CN102072614A - 吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种应用于频率片加工领域的频率片的清洗干燥工艺。一种吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,其特征在于:将吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程。吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程的步骤为:A、用纯水将频率片进行清洗;B、将清洗后的频率片放入吸引干燥机中,干燥5-15分钟,温度条件为40-70度,压强条件为10-30KPa;C、频率片干燥完成,进行下一工序。本发明优点在于:将普通的酒精脱水的方式进行干燥替换为吸引干燥,提高了清洗效率,同时将脏污发生率从0.5%降为0;避免了酒精脱水干燥过程中,上下回旋摇动对频率片产生的损毁。
Description
技术领域
本发明涉及频率片的加工领域,特别是一种吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用。
背景技术
随着超大规模集成电路的迅速发展,芯片的集成度越来越高,元器件的尺寸越来越小,因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对各步工艺制作结果的影响日益突出,对各步工艺的要求也随之越来越严格,如对生产频率片中的清洗要求就越来越高。目前,频率片清洗后使用酒精脱水,再放入100度左右的烘箱中干燥。酒精脱水时需要上下回旋摇动清洗10分钟,浸泡10分钟,干燥10分钟。这种频率片的清洗干燥方式耗费时间长,生产效率低,同时在摇动清洗时容易造成缺损的产生,而且酒精脱水不彻底还容易造成脏污。普通的清洗干燥方式已经不能满足现代快速高效生产的需要。因此,如何进行快速高效的进行频率片清洗干燥工作,降低频率片脏污的发生率成为该技术领域亟待解决的问题。
发明内容
为了提高频率片清洗干燥的生产速度,降低频率片脏污发生率,本发明提供以下技术方案:一种吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,其特征在于:将吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程。
作为本发明的一种优选方案,吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程的步骤为:
A、用纯水将频率片进行清洗;
B、将清洗后的频率片放入吸引干燥机中,干燥10分钟,温度条件为60度,压强条件为20KPa;
C、频率片干燥完成,进行下一工序。
作为本发明的另一种优选方案,所述纯水的电阻率小于18.3MΩ·cm。
作为本发明的又一种优选方案,所述吸引干燥机可同时干燥500片频率片。
本发明与现有技术相比,其优点在于:
1.本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,将普通的酒精脱水的方式进行干燥替换为吸引干燥,省去了酒精使用的环节,同时避免了酒精储存和回收工作;
2.本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,将原来酒精脱水干燥的30分钟工作时间降低到10分钟,提高了清洗效率,同时将脏污发生率从0.5%降为0;
3.本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,通过吸引干燥对清洗后的频率片进行干燥,避免了酒精脱水干燥过程中,上下回旋摇动对频率片产生的损毁。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,主要特征在于:将吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程。
其中,吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程的步骤为:
A、用纯水将频率片进行清洗;
B、将清洗后的频率片放入吸引干燥机中,干燥10分钟,温度条件为60度,压强条件为20KPa;
C、频率片干燥完成,进行下一工序。
此外,所述纯水的电阻率小于18.3MΩ·cm。所述吸引干燥机可同时干燥500片频率片。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内,可不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,其特征在于:将吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程。
2.根据权利要求1所述的吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,其特征在于:吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程的步骤为:
A、用纯水将频率片进行清洗;
B、将清洗后的频率片放入吸引干燥机中,干燥10分钟,温度条件为60度,压强条件为20KPa;
C、频率片干燥完成,进行下一工序。
3.根据权利要求2所述的吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,其特征在于:所述纯水的电阻率小于18.3MΩ·cm。
4.根据权利要求3所述的吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用,其特征在于:所述吸引干燥机可同时干燥500片频率片。
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2010
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110525 |