CN105785675B - 液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了液晶显示器。该液晶显示器包括：基板；设置在基板上的栅极线、数据线、第一存储电极线和第二存储电极线；连接至栅极线和数据线的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；第四薄膜晶体管，连接至栅极线、第三薄膜晶体管和第二存储电极线；第一子像素电极，连接至第一薄膜晶体管；第二子像素电极，连接至第二薄膜晶体管；第三子像素电极，连接至第三薄膜晶体管；以及存储电极，连接至第一存储电极线并且与第一子像素电极重叠。不同的电压施加至三个子像素以改善液晶显示器的侧面可视性。

Description

液晶显示器

技术领域

本公开内容涉及一种液晶显示器(LCD)。更具体地，本公开内容涉及一种改善侧面可视性的液晶显示器。

背景技术

液晶显示器包括两个显示面板。诸如像素电极和共用电极的场产生电极形成在两个显示面板上，并且液晶层介于两个显示面板之间。施加至场产生电极的电压在液晶层中产生电场，并且改变液晶层的液晶分子的定向并控制入射光的偏振以显示图像。液晶显示器还包括连接至各个像素电极的开关元件，以及用于控制开关元件并且向像素电极施加电压的多条信号线，诸如栅极线和数据线。

在各种类型的LCD中，垂直配向模式LCD在没有施加电场的状态下将液晶分子的主轴排列成与显示面板垂直。垂直配向模式LCD由于其高对比度和宽参考视角而得到广泛使用。在此，参考视角是指对比度为1:10的视角或者灰度至灰度亮度反转的临界角。

然而，垂直配向模式LCD具有侧面可视性降低的问题。即，在侧面上观看的屏幕不同于在正面观看的屏幕。

背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强对本公开内容的背景技术的理解，且因此，其可包含并不构成已为本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。

发明内容

本公开内容提供了一种具有改善的侧面可视性的液晶显示器。

根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器，包括：基板；设置在基板上的栅极线、数据线、第一存储电极线和第二存储电极线；第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，连接至栅极线和数据线；第四薄膜晶体管，连接至栅极线、第三薄膜晶体管和第二存储电极线；第一子像素电极，连接至第一薄膜晶体管；第二子像素电极，连接至第二薄膜晶体管；第三子像素电极，连接至第三薄膜晶体管；以及存储电极，连接至第一存储电极线并且与第一子像素电极重叠。

施加至第一子像素电极的第一数据电压可高于施加至第二子像素电极的第二数据电压，并且施加至第二子像素电极的第二数据电压可高于施加至第三子像素电极的第三数据电压。

第一存储电极线可交替地施加有第一电压和高于第一电压的第二电压。

在栅极线施加有栅极导通电压之后，第一存储电极线可施加有第二电压。

当第一存储电极线施加有第二电压时，可增加施加至第一子像素电极的第一数据电压。

第二存储电极线可施加有恒定电压。

栅极线和数据线可形成在不同层处并且交叉。

第一存储电极线可设置在与栅极线相同的层处。

第一存储电极线可沿着平行于栅极线的方向延伸。

第一子像素电极可包括十字形主干以及从十字形主干延伸的微小分支，该十字形主干包括横向主干和纵向主干，并且第一存储电极线可与第一子像素电极的横向主干重叠。

第二存储电极线可设置在与数据线相同的层处。

第二存储电极线可沿着平行于数据线的方向延伸。

第一子像素电极可包括十字形主干以及从十字形主干延伸的微小分支，该十字形主干包括横向主干和纵向主干，并且第二存储电极线可与第一子像素电极的纵向主干重叠。

第二存储电极线可不与第二子像素电极重叠。

第三子像素电极可包括十字形主干以及从十字形主干延伸的微小分支，该十字形主干包括横向主干和纵向主干，并且第二存储电极线可与第三子像素电极的纵向主干重叠。

第二子像素电极可包括相对于第二存储电极线分别设置在两侧处的第一部分和第二部分。

第二子像素电极的第一部分和第二部分可分别包括横向主干、外主干和从横向主干和外主干延伸的微小分支。

第一部分和第二部分可关于第二存储电极线对称。

液晶显示器可进一步包括设置在第二子像素电极和第三子像素电极之间的遮光构件，并且遮光构件可设置在与栅极线相同的层处。

液晶显示器可进一步包括设置在第二子像素电极和第三子像素电极之间的遮光构件，并且遮光构件可设置在与数据线相同的层处并且连接至第二存储电极线。

根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器具有如下效果。

在根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器中，一个像素被分为三个子像素，并且不同的电压被施加至三个子像素以改善侧面可视性。

附图说明

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的一个像素的电路图。

图2是示出施加至根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的信号的时序图。

图3是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。

图4是部分示出图3的构成元件的俯视平面图。

图5是沿着图3的线V-V截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

图6是沿着图3的线VI-VI截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

图7是沿着图3的线VII-VII截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

图8是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。

图9是沿着图8的线IX-IX截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

图10是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。

图11是沿着图10的线XI-XI截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更全面地描述本公开内容，在附图中示出了本公开内容的示例性实施方式。如本领域技术人员认识到的，在不偏离本公开内容的精神或范围的情况下，可以各种不同的方式对所描述的实施方式进行修改。

在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。贯穿本说明书，相同的参考标号指代相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件相对另一元件被称为“在其之上”时，该元件可直接在另一个元件上或者可存在一个或多个中间元件。相反，当元件相对另一元件被称为“直接在其之上”时，则不会存在中间元件。

首先，将参考图1描述根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器。图1是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的一个像素的电路图。液晶显示器包括诸如Gate、Data、Vcst_a和Vcst_b的多条信号线以及连接至信号线的多个像素PX。为了说明方便之目的，仅示出了各个信号线Gate、Data、Vcst_a和Vcst_b中的一个以及一个像素PX。

信号线包括传输栅极信号(也称为“扫描信号”)的栅极线Gate、传输数据电压的数据线Data、交替施加两个不同电压的第一存储电极线Vcst_a以及施加预定电压的第二存储电极线Vcst_b。

第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3连接至相同的栅极线Gate和相同的数据线Data。进一步地，形成有连接至栅极线Gate、第三薄膜晶体管T3和第二存储电极线Vcst_b的第四薄膜晶体管T4。

每一个像素PX包括第一子像素PXa、第二子像素PXb和第三子像素PXc。在第一子像素PXa中，第一液晶电容器Clc_h和存储电容器Cst_h连接至第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst_h连接至第一存储电极线Vcst_a。在第二子像素PXb中，两个第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2连接至第二薄膜晶体管T2。在第三子像素PXc中，第三液晶电容器Clc_l连接至第三薄膜晶体管T3。

第一薄膜晶体管T1包括连接至栅极线Gate的第一端子、连接至数据线Data的第二端子以及连接至第一液晶电容器Clc_h的第三端子。第二薄膜晶体管T2包括连接至栅极线Gate的第一端子、连接至数据线Data的第二端子以及连接至第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2的第三端子。第三薄膜晶体管T3包括连接至栅极线Gate的第一端子、连接至数据线Data的第二端子以及连接至第三液晶电容器Clc_l的第三端子。第四薄膜晶体管T4包括连接至栅极线Gate的第一端子、与第三薄膜晶体管T3的第三端子连接的第二端子以及连接至第二存储电极线Vcst_b的第三端子。

将参考图2描述根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的运行。图2是示出施加至根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的信号的时序图。应理解的是，该时序图不是按比例绘制，因此时刻I、II和III之间的间隔以及信号电平能够在不偏离本公开内容的范围的情况下变化。

首先，在时刻I处，当栅极线Gate施加有栅极导通电压时，连接至栅极线Gate的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3导通，并且第一液晶电容器Clc_h、第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2以及第三液晶电容器Clc_l由通过数据线Data传输的数据电压充电。第一存储电极线Vcst_a施加有第一电压。

在这种情况下，第一液晶电容器Clc_h以及第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2利用相同电压来充电。第四薄膜晶体管T4处于导通状态，使得充电到第三液晶电容器Clc_l的电压的一部分被放电到第二存储电极线Vcst_b中。因此，尽管通过数据线Data传输到第二子像素PXb和第三子像素PXc的数据电压相同，但是充电到第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2的电压不同于充电到第三液晶电容器Clc_l的电压。在一个实施方式中，充电到第三液晶电容器Clc_l的电压低于充电到第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2的电压。

在时刻II处，当栅极线Gate施加有栅极截止电压时，由于寄生电容，跳变电压产生在第一子像素PXa、第二子像素PXb和第三子像素PXc中，并且第一液晶电容器Clc_h、第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2及第三液晶电容器Clc_l的充电电压减小。

在时刻III处，第一存储电极线Vcst_a施加有高于第一电压的第二电压。即，当栅极线Gate施加有栅极导通电压时，第一存储电极线Vcst_a施加有第一电压，并且在栅极线Gate施加有栅极截止电压之后，第一存储电极线Vcst_a施加有高于第一电压的第二电压。在一个实施方式中，第一电压和第二电压之间的差值约为3V。

当第一存储电极线Vcst_a施加有第二电压(在时刻III处)时，第一液晶电容器Clc_h的充电电压增加。在一个实施方式中，第一液晶电容器Clc_h的增加电压Vup通过等式1确定。随着存储电容器Cst_h的电容增加，第一液晶电容器Clc_h的增加电压Vup增加。另外，随着施加至第一存储电极线Vcst_a的第一电压与第二电压之间的电压差△V增加，第一液晶电容器Clc_h的增加电压Vup增加。

[等式1]

其中，Vup是第一液晶电容器的增加电压，并且Clch是第一液晶电容器的电容。Csth是存储电容器的电容，并且Cetc是寄生电容。△V是第一电压和第二电压之间的差值。

充电到第一液晶电容器Clc_h的电压比充电到第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2的电压高了第一液晶电容器Clc_h的增加电压Vup。因此，第一液晶电容器Clc_h的充电电压高于第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2的充电电压，并且第二液晶电容器Clc_m1和Clc_m2的充电电压高于第三液晶电容器Clc_l的充电电压。如上所述，通过对同一像素PX的子像素PXa、PXb和PXc施加不同电压，可提高侧面可视性。例如，在侧面上观看的图像被改善成类似于在正面观看的图像。

将参考图3至图7描述根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的结构。图3是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。图4是部分示出了图3的构成元件的俯视平面图。图4示出了第一子像素电极、第二子像素电极和第三子像素电极。图5是沿着图3的线V-V截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。图6是沿着图3的线VI-VI截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。图7是沿着图3的线VII-VII截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

根据本公开内容的示例性实施方式，液晶显示器包括面向彼此的下面板100和上面板200，以及介于下面板100和上面板200之间的液晶层3。包括栅极线121、第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d的栅极金属层形成在由透明玻璃或者塑料制成的第一基板110上。

栅极线121主要沿水平方向延伸并且传输栅极信号。第一栅电极124a、第二栅电极124b和第三栅电极124c可具有从栅极线121突出的形状。在一个实施方式中，第一栅电极124a、第二栅电极124b和第三栅电极124c在平面上从栅极线121向上突出。第四栅电极124d可设置在栅极线121上。然而，第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d的形状可在不偏离本公开内容的范围的情况下进行不同地改变。第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和第四栅电极124d连接至相同的栅极线121，从而接收相同的栅极信号。

第一存储电极线131形成在第一基板110上。第一存储电极线131可形成为平行于栅极线121。第一存储电极线131可与栅极线121形成在相同的层中。形成从第一存储电极线131突出的存储电极133。稍后将描述与第一子像素电极191a重叠的第一存储电极线131和存储电极133。

如上所述，第一存储电极线131交替施加有第一电压和第二电压。第二电压高于第一电压，并且在栅极导通电压施加至栅极线121之后，第一存储电极线131施加有第二电压。

栅极绝缘层140形成在栅极线121、第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c、第一存储电极线131和存储电极133上。栅极绝缘层140可由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料形成。另外，栅极绝缘层140可由单层或者多层制成。

第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c和第四半导体154d形成在栅极绝缘层140上。第一半导体154a可设置在第一栅电极124a上，第二半导体154b可设置在第二栅电极124b上，第三半导体154c可设置在第三栅电极124c上，并且第四半导体154d可设置在第四栅电极124d上。第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c和第四半导体154d可由非晶硅、多晶硅或者金属氧化物制成。

尽管未示出，但是欧姆接触可进一步设置在第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c和第四半导体154d上。欧姆接触可由硅化物或者诸如其中以高浓度掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅的材料制成。

包括第二存储电极线177、数据线171、第一源电极173a、第一漏电极175a、第二源电极173b、第二漏电极175b、第三源电极173c、第三漏电极175c、第四源电极173d和第四漏电极175d的数据金属层形成在第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c、第四半导体154d和栅极绝缘层140上。如所示，第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c和第四半导体154d可形成在第二存储电极线177或者数据线171下。然而，本公开内容不限于此，并且第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c和第四半导体154d可不形成在第二存储电极线177和数据线171下。

第二存储电极线177传输预定电压并且主要沿着垂直方向延伸，从而与栅极线121和第一存储电极线131交叉。第二存储电极线177可在各个子像素PXa、PXb和PXc的中心部处沿着垂直方向形成。第二存储电极线177被形成为在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的区域中的边缘经过。

数据线171传输数据信号并且主要沿着垂直方向延伸，从而与栅极线121和第一存储电极线131交叉。数据线171沿着大致平行于第二存储电极线177的方向形成，并且以与第二存储电极线177相同的层形成。

第一源电极173a形成为在第一栅电极124a上从数据线171突出。第一源电极173a在第一栅电极124a上可具有弯成“C”形的形状。第一漏电极175a形成为在第一栅电极124a上与第一源电极173a分离。在第一半导体154a中，在形成为彼此分离的第一源电极173a和第一漏电极175a之间暴露的部分处形成沟道。

第二源电极173b形成为在第二栅电极124b上从数据线171突出。第二源电极173b在第二栅电极124b上可具有弯成“C”形的形状。第二漏电极175b形成为在第二栅电极124b上与第二源电极173b分离。在第二半导体154b中，在形成为彼此分离的第二源电极173b和第二漏电极175b之间暴露的部分处形成沟道。

第三源电极173c从第一源电极173a延伸并且设置在第三栅电极124c上。第三源电极173c在第三栅电极124c上可具有弯成“C”形的形状。第三漏电极175c形成为在第三栅电极124c上与第三源电极173c分离。在第三半导体154c中，在形成为彼此分离的第三源电极173c和第三漏电极175c之间暴露的部分处形成沟道。

第四源电极173d连接至第三漏电极175c并且设置在第四栅电极124d上。第四源电极173d可形成为条状。第四漏电极175d形成为在第四栅电极124d上从第二存储电极线177突出。第四漏电极175d形成为在第四栅电极124d上与第四源电极173d分离。在第四半导体154d中，在形成为彼此分离的第四源电极173d和第四漏电极175d之间暴露的部分处形成沟道。

第一栅电极124a、第一半导体154a、第一源电极173a和第一漏电极175a形成第一薄膜晶体管T1。第二栅电极124b、第二半导体154b、第二源电极173b和第二漏电极175b形成第二薄膜晶体管T2。第三栅电极124c、第三半导体154c、第三源电极173c和第三漏电极175c形成第三薄膜晶体管T3。第四栅电极124d、第四半导体154d、第四源电极173d和第四漏电极175d形成第四薄膜晶体管T4。

钝化层180形成在第二存储电极线177、数据线171、第一源电极173a、第一漏电极175a、第二源电极173b、第二漏电极175b、第三源电极173c、第三漏电极175c、第四源电极173d、第四漏电极175d和栅极绝缘层140上。钝化层180可由无机绝缘材料或者有机绝缘材料制成。

滤色器230可形成在钝化层180上。滤色器230可显示诸如红色、绿色以及蓝色的基色中的一种。基色的实例包括红色、绿色和蓝色以及黄色、青色和洋红色。滤色器230可显示基色的混合色或者白色以及基色。在本示例性实施方式中，滤色器230形成在下面板100中，然而，本公开内容不限于此，并且滤色器230可形成在上面板200中。

钝化层180和滤色器230具有暴露第一漏电极175a的至少一部分的第一接触孔185a、暴露第二漏电极175b的至少一部分的第二接触孔185b以及暴露第三漏电极175c的至少一部分的第三接触孔185c。第一子像素电极191a、第二子像素电极191b和第三子像素电极191c形成在滤色器230上。第一子像素电极191a、第二子像素电极191b和第三子像素电极191c可由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明金属氧化物形成。第一子像素电极191a穿过第一接触孔185a连接至第一漏电极175a。第二子像素电极191b穿过第二接触孔185b连接至第二漏电极175b。第三子像素电极191c穿过第三接触孔185c连接至第三漏电极175c。

第一子像素电极191a、第二子像素电极191b和第三子像素电极191c通过第一漏电极175a、第二漏电极175b和第三漏电极175c施加有数据电压。在这种情况下，施加至第三漏电极175c的数据电压的一部分通过第三源电极173c而被分压(divided)，使得施加至第三子像素电极191c的电压低于施加至第二子像素电极191b的电压。这是施加至第二子像素电极191b和第三子像素电极191c的数据电压具有正(+)极性的情况。相反，在施加至第二子像素电极191b和第三子像素电极191c的数据电压具有负(-)极性的情况下，施加至第二子像素电极191b的电压低于施加至第三子像素电极191c的电压。

存储电极133和第一子像素电极191a经由栅极绝缘层140和钝化层180彼此重叠，从而形成存储电容器Cst_h。当第一存储电极线131施加有第二电压时，第一子像素电极191a的电压根据存储电容器Cst_h的尺寸而增加。因此，施加至第一子像素电极191a的电压高于施加至第二子像素电极191b的电压。

第二子像素电极191b的面积可大于第一子像素电极191a的面积的一倍到小于第一子像素电极191a的面积的两倍。第三子像素电极191c的面积可大于第二子像素电极191b的面积的一倍到小于第二子像素电极191b的面积的两倍。

第一子像素电极191a和第二子像素电极191b在列方向上相邻，并且第二子像素电极191b和第三子像素电极191c在列方向上相邻。第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3设置在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间。

第一子像素电极191a的形状是四边形，并且包括由横向主干192a和纵向主干193a制成的十字形主干。第一子像素电极191a被横向主干192a和纵向主干193a分成四个子区域，并且多个微小分支194a形成在每个子区域中。

在设置在四个子区域中的微小分支194a之中，第一子区域的微小分支194a沿着左上方向从横向主干192a或者纵向主干193a倾斜延伸。第二子区域的微小分支194a沿着右上方向从横向主干192a或者纵向主干193a倾斜延伸。另外，第三子区域的微小分支194a沿着右下方向从横向主干192a或者纵向主干193a倾斜延伸，并且第四子区域的微小分支194a沿着左下方向从横向主干192a或者纵向主干193a倾斜延伸。

第二子像素电极191b的形状包括两个四边形。第二子像素电极191b经由第二存储电极线177被分成第一部分191b1和第二部分191b2。第二子像素电极191b的第一部分191b1和第二部分191b2可关于第二存储电极线177对称。

第二子像素电极191b的第一部分191b1和第二部分191b2包括横向主干192b1和192b2，以及外主干195b1和195b2。第二子像素电极191b被横向主干192b1和191b2以及第二存储电极线177分成四个子区域，并且每个子区域包括多个微小分支194b1和194b2。微小分支194b1和194b2从横向主干192b1和192b2以及外主干195b1和195b2延伸。设置在四个子区域处的微小分支194b1和194b2沿着不同方向延伸。

第三子像素电极191c的形状是四边形，并且包括由横向主干192c和纵向主干193c制成的十字形主干。第三子像素电极191c被横向主干192c和纵向主干193c分成四个子区域，并且每个子区域包括多个微小分支194c。微小分支194c从横向主干192c和纵向主干193c延伸。设置在四个子区域中的微小分支194c沿着不同方向延伸。

每一个微小分支194a、194b1和194b2以及194c可与栅极线121或者横向主干192a、192b1和192b2以及192c形成约40度至45度的角。另外，两个相邻子区域的微小分支194a、194b1和194b2以及194c可交叉。

第二存储电极线177可与第一子像素电极191a和第三子像素电极191c重叠。具体地，第二存储电极线177可与第一子像素电极191a的纵向主干193a重叠并且可与第三子像素电极191c的纵向主干193c重叠。第二存储电极线177可不与第二子像素电极191b重叠。

接下来，将描述上面板200。遮光构件220形成在由透明玻璃或塑料制成的第二基板210上。遮光构件220因其防止漏光从而也被称为黑矩阵。遮光构件220可与栅极线121、数据线171、第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第一接触孔185a、第二接触孔185b和第三接触孔185c重叠。

保护层250可形成在遮光构件220上，并且共用电极270形成在保护层250上。遮光构件220和共用电极270形成在上面板200中，然而，本公开内容不限于此。遮光构件220和共用电极270可形成在下面板100中。

液晶层3设置在下面板100和上面板200之间。液晶层3可由具有负介电各向异性的液晶分子制成，并且液晶分子可沿着垂直于下面板100的方向配向。即，可实现垂直配向。

接下来，将参考图8和图9描述根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器。

图8和图9中示出的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器与参考图1至图7描述的根据示例性实施方式的液晶显示器几乎相同，因此省略了重复的描述。在本示例性实施方式中，遮光构件以不同于参考图1至图7描述的前述示例性实施方式的方式，形成在第二子像素电极和第三子像素电极之间。

图8是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。图9是沿着图8的线IX-IX截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

与前述示例性实施方式相同，液晶显示器包括面向彼此的下面板100和上面板200，以及介于其间的液晶层3。在下面板100中，彼此交叉的栅极线121和数据线171形成在第一基板110上的不同层处。第一子像素电极191a、第二子像素电极191b和第三子像素电极191c布置为在列方向上相邻。第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3设置在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间，并且与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b对应的遮光构件220形成在第二基板210上。然而，遮光构件220不形成在与第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间的区域对应的部分处。

液晶分子的倾斜方向相对于第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间的边界部分是不同的。因此，设置在第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间的边界部分处的液晶分子的倾斜方向不明确，从而纹理会由此处产生。在本示例性实施方式中，第一遮光部分135形成在第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间的边界部分处，使得纹理不被识别到。

第一遮光部分135设置在与栅极线121相同的层处。第一遮光部分135由不透明的金属材料制成，从而防止光从第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间穿过。第一遮光部分135可与数据线171和第二存储电极线177交叉。

接下来，将参考图10和图11描述根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器。图10和图11中示出的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器与参考图8和图9描述的根据前述示例性实施方式的液晶显示器几乎相同，因此省略了重复的描述。在本示例性实施方式中，遮光构件以不同于参考图8和图9描述的前述示例性实施方式的方式形成在与数据线相同的层中。

图10是根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的俯视平面图。图11是沿着图10的线XI-XI截取的根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器的截面图。

与前述示例性实施方式相同，根据本公开内容的示例性实施方式的液晶显示器包括面向彼此的下面板100和上面板200，以及介于其间的液晶层3。在本示例性实施方式中，第二遮光部分179形成在第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间的边界部分处。第二遮光部分179设置在与数据线171相同的层处。第二遮光部分179由不透明的金属材料形成，从而防止光从第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间穿过。第二遮光部分179可连接至第二存储电极线177。然而，第二遮光部分179不连接至数据线171。

尽管已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式描述了本公开内容，但应当理解，本公开内容并不限于所公开的实施方式，而是相反，本公开内容旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同配置。

<符号的说明>

100：下面板 110：第一基板

121：栅极线 131：第一存储电极线

133：存储电极 135：第一遮光部分

171：数据线 177：第二存储电极线

179：第二遮光部分 180：钝化层

191a：第一子像素电极 191b：第二子像素电极

191b1：第二子像素电极的第一部分

191b2：第二子像素电极的第二部分

191c：第三子像素电极 200：上面板

210：第二基板 220：遮光构件

230：滤色器 270：共用电极

Claims (17)

1.一种液晶显示器，包括：

基板；

栅极线、数据线、第一存储电极线和第二存储电极线，设置在所述基板上；

第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线；

第四薄膜晶体管，连接至所述栅极线、所述第三薄膜晶体管和所述第二存储电极线；

第一子像素电极，连接至所述第一薄膜晶体管；

第二子像素电极，连接至所述第二薄膜晶体管；

第三子像素电极，连接至所述第三薄膜晶体管；以及

存储电极，连接至所述第一存储电极线并且与所述第一子像素电极重叠，

其中，所述第一子像素电极包括：包括横向主干和纵向主干的十字形主干以及从所述十字形主干延伸的微小分支，

所述第一存储电极线与所述第一子像素电极的所述横向主干重叠，

所述第二存储电极线与所述第一子像素电极的所述纵向主干重叠，而不与所述第二子像素电极重叠，并且

所述第二子像素电极包括第一部分和第二部分，所述第二存储电极线设置在所述第二子像素电极的所述第一部分和所述第二部分之间。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中

施加至所述第一子像素电极的第一数据电压高于施加至所述第二子像素电极的第二数据电压，并且

施加至所述第二子像素电极的所述第二数据电压高于施加至所述第三子像素电极的第三数据电压。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中

所述第一存储电极线交替地施加有第一电压和比所述第一电压高的第二电压。

4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中

在所述栅极线被施加有栅极导通电压之后，所述第一存储电极线被施加有所述第二电压。

5.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中

当所述第一存储电极线施加有所述第二电压时，使施加至所述第一子像素电极的第一数据电压增加。

6.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中

所述第二存储电极线施加有恒定电压。

7.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中

所述栅极线与所述数据线形成在不同层处并且交叉。

8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中

所述第一存储电极线设置在与所述栅极线相同的层处。

9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其中

所述第一存储电极线沿着与所述栅极线平行的方向延伸。

10.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中

所述第二存储电极线设置在与所述数据线相同的层处。

11.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中

所述第二存储电极线沿着与所述数据线平行的方向延伸。

12.根据权利要求11所述的液晶显示器，其中

所述第三子像素电极包括：包括横向主干和纵向主干的十字形主干以及从所述十字形主干延伸的微小分支，并且

所述第二存储电极线与所述第三子像素电极的所述纵向主干重叠。

13.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中

所述第二子像素电极包括相对于所述第二存储电极线分别设置在两侧处的第一部分和第二部分。

14.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中

所述第二子像素电极的所述第一部分和所述第二部分分别包括：

横向主干；

外主干；以及

微小分支，从所述横向主干和所述外主干延伸。

15.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中

所述第一部分和所述第二部分关于所述第二存储电极线对称。

16.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括：

遮光构件，设置在所述第二子像素电极与所述第三子像素电极之间，

其中，所述遮光构件设置在与所述栅极线相同的层处。

17.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括：

遮光构件，设置在所述第二子像素电极与所述第三子像素电极之间，

其中，所述遮光构件设置在与所述数据线相同的层处并且连接至所述第二存储电极线。

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