CN102053426A - 显示基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示基板，该显示基板包括第一屏蔽图案、第二屏蔽图案和透明电极。第一屏蔽图案靠近第一数据线设置。第二屏蔽图案靠近面向第一数据线的第二数据线设置。透明电极包括：第一像素电极，结合到第一数据线和第一屏蔽图案；第二像素电极，结合到第一电源线和第二屏蔽图案。第一像素电极和第二像素电极以交替的排列方式设置。透明电极与第一数据线和第二数据线中的至少一条数据线部分叠置。在这种方法中，当显示黑色图像时，可防止漏光。

Description

显示基板

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种显示基板。更具体地讲，本发明的示例性实施例涉及一种用于防止漏光的显示面板。

背景技术

液晶显示(LCD)装置已被用作应用最广泛的平板显示装置之一。通常，LCD装置包括：显示基板，电场产生电极(如像素电极)形成在显示基板上；基板，设置为与显示基板相对。此外，LCD装置包括置于显示基板和相对基板之间的液晶(LC)层。

传统的LCD装置通过将电压施加于电场产生电极以在LC层中产生电场并控制LC层中影响穿过LC层的光的偏振方向的LC分子的取向来显示图像。

LC层的LC分子可以因形成在像素电极之间的电场而以垂直取向(VA)模式取向。例如，当没有在像素电极之间施加电场时，LCD面板显示黑色图像，当在像素电极之间施加水平电场时，LCD面板显示具有各种灰度的图像。在这种方法中，当将相等的电压施加于像素电极时，可实现黑色图像。然而，当将不同的电压施加于像素电极时，可在数据线和各个像素电极之间产生可导致漏光的水平电场。

因此，需要一种用于防止漏光的方法。

发明内容

本发明的示例性实施例在于提供一种显示基板，用于当显示面板显示黑色图像时防止漏光。

本发明的其它特征将在下面的描述中进行阐述，并将通过描述在一定程度上变得明白，或可通过实施本发明获悉。

本发明的示例性实施例公开了一种显示基板。显示基板包括第一屏蔽图案，靠近第一数据线形成。显示基板包括第二屏蔽图案，靠近面向第一数据线的第二数据线形成。显示基板还包括透明电极，该透明电极包括：第一像素电极，结合到第一数据线和第一屏蔽图案；第二像素电极，结合到第一电源线和第二屏蔽图案。第一像素电极和第二像素电极以交替的排列方式设置。透明电极与第一数据线和第二数据线中的至少一条数据线部分叠置。

应当理解：前述的一般性描述和下面的具体描述均为示例性和说明性的并意在为权利要求所限定的本发明提供进一步的解释。

附图说明

所包括的用于为本发明提供进一步的理解并被包含于本说明书中且构成本说明书的一部分的附图示出本发明的示例性实施例，并连同描述一起用于解释本发明的原理。

图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的俯视图。

图2是示出图1的显示面板的电路图。

图3是示出与图1的第一区域对应的显示面板的俯视图。

图4是沿图3的线I-I’截取的剖视图。

图5是沿图3的线II-II’截取的剖视图。

图6是示出与图1的第二区域对应的显示面板的俯视图。

图7是沿图6的线III-III’截取的剖视图。

图8是示出与图1的第三区域对应的显示面板的俯视图。

图9是沿图8的线IV-IV’截取的剖视图。

图10A是示出图1的显示基板的栅极线、第一电源线、第二电源线及第一屏蔽图案到第八屏蔽图案的制造方法的俯视图，图10B是示出图1的显示基板的栅极线、第一电源线、第二电源线及第一屏蔽图案到第八屏蔽图案的制造方法的剖视图。

图11A是示出图1的显示基板的第一数据线和第二数据线的制造方法的俯视图，图11B是示出图1的显示基板的第一数据线和第二数据线的制造方法的剖视图。

图12A是示出图1的显示基板的第一接触孔到第八接触孔的制造方法的俯视图，图12B是示出图1的显示基板的第一接触孔到第八接触孔的制造方法的剖视图。

图13是示出透射率根据图4的光阻挡图案的介电常数的曲线图。

图14是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的第一区域的俯视图，图15是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的第二区域的俯视图，图16是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的第三区域的俯视图。

图17是示出根据本发明的示例性实施例的显示基板的栅极线、第一电源线、第二电源线及第一屏蔽图案到第八屏蔽图案的制造方法的俯视图。

图18是示出图17的显示基板的第一数据线和第二数据线的形成方法的俯视图。

图19是示出显示基板的第一接触孔到第八接触孔的形成方法的俯视图。

具体实施方式

下丈中，参照示出了本发明实施例的附图来更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是全面的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清晰起见，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。图中，相同的标号指示相同的元件。

应该理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层或者“结合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层或者直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。但是，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相同的标号始终指示相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项的任意部分、两个或多个部分的组合、所有部分的组合。

应该注意的是，虽然使用编号式术语诸如第一、第二、第三在这里用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些编号式术语的限制。这些编号式术语语只是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。

还应注意关于空间关系的术语，例如，“在......之下”、“在......下方”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”，这些术语可用在这里来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间关系术语意在示出基于图中所示的方位标准元件或特征的装置的不同方位。例如，如果将附图中所示的装置翻转，则根据方位标准元件或特征的变化方向，被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，通过构造，术语“在......下方”可以包括“在......上方”和“在......下方”两个方位。根据构造，可将装置另外定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并相应地解释这里使用的与其它元件和/或特征关联的空间关系术语。

这里使用的术语只是出于描述示例性实施例的目的，而不意在成为本发明的限制。除非上下文另外清楚地指出，否则这里所使用的单数形式也可包括复数形式。还应该理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，表明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但这些术语不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在这里参照作为本发明的示例性实施例(和中间结构)的示意图的剖视图来描述本发明的示例性实施例。这样，通过举例而不是通过限制来说明各种示例性实施例，例如，将预料到由制造技术和/或公差造成的变化。因此，所示出的本发明的示例和实施例不应该被解释为限于这里示出的区域的具体形状，而是应该被解释为包括由制造技术和选择造成的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区通常会在其边缘处具有倒圆的或者弯曲的特征和/或具有注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，由注入形成的埋区可导致在埋区和发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意在限制装置的区域的真实形状，并不意在限制本发明的范围。

除非另有限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相似的意思。还将理解的是，例如在通用字典中定义的术语应该被解释为具有与在相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，并且除非这里清楚地限定，将不被解释为理想的或过于正式的意思。

下丈中，可参照附图对本发明进行详细说明。

图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的俯视图。

参照图1，显示装置可包括：显示面板1000；栅极线驱动部件1010，设置为用于驱动显示面板1000；数据线驱动部件1030，设置为用于驱动显示面板1000。

显示面板1000可包括：显示基板100；相对基板(即，滤色器基板)200，与显示基板100结合；液晶(LC)层(未示出)，置于显示基板100和相对基板200之间。例如，显示面板1000可包括：显示区域DA；第一外围区域PA1，可围绕显示区域DA；第二外围区域PA2，可围绕显示区域DA。

传送数据信号的数据线及传送栅极信号的栅极线形成在显示区域DA上。栅极线可在第一方向D11上延伸，数据线可在第二方向DI2上延伸。例如，第一方向DI1可垂直于第二方向DI2。

在一些示例中，第一外围区域PA1可设置在数据线的第一端部处，并且第二外围区域PA2可设置在栅极线的第一端部处。如图1所示，当在俯视图上观看时，第二外围区域PA2可设置在显示区域DA的左侧。例如，第二外围区域PA2可设置在显示区域DA的右侧。

显示区域DA可包括K个区块B(其中，K可以是奇数)。在一些示例中，K可以是13。因此，区块B可被分成13个。每个区块B可包括多个栅极线。可作为显示面板1000的最上面的区块B的第一区块B1可包括第一栅极线，可作为显示面板1000的最下面的区块B的第十三区块B13可包括第n栅极线(其中，n可以是自然数)。例如，第一栅极线可代表栅极线中的第一条栅极线，第n栅极线可代表栅极线中的最后一条栅极线。

因此，可作为中间栅极线的第(n/2)栅极线可包括在可作为中间区块的第七区块B7中。可将中间区块B表示为第(K+1)/2区块。

在一些示例中，假设栅极线数为奇数。例如，当栅极线数为偶数时，第七区块B7可包括第(n-1)/2栅极线或第(n+1)/2栅极线。

每个区块B的像素结构可彼此不同。下文中，第七区块B7可被描述为第一区域A1，第一区块B1可被描述为第二区域A2，第十三区块B13可被描述为第三区域A3。

栅极线驱动部件1010可包括移位寄存器，移位寄存器中的多个级可依次互连，并可将栅极信号顺序地输出到栅极线G。栅极线驱动部件1010可包括至少一个栅极线驱动芯片1011。栅极线驱动部件1010可形成在第二外围区域PA2上。例如，栅极线驱动部件1010可集成在显示面板1000的第二外围区域PA2上而无需栅极线驱动芯片1011。这种布置允许不需要组件的安装空间，从而可实现纤薄型的显示装置。

例如，栅极线驱动芯片1011可附着到位于印刷电路板(未示出)和显示面板之间的载带封装件(TCP)上。

数据线驱动部件1030可与栅极信号同步地将模拟式数据信号输出到数据线D。数据线驱动部件1030可包括至少一个数据线驱动芯片1031。

数据线驱动芯片1031可以以玻璃上芯片(COG)形式直接附着到显示面板的第一外围区域PA1。数据线驱动芯片1031可通过柔性膜1070将电源线1050提供到数据线驱动芯片1031。

电源线1050可延伸到栅极线驱动芯片1011。尽管在图1中未示出，但是从数据线驱动芯片1031延伸的电源线1050可被设置成电连接到栅极线驱动芯片1011。

图2是示出图1的显示面板的电路图。

参照图1和图2，显示面板可包括多个信号线Dj、Dj+1、Dj+2、Gi、地线GND和电源线AVDD，其中，j和i可以是自然数。

显示面板可包括以矩阵形状布置的多个像素。每个像素可连接到信号线Dj、Dj+1、Dj+2、Gi、地线GND和电源线AVDD。

显示面板可包括：显示基板100；相对基板200；液晶层(未示出)，置于显示基板100和相对基板200之间。

在信号线Dj、Dj+1、Dj+2、Gi中，第一栅极线Gi可设置为用于传送栅极信号(即，扫描信号)，第一数据线Dj、第二数据线Dj+1和第三数据线Dj+2可设置为用于传送数据电压。

在一些示例中，第一栅极线Gi、地线GND和电源线AVDD可在行方向上延伸并可布置为相互平行。第一数据线Dj和第二数据线Dj+1可在列方向上延伸并可布置为相互平行。

第一数据线Dj和第二数据线Dj+1可接收具有彼此极性相反的电压。第三数据线Dj+2可接收具有与施加于靠近第三数据线Dj+2的第四数据线(未示出)的电压的极性相反的极性的电压。

第一数据线Dj可电连接到第一开关元件Qa，第二数据线Dj+1可电连接到第三开关元件Qc。此外，地线GND可电连接到第二开关元件Qb，电源线AVDD可电连接到第四开关元件Qd。

连接到第一开关元件Qa和第二开关元件Qb的透明电极可与电源线AVDD和地线GND叠置以形成多个存储电容器Csa和Csg。类似地，连接到第三开关元件Qc和第四开关元件Qd的透明电极可与电源线AVDD和地线GND叠置以形成多个存储电容器Csa和Csg。

LC层可在透明电极之间用作电介质。因此，透明电极和LC层可形成液晶电容器C1c。

LC层可具有介电各向异性。当没有将电场施加于LC层的LC分子时，LC分子的长轴可垂直于两个显示基板的表面取向。

图3是示出与图1的第一区域对应的显示面板的俯视图。图4是沿图3的线I-I’截取的剖视图。图5是沿图3的线II-II’截取的剖视图。

参照图2、图3、图4和图5，显示面板可包括显示基板100、相对基板200及LC层300。

图3中示出的第一像素区域PX(n，n)和第二像素区域PX(n，n+1)可作为示例来描述。图2中示出的第一数据线Dj可代表图3中示例性示出的第一数据线171a，图2中示出的第二数据线Dj+1可代表图3中示例性示出的第二数据线171b，图2中示出的第三数据线Dj+2可代表图3中示例性示出的第三数据线171c。

图2的第一栅极线Gi可代表图3的栅极线121。图2的地线GND可代表图3的第一电源线131a，图2的电源线AVDD可代表图3的第二电源线131b。

此外，第一开关元件Qa可电连接到第一数据线171a，第三开关元件Qc可电连接到第二数据线171b，第二开关元件Qb可电连接到第一电源线131a，第四开关元件Qd可电连接到第二电源线131b。

显示基板100可包括下基础基板110，在下基础基板110上可限定多个像素区域P。在图3中，可形成第一像素区域PX(n，n)和第二像素区域PX(n，n+1)。

多个栅极金属层可形成在下基础基板110上，多个栅极金属层可包括栅极线121、第一电源线131a、第二电源线131b、第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h。

当在俯视图上观看时，栅极线121可传送将在水平方向上延伸的栅极信号。当在俯视图上观看时，每个栅极线121可包括可向上部延伸的第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d。

在一些示例中，第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d可具有矩形的形状。应该理解的是，可改变第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d的形状和布置。

第一电源线131a和第二电源线131b可接收预定电压，例如第一电压和第二电压。当在俯视图上观看时，第一电源线131a和第二电源线131b可在水平方向上延伸。例如，第一电源线131a和第二电源线131b可接收不同的电压。

当在俯视图上观看时，第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h可在垂直方向上延伸。第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h可沿垂直方向形成在像素区域的边缘部分。

栅极绝缘层140可形成在下基础基板110上以覆盖栅极线121、第一电源线131a、第二电源线131b、第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g、第八屏蔽图案125h、第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d。

半导体层154可形成在栅极绝缘层140上。例如，半导体层154可包括氢化非晶硅(a-Si)或多硅晶(poly-Si)。每个半导体层154可设置在第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d上。

欧姆接触层163可形成在半导体层154上。在一些示例中，欧姆接触层163可包括高浓度掺杂n型掺杂剂如磷(P)的n+氢化非晶硅。例如，欧姆接触层163可包括硅化物。与第一开关元件Qa、第二开关元件Qb、第三开关元件Qc和第四开关元件Qd对应地，欧姆接触层163可彼此隔开。

数据金属层可形成在形成有欧姆接触层163的下基础基板110上。数据金属层可包括例如第一数据线171a、第二数据线171b、第三数据线171c、第一源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、第四源电极173d、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三漏电极175c和第四漏电极175d。

第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c可传送数据信号。第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c可在垂直方向上延伸以横过栅极线121。第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h可平行于第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c形成。

在一些示例中，第一数据线171a和第二数据线171b可接收不同的电压。类似地，第二数据线171b和第三数据线171c可接收不同的电压。

当在俯视图上观看时，第一源电极173a可从第一数据线171a突出，具有朝向第一栅电极124a的U形，第三源电极173c可从第二数据线171b突出，具有朝向第三栅电极124c的U形。类似地，当在俯视图上观看时，第二源电极173b可从第一数据线171a突出，具有朝向第二栅电极124b的U形，第四源电极173d可从第二数据线171b突出，具有朝向第四栅电极124d的U形。

第一漏电极175a的第一端部可被第一源电极173a围绕，第一源电极173a可朝第一栅电极124a的中心部分弯曲。第二漏电极175b的第一端部可被第二源电极173b围绕，第二源电极173b可朝第二栅电极124b的中心部分弯曲。第三漏电极175c的第一端部可被第三源电极173c围绕，第三源电极173c可朝第三栅电极124c的中心部分弯曲。第四漏电极175d的第一端部可被第四源电极173d围绕，第四源电极173d可朝第四栅电极124d的中心部分弯曲。

第一栅电极124a、第一源电极173a、第一漏电极175a和半导体层154可限定第一开关元件Qa。第二栅电极124b、第二源电极173b、第二漏电极175b和半导体层154可限定第二开关元件Qb。第三栅电极124c、第三源电极173c、第三漏电极175c和半导体层154可限定第三开关元件Qc。第四栅电极124d、第四源电极173d、第四漏电极175d和半导体层154可限定第四开关元件Qd。

在一些示例中，第一开关元件Qa的沟道可形成在第一源电极173a和第一漏电极175a之间的半导体层154上。第二开关元件Qb的沟道可形成在第二源电极173b和第二漏电极175b之间的半导体层154上。第三开关元件Qc的沟道可形成在第三源电极173c和第三漏电极175c之间的半导体层154上。第四开关元件Qd的沟道可形成在第四源电极173d和第四漏电极175d之间的半导体层154上。

欧姆接触层163可设置在半导体层154与第一源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c和第四源电极173d之间以减小其间的接触电阻。类似地，欧姆接触层163可设置在半导体层154与第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三漏电极175c和第四漏电极175d之间以减小其间的接触电阻。

从第一漏电极175a扩展的第一漏极接触电极177a可通过第一接触孔CH1连接到第一像素电极191a，从第一屏蔽图案125a扩展的第一屏蔽接触电极127a可通过第一接触孔CH1连接到第一像素电极191a。

在一些示例中，第一漏极接触电极177a和第一屏蔽接触电极127a可彼此隔开，以使第一像素电极191a可电连接第一漏极接触电极177a和第一屏蔽接触电极127a。例如，第一漏极接触电极177a可与第一屏蔽接触电极127a接触。

第一屏蔽图案125a可沿着第一像素区域PX(n，n)的向上的方向从第一屏蔽接触电极127a与第一数据线171a对应地延伸到第一像素区域PX(n，n)的水平中心线，以使第一屏蔽图案125a可位于靠近第一数据线171a的位置。

还可形成连接图案126a，连接图案126a可沿着第一像素区域PX(n，n)的水平中心线连接在第一屏蔽图案125a和第三屏蔽图案125c之间。例如，连接图案126a可横过第一像素区域PX(n，n)以连接第一屏蔽图案125a和第三屏蔽图案125c。

在第一像素区域PX(n，n)的上部中，第三屏蔽接触电极127c可通过靠近第二数据线171b的区域处的第三接触孔CH3电连接到第一像素电极191a。因此，彼此隔开的第一像素电极191a可通过第三屏蔽图案125c及第三接触孔CH3电互连。第三屏蔽图案125c可沿着第一像素区域PX(n，n)的向上的方向靠近第二数据线171b从水平中心线延伸，以使第三屏蔽图案125c可靠近第二数据线171b设置。

从第二漏电极175b扩展的第二漏极接触电极177b可通过第二接触孔CH2连接到第二像素电极191b，从第二屏蔽图案125b扩展的第二屏蔽接触电极127b可通过第二接触孔CH2连接到第二像素电极191b。

在一些示例中，第二漏极接触电极177b和第二屏蔽接触电极127b可彼此隔开，以使第二像素电极191b可电连接第二漏极接触电极177b和第二屏蔽接触电极127b。例如，第二漏极接触电极177b可与第二屏蔽接触电极127b接触。

第二屏蔽图案125b可沿着第一像素区域PX(n，n)的向上的方向从第二屏蔽接触电极127b延伸到第一像素区域PX(n，n)的水平中心线，以使第二屏蔽图案125b可靠近第二数据线171b设置。

在一些示例中，在第一像素区域PX(n，n)的上部中，第四屏蔽图案125d可沿着第一像素区域PX(n，n)的垂直方向延伸，从而第四屏蔽图案125d可位于靠近第一数据线171a的位置。例如，第四屏蔽图案125d可通过靠近第一像素区域PX(n，n)的水平中心线设置的第四接触孔CH4电连接到第二像素电极191b。

从第三漏电极175c扩展的第三漏极接触电极177c可通过第五接触孔CH5连接到第三像素电极191c，从第五屏蔽图案125e扩展的第五屏蔽接触电极127e可通过第五接触孔CH5连接到第三像素电极191c。在一些示例中，第三漏极接触电极177c和第五屏蔽接触电极127e可彼此隔开，以使第三像素电极191c可电连接第三漏极接触电极177c和第五屏蔽接触电极127e。例如，第三漏极接触电极177c可与第五屏蔽接触电极127e接触。

第五屏蔽图案125e可沿着第二像素区域PX(n，n+1)的向上的方向从第五屏蔽接触电极127e与第二数据线171b对应地延伸到第二像素区域PX(n，n+1)的水平中心线，以使第五屏蔽图案125e可靠近第二数据线171b设置。

还可形成连接图案126b以沿着第二像素区域PX(n，n+1)的水平中心线连接形成在第五屏蔽图案125e和第七屏蔽图案125g之间的区域。例如，连接图案126b可横过第二像素区域PX(n，n+1)以连接第五屏蔽图案125e和第七屏蔽图案125g。

在第二像素区域PX(n，n+1)的上部中，第三数据线171c可通过第七接触孔CH7电连接到第三像素电极191c。因此，彼此隔开的第三像素电极191c可通过第七屏蔽图案125g及第七接触孔CH7电互连。第七屏蔽图案125g可沿着第二像素区域PX(n，n+1)的向上的方向靠近第三数据线171c从水平中心线延伸，以使第七屏蔽图案125g可靠近第三数据线171c设置。

从第四漏电极175d扩展的第四漏极接触电极177d可通过第六接触孔CH6连接到第四像素电极191d，从第六屏蔽图案125f扩展的第六屏蔽接触电极127f可通过第六接触孔CH6连接到第四像素电极191d。

在一些示例中，第四漏极接触电极177d和第六屏蔽接触电极127f可彼此隔开，以使第四像素电极191d可电连接第六漏极接触电极177f和第六屏蔽接触电极127f。例如，第四漏极接触电极177d可与第六屏蔽接触电极127f接触。

第六屏蔽图案125f可沿着第二像素区域PX(n，n+1)的向上的方向从第六屏蔽接触电极127f与第三数据线171c对应地延伸到第二像素区域PX(n，n+1)的水平中心线，以使第六屏蔽图案125f可靠近第三数据线171c设置。

在一些示例中，在第二像素区域PX(n，n+1)的上部中，第八屏蔽图案125h可沿着第二像素区域PX(n，n+1)的垂直方向延伸，以使第八屏蔽图案125h可靠近第二数据线171b设置。例如，第八屏蔽图案125h可通过靠近第二像素区域PX(n，n+1)的水平中心线设置的第八接触孔CH8电连接到第四像素电极191d。

数据绝缘层180可形成在栅极绝缘层140上以覆盖第一数据线171a、第二数据线171b、第三数据线171c、第一源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、第四源电极173d、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三漏电极175c和第四漏电极175d。

数据绝缘层180可包括无机绝缘层181和有机绝缘层182。可形成无机绝缘层181以覆盖第一数据线171a、第二数据线171b、第三数据线171c、第一源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、第四源电极173d、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三漏电极175c和第四漏电极175d。例如，可形成有机绝缘层182以覆盖无机绝缘层181。

第一接触孔CH1可穿过栅极绝缘层140和数据绝缘层180形成以暴露第一漏极接触电极177a和第一屏蔽接触电极127a。例如，栅极绝缘层140可通过第一暴露区域EA1蚀刻以便暴露第一屏蔽接触电极127a，数据绝缘层180可通过第二暴露区域EA2蚀刻以便暴露第一漏极接触电极177a。可同时蚀刻栅极绝缘层140和数据绝缘层180。因此，穿过第一接触孔CH1相互没有叠置的第一漏极接触电极177a和第一屏蔽接触电极127a可连接到第一像素电极191a。

类似地，第二接触孔CH2可形成在栅极绝缘层140和数据绝缘层180上以暴露第二漏极接触电极177b和第二屏蔽接触电极127b。并且，第五接触孔CH5可形成在栅极绝缘层140和数据绝缘层180上以暴露第三漏极接触电极177c和第五屏蔽接触电极127e。此外，第六接触孔CH6可形成在栅极绝缘层140和数据绝缘层180上以暴露第四漏极接触电极177d和第六屏蔽接触电极127f。

第三接触孔CH3可形成在数据绝缘层180上以暴露第三屏蔽接触电极127c，第四接触孔CH4可形成在数据绝缘层180上以暴露第四屏蔽接触电极127d，第七接触孔CH7可形成在数据绝缘层180上以暴露第七屏蔽接触电极127g，第八接触孔CH8可形成在数据绝缘层180上以暴露第八屏蔽接触电极127h。

由光学透明和导电材料如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成的第一透明电极191可形成在数据绝缘层180上。第一透明电极191可包括第一像素电极191a、第二像素电极191b、第三像素电极191c和第四像素电极191d。

第一像素电极191a可接收与第一数据线171a不同的电压，第三像素电极191c可接收与第二数据线171b不同的电压。

第二像素电极191b可接收与第一电源线131a不同的电压，第四像素电极191d可接收与第二电源线131b不同的电压。

当水平的电场形成在第一像素电极191a和第二像素电极191b之间时，可实现各种灰度。例如，为了表现各种灰度，可根据灰度来调整第一数据线171a的施加电压。

在一些示例中，当水平的电场形成在第三像素电极191c和第四像素电极191d之间时，可实现各种灰度。例如，为了表现各种灰度，可根据灰度来调整第二数据线171b的施加电压。

第一像素电极191a和第二像素电极191b可以以交替的排列方式设置，并且，第三像素电极191c和第四像素电极191d可以以交替的排列方式设置。

例如，第一像素电极191a可通过第一接触孔CH1连接到第一漏极接触电极177a和第一屏蔽接触电极127a，并且，第一像素电极191a可延伸到第一像素区域PX(n，n)的水平中心线以与第一屏蔽图案125a和第一数据线171a均部分叠置。第一像素电极191a可在水平中心线的下部以关于栅极线121的延伸方向成约45度的倾斜角延伸并可在水平中心线的上部以关于栅极线121的延伸方向成约135度的倾斜角延伸。

在一些示例中，当在俯视图上观看时，第一像素电极191a可通过处于水平中心线的上部的第三接触孔CH3电连接到第三屏蔽图案125c，并可沿向上的方向延伸以与第二数据线171b和靠近第二数据线171b的第三屏蔽图案125c均部分叠置。例如，当在俯视图上观看时，在水平中心线的上部延伸的第一像素电极191a可以以关于栅极线121成约135度的倾斜角延伸。

第二像素电极191b可通过第二接触孔CH2连接到第二漏极接触电极177b和第二屏蔽接触电极127b。并且，第二像素电极191b可延伸到第一像素区域PX(n，n)的水平中心线以与第二屏蔽图案125b和第二数据线171b均部分叠置。第二像素电极191b可在水平中心线的下部以关于栅极线121的延伸方向成约225度的倾斜角延伸，并且，在水平中心线的下部延伸的一部分第二像素电极191b可在水平中心线的上部以关于栅极线121的延伸方向成约135度的倾斜角延伸。

类似地，当在俯视图上观看时，可通过处于水平中心线的上部的第四接触孔CH4电连接到第四屏蔽图案125d的第二像素电极191b可沿水平中心线的向上的方向延伸以与第一数据线171a和靠近第一数据线171a的第四屏蔽图案125d均部分叠置。此外，当在俯视图上观看时，第二像素电极191b可在水平中心线的上部延伸，然后可以以关于形成在水平中心线的下部的栅极线121成约135度的倾斜角延伸。

第三像素电极191c可通过第五接触孔CH5连接到第三漏极接触电极177c和第五屏蔽接触电极127e，并且，第三像素电极191c可延伸到第二像素区域PX(n，n+1)的水平中心线以与第五屏蔽图案125e和第二数据线171b均部分叠置。第三像素电极191c可在水平中心线的下部以关于栅极线121的延伸方向成约45度的倾斜角延伸，然后可在水平中心线的上部以关于栅极线121的延伸方向成约135度的倾斜角延伸。

类似地，当在俯视图上观看时，第三像素电极191c可通过处于水平中心线的上部的第七接触孔CH7电连接到第七屏蔽图案125g，并可沿向上的方向延伸以与第三数据线171c和靠近第三数据线171c的第七屏蔽图案125g均部分叠置。此外，当在俯视图上观看时，可在水平中心线的上部延伸的第三像素电极191c可以以关于栅极线121的延伸方向成约135度的倾斜角延伸。

第四像素电极191d可通过第六接触孔CH6连接到第四漏极接触电极177d和第六屏蔽接触电极127f，并且，第四像素电极191d可延伸到第二像素区域PX(n，n+1)的水平中心线以与第六屏蔽图案125f和第三数据线171c均部分叠置。第四像素电极191d可在水平中心线的下部以关于栅极线121的延伸方向成约225度的倾斜角延伸，并且，在水平中心线的下部延伸的一部分第四像素电极191d可在水平中心线的上部以关于栅极线121的延伸方向成约135度的倾斜角延伸。

类似地，当在俯视图上观看时，可通过处于水平中心线的上部的第八接触孔CH8电连接到第八屏蔽图案125h的第四像素电极191d可沿水平中心线的向上的方向延伸以与第二数据线171b和靠近第二数据线171b的第八屏蔽图案125h均部分叠置。当在俯视图上观看时，第四像素电极191d可在水平中心线的上部以关于栅极线121的延伸方向成约315度的倾斜角延伸，并可在水平中心线的下部以关于栅极线121的延伸方向成约225度的倾斜角延伸。

图5是沿图3的线II-II’截取的剖视图。参照图5，第二像素电极191b和第三像素电极191c之间的间隔距离D可为约6μm。例如，因为第一叠置宽度OW11可覆盖第二像素电极191b的可与第二数据线171b叠置的一部分，所以第一叠置宽度OW11可基本上等于可形成有第三像素电极191c和第二数据线171b的第二叠置宽度OW21。在这个示例中，第二像素电极191b的宽度TW11和第三像素电极191c的宽度TW21可为约6μm。第二叠置宽度OW21可覆盖第三像素电极191c的可与第二数据线171b叠置的一部分。

在一些示例中，第一像素区域PX(n，n)和第二像素区域PX(n，n+1)可具有矩形的形状。例如，第一像素区域PX(n，n)和第二像素区域PX(n，n+1)可具有各种类型的形状，如锯齿状。

下取向层11可形成在下基础基板110上，其中可形成第一像素电极191a和第三像素电极191c及第二像素电极191b和第四像素电极191d，以使下取向层11可与LC层300的LC分子垂直对齐，即，可以为沿从显示基板100朝向相对基板200的方向。

相对基板200可面向显示基板100设置。

相对基板200可包括上基础基板210、光阻挡图案220、滤色器图案230、保护层(overcoating layer)250及上取向层21。

光阻挡图案220可阻挡第一像素电极191a和第三像素电极191c与第二像素电极191b和第四像素电极191d之间的漏光以限定开口区域，在该开口区域中，第一像素电极191a和第三像素电极191c可面向第二像素电极191b和第四像素电极191d。因此，滤色器图案230可形成在可不阻挡光的开口区域上。例如，光阻挡图案220的介电常数可不小于约15。

滤色器图案230可包括例如红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。保护层250可覆盖滤色器图案230和光阻挡图案220。

保护层250可形成在光阻挡图案220和滤色器图案230上。保护层250可包括绝缘材料。保护层250可防止滤色器图案230暴露并可形成用于提供平坦的表面。通过制造工艺的构造，可省略保护层250。

上取向层21可形成在保护层250上以使LC层300垂直取向。

LC层300可置于显示基板100和相对基板200之间。LC层300可包括具有介电各向异性的LC分子。当没有将电场施加于LC层的LC分子时，LC分子的长轴可与两个显示基板100和200的表面垂直地取向。

可通过形成在第一像素电极191a和第二像素电极191b之间的电场改变LC层300的LC的取向，并可通过形成在第三像素电极191c和第四像素电极191d之间的电场改变LC层300的LC的取向。因此，LC层300的透射率可根据电场的强度而改变。

例如，当将不同的电压施加于第一像素电极191a和第二像素电极191b时，可形成与显示基板100的表面和相对基板200的表面基本平行的电场，从而实现白模式(white mode)。当将相等的电压施加于第一像素电极191a和第二像素电极191b时，可形成与显示基板100的表面和相对基板200的表面基本垂直的电场，从而实现黑模式(black mode)。

类似地，当将不同的电压施加于第三像素电极191c和第四像素电极191d时，可形成与显示基板100的表面和相对基板200的表面基本平行的电场，从而实现白模式。当将相等的电压施加于第三像素电极191c和第四像素电极191d时，可形成与显示基板100的表面和相对基板200的表面基本垂直的电场，从而实现黑模式。

即，关于显示基板100的表面和相对基板200的表面垂直取向的LC层300的LC分子的长轴可在电场的水平方向上倾斜，入射到液晶层300中的入射光的不同量的偏振可根据LC分子的入射量而变化。不同的偏振可引起通过偏振器的透射率的不同，从而显示面板可显示图像。因此，当使用垂直取向的液晶分子时，可增加显示装置的对比度并可实现宽视角。此外，如果将两个具有不同极性的电压施加于一个像素，则可提高液晶分子的响应速度。

在一些示例中，当显示面板显示黑色图像时，在第一数据线171a、第二数据线171b、第三数据线171c与第一透明电极191之间产生的漏光可由第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h以及与第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g、第八屏蔽图案125h、第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c部分叠置的第一透明电极191阻止。

图6是示出与图1的第二区域对应的显示面板的俯视图。图7是沿图6的线III-III’截取的剖视图。除了第一像素电极191a不覆盖第一数据线171a之外，沿图6的线I-I’截取的剖视图可基本上与图4相同，从而可省略沿图6的线I-I’截取的剖视图以避免不必要地模糊本发明。

除了第二透明电极491的形状之外，与图1的第二区域对应的显示面板的俯视图可基本上与可作为与图1的第一区域对应的显示面板的俯视图的图3相同。因此，用于图6和图7中的相同的标号指示的元件可与其在图3和图5中示出的元件相同或相似，因此，将省略对它们的详细描述以避免不必要地模糊本发明。

参照图1、图3、图4、图6和图7，第二透明电极491可包括第一像素电极491a、第二像素电极491b、第三像素电极491c和第四像素电极491d。

除了第一像素电极491a可不与第一数据线171a叠置而可与第二数据线171b叠置之外，第一像素电极491a可基本上与图3的第一像素电极191a相同。

除了第二像素电极491b可不与第一数据线171a叠置而可与第二数据线171b叠置之外，第二像素电极491b可基本上与图3的第二像素电极191b相同。

除了第三像素电极491c可不与第二数据线171b叠置而可仅与第三数据线171c叠置之外，第三像素电极491c可基本上与图3的第三像素电极191c相同。

除了第四像素电极491d可不与第二数据线171b叠置而可与第三数据线171c叠置之外，第四像素电极491d可基本上与图3的第四像素电极191d相同。

再次参照图5和图7，第二像素电极491b和第三像素电极491c之间的间隔距离D可为约6μm。例如，第二像素电极491b可仅与第二数据线171b叠置。第二像素电极491b的宽度TW12可为约7.5μm，第三像素电极491c的宽度TW22可为约4.5μm。第二像素电极491b与第二数据线171b叠置的第一宽度OW12可基本上等于图5的第一宽度OW11和第二宽度OW21之和。

图8是示出与图1的第三区域对应的显示面板的俯视图。图9是沿图8的线IV-IV’截取的剖视图。沿图8的线I-I’截取的剖视图可基本上与图4相同，从而可省略沿图8的线I-I’截取的剖视图以避免不必要地模糊本发明。

除了第三透明电极591的形状之外，根据图1的第三区域的显示面板的俯视图可基本上与作为与图1的第一区域对应的显示面板的俯视图的图3相同。因此，用于图8和图9中的相同的标号指示的元件可与其在图3中示出的元件相同或相似，因此，将省略对它们的详细描述以避免不必要地模糊本发明。

参照图1、图3、图4、图8和图9，第三透明电极591可包括第一像素电极591a、第二像素电极591b、第三像素电极591c和第四像素电极591d。例如，第一像素电极591a和第三像素电极591c的第二端部以及第二像素电极591b和第四像素电极591d的第一端部可被描述为透明电极591的第一端部，并且第一像素电极591a和第三像素电极591c的第一端部以及第二像素电极591b和第四像素电极591d的第二端部可被描述为透明电极591的第二端部。

除了第一像素电极591a可不与第二数据线171b叠置而可与第一数据线171a叠置之外，第一像素电极591a可基本上与图3的第一像素电极191a相同。

除了第二像素电极591b可不与第二数据线171b叠置而可与第一数据线171a叠置之外，第二像素电极591b可基本上与图3的第二像素电极191b相同。

除了第三像素电极591c可不与第三数据线171c叠置而可与第二数据线171b叠置之外，第三像素电极591c可基本上与图3的第三像素电极191c相同。

除了第四像素电极591d可不与第三数据线171c叠置而可与第二数据线171b叠置之外，第四像素电极591d可基本上与图3的第四像素电极191d相同。

第二像素电极591b和第三像素电极591c之间的间隔距离D可为约6μm。例如，第三像素电极591c可与第二数据线171b叠置。第二像素电极591b的宽度TW13可为约4.5μm，第三像素电极591c的宽度TW23可为约7.5μm。第三像素电极591c与第二数据线171b叠置的第二宽度OW23可等于图5的第一宽度OW11和第二宽度OW21之和。

即，与第一区域A1对应的第二像素电极591b的宽度、与第二区域A2对应的第二像素电极591b和第一像素电极591a之间的间隔距离和与第三区域A3对应的第一像素电极591a的宽度之和可为约18μm。

例如，形成在第一区域A1和第二区域A2之间的第二像素电极591b的宽度可逐渐减小，第三像素电极591c的宽度可逐渐增加。

图10A是示出图1的显示基板的栅极线、第一电源线、第二电源线及第一屏蔽图案到第八屏蔽图案的制造方法的俯视图，图10B是示出图1的显示基板的栅极线、第一电源线、第二电源线及第一屏蔽图案到第八屏蔽图案的制造方法的剖视图。

参照图3、图4、图10A和图10B，栅极线121、第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c、第四栅电极124d、第一电源线131a、第二电源线131b、第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g、第八屏蔽图案125h、连接图案126a和126b、可分别从第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h延伸的第一屏蔽接触电极127a、第二屏蔽接触电极127b、第三屏蔽接触电极127c、第四屏蔽接触电极127d、第五屏蔽接触电极127e、第六屏蔽接触电极127f、第七屏蔽接触电极127g和第八屏蔽接触电极127h可形成在下基础基板110上。

例如，栅极线121、第一电源线131a和第二电源线131b可沿第一方向DI1延伸。第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h可沿第二方向DI2延伸。

例如，第一屏蔽图案125a和第二屏蔽图案125b可彼此相对，第三屏蔽图案125c和第四屏蔽图案125d可彼此相对。类似地，第五屏蔽图案125e和第六屏蔽图案125f可彼此相对，第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h可彼此相对。

可形成栅极绝缘层140。

图11A是示出图1的显示基板的第一数据线和第二数据线的制造方法的俯视图，图11B是示出图1的显示基板的第一数据线和第二数据线的制造方法的剖视图。

参照图3、图10A、图10B、图11A和图11B，可形成半导体层154和欧姆接触层163，并可形成第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c。第一数据线171a可沿第二方向DI2靠近第一屏蔽图案125a和第四屏蔽图案125d延伸。第二数据线171b可沿第二方向DI2靠近处于第一像素区域PX(n，n)的第二屏蔽图案125b和第三屏蔽图案125c以及处于第二像素区域PX(n，n+1)的第五屏蔽图案125e和第八屏蔽图案125h延伸。第三数据线171c可沿第二方向DI2靠近第六屏蔽图案125f和第七屏蔽图案125g延伸。

在一些示例中，可形成第一开关元件Qa、第二开关元件Qb、第三开关元件Qc和第四开关元件Qd的第一源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、第四源电极173d、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三漏电极175c和第四漏电极175d。例如，可形成第一漏极接触电极177a、第二漏极接触电极177b、第三漏极接触电极177c和第四漏极接触电极177d，第一漏极接触电极177a可从第一漏电极175a延伸，第二漏极接触电极177b可从第二漏电极175b延伸，第三漏极接触电极177c可从第三漏电极175c延伸，第四漏极接触电极177d可从第四漏电极175d延伸。

例如，可同时蚀刻半导体层154、欧姆接触层163和数据金属层。

图12A是示出图1的显示基板的第一接触孔到第八接触孔的制造方法的俯视图，图12B是示出图1的显示基板的第一接触孔到第八接触孔的制造方法的剖视图。

参照图1、图3、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A和图12B，可形成数据绝缘层180(可包括无机绝缘层181和有机绝缘层182)，并可穿过数据绝缘层180形成第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4、第五接触孔CH5、第六接触孔CH6、第七接触孔CH7和第八接触孔CH8。第一接触孔CH1可与第一像素电极191a和第一屏蔽图案125a接触，第二接触孔CH2可与第二像素电极191b和第二屏蔽图案125b接触。第三接触孔CH3可与第二像素电极191b和第三屏蔽图案125c接触，第四接触孔CH4可与第一像素电极191a和第四屏蔽图案125d接触。第五接触孔CH5可与第三像素电极191c和第五屏蔽图案125e接触，第六接触孔CH6可与第四像素电极191d和第六屏蔽图案125f接触。第七接触孔CH7可与第四像素电极191d和第七屏蔽图案125g接触，第八接触孔CH8可与第三像素电极191c和第八屏蔽图案125h接触。

例如，可同时蚀刻形成在栅极金属层上的栅极绝缘层140以及形成在数据金属层上的数据绝缘层180。

参照图3和图4，描述了第一透明电极191的形成方法。除了第二透明电极491可与第二数据线171b和第三数据线171c叠置以及第三透明电极591可与第一数据线171a和第二数据线171b叠置之外，第二透明电极491和第三透明电极591可基本上与第一透明电极191相同，因此，下文中可省略第二透明电极491和第三透明电极591的形成方法以避免不必要地模糊本发明。

第一像素电极191a和第三像素电极191c以及第二像素电极191b和第四像素电极191d可形成在下基础基板110上，在下基础基板110上可形成第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。

第一像素电极191a可在下基础基板110(其上形成有第一接触孔CH1)上与第一屏蔽接触电极127a和第一漏极接触电极177a接触，并可在下基础基板110(其上形成有第三接触孔CH3)上与第三屏蔽接触电极127c接触。第二像素电极191b可在下基础基板110(其上形成有第二接触孔CH2)上与第二屏蔽接触电极127b和第二漏极接触电极177b接触，并可在下基础基板110(其上形成有第四接触孔CH4)上与第四屏蔽接触电极127d接触。

第三像素电极191c可在下基础基板110(其上形成有第五接触孔CH5)上与第五屏蔽接触电极127e和第三漏极接触电极177c接触，并可在下基础基板110(其上形成有第七接触孔CH7)上与第七屏蔽接触电极127g接触。第四像素电极191d可在下基础基板110(其上形成有第六接触孔CH6)上与第六屏蔽接触电极127f和第四漏极接触电极177d接触，并可在下基础基板110(其上形成有第八接触孔CH8)上与第八屏蔽接触电极127h接触。

例如，第一屏蔽图案125a可覆盖第一像素电极191a的第一端部，第三屏蔽图案125c可覆盖第一像素电极191a的第二端部，第二屏蔽图案125b可覆盖第二像素电极191b的第一端部，第四屏蔽图案125d可覆盖第二像素电极191b的第二端部。

第五屏蔽图案125e可覆盖第三像素电极191c的第一端部，第七屏蔽图案125g可覆盖第三像素电极191c的第二端部，第六屏蔽图案125f可覆盖第四像素电极191d的第一端部，第八屏蔽图案125h可覆盖第四像素电极191d的第二端部。

在一些示例中，可不存在存储线，并且第一电源线131a和第二电源线131b可相互叠置以形成多个存储电容器。因此，可提高显示基板的开口率。

在一些示例中，在第一像素区域PX(n，n)中，当施加于第二像素电极191b的电压与施加于第一像素电极191a的电压相等时，可去除由于施加于第二数据线171b的不同极性的电压而产生于第二数据线171b和第一像素电极191a之间的水平电场。例如，在第一像素区域PX(n，n)中，当施加于第二像素电极191b的电压与施加于第一像素电极191a的电压相等且帧发生变化时，可去除由于施加于第一数据线171a的不同极性的电压而瞬间产生于第一数据线171a和第一像素电极191a之间的电场。因此，可防止与黑色图像相关的可由水平电场产生的漏光。

在一些示例中，在第二像素区域PX(n，n+1)中，当施加于第四像素电极191d的电压与施加于第三像素电极191c的电压相等时，可去除由于施加于第三数据线171c的不同极性的电压而产生于第三数据线171c和第三像素电极191c之间的水平电场。例如，在第二像素区域PX(n，n+1)中，当施加于第四像素电极191d的电压与施加于第三像素电极191c的电压相等且帧发生变化时，可去除由于施加于第二数据线171b的不同极性的电压而瞬间产生于第二数据线171b和第三像素电极191c之间的电场。因此，可防止与黑色图像相关的可由水平电场产生的漏光。

在一些示例中，可形成接收与施加于第一像素电极191a和第二像素电极191b的电压相同的电压的第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c和第四屏蔽图案125d以与第一像素电极191a和第二像素电极191b叠置，从而，第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c和第四屏蔽图案125d可靠近第一数据线171a和第二数据线171b。此外，接收与施加于第三像素电极191c和第四像素电极191d的电压相同的电压的第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h可与第三像素电极191c和第四像素电极191d部分叠置。因此，可防止产生于第一数据线171a、第二数据线171b、第三数据线171c和第一像素电极191a、第二像素电极191b、第三像素电极191c、第四像素电极191d之间的水平电场。因此，当显示面板处于黑状态时，可防止漏光。例如，因为第一透明电极191、第二透明电极491和第三透明电极591可与第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h部分叠置，所以当显示面板处于黑状态时，可更加有效地防止漏光。

此外，可有效地减少在显示面板1000的区域处出现的漏光。

因为可自显示面板1000的上部每一帧均施加与像素区域P的电压的极性不同的电压，所以在第二区域A2的第一像素区域PX(n，n)处可产生很严重的漏光，在第三区域A3的第二像素区域PX(n，n+1)处可产生很严重的漏光。因此，透明电极的宽度可随着其从显示面板1000的上部到达显示面板1000的下部而逐渐减小或逐渐增加，从而可有效地减少在显示面板1000的区域处出现的漏光。

图13是示出透射率根据图4的光阻挡图案的介电常数的曲线图。例如，X轴可表示光阻挡图案沿显示面板的栅极线的延伸方向的位置(μm)，Y轴可表示光阻挡图案的透射率(a.u.)。

参照图4和图13，当光阻挡图案220的介电常数为约200时，可识别出：当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置分别为约20μm和约175μm时，可产生很严重的漏光。例如，当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置为约20μm时，光阻挡图案220的透射率可为约0.0006[a.u.]。当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置为约175μm时，光阻挡图案220的透射率可为约0.0019[a.u.]。

在光阻挡图案220的介电常数为约15的情况下，可识别出：当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置分别为约20μm和约175μm时，可产生很严重的漏光。例如，当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置为约20μm时，光阻挡图案220的透射率可为约0.0003[a.u.]。当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置为约175μm时，光阻挡图案220的透射率可为约0.0005[a.u.]。

在光阻挡图案220的介电常数为约5的情况下，可识别出：当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置分别为约20μm和约175μm时，可产生很严重的漏光。例如，当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置为约20μm时，光阻挡图案220的透射率可为约0.0002[a.u.]。当光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置为约175μm时，光阻挡图案220的透射率可为约0.0004[a.u.]。

即，在光阻挡图案沿栅极线的延伸方向的位置为约175μm的情况下，可识别出漏光，当光阻挡图案220的介电常数为约200时所发生的漏光可以是当光阻挡图案220的介电常数为约15时所发生的漏光的3.8倍大。

例如，可作为沿栅极线的延伸方向的位置，约20μm的位置和约175μm的位置可靠近数据线。

因此，当光阻挡图案220的介电常数不超过约15时，可使产生于靠近数据线的区域处的漏光最小化。

图14是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的第一区域的俯视图，图15是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的第二区域的俯视图，图16是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的第三区域的俯视图。

除了显示装置可包括取代之前图1的示例性实施例的显示基板100的显示基板600之外，显示装置的俯视图可基本上与图1的俯视图相同，因此，可在下文中省略任何重复的详细说明以避免不必要地模糊本发明。

沿图14的线I-I’截取的剖视图可基本上与参照图4所示的剖视图相同，沿图14的线II-II’截取的剖视图可基本上与参照图5所示的剖视图相同。沿图15的线I-I’截取的剖视图可基本上与参照图4所示的剖视图相同，沿图15的线III-III’截取的剖视图可基本上与参照图7所示的剖视图相同。沿图16的线I-I’截取的剖视图可基本上与参照图4所示的剖视图相同，沿图16的线IV-IV’截取的剖视图可基本上与参照图9所示的剖视图相同。因此，可使用相同的标号指示如图4、图5、图7和图9中所示的相同的或相似的部件，并且可省略关于上述元件的任何重复的详细说明以避免不必要地模糊本发明。

参照图1、图4、图5和图14，显示基板600可包括：具有V形的第四数据线671a、第五数据线671b和第六数据线671c，而不是具有条形的第一数据线171a、第二数据线171b和第三数据线171c；第一屏蔽图案625a、第二屏蔽图案625b、第三屏蔽图案625c、第四屏蔽图案625d、第五屏蔽图案625e、第六屏蔽图案625f、第七屏蔽图案625g和第八屏蔽图案625h，而不是第一屏蔽图案125a、第二屏蔽图案125b、第三屏蔽图案125c、第四屏蔽图案125d、第五屏蔽图案125e、第六屏蔽图案125f、第七屏蔽图案125g和第八屏蔽图案125h。

在一些示例中，显示基板600可包括第四透明电极691，第四透明电极691包括与第四数据线671a、第五数据线671b和第六数据线671c平行的第一像素电极691a和第三像素电极691c以及第二像素电极691b和第三像素电极691d，而不是包括第一像素电极191a和第三像素电极191c以及第二像素电极191b和第四像素电极191d的第一透明电极191。

例如，第一像素电极691a可连接到第一开关元件Qa以在与第四数据线671a、第五数据线671b和第六数据线671c平行的对角线方向上向第三像素区域PX’(n，n)的上部延伸，第三像素电极691c可连接到第三开关元件Qc以在与第四数据线671a、第五数据线671b和第六数据线671c平行的对角线方向上向第四像素区域PX’(n，n+1)的上部延伸。在这个示例中，第一像素电极691a可在第三像素区域PX’(n，n)的下部沿水平方向延伸，第三像素电极691c可在第四像素区域PX’(n，n+1)的下部沿水平方向延伸，可在水平方向上延伸的第一像素电极691a可在对角线方向上向第三像素区域PX’(n，n)的上部延伸，可在水平方向上延伸的第三像素电极691c可在对角线方向上向第四像素区域PX’(n，n+1)的上部延伸。

第二像素电极691b可连接到第二开关元件Qb以在与第四数据线671a、第五数据线671b和第六数据线671c平行的对角线方向上向第三像素区域PX’(n，n)的下部延伸，第四像素电极691d可连接到第四开关元件Qd以在与第四数据线671a、第五数据线671b和第六数据线671c平行的对角线方向上向第四像素区域PX’(n，n+1)的下部延伸。在这个示例中，第二像素电极691b可在第三像素区域PX’(n，n)的上部沿水平方向延伸，第四像素电极691d可在第四像素区域PX’(n，n+1)的上部沿水平方向延伸，可在水平方向上延伸的第二像素电极691b可在对角线方向上向第三像素区域PX’(n，n)的下部延伸，可在水平方向上延伸的第四像素电极691d可在对角线方向上向第四像素区域PX’(n，n+1)的下部延伸。

在这个示例中，第一像素电极691a可靠近第四数据线671a形成在第三像素区域PX’(n，n)的下部上，第二像素电极691b可靠近第五数据线671b形成在第三像素区域PX’(n，n)的下部上。例如，第二像素电极691b可靠近第四数据线671a形成在第三像素区域PX’(n，n)的上部上，第一像素电极691a可靠近第五数据线671b形成在第三像素区域PX’(n，n)的上部上。

类似地，第三像素电极691c可靠近第五数据线671b形成在第四像素区域PX’(n，n+1)的下部上，第四像素电极691d可靠近第六数据线671c形成在第四像素区域PX’(n，n+1)的下部上。例如，第四像素电极691d可靠近第五数据线671b形成在第四像素区域PX’(n，n+1)的上部上，第三像素电极691c可靠近第六数据线671c形成在第四像素区域PX’(n，n+1)的上部上。

在这个示例中，第一像素电极691a可与第一屏蔽图案625a和第四数据线671a均部分叠置，并可与第三屏蔽图案625c和第五数据线671b均部分叠置。

第二像素电极691b可分别与第二屏蔽图案625b和第五数据线671b部分叠置，并可分别与第四屏蔽图案625d和第四数据线671a部分叠置。

第三像素电极691c可分别与第五屏蔽图案625e和第五数据线671b部分叠置，并可分别与第七屏蔽图案625g和第六数据线671c部分叠置。

第四像素电极691d可分别与第六屏蔽图案625f和第六数据线671c部分叠置，并可分别与第八屏蔽图案625h和第五数据线671b部分叠置。

参照图1、图4、图7和图15，第五透明电极791可包括第一像素电极791a、第二像素电极791b、第三像素电极791c和第四像素电极791d。除了第五透明电极791的形状之外，与第二区域对应的显示面板的俯视图可基本上与图14相同。因此，用于图15中的相同的标号指示的元件与图14中示出的元件相同或相似，因此，可省略对它们的详细描述以避免不必要地模糊本发明。

除了第一像素电极791a可不与第四数据线671a叠置而仅与第五数据线671b叠置之外，第一像素电极791a可基本上与图14的第一像素电极691a相同。

除了第二像素电极791b可不与第四数据线671a叠置而可与第五数据线671b叠置之外，第二像素电极791b可基本上与图14的第二像素电极691b相同。

除了第三像素电极791c可不与第五数据线671b叠置而可仅与第六数据线671c叠置之外，第三像素电极791c可基本上与图14的第三像素电极691c相同。

除了第四像素电极791d可不与第五数据线671b叠置而可仅与第六数据线671c叠置之外，第四像素电极791d可基本上与图14的第四像素电极691d相同。

参照图1、图4、图9、和图16，第六透明电极891可包括第一像素电极891a、第二像素电极891b、第三像素电极891c和第四像素电极891d。除了第六透明电极891的形状之外，根据本示例性实施例的与第三区域对应的显示面板的俯视图可基本上与图14相同。因此，用于图16中的相同的标号指示的元件与图14中示出的元件相同或相似，因此，可省略对它们的详细描述以避免不必要地模糊本发明。

除了第一像素电极891a可不与第五数据线671b叠置而可与第四数据线671a叠置之外，第一像素电极891a可基本上与图14的第一像素电极691a相同。

除了第二像素电极891b可不与第五数据线671b叠置而可与第四数据线671a叠置之外，第二像素电极891b可基本上与图14的第二像素电极691b相同。

除了第三像素电极891c可不与第六数据线671c叠置而可与第五数据线671b叠置之外，第三像素电极891c可基本上与图14的第三像素电极691c相同。

除了第四像素电极891d可不与第六数据线671c叠置而可与第五数据线671b叠置之外，第四像素电极891d可基本上与图14的第四像素电极691d相同。

图17是示出根据本发明的示例性实施例的显示基板的栅极线、第一电源线、第二电源线及第一屏蔽图案到第八屏蔽图案的制造方法的俯视图。

用于说明栅极线、第一电源线、第二电源线及第一屏蔽图案到第八屏蔽图案的形成方法的沿图14、图15和图16的线I-I’截取的剖视图可基本上与图10B的剖视图相同，因此，将省略对它们的描述以避免不必要地模糊本发明。

参照图10B和图17，第一屏蔽图案625a、第二屏蔽图案625b、第三屏蔽图案625c、第四屏蔽图案625d、第五屏蔽图案625e、第六屏蔽图案625f、第七屏蔽图案625g、第八屏蔽图案625h、连接图案626a、第一屏蔽接触电极627a、第二屏蔽接触电极627b、第三屏蔽接触电极627c、第四屏蔽接触电极627d、第五屏蔽接触电极627e、第六屏蔽接触电极627f、第七屏蔽接触电极627g和第八屏蔽接触电极627h可被形成并从第一屏蔽图案625a、第二屏蔽图案625b、第三屏蔽图案625c、第四屏蔽图案625d、第五屏蔽图案625e、第六屏蔽图案625f、第七屏蔽图案625g和第八屏蔽图案625h延伸。

在这个示例中，第一屏蔽图案625a、第二屏蔽图案625b、第五屏蔽图案625e和第六屏蔽图案625f可以以关于栅极线121的延伸方向成约45度的倾斜角形成。例如，第三屏蔽图案625c、第四屏蔽图案625d、第七屏蔽图案625g和第八屏蔽图案625h可以以关于栅极线121的延伸方向成约135度的倾斜角形成。

第一屏蔽图案625a和第二屏蔽图案625b可彼此相对，第三屏蔽图案625c和第四屏蔽图案625d可彼此相对。类似地，第五屏蔽图案625e和第六屏蔽图案625f可彼此相对，第七屏蔽图案625g和第八屏蔽图案625h可彼此相对。

图18是示出图17的显示基板的第一数据线和第二数据线的形成方法的俯视图。

用于说明第一数据线和第二数据线的形成方法的沿图14、图15和图16的线I-I’截取的剖视图可基本上与图11B的剖视图相同，因此，将省略对它们的描述以避免不必要地模糊本发明。

参照图11B和图18，可形成半导体层154和欧姆接触层163，并可形成第四数据线671a、第五数据线671b和第六数据线671c。第四数据线671a可靠近第一屏蔽图案625a和第四屏蔽图案625d延伸。第五数据线671b可靠近处于第三像素区域PX’(n，n)的第二屏蔽图案625b和第三屏蔽图案625c以及处于第四像素区域PX’(n，n+1)的第五屏蔽图案625e和第八屏蔽图案625h延伸。第六数据线671c可靠近第六屏蔽图案625f和第七屏蔽图案625g延伸。

图19是示出显示基板的第一接触孔到第八接触孔的形成方法的俯视图。

用于说明第一接触孔到第八接触孔的形成方法的沿图14、图15和图16的线I-I’截取的剖视图可基本上与图12B的剖视图相同，因此，将省略对它们的描述以避免不必要地模糊本发明。

参照图12B和图19，可形成数据绝缘层180(可包括无机绝缘层181和有机绝缘层182)，并可穿过数据绝缘层180形成第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3、第四接触孔CH4、第五接触孔CH5、第六接触孔CH6、第七接触孔CH7和第八接触孔CH8。第一接触孔CH1可与第一像素电极691a和第一屏蔽图案625a接触，第二接触孔CH2可与第二像素电极691b和第二屏蔽图案625b接触。第三接触孔CH3可与第二像素电极691b和第三屏蔽图案625c接触，第四接触孔CH4可与第一像素电极691a和第四屏蔽图案625d接触。第五接触孔CH5可与第三像素电极691c和第五屏蔽图案625e接触，第六接触孔CH6可与第四像素电极691d和第六屏蔽图案625f接触。第七接触孔CH7可与第四像素电极691d和第七屏蔽图案625g接触，第八接触孔CH8可与第三像素电极691c和第八屏蔽图案625h接触。

参照图4和图14，描述了第四透明电极691的形成方法。除了第五透明电极791可与第五数据线671b和第六数据线671c叠置以及第六透明电极891可与第四数据线671a和第五数据线671b叠置之外，第五透明电极791和第六透明电极891可基本上与第四透明电极691相同。因此，下文中可省略第五透明电极791和第六透明电极891的形成方法以避免不必要地模糊本发明。

例如，除了第四透明电极691具有多个V形电极条之外，第四透明电极691的形成方法可基本上与参照图3和图4示出的第一透明电极191的形成方法相同。因此，下文中可省略第四透明电极691的形成方法以避免不必要地模糊本发明。

例如，除了显示基板600的第四透明电极691具有多个V形电极条之外，与光阻挡图案的介电常数相关的透射率可基本上与图13的透射率相同，因此，下文中可省略对它们的描述以避免不必要地模糊本发明。

根据本示例性实施例的示例性实施例，包括第三像素区域PX’(n，n)和第四像素区域PX’(n，n+1)的像素区域P的形状可布置为锯齿状以限定矩阵形状，从而可增大显示面板的视角。

根据本发明的示例性实施例，可形成接收施加于显示基板的第一像素电极和第二像素电极相同电压的屏蔽图案以与第一像素电极和第二像素电极叠置，并且屏蔽图案可靠近数据线形成。因为第一像素电极和第二像素电极可与数据线部分叠置，从而可防止当显示黑色图像时出现在第一像素电极和数据线之间以及第二像素电极和数据线之间的水平电场。在这点上，可防止漏光。

根据本发明的示例性实施例，显示基板可包括第一屏蔽图案、第二屏蔽图案和透明电极。第一屏蔽图案可靠近第一数据线。第二屏蔽图案可靠近面向第一数据线的第二数据线。透明电极可包括：第一像素电极，电连接到第一数据线和第一屏蔽图案；第二像素电极，电连接到第一电源线和第二屏蔽图案。第一像素电极和第二像素电极可以以交替的排列方式设置。透明电极可与第一数据线和第二数据线中的至少一条数据线部分叠置。

在本发明的一些示例性实施例中，所述显示面板还可包括被分成第一区块到第K区块(其中，K为奇数)的多个栅极线。例如，不同区块的透明电极可与第二数据线叠置的第一宽度可彼此不同，并且，不同区块的透明电极可与第一数据线叠置的第二宽度可彼此不同。

在本发明的一些示例性实施例中，第一区块的透明电极可与第二数据线部分叠置，第(K+1)/2区块的透明电极可与第一数据线和第二数据线部分叠置，并且，第K区块的透明电极可与第一数据线部分叠置。

在本发明的一些示例性实施例中，透明电极可与第二数据线叠置的第一宽度可随其从第一区块至第K区块而逐渐减小。

在本发明的一些示例性实施例中，透明电极可与第一数据线叠置的第二宽度可随其从第一区块至第K区块而逐渐增加。

在本发明的一些示例性实施例中，透明电极和靠近第二数据线的相邻的透明电极之间的间隔距离可在第一区块到第K区块的每个区块处均相同。

在本发明的一些示例性实施例中，可在第一区块到第K区块的每个区块处均匀地设置透明电极可与第二数据线叠置的一个宽度和相邻的透明电极可与第二数据线叠置的另一宽度之和。

在本发明的一些示例性实施例中，第一屏蔽图案可覆盖第一像素电极的第一端部，并且，第二屏蔽图案可覆盖第二像素电极的第一端部。

在本发明的一些示例性实施例中，显示基板还可包括靠近第二数据线设置的第三屏蔽图案及靠近第一数据线设置的第四屏蔽图案。第三屏蔽图案可覆盖第一像素电极的第二端部。第四屏蔽图案可覆盖第二像素电极的第二端部。

在本发明的一些示例性实施例中，显示面板还可包括被分成第一区块到第K区块(其中，K为奇数)的多个栅极线。例如，可形成在第一区块中的透明电极的第一端部可与第二数据线部分叠置，透明电极的第一端部可包括第一像素电极的第二端部和第二像素电极的第一端部。可形成在第(K+1)/2区块中的透明电极的两个端部可与第一数据线和第二数据线部分叠置。可形成在第K区块中的透明电极的第二端部可与第一数据线部分叠置，透明电极的第二端部可包括第一像素电极的第一端部和第二像素电极的第二端部。

在本发明的一些示例性实施例中，透明电极的第一端部可与第二数据线叠置的第一宽度可随其从第一区块至第K区块而逐渐减小。

在本发明的一些示例性实施例中，透明电极的第二端部可与第一数据线叠置的第二宽度可随其从第一区块至第K区块而逐渐增加。

本发明的示例性实施例公开了一种制造显示基板的方法。该方法包括可形成在基础基板上的在第一方向上延伸的栅极线和第一电源线以及可在第二方向上延伸的第一屏蔽图案和可面向第一屏蔽图案的第二屏蔽图案。可形成第一数据线和第二数据线。第一数据线可靠近第一屏蔽图案在第二方向上延伸。靠近第二屏蔽图案的第二数据线可面向第一数据线。可形成与第一数据线和第二数据线中的至少一条数据线部分叠置的透明电极。透明电极可包括：第一像素电极，与第一屏蔽图案的第一端部部分叠置以电连接到第一屏蔽图案、栅极线和第一数据线；第二像素电极，与第二屏蔽图案的第一端部部分叠置并与第一像素电极交替地设置以电连接到栅极线和第一电源线。

在本发明的一些示例性实施例中，还可形成靠近第二数据线设置的第三屏蔽图案，并且还可形成靠近第一数据线设置的第四屏蔽图案。第三屏蔽图案可覆盖第一像素电极的第二端部，并且第四屏蔽图案可覆盖第二像素电极的第二端部。

在本发明的一些示例性实施例中，透明电极的第一端部可与第二数据线叠置的第一宽度可随其从第一区块至第K区块而逐渐减小，透明电极的第二端部可与第一数据线叠置的第二宽度可随其从第一区块至第K区块而逐渐增加。

本发明的示例性实施例公开了一种显示面板，该显示面板可包括显示基板、相对基板和液晶层。显示基板可包括第一屏蔽图案、第二屏蔽图案和透明电极。第一屏蔽图案靠近第一数据线。第二屏蔽图案靠近面向第一数据线的第二数据线。透明电极可包括：第一像素电极，电连接到第一数据线和第一屏蔽图案；第二像素电极，电连接到第一电源线和第二屏蔽图案。第一像素电极和第二像素电极可以以交替的排列方式设置。透明电极可与第一数据线和第二数据线中的至少一条数据线部分叠置。相对基板可包括在显示基板对面的光阻挡图案。液晶层可置于显示基板和相对基板之间。

在本发明的一些示例性实施例中，当在显示基板和相对基板之间没有形成电场时，液晶层的液晶分子可垂直取向。通过在第一像素电极和第二像素电极施加不同的电压，可形成水平电场。

在本发明的一些示例性实施例中，光阻挡图案的介电常数可不小于约15。

在本发明的一些示例性实施例中，显示面板还可包括被分成第一区块到第K区块(其中，K为奇数)的多个栅极线。不同区块的透明电极可与第二数据线叠置的第一宽度可彼此不同，并且，不同区块的透明电极可与第一数据线叠置的第二宽度可彼此不同。

在本发明的一些示例性实施例中，第一区块的透明电极可与第二数据线部分叠置，第(K+1)/2区块的透明电极可与第一数据线和第二数据线部分叠置，并且，第K区块的透明电极可与第一数据线部分叠置。

在本发明的一些示例性实施例中，可形成接收施加于第一像素电极和第二像素电极相同电压的屏蔽图案以与第一像素电极和第二像素电极叠置，并且第一像素电极和第二像素电极可与数据线部分叠置，从而可防止当显示黑色图像时出现在第一像素电极和数据线之间以及第二像素电极和数据线之间的水平电场。因此，可防止漏光。

本领域技术人员应该明白，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变动。因此，本发明意在覆盖在权利要求及其等同物的范围之内的本发明的修改和变动。

Claims (12)

1.一种显示基板，包括：

第一屏蔽图案，靠近第一数据线设置；

第二屏蔽图案，靠近面向第一数据线的第二数据线设置；

透明电极，包括：第一像素电极，结合到第一数据线和第一屏蔽图案；第二像素电极，结合到第一电源线和第二屏蔽图案，其中，第一像素电极和第二像素电极以交替的排列方式设置，其中，透明电极与第一数据线部分叠置，或者透明电极与第二数据线部分叠置，或者透明电极与第一数据线和第二数据线部分叠置。

2.如权利要求1所述的显示基板，显示基板还包括：

栅极线的第一区块到第K区块，K为奇数；

第一区域，包括设置在不同区块处的多个透明电极，包括在第一区域中的所述多个透明电极与第二数据线叠置成第一宽度，并且，包括在第一区域中的所述多个透明电极与第二数据线的叠置的部分彼此不同；

第二区域，包括设置在不同区块处的多个透明电极，包括在第二区域中的所述多个透明电极与第一数据线叠置成第二宽度，并且，包括在第二区域中的所述多个透明电极与第一数据线的叠置的部分彼此不同。

3.如权利要求2所述的显示基板，其中，第一区块的透明电极与第二数据线部分叠置，第(K+1)/2区块的透明电极与第一数据线和第二数据线部分叠置，在(K+1)/2中，K为大于或等于3的奇数，并且，第K区块的透明电极与第一数据线部分叠置。

4.如权利要求2所述的显示基板，其中，透明电极与第二数据线叠置的第一宽度从第一区块到第K区块逐渐减小。

5.如权利要求2所述的显示基板，其中，透明电极与第一数据线叠置的第二宽度从第一区块到第K区块逐渐增加。

6.如权利要求2所述的显示基板，其中，在第一区块到第K区块中的每个区块中，在靠近第二数据线的各个透明电极之间设置的间隔的距离是均匀地形成的。

7.如权利要求6所述的显示基板，其中，在第一区块到第K区块的每个区块处，透明电极与第二数据线叠置的宽度及相邻的透明电极与第二数据线叠置的宽度之和是均匀的。

8.如权利要求1所述的显示基板，其中，第一屏蔽图案覆盖第一像素电极的第一端部，并且，第二屏蔽图案覆盖第二像素电极的第一端部。

9.如权利要求8所述的显示基板，显示基板还包括：

第三屏蔽图案，靠近第二数据线设置，第三屏蔽图案覆盖第一像素电极的第二端部；及

第四屏蔽图案，靠近第一数据线设置，第四屏蔽图案覆盖第二像素电极的第二端部。

10.如权利要求9所述的显示基板，显示基板还包括：

栅极线的第一区块到第K区块，K为奇数；

透明电极的第一端部，包括形成在第一区块中的第一像素电极的第二端部及第二像素电极的第一端部，其中，透明电极的第一端部与第二数据线部分叠置；

透明电极的两个端部，形成在第(K+1)/2区块中并与第一数据线和第二数据线部分叠置；

透明电极的第二端部，包括形成在第K区块中的第一像素电极的第一端部及第二像素电极的第二端部，其中，透明电极的第二端部与第一数据线部分叠置。

11.如权利要求10所述的显示基板，其中，透明电极的第一端部与第二数据线叠置的第一宽度从第一区块到第K区块逐渐减小。

12.如权利要求10所述的显示基板，其中，透明电极的第二端部与第一数据线叠置的第二宽度从第一区块到第K区块逐渐增加。

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