CN102097445A - 具有在滤色片中形成的波导的图像传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示具有置于衬底中的像素阵列的一种图像传感器。每个像素包括光敏元件、滤色片及波导壁。这些波导壁置于滤色片中且围绕部分滤色片以通过该滤色片形成波导。这些波导壁的折射率比滤色片的折射率小。图像传感器可以是背面照明(BSI)或者是正面照明(FSI)的。在一些实施例中，金属壁可耦合至波导壁。

Description

具有在滤色片中形成的波导的图像传感器
背景技术
技术领域
本发明的实施例涉及图像传感器，尤其涉及图像传感器的滤光器。
现有技术
常规图像传感器可由互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或由电荷耦合器件(CCD)技术制造。CMOS图像传感器包括置于衬底上的像素阵列，每个像素包括诸如光电二极管的光敏元件，举例而言，滤光器置于该光敏元件上且微透镜置于该滤光器上。当相关联的转移晶体管导通时，光敏元件及浮动扩散区域可耦合在一起，以将电荷从光敏元件转移至浮动扩散。亦可能存在置于衬底上的一个或多个金属层、多晶硅层、扩散层等。
典型图像传感器的操作如下。光入射到微透镜上。微透镜经由滤光器将光聚焦至光敏元件上。光敏元件将光转换成与入射光的强度成比例的电信号。可将该电信号耦合至诸如CMOS晶体管的放大及读出电路，以基于所捕获的光生成图像。
常规图像传感器遭受一些限制。在使用正面照明(FSI)的图像传感器中，金属层、多晶硅层、扩散层等可置于微透镜与光敏元件之间。在使用FSI技术的图像传感器的制造期间，因此必须产生用于从微透镜行进至光敏元件的光的信道，从而试图避免金属、多晶硅、扩散等。
一个解决方案为使用背面照明(BSI)。在使用BSI的图像传感器中，金属层、多晶硅层、扩散层等在衬底的一面上，且光敏元件在衬底的另一面上。因此，无需产生至光敏元件的避免这些金属、多晶硅、扩散等的路径。光入射到微透镜上，且存在从微透镜和滤光器至光敏元件的直接的路径。
BSI图像传感器也遭受限制。举例而言，随着BSI图像传感器的像素大小变得更小，微透镜可能难以将入射光聚焦至光敏元件上。结果，在像素之中可能存在串扰。串扰在图像传感器中产生不合需要的噪声。
附图简述
参考以下附图，描述本发明的非限制和非详尽的实施例，其中除非另有说明，否则相似附图标记贯穿各个视图指示相似部件。
图1为根据本发明的一个实施例的图像传感器的截面图。
图2为根据本发明的一个实施例的图像传感器的截面图。
图3为根据本发明的一个实施例的图像传感器的平面图。
图4为根据本发明的一个实施例的示出基于氧化物的波导的计算机仿真光功率密度的图像传感器的侧视图。
图5为根据本发明的一个实施例的示出基于气隙的波导的计算机仿真光功率密度的图像传感器的侧视图。
图6为根据本发明的一个实施例的图像传感器的截面图。
图7为根据本发明的一个实施例的图像传感器的截面图。
图8为根据本发明的一个实施例的示出基于气隙的波导的计算机仿真光功率密度的图像传感器的侧视图。
图9为根据本发明的一个实施例的示出基于气隙的波导的计算机仿真光功率密度的图像传感器的侧视图，其中金属壁耦合至波导壁。
具体实施方式
在以下描述中，呈现诸如特定制程、材料、器件等等的众多特定细节，以提供对本发明的实施例的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将认识到可在不具有特定细节中的一个或多个的情况下或者用其它方法、组件等来实践本发明的实施例。在其它情况下，未详细地示出或描述结构或操作以避免混淆对此描述的理解。
参考贯穿本说明书的“一个实施例”或“一实施例”意味着：与一个实施例结合所描述的特定特征、结构、工艺、区块或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各个位置中的短语“在一个实施例中”或“在一实施例中”的出现未必意味这些短语都指同一实施例。特定特征、结构或特性可按照任何合适方式组合于一个或多个实施例中。
本发明的实施例包括一种具有像素阵列的图像传感器。至少一个像素可包括置于衬底上的光敏元件、置于该光敏元件上的滤色片，以及置于该滤色片上的微透镜。波导壁可围绕该滤色片。该波导壁可为包括诸如二氧化硅(SiO2)的氧化物的介电材料。或者，该波导壁可为气隙。波导壁的折射率可小于滤色片的折射率。滤色片和围绕该滤色片的波导壁形成波导结构，该结构将光限制成在滤色片中沿着该波导结构传播。此限制减少穿过围绕该滤色片的该波导壁至相邻滤色片的漏光。换言之，在该波导中引导该光。可对该图像传感器进行背面照明或正面照明。
当光入射于微透镜上时，微透镜将光聚焦至滤色片中。由滤色片和围绕该滤色片的波导壁所形成的波导结构将该光引导至光敏元件。光敏元件将光转换成电信号。
本发明的实施例的一个优点为像素之间的串扰可减少，因为进入滤色片的光被限制在由该滤色片及围绕该滤色片的波导壁所形成的波导中，且理想地没有光逸出该波导进入相邻像素。结果为图像传感器具有对色彩的改良的捕获。另一优点为图像传感器可对入射光更敏感，因为进入滤色片的光被限制在波导中，且理想地光完全入射到光敏元件上。本发明的其它特征及优点将从所附附图及从以下具体描述中显而易见。
图1为根据本发明的一个实施例的图像传感器100的截面图。在所说明的实施例中，图像传感器100包括衬底101。对于一些实施例，衬底101可为半导体衬底。
在所说明的实施例中，示成n型光电二极管102、104及106的三个光敏元件置于衬底101中。一般而言，图像传感器100包括在衬底101中的行与列的二维阵列中排列的若干光敏元件。出于清晰的目的，仅示出光敏元件102、104及106。然而，该阵列可包括数千行和/或列以上，或更多。类似地，该阵列可具有除了列与行以外的其他排列。
通常，图像传感器100中的个别像素可包括多层的叠层，该多层包括金属层、平坦化层等。在所说明的实施例中，在衬底101的一面上，图像传感器100包括具有置于绝缘体108中的金属导体M1及金属导体M2的金属层。绝缘体108可使这些金属导体与衬底101绝缘。绝缘体108可为诸如氧化物的任何介电材料。对于一些实施例，介电材料可为氧化硅。金属导体可为铜、铝、铝-铜混合物、钨，或适于运送电信号的其它金属。
在衬底101的另一面上，p+硅的钝化层112置于衬底101上，且可选的抗反射材料114置于硅的p+层112上。一般而言，硅的p+层112具有增强电荷收集至n型光电二极管102、104及106中的效果，且防止在背部表面处的暗电流的生成。注意在一些实施例中，p+层112为可选的。红色滤光器116、绿色滤光器118及蓝色滤光器120置于抗反射材料114上。微透镜122置于滤光器116上，微透镜124置于滤光器118上，且微透镜126置于滤光器120上。波导壁130部分地置于蓝色滤光器120中。波导壁132部分地置于蓝色滤光器120中且部分地置于绿色滤光器118中。波导壁134部分地置于绿色滤光器118中且部分地置于红色滤光器116中。波导壁136部分地置于红色滤光器116中。在一些实施中，波导壁比滤色片短(薄)，且如图1所示地置于这些滤色片中。在一些实施中，波导壁可实质上与滤色片一样高(厚)。
对于一些实施例，图像传感器100可具有以下特征。滤光器120的折射率比波导壁130及132的折射率大。滤光器118的折射率比波导壁132及134的折射率大。滤光器116的折射率比波导壁134及136的折射率大。在波导壁130、132、134及136为二氧化硅(SiO2)的实施例中，波导壁130、132、134及136的折射率可为大约从1.46至1.49。在波导壁130、132、134及136为滤色片之间的气隙的实施例中，波导壁130、132、134及136的折射率可为大约1.0。
在一些实施例中，红色滤光器116可具有大约1.7的折射率。绿色滤光器118可具有大约1.55的折射率。蓝色滤光器120可具有大约1.6的折射率。
微透镜122、124及126可具有小于或等于大约1.75微米(μm)的直径。
波导壁130、132、134及136可具有以下尺寸。高度(h)可大于或等于大约0.1μm且小于或等于大约1.2μm。或者，高度(h)可大于或等于大约0.2μm且小于或等于大约0.8μm。
邻近波导壁之间的距离(w)可大于或等于大约0.2μm且小于或等于大约1.6μm。或者，邻近波导壁之间的距离(w)可大于或等于大约0.3μm且小于或等于大约1.2μm。
在一些实施例中，像素间距(p)与邻近波导壁之间的距离(w)之间的关系如下。距离w大于p/10且小于9p/10。或者，w大于p/6且小于5p/6。对于一些实施例，像素间距(p)可小于或等于大约1.75μm。或者，像素间距(p)可小于或等于大约1.4μm。
围绕滤色片的波导壁的横截面可具有正方形、矩形、三角形、梯形、圆形、多边形、椭圆形的形状或其它合适形状。波导壁可形成正方形/矩形滤色片的栅格/网格。
在一个实施例中，图像传感器100操作如下。光入射到微透镜126上，微透镜126将光聚焦至蓝色滤光器120中。蓝色滤光器120对该入射光进行滤光及传递蓝光。由被波导壁130及132所围绕的滤光器120形成的波导可选地穿过抗反射材料114及硅的p+层112而将该蓝光引导并传递至光敏元件106。因为蓝色滤光器120的折射率比波导壁130及132的折射率大，所以波导壁130及132可使该蓝光充分弯曲，使得将该蓝光被限制在蓝色滤光器120内。在不具有波导壁130及132的情况下，蓝光可逸出蓝色滤光器120而进入相邻像素。
本发明利用在波导壁与滤色片之间的界面处发生的全内反射效应。当光入射到波导壁上，其中至该壁的入射角大于临界角(θc)时，该光在界面处反射。该临界角定义为：
θ c = sin - 1 n 2 n 1 ,
其中n2指示波导壁的折射率，且n1指示滤色片的折射率。
微透镜124将光聚焦至绿色滤光器118中。绿色滤光器118对该入射光进行滤光及传递绿光。由被波导壁132及134所围绕的滤光器118形成的波导可选地穿过抗反射材料114及硅的p+层112将该绿光引导并传递至光敏元件104。因为绿色滤光器118的折射率比波导壁132及134的折射率大，所以波导壁132及134可使该绿光充分弯曲，使得将该绿光限制在绿色滤光器118内。在不具有波导壁132及134的情况下，绿光可逸出绿色滤光器118而进入相邻像素。
微透镜122将光聚焦至红色滤光器116中。红色滤光器116对该入射光进行滤光及传递红光。由被波导壁134及136所围绕的滤光器122形成的波导可选地穿过抗反射材料114及硅的p+层112将该红光引导并传递至光敏元件102。因为滤光器116的折射率大于波导壁134及136的折射率，所以波导壁134及136可使该红光充分弯曲，使得将该红光限制在红色滤光器116内。在不具有波导壁134及136的情况下，红光可逸出红色滤光器116而进入相邻像素。
光敏元件102、104及106分别将红光、绿光及蓝光转换成电信号。电信号具有与所接收的光的强度成比例的幅度。电信号可耦合至诸如CMOS晶体管(图中未示出)的放大及读出电路，例如以基于所捕获的光生成图像。
可使用任何合适的沉积、蚀刻或掩蔽技术，以及平坦化、加热、回流、化学气相沉积(CVD)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)或其它合适的技术来置微透镜以及滤光器。类似地，可使用任何合适的沉积、蚀刻或掩蔽技术，以及加热、化学气相沉积(CVD)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)等来置由二氧化硅制成的波导壁。
可通过以稀释的氟化氢蚀刻掉已置的二氧化硅波导壁而制造由气隙形成的波导壁。或者，可通过用合适的蚀刻剂、剥离剂(stripper)及溶剂蚀刻掉诸如光阻、聚酰亚胺及塑料的合适的有机或无机化合物来置成气隙波导壁。
滤光器116、118及120可按照任何合适的图案排列。在滤光器116、118及120为滤色片的实施例中，滤光器116、118及120可按照拜耳图案(Bayer pattern)排列。滤光器116、118及120可由任何合适的材料制成。一种合适材料为丙烯酸。已被着色或染色的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚甲基丙烯酸缩水甘油酯(PGMA)适于滤光器为滤色片的实施例中。可被染色或着色的其它光阻型材料亦可用于滤光器为滤色片的实施例中。
在所说明的实施例中，滤光器116、118及120分别为红色滤光器、绿色滤光器及蓝色滤光器。对于其它实施例，滤光器可为青色、红紫色、黄色或其它合适的色彩。
对于一些实施例，当相对于个别微透镜的光入射角并非0°(见图2)时，所聚焦的光从对应光敏元件的中心移位。随着相对于微透镜的光入射角变得较大，一些光未恰当地聚焦到光敏元件上，这使得光损耗且使得像素响应减小。在大的入射角处，像素响应降成低于其0°角响应的某一百分比(例如，80％)，0°角响应中像素垂直于入射光。图像传感器的中心附近的光的入射角为接近0°。然而，对于位于进一步远离图像传感器的中心处的像素而言，光的入射角增加(并非0°)。
图2为示出根据本发明的一个替代实施例的图像传感器200的截面图，其中可补偿改变的入射角。为了说明，在图2中示出接近图像传感器200的左边缘202的三个像素。入射光不垂直于这些接近图像传感器200的左边缘的像素。然而，入射光垂直于接近图像传感器200的中心的像素(图中未示出)。入射光向左倾斜，如图2中所示。在所说明的实施例中，微透镜、滤光器及波导壁离图像传感器200的左边缘202移位。这是为了补偿入射光，该入射光相对于个别微透镜或接近左边缘的个别像素为离轴的(入射角非0°)。结果，图像传感器200可在接近左边缘处具有的改良的响应。
与图1中所示的图像传感器100类似，图2中所示的实施例亦包括置于衬底101中的三个n型光电二极管102、104及106，在衬底101的一面上具有置于绝缘体108中的金属导体M1及金属导体M2的金属层，且硅的p+层112在衬底101的另一面上。可选的抗反射材料114置于硅的p+层112上。滤光器116、118及120置于抗反射材料114上。波导壁130、132、134及136置于滤光器120、118及116中。
图2中所示的实施例在滤光器116、118及120连同波导壁136、134、132及130一起离图像传感器200的左边缘202移位的方面与图1不同。与这些滤光器及波导壁相比，微透镜122、124及126离左边缘202进一步移位。结果，若如图2所示地光204离轴地入射于微透镜124上(入射角非0°)，则微透镜124仍可将该入射光恰当地聚焦至光敏元件104上。在所说明的实施例中，离轴地进入经移位的微透镜中的光204进一步弯曲成光206。光206接着入射到光敏元件104上。
图3为根据本发明的一个实施例的图像传感器300的平面图，其示出使波导壁偏移以补偿沿着阵列的周边的像素的“阴影(shading)”(离轴入射光)的方式。一般而言，图像传感器300包括在衬底中的二维行与列的阵列中所排列的若干光敏元件。出于清晰的目的，示出有限数目的光敏元件。然而，该阵列可包括数千行和/或列以上，或更多。类似地，该阵列可具有除了列与行以外的其他排列。
与图2类似，图3中所说明的实施例包括接近左边缘202的光敏元件106、104及102。波导壁130及132与光敏元件106相关联。波导壁132及134与光敏元件104相关联。波导壁134及136与光敏元件102相关联。参考图3，除了左边缘202之外，图像传感器300亦具有右边缘350、顶部边缘352、底部边缘354及中心360。
如先前所论述，接近阵列的边缘的像素可能接收离轴光，且所聚焦的光从其各别光敏元件的中心移位。在所说明的实施例中，光敏元件106的波导壁130及132参考光敏元件106离左边缘202移位，以允许可能是离轴入射的光引导至光敏元件106，且给相邻像素中带入减少的串扰。
光敏元件104的波导壁132及134可参考光敏元件104离左边缘202移位，以允许可能是离轴入射的光引导至光敏元件104，且给相邻像素中带入减少的串扰。然而，波导壁134参考光敏元件104离左边缘202的移位可小于波导壁130及132参考光敏元件106离左边缘202的移位，因为与光入射到与光敏元件106相关联的像素上相比较，光入射到与光敏元件104相关联的像素上虽然离轴，但可入射成更接近于光敏元件104的中心。因此，随着像素定位成进一步远离图像传感器300的中心360且更接近左边缘202，两个邻近波导壁之间的距离可减小。
穿过图像传感器300的中心360的波导壁338及340可能完全不移位，因为光可能是轴向上入射的(入射角为0°)。
在所说明的实施例中，波导壁356及358离右边缘350移位，以允许可能是接近边缘350离轴入射的光引导至对应光敏元件，且给相邻像素中带入减少的串扰。
波导壁362可离右边缘350移位，以允许可能是离轴入射的光引导至对应的光敏元件，且给相邻像素中带入减少的串扰。然而，波导壁362的离右边缘350的移位可小于波导壁356及358的离右边缘350的移位。因此，随着像素进一步远离图像传感器300的中心360且更接近右边缘350，两个邻近波导壁之间的距离可减小。
在所说明的实施例中，波导壁364及366离底部边缘354移位，以允许可能是接近边缘354离轴入射的光引导至对应的光敏元件，且给相邻像素中带入减少的串扰。类似地，随着像素进一步远离图像传感器300的中心360且更接近底部边缘354，两个邻近波导壁之间的距离可减小。
在所说明的实施例中，波导壁346及348离顶部边缘352移位，以允许可能是接近边缘352的离轴入射的光引导至对应的光敏元件，且给相邻像素中带入减少的串扰。类似地，随着像素进一步远离图像传感器300的中心360且更接近顶部边缘352，两个邻近波导壁之间的距离可减小。尽管示成栅格像素架构，但本发明的实施例可包括其它像素架构。
图4为根据本发明的一个实施例的示出基于氧化物的波导的计算机仿真光功率密度的图像传感器400的侧视图。图4示出使用基于氧化物的波导的图像传感器的蓝色像素402、绿色像素404及红色像素406的光功率密度。在所说明的实施例中，波导壁与针对蓝色滤光器、绿色滤光器及红色滤光器的滤色片之间的折射率之差分别为约0.12、0.07及0.22。波导壁的折射率比滤色片的折射率小，以形成波导结构。波导壁的折射率越小，其产生的临界角越小。临界角越小，可引导至波导中的光越多。尽管图4示出与绿色像素及蓝色像素相比，红色像素更好地聚焦，但与不具有波导壁的常规传感器(图中未示出)的状况相比，所有像素更好地聚焦光。
图5为根据本发明的一个实施例的示出基于气隙的波导的计算机仿真光功率密度的图像传感器的侧视图。图5示出将一个或多个气隙用作波导壁的图像传感器的蓝色像素502、绿色像素504及红色像素506的光功率密度。在图5所示的实施例中，波导壁与针对蓝色滤光器、绿色滤光器及红色滤光器的滤色片之间的折射率之差分别为约0.6、0.55及0.7。对于一些实施例，气隙可为较佳选择，因为其折射率可与1一样小，1为折射率的最小值。
图6为根据本发明的一个实施例的图像传感器600的截面图。除了图像传感器600为正面照明而图像传感器100为背面照明以外，图像传感器600类似于图像传感器100。虽然以相似附图标记标识相似组件，但这些组件在图像传感器600内的取向及相对位置归因于正面照明构造而不同(如所说明)。
图7为根据本发明的一个实施例的背面照明图像传感器700的截面图。除下文所概述的差别以外，图像传感器700类似于图1的图像传感器100。图像传感器700的一个替代实施例可类似于图2的图像传感器200。图像传感器700的正面照明实施例可类似于图6的图像传感器600。
图像传感器700在波导壁(730A、732A、734A、736A)与对应光敏元件(106、104、102)之间将金属壁(730B、732B、734B、736B)耦合至波导壁(730A、732A、734A、736A)，这不同于图像传感器100。层112及114为可选的。波导壁(730A、732A、734A、736A)可包括介电材料或可为滤色片之间的气隙。
取决于入射角，光可沿着波导壁传播。在不具有金属壁的情况下，波导中的光可到达光敏元件的边缘且将串扰引入至相邻光敏元件。金属壁变更波导的情形，以使沿着波导壁传播的光将被该金属壁吸收或被阻断，因此进一步减少串扰。金属壁不吸收在波导的中心传播的光。然而，波导壁没有被金属壁完全替换，因为全内反射条件可接着不复存在。将金属壁扩展正好直达微透镜的全长可导致大量光被吸收，且因此显著减少由光敏元件所检测到光。
为了说明，图8为示出波导壁为气隙时像素中的计算机仿真光功率密度的图像传感器800的侧视图。在36°入射角处，将入射光的功率沿着到达像素的边缘的波导壁指引。
图9为示出在金属壁耦合至气隙波导壁时像素中的计算机仿真光功率密度的图像传感器900的侧视图。金属壁位于坐标的原点(交叉的中心)处。显而易见，由金属壁有效地停止沿着波导壁传播的光，从而防止至相邻光敏元件的串扰。
已将本文中的方法的操作以可能是最有助于理解本发明的实施例的方式描述成依次执行的多个离散区块。然而，描述本文中的方法的操作的次序不应被解释为暗示这些操作必要地为次序相关的或以这些区块被呈现的次序来执行这些操作。当然，这些方法为示例方法，且其它方法可用以实现本发明的实施例。
以下权利要求中所使用的术语不应被解释为将本发明的实施例限于本说明书及权利要求中所揭示的特定实施例。实情为，本发明的实施例的范围是完全由以下权利要求确定，其要根据所建立的权利要求解释原则来解释。

Claims (32)

1.一种图像传感器，包括：
像素阵列，其置于半导体衬底中，所述像素阵列进一步包括：
多个光敏元件，其置于所述半导体衬底中；
多个滤色片，其置于所述半导体衬底上；以及
多个波导壁，其置于所述多个滤色片中，其中所述多个波导壁围绕着所述多个滤色片形成多个波导。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁包括介电材料。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述介电材料包括氧化物。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述介电材料包括二氧化硅。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁为气隙。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，围绕着给定滤色片的所述波导壁包括选自正方形、矩形、三角形、圆形、梯形、多边形以及椭圆形中的一形状。
7.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁包括大于或等于大约0.1微米且小于或等于大约1.2微米的高度。
8.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁包括大于或等于大约0.2微米且小于或等于大约0.8微米的高度。
9.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁比所述滤色片短。
10.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁实质上与所述滤色片一样高。
11.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，两个邻近波导壁之间的距离大于或等于大约0.2微米且小于或等于大约1.6微米。
12.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，两个邻近波导壁之间的距离大于或等于大约0.3微米且小于或等于大约1.2微米。
13.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括置于所述多个滤色片上的多个微透镜。
14.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括置于所述光敏元件与所述波导壁之间的钝化层。
15.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括置于所述光敏元件与所述波导壁之间的抗反射层。
16.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述多个滤色片中的单个滤色片及所述多个波导壁中的单个波导壁相对于对应的单个光敏元件而接近所述像素阵列的边缘地移位。
17.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述多个滤色片中的单个滤色片及所述多个波导壁中的单个波导壁接近所述像素阵列的中心地置于各自的光敏元件上。
18.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，随着波导壁进一步远离所述图像传感器的中心且越来越接近所述图像传感器的边缘，所述两个邻近波导壁之间的距离减小。
19.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素阵列在所述半导体衬底的第一面上，且金属层置在所述半导体衬底的第二面上。
20.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素阵列及所述金属层置于所述半导体衬底的同一面上。
21.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述波导壁与所述光敏元件之间将金属壁耦合至所述波导壁。
22.一种操作图像传感器的方法，包括：
在置于半导体衬底中的像素阵列处接收光，所述像素阵列具有置于所述半导体衬底中的多个光敏元件、置于所述半导体衬底上的多个滤色片、以及置于所述多个滤色片中的多个波导壁，其中所述多个波导壁围绕着所述多个滤色片形成多个波导；
在所述多个滤色片中对光进行滤光及引导；以及
将光从所述多个波导传递至所述多个光敏元件。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述波导壁为气隙。
24.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述波导壁为介电材料。
25.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述波导壁为二氧化硅材料。
26.如权利要求22所述的方法，其特征在于，在所述多个波导壁与所述多个光敏元件之间将多个金属壁耦合至所述多个波导壁。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，还包括吸收沿着所述多个波导壁传播的光。
28.一种图像传感器，包括：
像素阵列，其置于半导体衬底中，所述像素阵列进一步包括：
多个光敏元件，其置于所述半导体衬底中；
多个滤色片，其置于所述半导体衬底上；
多个波导壁，其置于所述多个滤色片中，其中所述多个波导壁围绕着所述多个滤色片形成多个波导；以及
多个金属壁，其在所述多个波导壁与所述多个光敏元件之间耦合至所述多个波导壁。
29.如权利要求28所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁包括介电材料。
30.如权利要求28所述的图像传感器，其特征在于，所述波导壁为气隙。
31.如权利要求28所述的图像传感器，其特征在于，所述多个滤色片中的单个滤色片及所述多个波导壁中的单个波导壁相对于单个光敏元件而接近所述像素阵列的边缘地移位。
32.如权利要求28所述的图像传感器，其特征在于，随着波导壁进一步远离所述图像传感器的中心且越来越接近所述图像传感器的边缘，所述邻近两个波导壁之间的距离减小。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102779826A (zh) * 2012-08-15 2012-11-14 豪威科技(上海)有限公司 背照式cmos影像传感器
CN103426890A (zh) * 2012-05-21 2013-12-04 台湾积体电路制造股份有限公司 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构
CN104157657A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 联咏科技股份有限公司 影像感测器
CN105489623A (zh) * 2014-10-03 2016-04-13 全视科技有限公司 图像传感器、成像系统及图像传感器制作的方法
CN105789362A (zh) * 2014-11-13 2016-07-20 采钰科技股份有限公司 影像感测器
CN106057833A (zh) * 2015-04-10 2016-10-26 采钰科技股份有限公司 影像感测器
CN107316878A (zh) * 2016-04-26 2017-11-03 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 背照式cmos图像传感器的制备方法
CN108257985A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 三星电子株式会社 光传感器
CN112840187A (zh) * 2018-07-30 2021-05-25 西利奥斯技术公司 具有串扰限制装置的多光谱成像传感器

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5164509B2 (ja) * 2007-10-03 2013-03-21 キヤノン株式会社 光電変換装置、可視光用光電変換装置及びそれらを用いた撮像システム
JP5471117B2 (ja) 2009-07-24 2014-04-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
US8269264B2 (en) 2009-11-09 2012-09-18 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having waveguides formed in color filters
WO2011142065A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US8981510B2 (en) * 2010-06-04 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ridge structure for back side illuminated image sensor
KR101703746B1 (ko) * 2010-06-04 2017-02-08 삼성전자주식회사 빛 샘 보상을 하는 단위이미지센서, 상기 단위이미지센서로 구현된 이미지센서어레이 및 상기 이미지센서어레이의 빛 샘 보상방법
US8956909B2 (en) 2010-07-16 2015-02-17 Unimicron Technology Corporation Method of fabricating an electronic device comprising photodiode
TWI534995B (zh) * 2010-07-16 2016-05-21 欣興電子股份有限公司 電子裝置及其製法
WO2012073402A1 (ja) * 2010-12-01 2012-06-07 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US9093579B2 (en) * 2011-04-28 2015-07-28 Semiconductor Components Industries, Llc Dielectric barriers for pixel arrays
JP2013156463A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Fujifilm Corp 撮像素子
US9373732B2 (en) * 2012-02-07 2016-06-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with reflective optical cavity pixels
US9219092B2 (en) 2012-02-14 2015-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Grids in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same
US9721984B2 (en) * 2012-04-12 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor manufacturing methods
US9224770B2 (en) 2012-04-26 2015-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor device and method
US8530266B1 (en) 2012-07-18 2013-09-10 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having metal grid with a triangular cross-section
KR102056141B1 (ko) * 2013-02-25 2019-12-16 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
US9224782B2 (en) * 2013-04-19 2015-12-29 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with reference pixels for image flare mitigation
US9214487B2 (en) * 2013-05-13 2015-12-15 Novatek Microelectronics Corp. Image sensor having light distributing element
US20140339615A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 ViaEra Technologies Company Limited Bsi cmos image sensor
JP6192379B2 (ja) * 2013-06-18 2017-09-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US9514986B2 (en) 2013-08-28 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device with capped through-substrate via structure
US9543343B2 (en) 2013-11-29 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for forming image sensor device
KR102128467B1 (ko) 2014-01-09 2020-07-09 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서를 포함하는 영상 촬영 장치
US9293490B2 (en) * 2014-03-14 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Deep trench isolation with air-gap in backside illumination image sensor chips
US9412775B2 (en) * 2014-03-20 2016-08-09 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging devices and methods of fabricating the same
KR102268712B1 (ko) 2014-06-23 2021-06-28 삼성전자주식회사 자동 초점 이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 영상 처리 장치
CN106796942A (zh) * 2014-10-03 2017-05-31 索尼半导体解决方案公司 固态成像元件、制造方法和电子设备
FR3030884B1 (fr) * 2014-12-19 2016-12-30 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Structure de pixel a multiples photosites
US9276029B1 (en) * 2015-01-20 2016-03-01 Omnivision Technologies, Inc. Optical isolation grid over color filter array
US10119915B2 (en) 2015-04-09 2018-11-06 Visera Technologies Company Limited Detection device for specimens
US9991307B2 (en) 2015-04-16 2018-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Stacked grid design for improved optical performance and isolation
US20160307942A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Deeply buried color filter array (cfa) by stacked grid structure
US9853076B2 (en) * 2015-04-16 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Stacked grid for more uniform optical input
US10515991B2 (en) * 2015-04-17 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
US9497366B1 (en) * 2015-05-27 2016-11-15 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with integrated light shield structures
US9786705B2 (en) 2015-12-21 2017-10-10 Qualcomm Incorporated Solid state image sensor with extended spectral response
JP6728820B2 (ja) * 2016-03-18 2020-07-22 凸版印刷株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR102600673B1 (ko) 2016-08-05 2023-11-13 삼성전자주식회사 이미지 센서
US10121809B2 (en) 2016-09-13 2018-11-06 Omnivision Technologies, Inc. Backside-illuminated color image sensors with crosstalk-suppressing color filter array
US10103194B2 (en) * 2016-09-26 2018-10-16 Omnivision Technologies, Inc. Self-aligned optical grid on image sensor
EP3343619A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-04 Thomson Licensing An image sensor comprising at least one sensing unit with light guiding means
EP3419053A1 (en) 2017-06-21 2018-12-26 Life Technologies GmbH Optical component with waveguide based filter
EP3462495A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-03 Thomson Licensing Enhanced light capture image sensor
KR102506837B1 (ko) * 2017-11-20 2023-03-06 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
CN108281447A (zh) * 2018-01-30 2018-07-13 德淮半导体有限公司 半导体装置及其制作方法
KR102606735B1 (ko) * 2018-06-19 2023-11-28 에스케이하이닉스 주식회사 반사 방지층 내에 매립된 그리드 패턴들을 갖는 이미지 센서
TWI664450B (zh) * 2018-09-14 2019-07-01 世界先進積體電路股份有限公司 光學感應器及其形成方法
US10935805B2 (en) 2019-01-31 2021-03-02 Vanguard International Semiconductor Corporation Optical sensor and method for forming the same
KR102658571B1 (ko) 2019-06-11 2024-04-19 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법
US20220246659A1 (en) * 2019-07-11 2022-08-04 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and imaging apparatus
US10847564B1 (en) 2019-07-24 2020-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Charge release layer to remove charge carriers from dielectric grid structures in image sensors
KR102696964B1 (ko) 2019-08-26 2024-08-21 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR20210039550A (ko) 2019-10-02 2021-04-12 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR20210045872A (ko) 2019-10-17 2021-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US11227847B2 (en) * 2020-03-04 2022-01-18 Cisco Technology, Inc. Integrated decoupling capacitors
JP7417819B1 (ja) 2022-11-17 2024-01-19 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030038326A1 (en) * 2001-08-23 2003-02-27 Duane Fasen Bottom antireflection coating color filter process for fabricating solid state image sensors
US20080036020A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Teng-Yuan Ko Image sensor with a waveguide tube and a related fabrication method
US20090272880A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Micron Technology, Inc. Guided-mode-resonance transmission color filters for color generation in cmos image sensors

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1107316A3 (en) * 1999-12-02 2004-05-19 Nikon Corporation Solid-state image sensor, production method of the same and digital camera
JP2001237405A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US7189957B2 (en) * 2005-02-25 2007-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods to improve photonic performances of photo-sensitive integrated circuits
US7265328B2 (en) * 2005-08-22 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing an optical guide for an imager pixel having a ring of air-filled spaced slots around a photosensor
US7315014B2 (en) * 2005-08-30 2008-01-01 Micron Technology, Inc. Image sensors with optical trench
US20070187787A1 (en) * 2006-02-16 2007-08-16 Ackerson Kristin M Pixel sensor structure including light pipe and method for fabrication thereof
US20070238035A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus defining a color filter array for an image sensor
US8395686B2 (en) * 2007-12-06 2013-03-12 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera
US20090189055A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Visera Technologies Company Limited Image sensor and fabrication method thereof
US7800192B2 (en) * 2008-02-08 2010-09-21 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated image sensor having deep light reflective trenches
US7859033B2 (en) * 2008-07-09 2010-12-28 Eastman Kodak Company Wafer level processing for backside illuminated sensors
US8269264B2 (en) 2009-11-09 2012-09-18 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having waveguides formed in color filters

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030038326A1 (en) * 2001-08-23 2003-02-27 Duane Fasen Bottom antireflection coating color filter process for fabricating solid state image sensors
US20080036020A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Teng-Yuan Ko Image sensor with a waveguide tube and a related fabrication method
US20090272880A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Micron Technology, Inc. Guided-mode-resonance transmission color filters for color generation in cmos image sensors

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103426890A (zh) * 2012-05-21 2013-12-04 台湾积体电路制造股份有限公司 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构
CN102779826A (zh) * 2012-08-15 2012-11-14 豪威科技(上海)有限公司 背照式cmos影像传感器
CN104157657B (zh) * 2013-05-13 2017-04-12 联咏科技股份有限公司 影像感测器
CN104157657A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 联咏科技股份有限公司 影像感测器
CN105489623A (zh) * 2014-10-03 2016-04-13 全视科技有限公司 图像传感器、成像系统及图像传感器制作的方法
CN105489623B (zh) * 2014-10-03 2018-12-11 豪威科技股份有限公司 图像传感器、成像系统及图像传感器制作的方法
US9825078B2 (en) 2014-11-13 2017-11-21 Visera Technologies Company Limited Camera device having an image sensor comprising a conductive layer and a reflection layer stacked together to form a light pipe structure accommodating a filter unit
CN105789362A (zh) * 2014-11-13 2016-07-20 采钰科技股份有限公司 影像感测器
CN106057833A (zh) * 2015-04-10 2016-10-26 采钰科技股份有限公司 影像感测器
CN106057833B (zh) * 2015-04-10 2019-08-23 采钰科技股份有限公司 影像感测器
US10462431B2 (en) 2015-04-10 2019-10-29 Visera Technologies Company Limited Image sensors
CN107316878A (zh) * 2016-04-26 2017-11-03 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 背照式cmos图像传感器的制备方法
CN107316878B (zh) * 2016-04-26 2020-03-13 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 背照式cmos图像传感器的制备方法
CN108257985A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 三星电子株式会社 光传感器
CN108257985B (zh) * 2016-12-28 2024-04-09 三星电子株式会社 光传感器
CN112840187A (zh) * 2018-07-30 2021-05-25 西利奥斯技术公司 具有串扰限制装置的多光谱成像传感器
CN112840187B (zh) * 2018-07-30 2024-05-17 西利奥斯技术公司 具有串扰限制装置的多光谱成像传感器

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Denomination of invention: Image sensor having waveguides formed in color filters

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