CN102063861B - 像素电路、有机发光二极管显示器及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

像素电路、有机发光二极管(OLED)显示器及其驱动方法。该像素电路包括：具有阳极的OLED；存储电容器，具有连接至第一电源的一端子和连接至第一节点的另一端子；第三晶体管，具有连接至第一扫描线的栅极、连接至第一节点的第一电极和连接至OLED的阳极的第二电极；第二晶体管，具有连接至第一扫描线的栅极、连接至数据线的第一电极和连接至第二节点的第二电极；第四晶体管，具有连接至发光控制线的栅极、连接至第一电源的第一电极和连接至第二节点的第二电极；及第一晶体管，具有连接至第一节点的栅极、连接至第二节点的第一电极和连接至OLED的阳极的第二电极。第一节点处的电压通过控制从第一扫描线提供的第一扫描信号的脉宽来调节，以控制供给OLED的电流。

Description

像素电路、有机发光二极管显示器及其驱动方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年11月18日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2009-0111537的权益，该申请的公开内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明的方面涉及像素电路和使用该像素电路的有机发光二极管(OLED)显示器，及其驱动方法。
背景技术
平板显示器包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和场致发射显示器(FED)。平板显示器克服了阴极射线管(CRT)的缺点。在平板显示器中，有机发光二极管(OLED)显示器已被认为是下一代显示器，在发光效率、亮度和视角方面具有卓越的性能，并且具有快的响应速度。
OLED显示器使用OLED显示图像。OLED由于电子与空穴的复合而产生光。OLED显示器具有快的响应速度，并且使用低功耗驱动。一般而言，OLED显示器，特别是有源矩阵OLED(AMOLED)显示器，使用自动限流(ACL)功能，该功能通过调节OLED的发光时间来调节AMOLED显示器的功耗，以降低显示面板的功耗。
发明内容
本发明的方面提供一种像素电路，其可以与显示面板的结构无关地实现自动限流(ACL)功能，并且可以通过经扫描信号的时序控制来限制供给有机发光二极管(OLED)的电流来以像素为单位而不是以帧为单位发光，并且提供一种包括这种像素电路的OLED显示器及其驱动方法。
根据本发明的一方面，提供一种像素电路，包括：有机发光二极管(OLED)，具有阳极；存储电容器，具有连接至第一电源的一端子和连接至第一节点的另一端子；第三晶体管，具有连接至第一扫描线的栅极、连接至所述第一节点的第一电极和连接至所述OLED的所述阳极的第二电极；第二晶体管，具有连接至所述第一扫描线的栅极、连接至数据线的第一电极和连接至第二节点的第二电极；第四晶体管，具有连接至发光控制线的栅极、连接至所述第一电源的第一电极和连接至所述第二节点的第二电极；以及第一晶体管，具有连接至所述第一节点的栅极、连接至所述第二节点的第一电极和连接至所述OLED的所述阳极的第二电极，其中所述第一节点处的电压通过控制从所述第一扫描线提供的第一扫描信号的脉宽来调节，以控制供给所述OLED的电流。
根据本发明的一方面，所述第二晶体管可以响应于所述第一扫描信号将来自所述数据线的数据信号传送至所述第二节点。
根据本发明的一方面，所述第三晶体管可以响应于来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号执行所述第一晶体管的二极管连接。
根据本发明的一方面，所述第四晶体管可以响应于来自所述发光控制线的发光控制信号将所述第一电源的电压传送至所述第二节点。
根据本发明的一方面，所述第一扫描信号的脉宽可以小于所述发光控制信号的脉宽。
根据本发明的一方面，所述像素电路可以进一步包括：第五晶体管，具有共同连接至第二扫描线的栅极和第一电极以及连接至所述第一节点的第二电极。
根据本发明的一方面，所述像素电路可以进一步包括第六晶体管，具有连接至所述发光控制线的栅极，其中所述第六晶体管可以连接在所述第一晶体管与所述OLED之间。
根据本发明的一方面，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管可以是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
根据本发明的另一方面，提供一种有机发光二极管(OLED)显示器，包括：第一扫描驱动单元，用于向扫描线供应扫描信号；第二扫描驱动单元，用于向发光控制线供应发光控制信号；数据驱动单元，用于向数据线供应数据信号；像素电路，被布置在所述扫描线、所述发光控制线和所述数据线的相应交叉处，所述像素电路各自包括：OLED，具有阳极；存储电容器，具有连接至第一电源的一端子和连接至第一节点的另一端子；第三晶体管，具有连接至第一扫描线的栅极、连接至所述第一节点的第一电极和连接至所述OLED的所述阳极的第二电极；第二晶体管，具有连接至所述第一扫描线的栅极、连接至数据线的第一电极和连接至第二节点的第二电极；第四晶体管，具有连接至发光控制线的栅极、连接至所述第一电源的第一电极和连接至所述第二节点的第二电极；和第一晶体管，具有连接至所述第一节点的栅极、连接至所述第二节点的第一电极和连接至所述OLED的所述阳极的第二电极；以及亮度控制信号生成器，用于产生亮度控制信号，所述亮度控制信号对所述第一扫描驱动单元进行控制，以控制所述像素电路中每一个的发光亮度。
根据本发明的一方面，所述第一节点处的电压可以通过控制来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号的脉宽来调节，以控制供给所述OLED的电流。
根据本发明的一方面，所述第一扫描驱动单元可以产生具有与所述亮度控制信号相对应的脉宽的扫描信号，并可以将所产生的扫描信号供给所述扫描线。
根据本发明的一方面，所述第二晶体管可以响应于所述第一扫描信号将来自所述数据线的数据信号传送至所述第二节点，所述第三晶体管可以响应于来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号执行所述第一晶体管的二极管连接，并且所述第四晶体管可以响应于来自所述发光控制线的发光控制信号将所述第一电源的电压传送至所述第二节点。
根据本发明的一方面，所述第一扫描信号的脉宽可以小于所述发光控制信号的脉宽。
根据本发明的一方面，所述有机发光设备可以进一步包括：第五晶体管，具有共同连接至第二扫描线的栅极和第一电极，以及连接至所述第一节点的第二电极；以及第六晶体管，具有连接至所述发光控制线的栅极，其中所述第六晶体管连接在所述第一晶体管与所述OLED之间，其中所述第五晶体管响应于来自所述第二扫描线的第二扫描信号初始化所述第一节点。
根据本发明的一方面，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管可以是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
根据本发明的另一方面，提供一种驱动有机发光二极管显示器的像素电路的方法，所述OLED显示器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、存储电容器、数据线、扫描线和OLED，所述方法包括：通过将来自所述数据线的数字信号经所述第二晶体管、所述第一晶体管和所述第三晶体管施加至第一节点，将所述数据信号存储在所述存储电容器中，所述第一节点连接至所述存储电容器的一侧，所述第一晶体管连接在第二节点与所述第三晶体管之间；通过控制第一扫描信号的脉宽限制所存储的数据信号的电压；以及通过向所述第四晶体管施加发光控制信号，根据所存储的数据信号经所述第四晶体管和所述第一晶体管向所述OLED施加OLED电流，所述第四晶体管连接至第一电源，并且与所述第一晶体管串联连接，所述第一晶体管连接至所述OLED。
本发明的其它方面和/或优点将部分地记载在以下的描述中，并且部分地从以下描述中显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。
附图说明
本发明的这些和/或其它方面和优点将从以下结合附图对实施例的描述中变得明显并且更易于理解，附图中：
图1是根据本发明实施例的有机发光二极管(OLED)的概念图；
图2是表示电压驱动方法的像素电路的电路图；
图3是根据本发明实施例的OLED显示器的图；
图4是根据本发明实施例的图3中示出的像素电路的电路图；
图5是图4所示像素电路的时序图；
图6是根据本发明实施例的像素电路的电路图；
图7是图6所示像素电路的时序图；以及
图8A至图8C是示出驱动图6所示像素电路的操作的图。
具体实施方式
现在将具体参考本发明的当前实施例，这些实施例的例子示于附图中，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。为了解释本发明，以下参考附图对实施例进行描述。
一般而言，根据有机发光二极管(OLED)显示器，对荧光有机化合物进行电激活来发光。多个有机发光单元被布置为矩阵，并且由电压或电流驱动以显示图像。多个有机发光单元被称为OLED。
图1是OLED的概念图。参见图1，OLED包括阳极(例如由氧化铟锡(ITO)制成)、有机薄膜和阴极(例如金属)。有机薄膜包括发射层(EML)、电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)。另外，有机薄膜可以进一步包括空穴注入层(HIL)或电子注入层(EIL)，如图所示。
以上所述的OLED被用于可以以无源矩阵类型驱动或者使用薄膜晶体管(TFT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以有源矩阵类型驱动的OLED显示器中。根据无源矩阵类型，阳极和阴极被形成为以直角彼此交叉，并且选择线路来驱动。然而，根据有源矩阵类型，TFT被连接至氧化铟锡(ITO)像素电极，并且OLED由连接至TFT的栅极的电容器的电容所维持的电压来驱动。有源矩阵类型包括电压驱动方法，在该电压驱动方法中，给电容器施加一电压信号，从而在电容器中存储电压以维持该电压。
图2是表示电压驱动方法的像素电路的电路图。参见图2，开关晶体管M2由施加至被选扫描线Sn的选择信号导通。由于开关晶体管M2导通，数据电压从数据线Dm被施加至驱动晶体管M1的栅极。接着，数据电压与电压源VDD的电压之间的电压差被存储于连接在驱动晶体管M1的栅极与源极之间的电容器C1中。驱动电流IOLED由于该电压差而在OLED中流动，因此OLED发光。根据所施加的数据电压的水平，可以显示预定的对比灰度级。
一般而言，有源矩阵OLED(AMOLED)显示器使用自动限流(ACL)功能，该功能通过调节OLED的发光时间来调节AMOLED显示器的功耗，以降低AMOLED显示器的功耗。也就是说，显示器驱动器集成电路(IC)产生可以根据图像显示数据而调节发光时间的脉冲，并将所产生的脉冲施加至AMOLED显示器。AMOLED显示器将脉冲移向每条线(移位寄存器)以实现ACL功能。AMOLED显示器需要移位寄存器逻辑，以便传播用于调节发光时间的脉冲，并且移位寄存器逻辑可以被实现为互补金属氧化物半导体(CMOS)型面板。然而，由于p沟道金属氧化物半导体(PMOS)面板在减少处理时间和制造成本上比CMOS面板具有更多优势，因此近来已经使用PMOS面板。如果使用PMOS面板，则实现移位寄存器逻辑来执行ACL功能会很复杂，并且PMOS晶体管的特性导致在开关被导通的阶段功耗快速增加。因此，使用PMOS晶体管来支持ACL功能几乎是不可能的。另外，诸如AMOLED显示器之类的自发射器件应当包括用于减小瞬间峰值电流的ACL功能。
图3是根据本发明实施例的OLED显示器300的图。参见图3，OLED显示器300包括像素阵列310、第一扫描驱动单元302、第二扫描驱动单元304、数据驱动单元306、电源驱动单元308和亮度控制信号生成器312。
像素阵列310包括n×m个像素电路P。每个像素电路P包括OLED。像素阵列310包括以行方向布置以传送扫描信号的n条扫描线S1，S2，...，Sn；以列方向布置以传送数据信号的m条数据线D1，D2，...，Dm；以行方向布置以传送发光控制信号的n条发光控制线E2，E3，...，En+1；以及用于施加第一和第二电源ELVDD和ELVSS的m条第一电线(未示出)和m条第二电线(未示出)。n和m是自然数。像素阵列310通过使用扫描信号、数据信号、发光控制信号以及第一电源ELVDD和第二电源ELVSS使OLED(未示出)发光以显示图像。
第一扫描驱动单元302连接至扫描线S1，S2，...，Sn，以将扫描信号施加至像素阵列310。这里，第一扫描驱动单元302根据从亮度控制信号生成器312供应的亮度控制信号调节扫描信号的脉宽。
第二扫描驱动单元304连接至发光控制线E2，E3，...，En+1，以将发光控制信号施加至像素阵列310。
数据驱动单元306连接至数据线D1，D2，...，Dm，以将数据信号施加至像素阵列310。这里，数据驱动单元306在编程期间将数据信号供给像素阵列310中的像素电路P。
电源驱动单元308将第一电源ELVDD和第二电源ELVSS施加至像素阵列310中的每个像素电路P。
亮度控制信号生成器312产生亮度控制信号，并将亮度控制信号供给第一扫描驱动单元302。这里，在需要限制供给OLED的电流量时，亮度控制信号生成器312产生亮度控制信号，并将所产生的亮度控制信号传输给第一扫描驱动单元302。例如，在用于检测周围亮度的光传感器(未示出)检测到周围光明亮时，亮度控制信号生成器312产生用于限制OLED的电流传感器(未示出)可能检测到的瞬时峰值电流的亮度控制信号。
图4是根据本发明实施例的像素电路的电路图。在图4中，为了描述方便，示出连接至第n条扫描线S[n]、第n条发光控制线EM[n]和第m条数据线D[m]的像素电路。OLED的阳极(未示出)连接至第三晶体管T3的第二电极。OLED的阴极(未示出)连接至第二电源ELVSS。OLED对应于从第一晶体管T1(即驱动晶体管)供给的电流量产生预定亮度的光。
存储电容器Cst的一端子连接至第一电源ELVDD，并且存储电容器Cst的另一端子连接至第一节点N1。存储电容器Cst在写数据阶段充以第一节点N1处的电压。
第三晶体管T3的栅极连接至第n条扫描线S[n]。第三晶体管T3的第一电极连接至第一节点N1。第三晶体管T3的第二电极连接至OLED的阳极(未示出)。在第一扫描信号(即低电平信号)从第n条扫描线S[n]施加至第三晶体管T3的栅极时，第三晶体管T3被导通以连接第一晶体管T1的栅极与源极。
第一晶体管T1的栅极连接至第一节点N1。第一晶体管T1的第一电极(漏极)连接至第二节点N2。第一晶体管T1的第二电极(源极)连接至OLED的阳极(未示出)。流向OLED的电流由第一晶体管T1的栅极电压与源极电压之间的电压差确定。
第二晶体管T2的栅极连接至第n条扫描线S[n]。第一电极连接至数据线D[m]。第二电极连接至第二节点N2。在第一扫描信号(即低电平信号)从第n条扫描线S[n]施加至第二晶体管T2的栅极时，第二晶体管T2被导通以将数据信号传送给第二节点N2。这里，第一晶体管T1和第三晶体管T3通过第一扫描信号被同时导通。因此，数据信号通过第一晶体管T1和第三晶体管T3传送，并且存储电容器Cst存储第一电源ELVDD与第一节点N1之间的电压。这里，第一节点N1处的电压Vc可以由以下方程1来定义。
Vc = Vi [ 1 - e - t wr / RC ] - - - ( 1 )
Vc表示在时间段twr内充到第一晶体管T1的栅极(即第一节点)的电压。R表示数据信号通路上的总电阻，并且C表示存储电容器Cst的电容。具体而言，twr表示写数据时间。写数据时间twr由第一扫描信号(即来自第n条扫描线S[n]的第一扫描信号)的低电平脉宽确定。这里，假设初始电压Vi是恒定的，因此第一晶体管T1的栅电压Vc可以通过调节时间段twr来控制。
第四晶体管T4的栅极连接至发光控制线EM[n]，第一电极连接至第一电源ELVDD，并且第二电极连接至第二节点N2。在从发光控制线EM[n]施加发光控制信号(即低电平信号)时，第四晶体管T4被导通。第四晶体管T4将第一电源ELVDD的电压施加至第一晶体管T1的第一电极。由于在发光控制信号处于低电平时，施加至第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅极的第一扫描信号处于高电平，因此第二晶体管T2和第三晶体管T3被关断。供给OLED的电流IOLED可以由以下方程2来定义。
IOLED＝K(Vgs-Vth)2(2)
K表示由驱动晶体管T1的迁移率(mobility)和寄生电容所确定的恒定值。Vgs表示驱动晶体管T1中栅电压与源电压之间的差。Vth表示驱动晶体管T1的阈值电压。在写数据时间twr增加时(即第一扫描信号的脉宽增加时)，栅电压Vc减小。因此，供给OLED的电流IOLED减小，并且亮度降低。另外，在写数据时间twr减少时(即第一扫描信号的脉宽减小时)，栅电压Vc升高。因此，供给OLED的电流IOLED增大，并且亮度增大。所以，流到OLED的电流IOLED的幅度可以通过控制第一扫描信号的脉宽来限制。
在示出的实施例中，开关晶体管T2至T4以及驱动晶体管T1是PMOS晶体管。PMOS晶体管在控制信号处于低电平时导通，并在控制信号处于高电平时关断。
将参考图5的时序图描述对图4的像素电路进行驱动的操作。参见图5，在第一阶段(即写数据阶段)，第一扫描信号处于低电平，以将数据信号存储在存储电容器Cst中。第二阶段是发光控制信号EM[n]处于低电平的发光阶段。
参考图4和图5具体描述晶体管T1至T4的开关操作和驱动操作。在第一阶段，当给第二晶体管T2和第三晶体管T3施加低电平的第一扫描信号时，第二晶体管T2和第三晶体管T3被导通，数据信号从数据线D[m]被施加至第一节点N1，并且第一节点N1处的电压被存储于存储电容器Cst中。
在第二阶段，当给第四晶体管T4施加低电平的发光控制信号EM[n]时，第四晶体管T4被导通，并且第一电源ELVDD的电压被施加至第一晶体管T1。另外，供给OLED的电流IOLED由以上方程1和方程2确定。因此，根据本实施例的像素电路，对扫描信号的脉宽进行调节，以控制供给OLED的电流IOLED。
根据扫描信号施加数据信号的开关晶体管T1以像素为单位需要几微秒(μs)的写数据时间。因此，可以防止增加电流泄漏的问题。另外，通过调节时间来控制存储电容器Cst中充入的电压，因此可以防止直接改变RGB伽马电压可能导致的色移问题。另外，由于ACL操作不受使用开关晶体管的通/断的发光时间控制，因此可以防止由于通/断应力而导致有机发光材料寿命缩短。
图6是根据本发明实施例的像素电路的电路图。图6的像素电路与图4的像素电路的不同之处在于进一步包括第五晶体管T5、第六晶体管T6和第n-1条扫描线S[n-1]。参见图6，第五晶体管T5的栅极和第一电极共同连接至第n-1条扫描线S[n-1]，并且第五晶体管T5的第二电极连接至第一节点N1。在从第n-1条扫描线S[n-1]施加第二扫描信号(即低电平信号)时，第五晶体管T5被导通，并且初始化第一节点N1。也就是说，第一晶体管T1的栅电压和存储电容器Cst被初始化。
第六晶体管T6的栅极连接至发光控制线EM[n]，并且第六晶体管T6连接在第一晶体管T1与OLED之间。在从发光控制线EM[n]施加发光控制信号(即低电平信号)时，第六晶体管T6被导通，并且将从第一晶体管T1输出的电流传送给OLED。
图7是图6的像素电路的时序图，并且图8A至图8C是示出对图6的像素电路进行驱动的操作的图。参见图7和图8A，在第一阶段，给电路施加低电平的第二扫描信号，因此第五晶体管T5被导通，以初始化第一节点N1。第一扫描信号和发光控制信号处于高电平，因此第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第六晶体管T6被关断，并且第二扫描信号被传送至第一节点N1。
参见图7和图8B，在第二阶段，当给电路施加低电平的第一扫描信号时，第二晶体管T2和第三晶体管T3被导通，并且数据信号从数据线D[m]通过第二节点N2、第一晶体管T1和第三晶体管T3被传送至第一节点N1。这里，由于第二扫描信号和发光控制信号处于高电平，因此第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6被关断，并且数据信号被传送至第一节点N1。因此，第一节点N1处的电压被充入存储电容器Cst。第一节点N1处的电压Vc由写数据时间，即低电平的第一扫描信号的脉宽来确定，如以上方程1所表示的。
参见图7和图8C，在第三阶段，当给电路施加低电平的发光控制信号时，第四晶体管T4和第六晶体管T6被导通，并且第一电源ELVDD的电压被施加至第一晶体管T1。另外，流向OLED的电流IOLED由第一节点N1处的电压Vc确定。如参考方程1和2所述的，电流IOLED根据第一节点N1处的电压Vc确定，并且电压Vc根据来自扫描线S[n]的第一扫描信号的脉宽来调节。
已经参考图7以及图8A至图8C描述了根据本实施例的像素电路，而对像素电路进行驱动的操作与先前实施例的像素电路的相同。
根据本发明的实施例，传送至OLED的电流可以通过控制扫描信号的时序来控制，ACL功能可以在与NMOS或PMOS无关的情况下实现，可以去除在执行过度ACL时可能产生的闪烁现象，并且可以防止有机材料的寿命由于开关晶体管的通/断应力而缩短。
另外，ACL可以以像素为单位执行，而不是以帧为单位执行。
尽管已示出并描述了本发明的几个实施例，但是本领域技术人员应当理解，可以在不超出权利要求及其等同物中限定的本发明原理和精神的情况下，对该实施例进行改变。

Claims (18)

1.一种像素电路，包括：
有机发光二极管，具有阳极；
存储电容器，具有连接至第一电源的一端子和连接至第一节点的另一端子；
第三晶体管，具有连接至第一扫描线的栅极、连接至所述第一节点的第一电极和连接至所述有机发光二极管的所述阳极的第二电极；
第二晶体管，具有连接至所述第一扫描线的栅极、连接至数据线的第一电极和连接至第二节点的第二电极；
第四晶体管，具有连接至发光控制线的栅极、连接至所述第一电源的第一电极和连接至所述第二节点的第二电极；以及
第一晶体管，具有连接至所述第一节点的栅极、连接至所述第二节点的第一电极和连接至所述有机发光二极管的所述阳极的第二电极，
其中所述第一节点处的电压通过在写数据阶段控制从所述第一扫描线提供的第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间来调节，以控制在发光阶段供给所述有机发光二极管的电流；
其中所述第一节点处的电压通过减小从所述第一扫描线提供的第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间而增加，以增加供给所述有机发光二极管的电流，并且所述第一节点处的电压通过增加从所述第一扫描线提供的第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间而减小，以减小供给所述有机发光二极管的电流。
2.如权利要求1所述的像素电路，其中所述第二晶体管响应于所述第一扫描信号将来自所述数据线的数据信号传送至所述第二节点。
3.如权利要求1所述的像素电路，其中所述第三晶体管响应于来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号执行所述第一晶体管的二极管连接。
4.如权利要求1所述的像素电路，其中所述第四晶体管响应于来自所述发光控制线的发光控制信号将所述第一电源的电压传送至所述第二节点。
5.如权利要求4所述的像素电路，其中所述第一扫描信号的脉宽小于所述发光控制信号的脉宽。
6.如权利要求1所述的像素电路，进一步包括：第五晶体管，具有共同连接至第二扫描线的栅极和第一电极以及连接至所述第一节点的第二电极。
7.如权利要求6所述的像素电路，进一步包括：第六晶体管，具有连接至所述发光控制线的栅极，其中所述第六晶体管连接在所述第一晶体管与所述有机发光二极管之间。
8.如权利要求7所述的像素电路，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是p沟道金属氧化物半导体晶体管。
9.一种有机发光二极管显示器，包括：
第一扫描驱动单元，用于向扫描线供应扫描信号；
第二扫描驱动单元，用于向发光控制线供应发光控制信号；
数据驱动单元，用于向数据线供应数据信号；
像素电路，被布置在所述扫描线、所述发光控制线和所述数据线的相应交叉处，所述像素电路各自包括：
有机发光二极管，具有阳极；
存储电容器，具有连接至第一电源的一端子和连接至第一节点的另一端子；
第三晶体管，具有连接至第一扫描线的栅极、连接至所述第一节点的第一电极和连接至所述有机发光二极管的所述阳极的第二电极；
第二晶体管，具有连接至所述第一扫描线的栅极、连接至数据线的第一电极和连接至第二节点的第二电极；
第四晶体管，具有连接至发光控制线的栅极、连接至所述第一电源的第一电极和连接至所述第二节点的第二电极；和
第一晶体管，具有连接至所述第一节点的栅极、连接至所述第二节点的第一电极和连接至所述有机发光二极管的所述阳极的第二电极；以及
亮度控制信号生成器，用于产生亮度控制信号，所述亮度控制信号对所述第一扫描驱动单元进行控制，以控制所述像素电路中每一个的发光亮度，
其中所述第一节点处的电压通过在写数据阶段控制来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间来调节，以控制在发光阶段供给所述有机发光二极管的电流；
其中所述第一节点处的电压通过减小来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间而增加，以增加供给所述有机发光二极管的电流，并且所述第一节点处的电压通过增加来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间而减小，以减小供给所述有机发光二极管的电流。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一扫描驱动单元产生具有与所述亮度控制信号相对应的脉宽的扫描信号，并将所产生的扫描信号供给所述扫描线。
11.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二晶体管响应于所述第一扫描信号将来自所述数据线的数据信号传送至所述第二节点，所述第三晶体管响应于来自所述第一扫描线的所述第一扫描信号执行所述第一晶体管的二极管连接，并且所述第四晶体管响应于来自所述发光控制线的发光控制信号将所述第一电源的电压传送至所述第二节点。
12.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一扫描信号的脉宽小于所述发光控制信号的脉宽。
13.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
第五晶体管，具有共同连接至第二扫描线的栅极和第一电极以及连接至所述第一节点的第二电极；以及
第六晶体管，具有连接至所述发光控制线的栅极，其中所述第六晶体管连接在所述第一晶体管与所述有机发光二极管之间，
其中所述第五晶体管响应于来自所述第二扫描线的第二扫描信号初始化所述第一节点。
14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
15.一种驱动有机发光二极管显示器的像素电路的方法，所述有机发光二极管显示器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、存储电容器、数据线、扫描线和有机发光二极管，所述方法包括：
通过将来自所述数据线的数字信号经所述第二晶体管、所述第一晶体管和所述第三晶体管施加至第一节点，将所述数据信号存储在所述存储电容器中，所述第一节点连接至所述存储电容器的一侧，所述第一晶体管连接在第二节点与所述第三晶体管之间；
通过在写数据阶段控制来自第一扫描线的第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间来调节所述第一节点的电压，
其中通过减小来自第一扫描线的第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间来增加所述第一节点的电压，并且通过增加来自第一扫描线的第一扫描信号的脉宽所确定的写数据时间来减小所述第一节点的电压；以及
通过在发光阶段向所述第四晶体管施加发光控制信号，根据所存储的数据信号经所述第四晶体管和所述第一晶体管向所述有机发光二极管施加有机发光二极管电流，所述第四晶体管连接至第一电源，并且与所述第一晶体管串联连接，所述第一晶体管连接至所述有机发光二极管。
16.如权利要求15所述的驱动有机发光二极管显示器的像素电路的方法，进一步包括：
在将所述数据信号存储在所述存储电容器之前，通过将来自第二扫描线的第二扫描信号施加至所述第五晶体管的源极和栅极来初始化所述像素电路的所述第一节点，所述第五晶体管具有连接至所述第一节点的漏极；
与初始化所述第一节点同时地施加第一扫描信号和发光控制信号以关断所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管；以及
与将所述数据信号存储在所述存储电容器中同时地，向所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管施加处于高电平的所述第二扫描信号和所述发光控制信号，以关断所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管。
17.如权利要求16所述的驱动有机发光二极管显示器的像素电路的方法，其中施加有机发光二极管电流包括，通过向所述第六晶体管施加所述发光控制信号，经所述第六晶体管向所述有机发光二极管施加所述有机发光二极管电流，所述第六晶体管布置在所述第一晶体管与所述有机发光二极管之间。
18.如权利要求15所述的驱动有机发光二极管显示器的像素电路的方法，其中到所述有机发光二极管的电流由所述第一节点处的经调节的电压确定。
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