CN103426890A - 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 - Google Patents
降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103426890A CN103426890A CN2012103095127A CN201210309512A CN103426890A CN 103426890 A CN103426890 A CN 103426890A CN 2012103095127 A CN2012103095127 A CN 2012103095127A CN 201210309512 A CN201210309512 A CN 201210309512A CN 103426890 A CN103426890 A CN 103426890A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grid
- pixel region
- colour filter
- semiconductor device
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。
Description
技术领域
本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及减低串扰和提高量子效率的图像传感器结构。
背景技术
互补金属氧化物半导体图像传感器通常利用形成在半导体衬底的像素区域阵列内的一系列光电二极管，以在光撞击光电二极管时进行感测。在每个像素区域内与每个光电二极管相邻可以形成转移晶体管，以在期望时间传送由光电二极管内的感测光所生成的信号。这种光电二极管和转移二极管允许通过在期望时间操作转移晶体管来在期望时间捕获图像。
通常可以在前照式结构和背照式结构中形成互补金属氧化物半导体图像传感器。在前照式结构中，光从图像传感器的形成转移晶体管的“前”侧穿过光电二极管。然而，迫使光在到达光电二极管之前穿过任何上覆的金属层、介电层并经过转移晶体管会产生加工和/或操作间题，因为金属层、介电层和转移晶体管不一定必须是半透明且容易允许光穿过。
在背照式结构中，转移晶体管、金属层和介电层形成在衬底的前侧上，光从衬底的“背”侧穿过光电二极管，使得光在到达转移晶体管、介电层或金属层之前撞击光电二极管。这种结构可以降低制造图像传感器及其操作的复杂度。
然而，互相相邻的像素区域会干扰彼此的操作，这已知为串扰。当光从一个像素区域进入相邻的像素区域时会出现串扰，从而使得相邻的像素区域感测到光。这种串扰会降低图像传感器的精度和量子效率。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括像素区域，像素区域结合光电二极管；栅格，设置在衬底之上，栅格具有限定腔的壁，腔与像素区域垂直对准；以及滤色器，设置在栅格的壁之间的腔中。
优选地，栅格是金属。
更优选地，金属是钨。
更优选地，金属是铝和铜中的一种。
优选地，栅格包括低折射率材料。
更优选地，低折射率材料是氧化物。
优选地，栅格设置在背照式膜的上方。
优选地，滤色器包括聚合物。
优选地，微透镜设置在滤色器的顶面上方和与滤色器相邻的栅格的壁的顶面上方。
优选地，栅格被配置为将光导向光电二极管。
优选地，栅格被配置为抑制光学串扰。
根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括像素区域，每个像素区域都结合光电二极管；栅格，设置在衬底之上，栅格具有限定腔的壁，每个腔都与一个像素区域垂直对准；滤色器，设置在每个腔中；以及微透镜，设置在每个滤色器之上。
优选地，栅格包括一种金属和一种低折射率介电材料。
优选地，滤色器的顶面与邻近滤色器的所述栅格的壁的顶面基本共面。
优选地，栅格抑制结合到相邻像素区域中的光电二极管之间的光学串扰。
根据本发明的又一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体器件的像素区域中形成光电二极管；在衬底上方沉积覆盖栅格层；对覆盖栅格层进行图案化以形成栅格，栅格具有限定腔的壁，腔垂直设置在像素区域上方；以及用滤色器填充所述腔。
优选地，该方法进一步包括：在滤色器的顶面上方沉积微透镜。
优选地，该方法进一步包括：在与滤色器相邻的栅格的壁的顶面上方沉积微透镜。
优选地，在衬底上方沉积覆盖栅格层包括沉积金属。
优选地，在衬底上方沉积覆盖栅格层包括沉积钨。
附图说明
为了更加完整地理解本公开及其优点，现在结合附图进行以下描述，其中：
图1是具有金属栅格形式的图像传感器结构的示例性半导体器件的截面。
图2是图1的栅格的俯视图。
图3是填充可变颜色的滤色器的示例性栅格的顶部的截面；以及
图4a-4g示意性示出了形成具有图1金属栅格形式的图像传感器结构的半导体器件的方法实施例。
具体实施方式
下面详细讨论目前优选实施例的制造和使用。然而，应该理解，本公开提供了许多可以在各种具体环境中具体化的可应用发明概念。所讨论的具体实施例只是说明性的而不限制本公开的范围。
在具体环境(即，半导体器件)下参照优选实施例描述本公开。然而，本公开的概念同样应用于其他半导体结构或电路。
统一参照图1至图3，示出了半导体器件10的实施例。图1是具有包括各种像素区域的图像传感器结构的半导体器件10的截面图。图2是图1的图像传感器结构中的像素区域的放大顶视图。图3是沿图2中的线A-A’的像素区域的截面图。如以下更完整解释的，半导体器件10包括图像传感器结构，用于减少或消除光学串扰并提高量子效率。图像传感器结构包括各种部件，诸如像素区域、暗电平校正部件和结合焊盘结构。如图1至图3所示，半导体器件10包括衬底12、栅格14和滤色器16。在一个实施例中，衬底12由硅形成。然而，在其他实施例中，衬底12可以由其他适当的半导体材料形成。衬底12具有前表面12A和后表面12B。
如图1所示，在一个实施例中，在衬底12的后表面12B上方和在栅格14下方形成抗反射涂层(ARC)18和等离子体增强氧化物(PEOx)20。抗反射涂层18和等离子体增强氧化物20在本文可以统称为背照式(BSI)膜22。此外，在衬底12下方，可以在前表面12A之上形成层间介电层24。在一个实施例中，可以在衬底12的一部分和层间介电层24之间从前表面12A延伸形成浅沟槽隔离(STI)区域26。
依然参照图1，碳化硅(SiC)层28、金属层(或多个金属层)30和金属间介电层32可以被设置在层间介电层24下方。可以在图1中的底部碳化硅层28的下方以及在顶侧金属34(例如，铝铜AlCu)和非掺杂硅酸盐玻璃(USG)层36之上设置各种结构。
参照图1至图3，栅格14通常设置在衬底12的后表面12B之上。在一个实施例中，栅格14被设置在等离子体增强氧化物层18上。在一个实施例中，栅格14由金属38形成，例如钨、铝、铜、合金或复合材料。在一个实施例中，栅格由低折射率材料形成，诸如氧化物。如图1和图2所示，栅格14具有在衬底12上方突出并在其间形成腔42的壁40。
如图2所示，滤色器16被沉积在通过栅格14形成的每个腔42内。在图2中，滤色器16以图示形式通过“W”表示白色、通过“G”表示、通过“B”表示蓝色以及通过“R”表示红色。现在参照图3，每个滤色器16都设置在衬底12中的像素区域44的上方。也就是说，保持滤色器16的腔42通常与下面的像素区域44垂直对准。像素区域44各自支撑或结合光电二极管46和相应的图像传感器电路(例如，晶体管等)。
依然参照图3，栅格14被配置为将可见光导向光电二极管46。此外，栅格14被配置为抑制或防止设置在相邻像素区域44中的光电二极管46之间的光学串扰。栅格14还用于提高或维持半导体器件10中的量子效率。此外，相对于传统或已知的器件，栅格14降低了光学路径，其在一个实施例中包括包括滤色器16、等离子体增强氧化物20、抗反射涂层18、设置在像素区域44之上的一部分衬底12、光电二极管46和像素区域44。
在一个实施例中，滤色器16分别由适合的聚合物材料形成。然而，在其他实施例中还可以使用其他合适的滤色器材料。在一个实施例中，如图3所示，滤色器16的顶面48通常与栅格14的壁40的顶面50共面。
现在参照图4a-4g，示出了形成图1至图3的半导体器件10的方法52的实施例。如图4a所示，在抗反射涂层20上沉积等离子体增强氧化物层18。在一个实施例中，使用化学汽相沉积(CVD)工艺形成等离子体增强氧化物层20。如图所示，等离子体增强氧化物层20通常设置在硅衬底12的后表面12B和半导体器件10的各种其他结构之上，这在上面已经进行了详细描述。
在图4b中，栅格层54沉积在等离子体增强氧化物层20之上。栅格层54可以通过铺设钨、铜、铝或其他金属38、合金或复合材料形成。在一个实施例中，栅格层54可以由氧化物或其他具有低折射率的适当材料形成。此后，如图4c所示，使用光刻胶56执行背侧金属栅格光刻工艺。
如图4d所示，执行背侧金属栅格蚀刻工艺以去除金属栅格层54通过光刻胶56露出的选择部分。如这里所使用的，光刻工艺和蚀刻工艺可以统称为图案化。去除图4d的金属栅格层54的选择部分留下图4e所示的金属栅格14。如图4e所示，由栅格14的壁40限定的腔42设置在下面的像素区域44上方并与其垂直对准。
现在参照图4f，滤色器16被沉积在BSI膜(即，等离子体增强氧化物层20和抗反射涂层18)上并设置在腔42内(参见图4e)。换句话说，滤色器16填满由栅格14限定的腔42。如此，每个滤色器16都垂直设置在下面的像素区域44上方并与其对准。滤色器16可以是各种不同颜色中的一种，诸如红色、绿色、蓝色和白色。如图4g所示，微透镜58沉积在滤色器16的顶面48和/或与滤色器16相邻的栅格14的壁40的顶面50之上。
如图4f所示，图4f的半导体器件10中不具有传统图像传感器件中的额外薄膜堆叠层。确实，半导体器件10在滤色器16和像素区域44之间具有数量有限的材料/层。此外，半导体器件10中的每个滤色器16通常都通过栅格14与相邻的滤色器16分离。此外，由于滤色器16和例如顶侧金属34之间有限的层和结构，半导体器件10具有较低的阶梯高度。
一种半导体器件，包括衬底、栅格和滤色器。衬底包括结合光电二极管的像素区域。栅格设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁。滤色器设置在栅格的壁之间的腔中。
一种半导体器件，包括衬底、栅格和滤色器。衬底包括像素区域。每个像素区域都结合光电二极管。栅格设置在衬底的上方并具有限定腔的壁。每个腔都与一个像素区域垂直对准。在每个腔中设置一个滤色器。
一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的像素区域中形成光电二极管；在衬底上方沉积覆盖栅格层；对覆盖栅格层进行图案化以形成栅格，栅格具有限定腔的壁，腔垂直设置在像素区域之上；以及用滤色器填充腔。
尽管本公开提供了说明性的实施例，但是该描述不用于限制。本领域技术人员在参照这种描述的基础上可以进行各种修改和示例性实施例的组合以及其他实施例。因此，所附权利要求包括任何这种修改或实施例。
Claims (10)
1.一种半导体器件，包括：
衬底，包括像素区域，所述像素区域结合光电二极管；
栅格，设置在所述衬底之上，所述栅格具有限定腔的壁，所述腔与所述像素区域垂直对准；以及
滤色器，设置在所述栅格的壁之间的腔中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅格是金属。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅格包括低折射率材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅格设置在背照式膜的上方。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述滤色器包括聚合物。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，微透镜设置在所述滤色器的顶面上方和与所述滤色器相邻的所述栅格的壁的顶面上方。
7.一种半导体器件，包括：
衬底，包括像素区域，每个像素区域都结合光电二极管；
栅格，设置在所述衬底之上，所述栅格具有限定腔的壁，每个腔都与一个像素区域垂直对准；
滤色器，设置在每个腔中；以及
微透镜，设置在每个滤色器之上。
8.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体器件的像素区域中形成光电二极管；
在所述衬底上方沉积覆盖栅格层；
对所述覆盖栅格层进行图案化以形成栅格，所述栅格具有限定腔的壁，所述腔垂直设置在所述像素区域上方；以及
用滤色器填充所述腔。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在所述滤色器的顶面上方沉积微透镜。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在与所述滤色器相邻的所述栅格的壁的顶面上方沉积微透镜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710859812.5A CN107482028B (zh) | 2012-05-21 | 2012-08-27 | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/476,785 | 2012-05-21 | ||
| US13/476,785 US9455288B2 (en) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Image sensor structure to reduce cross-talk and improve quantum efficiency |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710859812.5A Division CN107482028B (zh) | 2012-05-21 | 2012-08-27 | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103426890A true CN103426890A (zh) | 2013-12-04 |
Family
ID=49580652
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012103095127A Pending CN103426890A (zh) | 2012-05-21 | 2012-08-27 | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 |
| CN201710859812.5A Active CN107482028B (zh) | 2012-05-21 | 2012-08-27 | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710859812.5A Active CN107482028B (zh) | 2012-05-21 | 2012-08-27 | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9455288B2 (zh) |
| JP (2) | JP2013243364A (zh) |
| CN (2) | CN103426890A (zh) |
| TW (1) | TWI520317B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108183114A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-19 | 德淮半导体有限公司 | 背照式图像传感器及其形成方法 |
| CN113725240A (zh) * | 2020-08-11 | 2021-11-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9224770B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor device and method |
| US9502453B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-11-22 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state imaging devices |
| US9887234B2 (en) | 2014-01-24 | 2018-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | CMOS image sensor and method for forming the same |
| KR102192570B1 (ko) | 2014-07-30 | 2020-12-17 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터들 사이에 위치하는 금속 패턴을 포함하는 이미지 센서 |
| US10367019B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS image sensor structure with crosstalk improvement |
| US9437645B1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Composite grid structure to reduce cross talk in back side illumination image sensors |
| TWI572024B (zh) | 2015-07-06 | 2017-02-21 | 力晶科技股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
| US9786704B2 (en) * | 2015-09-10 | 2017-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS image sensor structure with crosstalk improvement |
| US10684400B2 (en) * | 2018-08-03 | 2020-06-16 | Visera Technologies Company Limited | Optical elements and method for fabricating the same |
| CN110828490B (zh) * | 2018-08-07 | 2023-05-23 | 联华电子股份有限公司 | 背照式影像传感器 |
| US10854647B2 (en) | 2018-11-30 | 2020-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photo diode with dual backside deep trench isolation depth |
| KR102651605B1 (ko) | 2019-01-11 | 2024-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| KR20210055418A (ko) * | 2019-11-07 | 2021-05-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
| US11508752B2 (en) * | 2019-12-17 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grid structure to reduce domain size in ferroelectric memory device |
| CN116114068A (zh) * | 2020-09-08 | 2023-05-12 | 华为技术有限公司 | 图像传感器及装置 |
| US20220336505A1 (en) * | 2021-04-19 | 2022-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Csi with controllable isolation structure and methods of manufacturing and using the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100060769A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-11 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
| CN102097445A (zh) * | 2009-11-09 | 2011-06-15 | 美商豪威科技股份有限公司 | 具有在滤色片中形成的波导的图像传感器 |
| US20110207250A1 (en) * | 2007-06-14 | 2011-08-25 | Shinji Uya | Back-illuminated type imaging device and fabrication method thereof |
| US20110291219A1 (en) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | Doo-Won Kwon | Backside illumination image sensor, method of fabricating the same, and electronic system including the backside illumination image sensor |
| CN102318064A (zh) * | 2008-02-11 | 2012-01-11 | 美商豪威科技股份有限公司 | 图像传感器的自对准滤光片 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336203A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Toshiba Corp | 固体カラ−撮像素子及びその製造方法 |
| JPH0653451A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
| JPH10163462A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sony Corp | マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法 |
| US5949143A (en) | 1998-01-22 | 1999-09-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor interconnect structure with air gap for reducing intralayer capacitance in metal layers in damascene metalization process |
| US20020153478A1 (en) | 2001-04-18 | 2002-10-24 | Chih-Hsing Hsin | Method of preventing cross talk |
| JP2004095916A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006128433A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sony Corp | 光フィルタ付き光学装置及びその製造方法 |
| KR100672660B1 (ko) | 2004-12-24 | 2007-01-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7638852B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor |
| US7924504B2 (en) * | 2008-01-01 | 2011-04-12 | United Microelectronics Corp. | Color filter structure having inorganic layers |
| US7800192B2 (en) | 2008-02-08 | 2010-09-21 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated image sensor having deep light reflective trenches |
| JP2010010478A (ja) | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置 |
| KR20100035439A (ko) | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20100064699A (ko) * | 2008-12-05 | 2010-06-15 | 삼성전자주식회사 | 후면 조명 구조의 이미지 센서 |
| US8502130B2 (en) | 2008-12-22 | 2013-08-06 | Candela Microsystems (S) Pte. Ltd. | Light guide array for an image sensor |
| KR101550435B1 (ko) | 2009-01-14 | 2015-09-04 | 삼성전자주식회사 | 후면 수광 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP2010192705A (ja) | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器、および、その製造方法 |
| JP2010258157A (ja) | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4444371B1 (ja) | 2009-09-01 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
| JP2011054741A (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Toshiba Corp | 裏面照射型固体撮像装置 |
| JP2011077410A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP5430387B2 (ja) | 2009-12-22 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
| JP5853351B2 (ja) | 2010-03-25 | 2016-02-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2011258728A (ja) | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
| KR101688084B1 (ko) | 2010-06-30 | 2016-12-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 패키지 |
| JP5640630B2 (ja) | 2010-10-12 | 2014-12-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
| KR101850540B1 (ko) * | 2010-10-13 | 2018-04-20 | 삼성전자주식회사 | 후면 수광 이미지 센서를 갖는 반도체 소자 |
| JP4872023B1 (ja) * | 2011-04-22 | 2012-02-08 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4872024B1 (ja) * | 2011-04-22 | 2012-02-08 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US8405182B2 (en) * | 2011-05-02 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Back side illuminated image sensor with improved stress immunity |
| JP2013229446A (ja) | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Sharp Corp | 固体撮像素子及び固体撮像の製造方法 |
| US9224770B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor device and method |
-
2012
- 2012-05-21 US US13/476,785 patent/US9455288B2/en active Active
- 2012-08-27 CN CN2012103095127A patent/CN103426890A/zh active Pending
- 2012-08-27 CN CN201710859812.5A patent/CN107482028B/zh active Active
- 2012-09-10 TW TW101132934A patent/TWI520317B/zh active
-
2013
- 2013-05-20 JP JP2013106163A patent/JP2013243364A/ja active Pending
-
2016
- 2016-09-23 JP JP2016185520A patent/JP6325620B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110207250A1 (en) * | 2007-06-14 | 2011-08-25 | Shinji Uya | Back-illuminated type imaging device and fabrication method thereof |
| CN102318064A (zh) * | 2008-02-11 | 2012-01-11 | 美商豪威科技股份有限公司 | 图像传感器的自对准滤光片 |
| US20100060769A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-11 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
| CN102097445A (zh) * | 2009-11-09 | 2011-06-15 | 美商豪威科技股份有限公司 | 具有在滤色片中形成的波导的图像传感器 |
| US20110291219A1 (en) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | Doo-Won Kwon | Backside illumination image sensor, method of fabricating the same, and electronic system including the backside illumination image sensor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108183114A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-19 | 德淮半导体有限公司 | 背照式图像传感器及其形成方法 |
| CN113725240A (zh) * | 2020-08-11 | 2021-11-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
| CN113725240B (zh) * | 2020-08-11 | 2024-09-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107482028B (zh) | 2020-10-30 |
| JP2016225660A (ja) | 2016-12-28 |
| TW201349471A (zh) | 2013-12-01 |
| JP2013243364A (ja) | 2013-12-05 |
| CN107482028A (zh) | 2017-12-15 |
| US9455288B2 (en) | 2016-09-27 |
| US20130307104A1 (en) | 2013-11-21 |
| TWI520317B (zh) | 2016-02-01 |
| JP6325620B2 (ja) | 2018-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103426890A (zh) | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 | |
| US20240222405A1 (en) | Image sensors with light channeling reflective layers therein | |
| US9412775B2 (en) | Solid-state imaging devices and methods of fabricating the same | |
| US9478581B2 (en) | Grids in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same | |
| US9978784B2 (en) | Grids in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same | |
| KR100660714B1 (ko) | 백사이드 조명 구조의 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| TWI452683B (zh) | 半導體元件及其製造方法 | |
| CN102194844B (zh) | 固态图像传感器 | |
| KR101489038B1 (ko) | 개선된 반사성의 이미지 센서용 광학 그리드를 위한 방법 및 장치 | |
| CN103426893B (zh) | 具有分离的滤色器的bsi图像传感器芯片及其形成方法 | |
| JP6095268B2 (ja) | 固体撮像装置、及び撮像システム | |
| CN113314554B (zh) | 半导体器件和图像传感器以及制造图像传感器的方法 | |
| CN101211837B (zh) | Cmos图像传感器及其制备方法 | |
| WO2013031160A1 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP4846878B1 (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN107482026A (zh) | 防止划片损伤的cmos图像传感器结构及其制作方法 | |
| TWI521685B (zh) | 影像感測器及其製作方法 | |
| JP2015233079A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2017092499A (ja) | 固体撮像装置、及び撮像システム | |
| KR20080061026A (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| CN107706201A (zh) | 一种减小暗电流的背照式像素单元结构及其形成方法 | |
| KR20050020022A (ko) | 이미지 센서 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20131204 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |