CN102082209B - 一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法 - Google Patents
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- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 19
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法，其特征在于，它是使用传统的细栅网版和浆料工艺，印刷栅线后把印刷烧结好正电极的电池片浸泡在稀硝酸溶液里，然后通过电镀银增加栅线的电导率。本发明设备投资少，方法简单，生产率高，适用于工业化大规模的生产。
Description
技术领域
本发明涉及电池技术领域，更具体的是涉及一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，又叫光伏器件。将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，又称太阳能电池或光电池，是太阳电池阵电源系统的重要元件。太阳能电池主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等。单晶硅太阳电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅，包括p-n结、电极和减反射膜等部分，受光照面加透光盖片（如石英或渗铈玻璃）保护，防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。
太阳能电池的制造过程分为六个主要步骤，依次对硅片采用制绒，扩散，刻蚀，镀膜，丝网印刷和烧结六个工艺处理步骤就可以完成太阳能电池的制作。
其中，丝网印刷工艺的目的是采用丝网印刷机器和网版技术在硅片的正面和背面印刷电极。一般在硅片正面印刷银浆料形成银栅线电极图案。丝网印刷机器通过刮刀挤压网版中的银浆料，在压力作用下银浆料透过带有电极图案的网版丝网印刷到硅片正面。网版丝网由编织的网布和涂覆在网布上的感光胶组成，网版丝网可以设计不同宽度的栅线电极图案，有感光胶的地方不能透过浆料，没有感光胶的网布位置可以透过浆料。
为了吸收更多的太阳光，减少正面银电极的遮挡面积，需要印刷宽度更细的银栅线。由于浆料的流动性和丝网的弹性张力，银浆料印刷到硅片上形成电极后，栅线线宽会增加20微米左右。目前行业内一般设计80微米线宽的网版，实际银电极栅线宽度达到100微米。但是，如果网版的线宽设计太窄，印刷后的栅线质量就会很差，栅线边缘将呈现锯齿状，实际线宽仍然很宽。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种设备投资少，方法简单，生产率高，适用于工业化大规模的生产的丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法。
本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法，其特征在于，它是使用传统的细栅网版和浆料工艺，印刷栅线后把印刷烧结好正电极的电池片浸泡在稀硝酸溶液里，然后通过电镀银增加栅线的电导率。
作为上述方案的进一步说明，它是使用传统的40微米细栅网版和浆料工艺，印刷后的实际线宽为60微米；把印刷烧结好正电极的电池片浸泡在稀硝酸溶液里，印刷栅线两侧的银浆包括边缘处呈锯齿状的零星银浆将首先被腐蚀掉，腐蚀后的栅线边缘整齐，宽度控制在50微米。
本发明采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是：
本发明使用传统的40微米细栅网版和浆料工艺，印刷后的实际线宽大约在60微米，而且栅线的边缘呈锯齿状，不整齐，对后续的电镀有很大影响；把印刷烧结好正电极的电池片浸泡在稀硝酸溶液里，由于烧结后的栅线中间厚两边薄，两侧的银浆包括边缘处呈锯齿状的零星银浆将首先被腐蚀掉，腐蚀后的栅线边缘整齐，宽度可以控制在50微米左右，然后通过电镀银增加栅线的电导率。
具体实施方式
如图1所示，本发明一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法，使用传统的40微米细栅网版和浆料工艺，印刷后的实际线宽大约在60微米，而且栅线的边缘呈锯齿状，不整齐，对后续的电镀有很大影响。把印刷烧结好正电极的电池片浸泡在稀硝酸溶液里，由于烧结后的栅线中间厚两边薄，两侧的银浆包括边缘处呈锯齿状的零星银浆将首先被腐蚀掉，腐蚀后的栅线边缘整齐，宽度可以控制在50微米左右，然后通过电镀银增加栅线的电导率。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法，其特征在于，它是使用细栅网版和浆料工艺，印刷栅线后把印刷烧结好正电极的电池片浸泡在稀硝酸溶液里，然后通过电镀银增加栅线的电导率。
2、根据权利要求1所述的丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法，其特征在于，它是使用40微米细栅网版和浆料工艺，印刷后的实际线宽为60微米；把印刷烧结好正电极的电池片浸泡在稀硝酸溶液里，印刷栅线两侧的银浆包括边缘处呈锯齿状的零星银浆将首先被腐蚀掉，腐蚀后的栅线边缘整齐，宽度控制在50微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105941893A CN102082209B (zh) | 2010-12-18 | 2010-12-18 | 一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105941893A CN102082209B (zh) | 2010-12-18 | 2010-12-18 | 一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102082209A CN102082209A (zh) | 2011-06-01 |
| CN102082209B true CN102082209B (zh) | 2013-08-28 |
Family
ID=44088053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010105941893A Active CN102082209B (zh) | 2010-12-18 | 2010-12-18 | 一种丝网印刷技术印刷晶硅太阳电池细栅线方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102082209B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102437235A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-05-02 | 浙江正国太阳能科技有限公司 | 晶体硅太阳能增强栅线导电性方法 |
| CN102560643B (zh) * | 2011-12-29 | 2015-09-30 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种用于制备胶体晶体的模板及制作该模板的工艺方法 |
| CN103192597A (zh) * | 2012-01-09 | 2013-07-10 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种太阳能网板 |
| CN102632733A (zh) * | 2012-04-18 | 2012-08-15 | 常州比太科技有限公司 | 一种形成银线的方法 |
| CN103887349A (zh) * | 2014-04-03 | 2014-06-25 | 苏州大学 | 无氰电镀银栅多晶硅电池片及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101447531A (zh) * | 2008-12-22 | 2009-06-03 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池正面电极的制备方法 |
| CN201349007Y (zh) * | 2008-09-28 | 2009-11-18 | 宁波百事德太阳能科技有限公司 | 一种利用低效片重处理的太阳能电池片 |
-
2010
- 2010-12-18 CN CN2010105941893A patent/CN102082209B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201349007Y (zh) * | 2008-09-28 | 2009-11-18 | 宁波百事德太阳能科技有限公司 | 一种利用低效片重处理的太阳能电池片 |
| CN101447531A (zh) * | 2008-12-22 | 2009-06-03 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池正面电极的制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102082209A (zh) | 2011-06-01 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| TR01 | Transfer of patent right |