发器231包括：主体231b，具有形成在其中的预定内部空间231a以蒸发液体原材料；过滤器231d，设置在内部空间231a的顶部；和加热器231c，安装在主体231b中，包围内部空间231a的边缘以加热并蒸发液体原材料。结果，从原材料供给器210供给的原材料通过从载气供给器240供给的载气移向原材料注入管232。一旦通过原材料注入管232注入到蒸发器231中，原材料就经过过滤器231d。

这里，过滤器231d被构造为在其中形成有多个微孔。通过原材料注入管232注入到蒸发器231的主体231b中的原材料经过过滤器231d的微孔，移到过滤器231d的下方。因为此原因，已经经过过滤器231d的液体原材料成为雾气。

此后，蒸发器231通过第三阀234和原材料气体供给管233与薄膜沉积设备100的气体注入装置120连通。在蒸发器231中蒸发的原材料可以通过原材料气体供给管233移向薄膜沉积设备100的气体注入装置120。

如上所述，当在“A”步骤中原材料被充分化学吸收在处理物体上时，气态原材料与处理物体之间的反应饱和，从而过度供给的气态原材料将不再反应。

结果，在“B”步骤中，采用作为惰性气体的净化气体，过多的原材料被净化到腔室外(步骤S120)。在“B”步骤中，薄膜沉积设备控制净化气体供给器将净化气体供给到腔室的内部，并且净化没有被化学吸收在处理物体上的气态原材料。

净化气体供给器250向气体注入装置120供给净化气体，以净化没有被处理物体10的表面化学吸收的原材料。

净化气体供给器250包括：净化气体储存器251，用来在其中储存净化气体；第三管252，具有与净化气体储存器251相连的一个端部和与薄膜沉积设备100的气体注入装置120相连的另一个相对端部；以及第四阀253，安装在第三管252中以控制净化气体储存器251与气体注入装置120之间的连通。这里，很显然，净化气体通过第三管252供给到腔室110中。

一旦将过多的原材料完全从腔室的内部去除，就在“C”步骤中停止供给净化气体并向腔室供给反应物气体(步骤S130)。薄膜沉积设备控制反应物气体供给器在处理物体上喷射反应物气体，使气态原材料能够与反应物气体发生反应，只形成薄膜。

由此，反应物气体供给器260向气体注入装置120供给反应物气体。通过气体注入装置120注入的反应物气体与被化学吸收在处理物体10上的原材料发生反应，并相应地形成薄膜。根据此实施方式，使用O₂作为反应物气体与作为原材料的TEMAZr发生反应，以形成ZrO₂薄膜。

反应物气体供给器260包括：反应物气体储存器261，用来在其中储存反应物气体；第四管262，具有与反应物气体储存器261相连的一个端部和与薄膜沉积设备100的气体注入装置120相连的另一个相对端部；以及第五阀263，安装在第四管262中以控制反应物气体储存器261与气体注入装置120之间的连通。通过第四管262从气体储存器261向腔室11供给反应物气体。

这里，反应物气体与原材料发生反应，使薄膜能够沉积在处理物体上。根据此实施方式，使用TEMAZr作为原材料。如果使用O₃作为反应物气体，可以在处理物体上形成ZrO₃薄膜。换句话说，原材料与反应物气体化学结合，于是在处理物体(衬底)上形成原子层单位的薄膜。

在“D”步骤中，向腔室的内部供给净化气体，净化残留的反应副产物和不反应材料(步骤S140)。而且，在“D”步骤中，向蒸发器供给原材料以便下一个工序蒸发原材料，这将在后面描述。

这里，如果在蒸发器231中原材料没有被完全蒸发，则原材料仅被热解而产生粒子。由于此原因，通过蒸发器排气单元300去除可能残留在蒸发器231中的粒子。

蒸发器排气单元300用以使蒸发器的内部通风，其包括：排气泵310；排气管320，具有与蒸发器231相连的一个端部和与排气泵310相连的另一个相对端部；第六阀330，安装在排气管320中以控制蒸发器231与排气泵310之间的连通；捕获器340，与排气管320相连以捕获蒸发器231中产生的粒子；压力调节器350，与排气管320相连以调节排气管320内部的压力；和压力测量设备360，用来测量排气管320的压力。

当蒸发器231通过第六阀330和排气管320与排气泵310连通时，排气泵310的泵吸能使蒸发器231中产生的粒子移向捕获器340。由于此原因，蒸发器231和排气管320中的粒子都可以被去除。

如上所述，使用排气单元300来净化蒸发器231内部的工序可以在对薄膜沉积设备100的腔室110进行净化的步骤中进行。换句话说，优选使用排气单元300在净化步骤中净化蒸发器231的内部，该净化步骤是构成根据原子层单位的薄膜沉积方法所重复的一个循环的原材料注入、净化、反应物气体注入和净化步骤中的最后一个步骤。

这里，在步骤“A”、“B”和“C”中不再向蒸发器供给原材料。也就是说，如果向蒸发器供给过多的液体原材料，就可能由于原材料没有被完全蒸发而产生热解现象，并且蒸发器可能被污染得足够严重而产生粒子。结果，在足够量的气态原材料被储存在蒸发器中之后，采用净化气体净化供给到腔室中的气态原材料，此时，停止向蒸发器供给原材料。

如图8A和8B所示，向蒸发器供给的载气的量(密度)在B、C和D步骤中相同。换句话说，向蒸发器供给的载气的量在“A”步骤中增加，以使得平稳地向腔室供给气态原材料。在其他步骤中保持载气的量。

此时，“D”步骤包括：“D1”步骤，不向蒸发器供给原材料；和“D2”步骤，向其中具有载气的蒸发器供给原材料并在蒸发器内部蒸发原材料。

也就是，如图8A所示，在“D”步骤(R_P)的前半段(D1秒)向蒸发器只供给载气，而不向蒸发器供给原材料。在“D”步骤的后半段(D2秒)与载气一起向蒸发器供给原材料。这里，D1和D2可以重复相等的时间段。

尤其是，在“D2”步骤中，可向蒸发器供给原材料并且可以增加排气管的压力。此时，如果增加排气管的压力，则向蒸发器231供给的原材料的移动速度将被降低。如果移动的原材料的速度降低了，则原材料停留在蒸发器中的时间可能增加。结果，原材料可以在蒸发器中充分蒸发并且原材料的蒸发率被相应地增加。

最终，可以节省向蒸发器供给的液体原材料。例如，当根据常规技术在“A”和“D2”步骤中向蒸发器供给y毫克(mg)的原材料时，根据此实施方式只在“D”步骤中向蒸发器供给y’毫克的原材料。

这里，根据薄膜沉积系统，在“A”和“D”步骤中使用的原材料的量是y(毫克)乘以时间(A+D2)的值(下文中用“Y毫克”表示)。与此相对照，根据此实施方式，该量可以是y’(毫克)乘以时间(D2)的值(下文中用“Y’毫克”表示)，比较总的原材料使用量，Y’＜Y。当只在“D2”步骤中向蒸发器供给原材料时，可以减少两倍的原材料使用量。由于如上所述只在“D2”步骤中向蒸发器供给原材料，所以可以显著地增强节省原材料的效果。

结果，可以减少由没有被完全蒸发的原材料的热解所产生的粒子的量。而且，移动的原材料的速度降低，可以相应地减少通过排气管320排出的原材料的量。不限于此，本发明可以采用多种设备作为压力调节器350来提高排气管320的压力。

在图2B中，使用压力调节阀352作为压力调节器350。这里，压力调节阀352可以位于第六阀330的后方和排气泵310的前方，用以构成蒸发器排气单元300。

压力调节阀352调节开启度，也就是排气管320的开口尺寸，以调节排气管320的压力。根据另一实施方式，使用节流阀作为压力调节阀352。如图2B所示，节流阀包括：驱动轴352a；和至少一个叶片352b，附着设置到驱动轴352a。

叶片352b可以经由驱动轴352a折叠或不折叠以调节排气管320的开启度，使得可以调节排气泵310的排气量。此时，可以控制压力调节阀352使蒸发器231和排气管320的压力为50托(Torr)或更大。上面实施了使用节流阀作为压力调节阀352，但是本发明不限于此。根据本发明，任何能够调节排气管320的开启度的装置都是可用的。

这里，采用压力调节器350来增加排气管320的压力，以降低被接收到蒸发器231中的移动的原材料的速度。根据第一实施方式的压力调节器350向排气管320提供用于进行压力调节的气体(简称“压力调节气体”)以提高排气管320的压力。

这里，压力调节器350包括：气体储存器351a，用来在其中储存压力调节气体；压力调节管351c，具有与气体储存器351a相连的一个端部和与排气管320相连的另一个端部；和第七阀351b，安装在压力调节管351c内以控制气体储存器351a与排气管320之间的连通。

当气体储存器351a通过第七阀351b和压力调节管351c与排气管320连通时，通过压力调节管351c将储存在气体储存器351a中的气体提供给排气管320。

此时，排气管320的压力被提高。根据此实施方式，将排气管320的压力调节为50托或更大，使用N₂气作为压力调节气体。

排气管320被安装成与蒸发器231的下部连通。随着排气管320的压力逐渐提高，可以逐渐降低向蒸发器231供给原材料的速度。此时，可以注入压力调节气体使排气管320的压力达到50托或更大。可以通过使用压力计360来测量排气管320的压力，从而使压力控制更有效。

结果，原材料在蒸发器中被充分蒸发并且原材料的蒸发率随之增加了。

也就是，例如在构成原子层沉积的循环的原材料化学吸收、原材料净化、反应物气体注入和净化中的最后一个净化步骤中提高排气管320的压力。当然，本发明不限于此。如果例如最后的净化步骤所需时间为6秒，在净化步骤完成时间之前3秒就要开始向蒸发器231供给原材料，排气管320的压力可以同时被提高。可选择地，可以自与原材料化学吸收、原材料净化和反应物气体注入一起构成该循环的最后净化步骤的前一个步骤开始提高排气管320的压力。不限于上述的描述，本发明可以在构成原子层沉积的循环的原材料化学吸收、原材料净化、反应物气体注入和净化的每一个步骤中使排气管320的压力提高。当由于排气管320的提高的压力而使供给到蒸发器231的移动的原材料的速度降低时可以增加原材料停留在蒸发器231中的时间。由于此原因，原材料可以在蒸发器231的内部被充分蒸发，原材料的蒸发率被相应地增大。结果，可以减少没有被完全蒸发而是被热解了的原材料所产生的粒子的量。由于移动的原材料的速度被降低，所以可以减少通过排气管320损失的原材料的量。

本发明不限于此，所以多种设备可用作压力调节器350来提高排气管320的压力。

上面描述的步骤A、B、C和D可以连续进行直到在衬底上沉积了具有期望厚度的薄膜。换句话说，在净化了反应副产物和不反应材料之后，如果在衬底上没有沉积具有期望厚度的薄膜，则可以重复步骤A到D。

此时，在净化腔室中残留的反应副产物和非反应物气体的步骤之后，可以连续向腔室10供给蒸发的原材料，以提高工作效率。例如，如果净化腔室110所需的时间是6秒，则从净化完成时间之前3秒就开始向蒸发器231供给原材料。此时，如上所述排气管320的压力处于被压力调节器350所提高的状态。例如，根据第一实施方式的压力调节器350向排气管320提供压力调节气体以将排气管320的压力调节为50托或更大。也就是，通过压力调节管351b向排气管320提供气体储存器351a的压力调节气体，以将排气管320的压力调节为例如50托或更大。本发明不限于此，根据第二实施方式的压力调节器350，也就是压力调节阀353调节排气管320的开启度，以将排气管320的压力调节为例如50托或更大。由于此原因，与排气管320相连的蒸发器231的下部的压力升高，并且向蒸发器供给原材料的速度随之降低。结果，原材料停留在蒸发器231中的时间被足够地加长，以增加原材料能够被蒸发的时间。最终可以尽可能地减少没有被完全蒸发而是被热解了的原材料所产生的粒子。由于向蒸发器231供给原材料的速度降低，所以通过排气管320排到外部的原材料的量可以被减少。

上面描述了在净化设置在薄膜沉积设备100中的腔室110的内部的步骤中，通过使用压力调节器350来提高设置在蒸发器排气单元300中的排气管320的压力的方法。然而，本发明不限于此，在原材料注入、净化、反应物气体注入和净化的每一个步骤中，使用压力调节器来提高排气管320的压力也是有效的。

此外，在“A”步骤的开始点，在蒸发器的内部可能有足够量的蒸发的原材料。由于此原因，在“A”步骤中不必再向蒸发器供给液体原材料。

蒸发器内部的载气的密度被增加并且气态原材料被再次供给到腔室(步骤S100)。此时，蒸发器的操作与上面描述的相同。如图5A和5B所示，在“A”步骤(A秒)中不向蒸发器供给液体原材料，向腔室供给通过增大载气的量而蒸发的气态原材料。

结果，通过气体供给装置将蒸发的原材料注入到腔室中，气态原材料被再次化学吸附到位于腔室中的处理物体(衬底)上(步骤S110)。

如上所述，重复由原材料化学吸收、净化、薄膜沉积和净化步骤所构成的循环。在重复该循环时一旦在衬底上沉积了具有期望厚度的薄膜，则完成处理(步骤S150)。

根据图8B，将根据常规方法向蒸发器供给的原材料和载气的量与根据此实施方式向蒸发器供给的原材料和载气的量进行比较。如图8B所示，根据本发明的方法，仅在“D”步骤中向蒸发器供给原材料，常规技术中在“A”步骤中向蒸发器供给的原材料的量增加。

图9是示出向腔室供给的气体量的图。根据此实施方式，重复上面描述的原材料化学吸收A秒，重复原材料净化B秒，重复薄膜沉积C秒，重复反应物气体净化D秒。四个步骤分别与A、B、C和D的步骤相对应。第二个净化被分成两个步骤，第二个净化的这两个步骤分别进行D1秒和D2秒。

换句话说，在“A”步骤中，可以停止向其中具有气态原材料的蒸发器中辅助供给原材料，并且可以增加TEMAZr载气的密度以向腔室供给气态原材料。此时，当“A”步骤开始时在蒸发器中提供的所有原材料被供给到腔室，直到“A”步骤结束。

在“B”步骤中，向腔室供给第一净化气体(S_P)。这里，在“C”和“D”步骤中也向腔室供给第一净化气体，其具有与“B”步骤相同的密度。

在“C”步骤中，向腔室供给反应物气体(O₃)，以与气态原材料发生反应。

随后，在“D”步骤中，向腔室供给第二净化气体(O₃_P)。此时，在“A”和“B”步骤中也向腔室供给第二净化气体，其具有与“D”步骤相同的密度。结果，在上面描述的原材料供给步骤的前半段，向腔室供给仅在蒸发器中提供的气态原材料，在该步骤的后半段，原材料仅停留在腔室中。

如图3所示，根据本发明第二实施方式的薄膜沉积系统包括：腔室110；原材料供给器210；载气供给器240；蒸发器231；蒸发器排气单元300；反应物气体供给器260；第一净化气体供给器250a；和第二净化气体供给器250b。

腔室110形成预定的反应空间，在其中将蒸发的原材料沉积在处理物体10上。在腔室110中设置：安置装置130，用于将处理物体10安置在其上；以及气体注入装置120，与安置装置130相对设置，用以注入原材料、反应物气体和净化气体。

原材料供给器210向蒸发器231供给液体原材料。原材料供给器210包括：原材料储存器211，用来在其中储存液体原材料；第一管212，具有与原材料储存器211相连的一个端部和与蒸发器231相连的另一个端部；以及第一阀213，安装在第一管212中以控制向蒸发器231供给的原材料的量。例如使用液体TEMAZr作为原材料。

载气供给器240向蒸发器231供给用以输送液体原材料的载气。载气供给器240包括：载气储存器241，用来在其中储存载气；第二管242，具有与载气储存器241相连的一个端部和与蒸发器231相连的另一个端部；以及第二阀243，安装在第二管中以控制向蒸发器231供给的载气的量。这里，例如使用Ar作为载气。

蒸发器231蒸发由载气所输送的液体原材料，并向腔室110供给蒸发的原材料。向蒸发器231供给的原材料与载气一起被诸如加热器的加热装置加热，以使其蒸发，然后蒸发的原材料被移到腔室110内。

被引入到腔室110内的蒸发的原材料被化学吸收在位于安置装置130上的处理物体10的表面上。此后，没有被化学吸收在处理物体10的表面上的原材料可以通过净化气体排出。

第二净化气体供给器250b向气体注入装置120供给净化气体，将没有被化学吸收在处理物体10上的气态原材料排到外部。第二净化气体供给器240b包括：净化气体储存器251b，用来在其中储存净化气体；第三管，具有与净化气体储存器251b相连的一个端部和与腔室110相连的另一个端部；以及第三阀253b，安装在第三管252b中以控制向气体注入装置120供给的净化气体的量。这里，例如使用Ar作为净化气体。

在通过净化气体排出腔室110内部的气态原材料之后，供给反应物气体来诱发与化学吸收在处理物体10的表面上的原材料的反应。

反应物气体供给器260将反应物气体注入到腔室110中来诱发气态原材料与反应物气体之间的反应。反应物气体供给器260包括：反应物气体储存器261，用来在其中储存反应物气体；第五管262，具有与反应物气体储存器261相连的一个端部和与腔室110相连的另一个端部；以及第五阀263，安装在第五管262中以控制反应物气体的量。根据此实施方式，使用O₂作为反应物气体与原材料TEMAZr反应，以形成ZrO₂薄膜。

通过向腔室110供给反应物气体在处理物体10的表面上形成薄膜之后，再次向腔室110供给净化气体，以净化反应副产物和不反应材料。

在“A”步骤中，如果向蒸发器231供给的液体原材料没有被完全蒸发，这样的原材料仅被热解而产生粒子。这里，这样的粒子包括可能将成为粒子的没有被蒸发的液体原材料。使用蒸发器排气单元300来去除残留在蒸发器231中的这样的粒子。

采用蒸发器排气单元300来泵吸并去除存在于蒸发器231中的粒子。蒸发器排气单元300包括：排气泵310；排气管320，具有与蒸发器231相连的一端和与排气泵310相连的另一端；排气阀330，安装在排气管320中以控制蒸发器231与排气泵310之间的连通；以及捕获器340，用来捕获泵出的粒子。可以在净化步骤(“B”步骤和“D”步骤)期间进行蒸发器排气单元300的泵吸。优选在D’步骤期间进行泵吸。

同时，向连接蒸发器231和腔室110的连接管421提供气态原材料。甚至在这样的连接管421中也可能存在没有被蒸发的原材料或热解的粒子。如果这样的粒子存在于连接管421中，可能会发生各种组装作业问题。

由于此原因，在此实施方式中可以进一步设置去除存在于连接管421中的粒子的步骤(“E”步骤)。由第一净化气体供给器250a进行这样的“E”步骤。

第一净化气体供给器250a向连接管421供给净化气体以去除存在于连接管421中的粒子。第一净化气体供给器250a包括：第一净化气体储存器251a，用来在其中储存净化气体；第四管252a，具有与净化气体储存器251a相连的一个端部和与蒸发器231相连的另一个端部；和第四阀253a，安装在第四管252a中以控制向连接管421供给的净化气体的量。这里，例如使用Ar作为净化气体。

可以在连接管421中安装可关闭的阀420，采用可关闭的阀420来使得供给到第一净化气体供给器250a的净化气体可关闭，以免被引入到腔室110中。

通过第一净化气体供给器250a供给到连接管421中的净化气体可以被蒸发器排气单元300泵吸和排出。此时，净化气体也可以去除在连接管421之后经过蒸发器231而存在于蒸发器231中的粒子。

如果通过第一净化气体供给器250a将净化气体供给到连接管421，则关闭可关闭的阀420以防止净化气体进入腔室110。此后，净化气体与存在于连接管421中的粒子一起经过蒸发器231。净化气体利用排气泵310所产生的泵吸压力拉动存在于蒸发器231中的粒子进入捕获器340。

当通过第一净化气体供给器250a供给净化气体时，可以从载气供给器240向蒸发器231供给作为净化气体的Ar。供给到蒸发器231中的净化气体拉动蒸发器231内部的粒子，使其与供给到连接管421中的净化气体一起被蒸发器排气单元300泵吸和排出。

可以与蒸发器排气单元300的泵吸一起进行向连接管421供给净化气体的“E”步骤。另一方面，“E”步骤也可以在处理物体(例如晶片)的置换时间内或其他合适的时间内进行。

如上所述，根据此实施方式，由第一净化气体供给器250a将净化气体供给到连接管421中，连接管421和蒸发器231内部的粒子都被去除。由于此原因，可以防止存在于沉积设备中的粒子所可能产生的组装作业问题。此外，净化气体经过蒸发器231，蒸发器231内部的粒子也可以被更有效地去除。结果，可以减少蒸发器231的置换间隔，可以相应地减少用新的蒸发器置换旧的蒸发器所需的时间和花费的成本。

下面将参照图4描述根据第三实施方式的薄膜沉积系统。

除了图2的第一和第二净化气体供给器250a和250b被整体形成为一个构件之外，图4中示出的此实施方式与图2中示出的上面的实施方式具有相同的构造。

根据此实施方式，净化气体供给器460将净化气体供给到设置在腔室110中的气体注入装置120中，并且它同时将净化气体供给到连接管421中。

净化气体供给器460包括：净化气体储存器461，用来在其中储存净化气体；第三管462，具有与净化气体储存器461相连的一个端部和与腔室110相连的另一个端部；第三阀463，安装在第三管462中以控制供给到气体注入装置120中的净化气体的量；第四管，具有与净化气体储存器461相连的一个端部和与蒸发器231相连的另一个端部；以及第四阀255，安装在第四管254中以控制供给到连接管421中的净化气体的量。这里，例如使用Ar作为净化气体。

当净化气体供给器460将净化气体供给到腔室110中时，关闭第四阀255并打开第三阀463。当净化气体供给器460将净化气体供给到连接管421中时，关闭第三阀463并打开第四阀255。

根据此实施方式，图2中示出的第一净化气体供给器250a和第二净化气体供给器250b相结合为单个构件，即单个的净化气体供给器460。由于此原因，根据此实施方式的薄膜沉积设备在获得与图2中示出的沉积设备相同的效果的同时，可具有更简单的构造。

下面将参照图5描述设置在根据本发明的沉积设备中的蒸发器的构造。图5是示出图3和4中示出的蒸发器的构造的图。

蒸发器231包括：外壳231b；注入孔231e，位于外壳231b的顶部以注入液体原材料和载气例如Ar；蒸发空间231a，用来在其中蒸发液体原材料；加热器231c，与蒸发空间231a邻近安装，用以加热液体原材料；腔室连接部件231g，与连接管421相连以将蒸发的原材料供给到腔室110中；和泵吸线路连接部件231h，与蒸发器排气单元300相连以排出原材料或载气。

在注入孔231e和蒸发空间231a之间安装节流孔231f。当液体原材料被供给到蒸发器231的注入孔231e中时，液体原材料在经过节流孔231f的同时具有降低的压力和增加的速度，并且液体膨胀。

在蒸发空间231a的上部安装过滤器231d，在过滤器231d中形成多个微孔。由于此原因，通过注入孔231e引入的液体原材料在经过过滤器231d时被雾化，以被初始蒸发。根据此实施方式，蒸发空间231a的长度是15mm，安装在过滤器231d中的每一个微孔的直径是0.23mm。

在经过过滤器231d的同时被雾化的原材料被加热，以被二次蒸发。加热器231c可以完全包围蒸发空间231a。

蒸发空间231a的温度和压力可能会严重影响原材料的蒸发率。根据此实施方式，蒸发空间231a的温度被保持在110℃和140℃之间，蒸发空间231a的压力被保持在80托和120托之间，使得可以优化地控制向蒸发器231供给原材料的速度。

由于在蒸发器231中的蒸发空间231a的上部安装过滤器231d，所以液体原材料在经过过滤器231d的同时被初始蒸发，已经经过了过滤器的原材料在被加热器231c加热之后被二次蒸发。结果，可以提高液体原材料的蒸发率。图10A和10B分别是示出根据常规薄膜沉积系统在其中形成有接触孔的处理物体和形成在处理物体上的薄膜，以及根据本发明的实施方式的薄膜沉积系统在其中形成有接触孔的处理物体和形成在处理物体上的薄膜的图。

参照图10A，根据常规薄膜沉积系统，在其中形成有接触孔的处理物体的上表面上(或称“上部顶表面”)所形成的薄膜的厚度为17nm，形成在处理物体的下部顶表面上的薄膜的厚度为9nm。结果，台阶覆盖率(S/C)是60％。与此相对照，根据本发明的实施方式，在其中形成有接触孔的处理物体的上表面上所形成的薄膜的厚度为11nm，形成在处理物体的下部顶表面上的薄膜的厚度为10nm。结果，台阶覆盖率(S/C)是90％。换句话说，根据本发明的实施方式所形成的薄膜的台阶覆盖率(S/C)可以比根据常规的薄膜沉积系统所形成的薄膜的台阶覆盖率(S/C)高30％。这是因为通过增加排气管320的压力和降低向蒸发器231供给的原材料的速度，提高了原材料的蒸发率。换句话说，向薄膜沉积设备100供给足够量的蒸发的原材料，可以相应地在接触孔的底部沉积其厚度与在处理物体的上部顶表面上所形成的薄膜的厚度一样大的薄膜。

图11A和11B分别是示出根据本发明实施方式的薄膜沉积方法所沉积的薄膜和根据常规方法所沉积的薄膜的图。

如图11B所示，根据常规方法沉积在处理物体上的薄膜比沉积在接触孔的底表面、也就是处理物体的下部顶表面上的薄膜厚。然而，如图11A所示，根据本发明实施方式的方法，沉积在处理物体上的薄膜比常规技术的薄膜薄，在形成在上部顶表面和下部顶表面、也就是接触孔的底部上的薄膜之间只有很小的厚度差。

换句话说，蒸发器内部原材料的蒸发率提高了，蒸发器中没有被完全蒸发的原材料所产生的热解现象没有了，由热解所产生的蒸发器的污染而产生的粒子也没有了。

而且，可以增加原材料停留在蒸发器中的时间，并可以相应地减少通过排气管被损失和浪费的原材料的量。结果，可以减少原材料使用量，可以降低组装作业工序的成本。

而且，形成在处理物体上的薄膜中不产生悬垂现象。结果，不会产生半导体薄膜的台阶覆盖率和电性能的恶化。

除了在半导体器件上沉积薄膜的制造工艺，上面描述的薄膜沉积方法可以应用在平板显示设备、太阳能电池等的制造工艺中。

本发明实施方式的特性、结构、效果可以包括在本发明的至少一个实施方式中，而不限于特定的单个实施方式。本发明实施方式的特性、结构、和效果可以由所属领域技术人员进行组合或修改为这些实施方式相关联的形式。因此，与这样的组合和修改相关的内容都涵盖在本发明的范围内。

在不脱离本发明的精神或范围的情况下，对本发明可进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书范围及其等效范围内的对本发明的所有修改和变化。

Claims (20)

1.一种薄膜沉积系统，包括：

用来供给原材料的原材料供给器；

原材料气体供给器，包括与该原材料供给器相连的用以蒸发由该原材料供给器供给的原材料的蒸发器；

薄膜沉积设备，与该原材料气体供给器相连，用以将由该原材料气体供给器供给的蒸发的原材料沉积在处理物体上；

蒸发器排气单元，具有与该蒸发器相连的端部，用以使该蒸发器的内部通风；和

压力调节器，与该蒸发器排气单元相连，用以调节该蒸发器排气单元的压力以控制向该蒸发器供给原材料的速度。

2.如权利要求1所述的薄膜沉积系统，其中该蒸发器包括：

主体，在其中形成有用以蒸发原材料的预定的内部空间；

过滤器，设置在该主体中形成的内部空间的上部，该过滤器包括形成在其中的多个微孔；和

加热器，安装在该主体中，用以对供给到该内部空间中的原材料进行加热。

3.如权利要求1所述的薄膜沉积系统，其中该蒸发器排气单元与该蒸发器的主体相连，用以与在该蒸发器中设置的内部空间的下部连通。

4.如权利要求1所述的薄膜沉积系统，其中该压力调节器包括：

气体储存器，用来在其中储存压力调节气体，和

压力调节管，具有与该蒸发器排气单元相连的一个端部和与该气体储存器相连的另一个端部。

5.如权利要求4所述的薄膜沉积系统，其中该压力调节气体是惰性气体。

6.如权利要求1所述的薄膜沉积系统，其中该压力调节器是安装在该蒸发器排气单元中的位于该排气泵的前方的节流阀，用以控制该蒸发器排气单元的开启度以调节该蒸发器排气单元的压力。

7.一种薄膜沉积系统，包括：

用来供给原材料的原材料供给器；

蒸发器，用来蒸发由该原材料供给器供给的原材料；

腔室，与该蒸发器相连，该腔室包括用来将蒸发的原材料沉积在处理物体上的反应空间；

第一净化气体供给器，用来将净化气体供给到位于该蒸发器和该腔室之间的连接管中以去除该连接管中存在的粒子；以及

蒸发器排气单元，与该蒸发器相连，用以泵吸供给到该连接管中的净化气体。

8.如权利要求7所述的薄膜沉积系统，其中供给到连接管中的净化气体在经过该蒸发器之后由该蒸发器排气单元泵吸。

9.如权利要求4或8所述的薄膜沉积系统，还包括：可关闭的阀，安装在该连接管中，用以防止净化气体被引入到该腔室内。

10.如权利要求7或8所述的薄膜沉积系统，还包括：

第二净化气体供给器，用来将净化气体供给到该腔室中以去除没有沉积在该处理物体上的原材料。

11.如权利要求10所述的薄膜沉积系统，其中所述第一净化气体供给器和第二净化气体供给器相结合为单个构件。

12.如权利要求7或8所述的薄膜沉积系统，其中该蒸发器包括：

外壳，包括预定的蒸发空间；

加热器，与该蒸发空间邻近安装，用以加热原材料；和

过滤器，安装在该蒸发空间的上部，该过滤器包括用以将原材料雾化的多个微孔。

13.一种使用薄膜沉积系统的薄膜沉积方法，该薄膜沉积系统包括：用以蒸发原材料的蒸发器、与该蒸发器相连的用以在处理物体上沉积薄膜的薄膜沉积设备和用来对该蒸发器的内部进行通风的蒸发器排气单元，该方法包括：

A步骤，配置为通过将该蒸发器所蒸发的原材料供给到该薄膜沉积设备中，使原材料化学吸附到该处理物体上；

B步骤，配置为净化没有被化学吸附到该处理物体上的原材料；

C步骤，配置为通过向该处理物体注入反应物气体和使原材料与反应物气体反应来形成薄膜；

D步骤，配置为净化残留在该薄膜沉积设备中的反应副产物和不反应材料，

其中在“D”步骤中增加与该蒸发器连通的蒸发器排气单元的压力。

14.如权利要求13所述的薄膜沉积方法，其中在A步骤中，通过载气供给器增大载气的密度，以将该蒸发器内部的气态原材料输送到腔室中。

15.如权利要求14所述的薄膜沉积方法，其中在A步骤中，位于该腔室和该蒸发器之间的阀打开，以将该蒸发器内部的所有气态原材料供给到该腔室中。

16.如权利要求14所述的薄膜沉积方法，其中只在D步骤中将气态原材料供给到该蒸发器中。

17.如权利要求14所述的薄膜沉积方法，其中D步骤包括：

D1步骤，配置为不将气态原材料供给到该蒸发器中；和

D2步骤，配置为将气态原材料供给到具有载气的蒸发器中，并且蒸发供给到该蒸发器中的气态原材料。

18.如权利要求13所述的薄膜沉积方法，其中存在于该蒸发器中的粒子在配置为净化残留在该薄膜沉积设备中的反应副产物和不反应材料的步骤中被净化。

19.如权利要求13所述的薄膜沉积方法，其中在增加蒸发器排气单元的压力的步骤中，将压力调节气体供给到该蒸发器排气单元中以增加该蒸发器排气单元的压力，并且降低向该蒸发器供给原材料的速度。

20.如权利要求13所述的薄膜沉积方法，其中在增加蒸发器排气单元的压力的步骤中，调节该蒸发器排气单元的开启度以增加该蒸发器排气单元的压力，并且降低向该蒸发器供给原材料的速度。

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